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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野 行徳 (ONO Yukinori)

小野 行徳 (ONO Yukinori)
教授
学術院工学領域 - 電子物質科学系列 電子工学研究所 - 極限デバイス研究部門

工学部 - 電子物質科学科
大学院総合科学技術研究科工学専攻 - 電子物質科学コース
大学院光医工学研究科 - 光医工学共同専攻
創造科学技術研究部 - ナノビジョンサイエンス部門




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最終更新日:2019/04/02 2:08:00

教員基本情報

【取得学位】
博士(工学)  早稲田大学   1996年2月
修士(工学)  早稲田大学   1988年3月
【研究分野】
工学 - 電気電子工学 - 電子デバイス・電子機器
工学 - 電気電子工学 - 電子・電気材料工学
【現在の研究テーマ】
ナノエレクトロニクス
【研究キーワード】
半導体デバイス, 単一ドーパント原子, 電子スピン共鳴法, チャージポンピング法
【所属学会】
・アイ・トリプル・イー
・電子情報通信学会
・日本応用物理学会
【個人ホームページ】
https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/
 

研究業績情報

【論文 等】
[1]. Electron Aspirator using Elecron-electron Scattering in Nanoscale Silicon
Nature communications 9/ 4813_1-8 (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] H.Firdaus,T.Watanabe,M.Hori, D.Moraru,Y.Takahashi, A.Fujiwara, Y.Ono [DOI]
[2]. Detection of single holes generated by impact ionization in silicon
Applied Physics Letters 113/16 163103-1-163103-5 (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] H.Firdaus, T.Watanabe, M.Hori, D.Moraru, Y.Takahashi, A.Fujiwara, and Y.Ono [DOI]
[3]. Construction of KAGRA: an underground gravitational-wave observatory
Progress of Theoretical and Experimental Physics 2018/1 (xxx) - (zzz) (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Akutsu [共著者]Y.Ono et al., [DOI]
[4]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Proccess for SiO2/Si Interface Analysis
QiR:2017 15th Intl. Conf. QiR: Intl. Symp. Elec. and Com. Eng. (vol)/(num) 52-56 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M.Hori [共著者]T.Watanabe,Y,Ono
[5]. Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors
Appl.Phys.Lett. 110/9 093107_1-5 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]A.Samanta,M.Muruganathan,M.Hori,Y.Ono,H.Mizuta,M.Tabe,D.Moraru [DOI]
【著書 等】
[1]. 電子・物性系のための量子力学-デバイスの本質を理解する
森北出版株式会社 (2015年)
[著書の別]著書(教育)
[単著・共著・編著等の別] 単著
[著者]小野 行徳
[備考] https://www.morikita.co.jp/books/book/2839
【学会発表・研究発表】
[1]. Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月11日) 招待講演以外
[発表者]G.Prabhudesai, M.Manoharan, M.Hori, Y.Ono, H.Mizuta, M.Tabe, D.Moraru
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-282
[2]. シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月10日) 招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-110
[3]. 2トラップ間のチャージポンピング相互作用
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月10日) 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-109
[4]. Electron-electron scattering in nano-scaled sillicon
International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019) (2019年1月29日) 招待講演
[発表者]Yukinori Ono
[備考] SRM Institute of Science and Technology, India
[5]. Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs
5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN) (2019年1月28日) 招待講演
[発表者]M. Hori and Y. Ono
[備考] SRM Institute of Science and Technology, India
【共同・受託研究】
[1]. 企業等からの受託研究 ESR・EDMRを用いた高感度電子スピン検出
分担 ( 2017年11月 ~ 2022年3月 )
[備考] 国立研究開発法人科学技術振興機構 CREST 戦略的創造研究推進事業
【科学研究費助成事業】
[1]. 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立 ( 2017年6月 ~ 2022年3月 ) 挑戦的研究(開拓) 代表

[2]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 ( 2016年4月 ~ 2020年3月 ) 基盤研究(A) 代表

[3]. 高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御 ( 2015年4月 ~ 2017年3月 ) 挑戦的萌芽研究 代表

[4]. 単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開 ( 2014年4月 ~ 2017年3月 ) 基盤研究(B) 分担

[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究 ( 2013年4月 ~ 2016年3月 ) 基盤研究(B) 代表

【受賞】
[1]. 第10回(2017秋季応物学会)Poster Award チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出 (2017年9月)
[受賞者] M.Hori, T.Tsuchiya, Y.Ono [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会
[備考] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[2]. 第38回応用物理学会論文賞 Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps:Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method (2016年9月)
[受賞者] T.Tsuciya, Y.Ono [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会
【特許 等】
[1]. 走査型プローブ顕微鏡用探針 [出願番号] 特願2006-312723 (2006年11月20日) [特許番号] 特許第4680868号
[2]. ゲインセル・メモリ回路及びその駆動方法 [出願番号] 特願2006-6205 (2006年1月13日) [特許番号] 特許第4602912号
[3]. 単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-138479 (2005年5月11日) [特許番号] 特許第4704802号
[4]. 電界変調型単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-119782 (2005年4月18日) [特許番号] 特許第4648061号
[5]. ナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法 [出願番号] 特願2005-092444 (2005年3月28日) [特許番号] 特許第4627206号

教育関連情報

【今年度担当授業科目】
[1]. 全学教育科目(共通科目) 電磁気学Ⅱ (2018年度 - 前期 )
[備考] 主担当
[2]. 全学教育科目(共通科目) 電子物質科学概論Ⅰ (2018年度 - 前期 )
[備考] 副担当
[3]. 大学院科目(博士) ナノエレクトロニクス (2018年度 - 通年 )
[備考] 副担当
[4]. 学部専門科目 量子力学 (2018年度 - 後期 )
[備考] 主担当
[5]. 大学院科目(修士) 量子効果デバイス (2018年度 - 後期 )
[備考] 副担当
【指導学生数】
2018年度
卒研指導学生数(4年) 5 人
修士指導学生数 7 人
博士指導学生数(主指導) 1 人 博士指導学生数(副指導) 0 人
2017年度
卒研指導学生数(3年) 1 人
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 4 人
博士指導学生数(主指導) 1 人 博士指導学生数(副指導) 0 人
2016年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 1 人
博士指導学生数(主指導) 1 人 博士指導学生数(副指導) 1 人

社会活動

【報道】
[1]. 新聞 コンピューターの消費電力 素子構造工夫1/10に (2018年12月19日)
[備考] 日経新聞朝刊39面
【学外の審議会・委員会等】
[1]. IEEE国際会議(SNW)論文委員 (2017年3月 )

国際貢献実績

管理運営・その他