静岡大学：教員データベース - 小野行徳（ONO Yukinori）

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野行徳（ONO Yukinori）

学会発表・研究発表

【学会発表・研究発表】
[1]. シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス [2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) –捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)– 第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス [3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) –捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)– 第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス [4]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)– 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：熊本城ホール [5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)– 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：熊本城ホール [6]. Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors 2023 International conference on solid state devices and materials (SSDM2023) （2023年9月6日）招待講演以外 [発表者]Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono [備考] 開催場所：Nagoya Congress Center [7]. Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering – Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演 [発表者]Yukinori Ono [備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto [8]. Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演以外 [発表者]Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono [備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto [9]. 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定 2023年日本物理学会春季大会（2023年3月23日）招待講演以外 [発表者]樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎 [備考] オンライン [10]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)- 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：上智大学＋オンライン [11]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 - 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：上智大学＋オンライン [12]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用東北大学－静岡大学合同冬季研究会（2023年2月27日）招待講演以外 [発表者]小野行徳 [備考] 東北大学電気通信研究所 [13]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」（2023年1月31日）招待講演 [発表者]小野行徳 [備考] 開催場所：産総研臨海副都心センター（東京都江東区）主催団体：電子情報通信学会 [14]. Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces 第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月29日）招待講演以外 [発表者]Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori [備考] 開催場所：静岡大学　ポスター発表 [15]. Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon ICTA 2022 （2022年10月28日）招待講演 [発表者]Y. Ono [備考] Xian,China (Online) [16]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和- 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学＋オンライン [17]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別- 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学＋オンライン [18]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [19]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [20]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [21]. Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用（2022年1月7日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学電気通信研究所 [22]. ナノスケールシリコンにおける電荷と電流の制御第23回高柳健次郎記念シンポジウム（2021年11月24日）招待講演 [発表者]小野行徳 [備考] 開催場所：Web開催主催団体名：静岡大学浜松キャンパス [23]. Charge Pumping under Electron Spin Resonance in Si MOSFETs - Identification of Interface Defects and Detection of Donor Electrons - 2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （IWDTF 2021）（2021年11月14日）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] オンライン開催 [24]. 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [25]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [26]. チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [27]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon 東北大学電気通信研究所令和2年度共同プロジェクト研究発表会（2021年2月18日）招待講演以外 [発表者]Yukinori Ono [備考] 開催場所：オンライン開催：主催団体名：東北大学 [28]. Electron-electron scattering in silicon and its impact on future emerging devices 6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2021) （2021年2月）招待講演 [発表者]Yukinori Ono [備考] SRM Institute of Science and Technology, India （Virtual Conference) [29]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演 [発表者]小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [30]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [31]. Performance and limitations of Si electron nano-aspirator 第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演以外 [発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Ono [備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-113 [32]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-166 [33]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演 [発表者]小野行徳, ヒンマフィルダス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡 [備考] 上智大学四谷キャンパスpp. 11-165 [34]. チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-081 [35]. Charge pumping in silicon MOSFETs – towards ultimate control of charges and spins – 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) （2019年11月28日）招待講演 [発表者]M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] 東北大学 pp.81-82 [36]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon The 21st Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2019年11月12日）招待講演 [発表者]H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] 静岡大学浜松キャンパス佐鳴会館 pp.1-2 [37]. Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp. 12-136 [38]. シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳 [備考] 北海道大学　札幌キャンパス pp.12-137 [39]. 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 I -準位密度分布- 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-138 [40]. 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 II -電子捕獲過程- 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 北海道大学　札幌キャンパス pp.12-139 [41]. Performance Limitations of Nanoscale Si Electron-Aspirator Inter-Academia2019 （2019年9月4日）招待講演以外 [発表者]H. Firdaus, M. Razanoelina, Y. Ono [備考] Danubius Hotel Gellért,Budapest,Hungary [42]. Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop （2019年6月10日）招待講演以外 [発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto pp.117-118 [43]. シリコンにおける電子̶電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター電子情報通信学会 ED・CPM・SDM 共催平成３１年度５月研究会（2019年5月16日）招待講演 [発表者]小野行徳 [備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス主宰団体：電子情報通信学会 [44]. Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月11日）招待講演以外 [発表者]G. Prabhudesai, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru [備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-282 [45]. シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳 [備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-110 [46]. 2トラップ間のチャージポンピング相互作用 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-109 [47]. Electron-electron scattering in nano-scaled sillicon 5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019) （2019年1月29日）招待講演 [発表者]Yukinori Ono [備考] SRM Institute of Science and Technology, India [48]. Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs 5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2019) （2019年1月28日）招待講演 [発表者]M. Hori and Y. Ono [備考] SRM Institute of Science and Technology, India [49]. チャージポンピングEDMR法を用いたSiO2/Si界面の欠陥検出 2018年日本表面真空学会中部支部研究会（2018年11月30日）招待講演 [発表者]堀匡寛,小野行徳 [備考] 静岡大学創造科学技術大学院 [50]. Remote Detection of Holes Generated by Impact Ionization 17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia 2018 （2018年9月24日）招待講演以外 [発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Ono [備考] Kaunas University of Technology, Lithuania Abstract pp.22 [51]. Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) （2018年7月17日）招待講演以外 [発表者]T. Tsuchiya, M. Hori, and Y. Ono [備考] Marina Bay Sands, Singapore [52]. ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢,多胡友,杉浦史悦,堀匡寛,小野行徳,塚本裕也,大見俊一郎 [備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス(横浜市） [53]. 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]三宅丈雄,堀匡寛,小野行徳 [備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス（横浜市） [54]. チャージポンピングＥＤＭＲ法によるシリコンＭＯＳ界面の欠陥検出第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演 [発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区） [55]. チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]土屋敏章,堀匡寛,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区） [56]. チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]安藤克哉,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区） [57]. Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) （2018年2月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳 [備考] 北海道大学百年記念会館（札幌市） [58]. チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 福岡国際会議場（福岡市）Abstract p.12-262 [59]. Charge pump in silicon - Physics and application of charge transfer - The 16th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia2017) （2017年9月）招待講演 [発表者]Y. Ono [備考] Alexandru Ioan Cuza University of Iasi, Romania [60]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Proccess for SiO2/Si Interface Analysis The 15th International Conference on QiR （2017年7月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Watanabe, Y. Ono [備考] 開催場所：The Westin Resort Nusa Dua, Bali pp.E3A-1 [61]. Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Lonization in Silicon 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2017) （2017年6月）招待講演以外 [発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] 開催場所：リーガロイヤルホテル Workshop abstracts pp29-30 [62]. Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演 [発表者]Y. Ono, H. Firdaus, M. Hori [備考] Hotel Seven Park /Colico,Italy [63]. Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Hotel Seven Park /Colico,Italy [64]. Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]Hasan KM Tarik, Samanta Arup, Affiff Adnan, Anh Le The, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会 [65]. Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]Prabhudesai Gaurang, Anh Le The, Shibuya Mitsuki, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会 [66]. Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢,堀匡寛,土屋敏章,藤原聡,小野行徳 [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会 [67]. シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月）招待講演 [発表者]小野行徳,堀匡寛,土屋敏章 [備考] 開催場所：八洲学園大学主催団体：応用物理学会 [68]. SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング電子情報通信学会研究会（2017年2月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳 [備考] 開催場所：北海道大学百年記念会館、札幌市主催団体：電子情報通信学会 [69]. Silicon Single Boron Transistor ICNERE EECCiS2016 （2016年11月）招待講演以外 [発表者]Y.Ono, M.Hori, A.Fujiwara [備考] Malang Indonesia [70]. Charge pumping EDMR for MOS interface analysis The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2016年11月）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Shizuoka University Proceedings.pp.1-5 [71]. Single-dopant transistor and pump-interplay with single phonon- フォノンエンジニアリング講演会（2016年11月）招待講演 [発表者]小野行徳 [備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会「ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術」調査専門委員会 [72]. Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method 第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演 [発表者]土屋敏章,小野行徳 [備考] 朱鷺メッセ（新潟市） [73]. 高感度チャージポンピングEDMR法の開発第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,成松諒一,土屋敏章,小野行徳 [備考] 朱鷺メッセ（新潟市） Abstract,pp.12-056 [74]. EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Warsaw University,Poland Proceedings,pp.89-93 [75]. Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外 [発表者]Y. Ono, M. Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara [備考] Warsaw University, Poland Proceedings,pp.137-141 [76]. Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016) （2016年7月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, Y. Ono [備考] Hakodate,Workshop,Abstract pp.377-379 [77]. Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW2016) （2016年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, R. Narimatsu, Y. Ono [備考] Honolulu, USA, Workshop,Abstract,pp.142-143 [78]. Novel application of the charge pumping process for charge and spin control EMN Meeting on Quantum 2016 （2016年4月）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Phuket, Thailand, Abstract pp. 32-33 [79]. Single-dopant transistor and pump - Interplay with single phonon- 電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術調査専門員会（2016年1月）招待講演以外 [発表者]小野行徳 [備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会 [80]. Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015) （2015年11月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi [備考] Toyama,Abstract 12P-7-31 [81]. Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015) （2015年11月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] Toyama International Conference Center, Toyama, Abstract 13B-10-4 [82]. Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Nishiuchi , K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono [備考] Jeju Island, Korea, Abstract, pp. 352-354 [83]. Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon- III Bilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演 [発表者]Y. Ono, M. Hori [備考] Campus Plaza Kyoto, Kyoto Japan, Workshop Abstract pp. 6 [84]. ESR measurements of As donor electrons in silicon The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies （2015年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] Niigata,Abstract P2-75 [85]. Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.29-30 [86]. Counting statistics of single-electron thermal noise 2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) （2014年11月）招待講演以外 [発表者]K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Hawaii,USA,Book of abstract pp.13 [87]. Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) （2014年9月）招待講演以外 [発表者]T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] Tsukuba,Extended Abstracts,pp.842-843(J-2-5L) [88]. Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping 2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices （2014年7月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] Kanazawa,Workshop Digest, pp.96-99 [89]. Time-domain measurements of charge pimping current 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2014年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] Honolulu,USA,Workshop Abstract. pp.31-32 [90]. Time-domain measurements of charge pimping current 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2014年1月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract, pp. 31- 32. [91]. ESR study on pure single crystalline sapphire Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-Silicide) （2013年7月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa [備考] Tsukuba, Abstract 28-P24. [92]. Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) （2013年7月）招待講演以外 [発表者]N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa [備考] Chiba, Japan, Abstract, pp. 52. [93]. ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013) （2013年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] Kanazawa, Japan, Abstract pp. P1-47. [94]. Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs 2011 International Electron Devices Meeting(IEDM-2011) （2011年12月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, F. Guagliardo, G. Ferrari, A. Komatubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endo, Y. Ono, E. Prati [備考] San Fransisco, USA,Technical Digest,pp.698-700 [95]. Charge transfer by multiple donors in a Si nanowire 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2011) （2011年9月）招待講演以外 [発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Nagoya,Extended Abstracts, pp.1276-1277 [96]. Subband energy manipulation by gate voltage in Si (100) hole system The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-19) and the 15th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-15) （2011年7月）招待講演以外 [発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama [備考] Florida, USA [97]. Observation of new current peaks of Si single-electron transistor with a single-hole trap 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外 [発表者]M. Sinohara, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi [備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.59-60 [98]. Capture and emission kinetics of traps in MOSFETs 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011) （2011年6月）招待講演以外 [発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.17-18 [99]. Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impact on Transconductance of FETs 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011) （2011年6月）招待講演 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai [備考] Daejeon, Korea [100]. Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011) （2011年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, K. Kumagai [備考] Kyoto, Extended abstract, pp. 75-76 [101]. Electroluminescence study of phosphorus ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011) （2011年1月）招待講演以外 [発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara [備考] Atsugi, Program and Abstract, p. 134. [102]. Charge switching in wire MOSFETs studied by separation of capture and emission International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011) （2011年1月）招待講演以外 [発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Atsugi, Program and Abstract, p. 135. [103]. Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance 2010 International Electron Devices Meeting (IEDM-2010) （2010年12月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara [備考] San Francisco, USA, Technical Digest, pp. 592-595 [104]. Improving Single Dopant Detection Efficiency by Controlling Substrate Bias in Single Ion Implantation Method TECHCON 2010 technology & talent for the 21st century （2010年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, T. Tanii, Y. Ono [備考] Austin, Texas, USA, Abstract, pp. 52 [105]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Dopant Arrays 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar, D. Moraru, M. Ligowski, T. Mizuno, R. Jablonski, Y. Ono, M. Tabe [備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 97-98. [106]. Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外 [発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara [備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 796-797. [107]. Effect of Device Structure on Electrical Conduction of Terphenyl-based Molecule 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外 [発表者]T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu [備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 507-508. [108]. Electron-mobility suppression under valley-polarized region in Si quantum well 30th International Conference on the Pysics of Semiconductors (ICPS 2010) （2010年7月）招待講演以外 [発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama [備考] Seoul, Korea, Program P1-097. [109]. Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-Silicide) （2010年7月）招待講演以外 [発表者]Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ota [備考] Tukuba [110]. Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution 18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) （2010年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Shinada, T. Taira, T. Tanii, Y. Ono [備考] Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Abstract, pp. Mo-12 [111]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年4月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari [備考] San Jose,USA), Proc. SPIE Vol. 7637, 763711 [112]. In plane transport in a double layer crystalline silicon stracture with an SiO2 barrier 2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era （2010年3月）招待講演以外 [発表者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisarwa, K. Muraki [備考] Southampton, UK, Program and Abstracts, p. 4. [113]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年2月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara [備考] San Jose, USA, Proc. SPIE Vol. 7637, 763711_1-7 [114]. Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron-transfer operation International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN-2009) （2009年12月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi [備考] Kaanapali, Maui, Hawaii, USA, P1-13, pp. 60-61. [115]. Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009) （2009年10月）招待講演以外 [発表者]K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Sendai,Extended Abstracts, pp. 1140-1141. [116]. Tunnel spectroscopy of electron subbands in thin SOI MOSFETs 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009) （2009年10月）招待講演以外 [発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara [備考] Sendai,Extended Abstracts, pp. 262-263. [117]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric discrete dopant distribution TECHCON 2009 technology & talent for the 21st century （2009年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, T. Tanii, T. Endoh [備考] Austin, Texas, USA, Abstract, pp. 108. [118]. Single-electron devices based on silicon nanowire MOSFETs "Trends in NanoTechnology" International Conference (TNT-2009) （2009年9月）招待講演以外 [発表者]A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono [備考] Barcelona, Spain,Workshop Abstract p. 39. [119]. Logic switching characteristics of multiple-gate nanodot array device 1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09) （2009年9月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, Y. Kato, M. Arita, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi [備考] Vigo, Spain [120]. Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire on SOI substrate International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures (IWPSN) （2009年7月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara ,Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi [備考] Hokkaido Univ.Sapporo [121]. Electron-hole transport in a 40 nm thick silicon slab The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14,) （2009年7月）招待講演以外 [発表者]K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki [備考] Kobe, Program E4e. [122]. Single-electron activation over an oscillating barrier in silicon nanowire MOSFETs The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14) （2009年7月）招待講演以外 [発表者]S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, A. Fujiwara [備考] Kobe, Program Tu-eP91. [123]. Fabrication of coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2009) （2009年6月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi [備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 155- 156. [124]. Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外 [発表者]M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara [備考] Kyoto.Workshop Abstract, pp. 137- 138. [125]. Fabrication of Coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J-B. Choi [備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 155- 156. [126]. Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外 [発表者]M. Kawachi, Y. Ono, A. Fujiwara, S. Horiguchi [備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 89- 90. [127]. Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, (ICSI-6) （2009年5月）招待講演以外 [発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi [備考] Los Angels,USA, Workshop Abstract, pp54-55. [128]. Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008) （2008年1月）招待講演以外 [発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama, K. Muraki [備考] Atsugi, Program and Abstract, pp. 127. [129]. In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008) （2008年1月）招待講演以外 [発表者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki [備考] Atsugi,Program and Abstract, pp. 128.

[1]. シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス
[2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) –捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス
[3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) –捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学世田谷キャンパス
[4]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
[5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
[6]. Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors
2023 International conference on solid state devices and materials (SSDM2023) （2023年9月6日）招待講演以外
[発表者]Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono
[備考] 開催場所：Nagoya Congress Center
[7]. Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering –
Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演
[発表者]Yukinori Ono
[備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto
[8]. Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature
Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演以外
[発表者]Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono
[備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto
[9]. 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
2023年日本物理学会春季大会（2023年3月23日）招待講演以外
[発表者]樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
[備考] オンライン
[10]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[11]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[12]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用
共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用東北大学－静岡大学合同冬季研究会（2023年2月27日）招待講演以外
[発表者]小野行徳
[備考] 東北大学電気通信研究所
[13]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用
第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」（2023年1月31日）招待講演
[発表者]小野行徳
[備考] 開催場所：産総研臨海副都心センター（東京都江東区）主催団体：電子情報通信学会
[14]. Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces
第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月29日）招待講演以外
[発表者]Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori
[備考] 開催場所：静岡大学　ポスター発表
[15]. Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon
ICTA 2022 （2022年10月28日）招待講演
[発表者]Y. Ono
[備考] Xian,China (Online)
[16]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学＋オンライン
[17]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別-
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学＋オンライン
[18]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[19]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[20]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[21]. Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング
東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用（2022年1月7日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学電気通信研究所
[22]. ナノスケールシリコンにおける電荷と電流の制御
第23回高柳健次郎記念シンポジウム（2021年11月24日）招待講演
[発表者]小野行徳
[備考] 開催場所：Web開催主催団体名：静岡大学浜松キャンパス
[23]. Charge Pumping under Electron Spin Resonance in Si MOSFETs - Identification of Interface Defects and Detection of Donor Electrons -
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （IWDTF 2021）（2021年11月14日）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] オンライン開催
[24]. 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[25]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[26]. チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[27]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
東北大学電気通信研究所令和2年度共同プロジェクト研究発表会（2021年2月18日）招待講演以外
[発表者]Yukinori Ono
[備考] 開催場所：オンライン開催：主催団体名：東北大学
[28]. Electron-electron scattering in silicon and its impact on future emerging devices
6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2021) （2021年2月）招待講演
[発表者]Yukinori Ono
[備考] SRM Institute of Science and Technology, India （Virtual Conference)
[29]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター
第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演
[発表者]小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[30]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング
第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[31]. Performance and limitations of Si electron nano-aspirator
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演以外
[発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Ono
[備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-113
[32]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-166
[33]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演
[発表者]小野行徳, ヒンマフィルダス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡
[備考] 上智大学四谷キャンパスpp. 11-165
[34]. チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 上智大学四谷キャンパス pp. 11-081
[35]. Charge pumping in silicon MOSFETs – towards ultimate control of charges and spins –
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) （2019年11月28日）招待講演
[発表者]M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] 東北大学 pp.81-82
[36]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
The 21st Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2019年11月12日）招待講演
[発表者]H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] 静岡大学浜松キャンパス佐鳴会館 pp.1-2
[37]. Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp. 12-136
[38]. シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 北海道大学　札幌キャンパス pp.12-137
[39]. 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 I -準位密度分布-
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-138
[40]. 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 II -電子捕獲過程-
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 北海道大学　札幌キャンパス pp.12-139
[41]. Performance Limitations of Nanoscale Si Electron-Aspirator
Inter-Academia2019 （2019年9月4日）招待講演以外
[発表者]H. Firdaus, M. Razanoelina, Y. Ono
[備考] Danubius Hotel Gellért,Budapest,Hungary
[42]. Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics
2019 Silicon Nanoelectronics Workshop （2019年6月10日）招待講演以外
[発表者]M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto pp.117-118
[43]. シリコンにおける電子̶電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター
電子情報通信学会 ED・CPM・SDM 共催平成３１年度５月研究会（2019年5月16日）招待講演
[発表者]小野行徳
[備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス主宰団体：電子情報通信学会
[44]. Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月11日）招待講演以外
[発表者]G. Prabhudesai, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-282
[45]. シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-110
[46]. 2トラップ間のチャージポンピング相互作用
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 東京工業大学大岡山キャンパス Abstract pp.11-109
[47]. Electron-electron scattering in nano-scaled sillicon
5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019) （2019年1月29日）招待講演
[発表者]Yukinori Ono
[備考] SRM Institute of Science and Technology, India
[48]. Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs
5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2019) （2019年1月28日）招待講演
[発表者]M. Hori and Y. Ono
[備考] SRM Institute of Science and Technology, India
[49]. チャージポンピングEDMR法を用いたSiO2/Si界面の欠陥検出
2018年日本表面真空学会中部支部研究会（2018年11月30日）招待講演
[発表者]堀匡寛,小野行徳
[備考] 静岡大学創造科学技術大学院
[50]. Remote Detection of Holes Generated by Impact Ionization
17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia 2018 （2018年9月24日）招待講演以外
[発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Ono
[備考] Kaunas University of Technology, Lithuania Abstract pp.22
[51]. Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method
International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) （2018年7月17日）招待講演以外
[発表者]T. Tsuchiya, M. Hori, and Y. Ono
[備考] Marina Bay Sands, Singapore
[52]. ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性
平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢,多胡友,杉浦史悦,堀匡寛,小野行徳,塚本裕也,大見俊一郎
[備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス(横浜市）
[53]. 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発
平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]三宅丈雄,堀匡寛,小野行徳
[備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス（横浜市）
[54]. チャージポンピングＥＤＭＲ法によるシリコンＭＯＳ界面の欠陥検出
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演
[発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区）
[55]. チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]土屋敏章,堀匡寛,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区）
[56]. チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]安藤克哉,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（新宿区）
[57]. Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) （2018年2月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳
[備考] 北海道大学百年記念会館（札幌市）
[58]. チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出
第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 福岡国際会議場（福岡市）Abstract p.12-262
[59]. Charge pump in silicon - Physics and application of charge transfer -
The 16th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia2017) （2017年9月）招待講演
[発表者]Y. Ono
[備考] Alexandru Ioan Cuza University of Iasi, Romania
[60]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Proccess for SiO2/Si Interface Analysis
The 15th International Conference on QiR （2017年7月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Watanabe, Y. Ono
[備考] 開催場所：The Westin Resort Nusa Dua, Bali pp.E3A-1
[61]. Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Lonization in Silicon
2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2017) （2017年6月）招待講演以外
[発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] 開催場所：リーガロイヤルホテル Workshop abstracts pp29-30
[62]. Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature
IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演
[発表者]Y. Ono, H. Firdaus, M. Hori
[備考] Hotel Seven Park /Colico,Italy
[63]. Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon
IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Hotel Seven Park /Colico,Italy
[64]. Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]Hasan KM Tarik, Samanta Arup, Affiff Adnan, Anh Le The, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会
[65]. Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]Prabhudesai Gaurang, Anh Le The, Shibuya Mitsuki, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会
[66]. Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢,堀匡寛,土屋敏章,藤原聡,小野行徳
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会
[67]. シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー
第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月）招待講演
[発表者]小野行徳,堀匡寛,土屋敏章
[備考] 開催場所：八洲学園大学主催団体：応用物理学会
[68]. SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング
電子情報通信学会研究会（2017年2月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳
[備考] 開催場所：北海道大学百年記念会館、札幌市主催団体：電子情報通信学会
[69]. Silicon Single Boron Transistor
ICNERE EECCiS2016 （2016年11月）招待講演以外
[発表者]Y.Ono, M.Hori, A.Fujiwara
[備考] Malang Indonesia
[70]. Charge pumping EDMR for MOS interface analysis
The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2016年11月）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Shizuoka University Proceedings.pp.1-5
[71]. Single-dopant transistor and pump-interplay with single phonon-
フォノンエンジニアリング講演会（2016年11月）招待講演
[発表者]小野行徳
[備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会「ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術」調査専門委員会
[72]. Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演
[発表者]土屋敏章,小野行徳
[備考] 朱鷺メッセ（新潟市）
[73]. 高感度チャージポンピングEDMR法の開発
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,成松諒一,土屋敏章,小野行徳
[備考] 朱鷺メッセ（新潟市） Abstract,pp.12-056
[74]. EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature
Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Warsaw University,Poland Proceedings,pp.89-93
[75]. Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission
Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外
[発表者]Y. Ono, M. Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
[備考] Warsaw University, Poland Proceedings,pp.137-141
[76]. Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016) （2016年7月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, Y. Ono
[備考] Hakodate,Workshop,Abstract pp.377-379
[77]. Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature
2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW2016) （2016年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, R. Narimatsu, Y. Ono
[備考] Honolulu, USA, Workshop,Abstract,pp.142-143
[78]. Novel application of the charge pumping process for charge and spin control
EMN Meeting on Quantum 2016 （2016年4月）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Phuket, Thailand, Abstract pp. 32-33
[79]. Single-dopant transistor and pump - Interplay with single phonon-
電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術調査専門員会（2016年1月）招待講演以外
[発表者]小野行徳
[備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会
[80]. Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015) （2015年11月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
[備考] Toyama,Abstract 12P-7-31
[81]. Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015) （2015年11月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] Toyama International Conference Center, Toyama, Abstract 13B-10-4
[82]. Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Nishiuchi , K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono
[備考] Jeju Island, Korea, Abstract, pp. 352-354
[83]. Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon-
III Bilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演
[発表者]Y. Ono, M. Hori
[備考] Campus Plaza Kyoto, Kyoto Japan, Workshop Abstract pp. 6
[84]. ESR measurements of As donor electrons in silicon
The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies （2015年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] Niigata,Abstract P2-75
[85]. Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.29-30
[86]. Counting statistics of single-electron thermal noise
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) （2014年11月）招待講演以外
[発表者]K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Hawaii,USA,Book of abstract pp.13
[87]. Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) （2014年9月）招待講演以外
[発表者]T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] Tsukuba,Extended Abstracts,pp.842-843(J-2-5L)
[88]. Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices （2014年7月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] Kanazawa,Workshop Digest, pp.96-99
[89]. Time-domain measurements of charge pimping current
2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2014年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] Honolulu,USA,Workshop Abstract. pp.31-32
[90]. Time-domain measurements of charge pimping current
2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2014年1月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract, pp. 31- 32.
[91]. ESR study on pure single crystalline sapphire
Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-Silicide) （2013年7月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa
[備考] Tsukuba, Abstract 28-P24.
[92]. Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors
12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) （2013年7月）招待講演以外
[発表者]N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa
[備考] Chiba, Japan, Abstract, pp. 52.
[93]. ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime
The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013) （2013年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] Kanazawa, Japan, Abstract pp. P1-47.
[94]. Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs
2011 International Electron Devices Meeting(IEDM-2011) （2011年12月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, F. Guagliardo, G. Ferrari, A. Komatubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endo, Y. Ono, E. Prati
[備考] San Fransisco, USA,Technical Digest,pp.698-700
[95]. Charge transfer by multiple donors in a Si nanowire
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2011) （2011年9月）招待講演以外
[発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Nagoya,Extended Abstracts, pp.1276-1277
[96]. Subband energy manipulation by gate voltage in Si (100) hole system
The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-19) and the 15th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-15) （2011年7月）招待講演以外
[発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
[備考] Florida, USA
[97]. Observation of new current peaks of Si single-electron transistor with a single-hole trap
2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外
[発表者]M. Sinohara, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
[備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.59-60
[98]. Capture and emission kinetics of traps in MOSFETs
2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011) （2011年6月）招待講演以外
[発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Kyoto,Workshop Abstract,pp.17-18
[99]. Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impact on Transconductance of FETs
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011) （2011年6月）招待講演
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai
[備考] Daejeon, Korea
[100]. Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs
11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011) （2011年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, K. Kumagai
[備考] Kyoto, Extended abstract, pp. 75-76
[101]. Electroluminescence study of phosphorus ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,
International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011) （2011年1月）招待講演以外
[発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara
[備考] Atsugi, Program and Abstract, p. 134.
[102]. Charge switching in wire MOSFETs studied by separation of capture and emission
International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011) （2011年1月）招待講演以外
[発表者]G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Atsugi, Program and Abstract, p. 135.
[103]. Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance
2010 International Electron Devices Meeting (IEDM-2010) （2010年12月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara
[備考] San Francisco, USA, Technical Digest, pp. 592-595
[104]. Improving Single Dopant Detection Efficiency by Controlling Substrate Bias in Single Ion Implantation Method
TECHCON 2010 technology & talent for the 21st century （2010年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, T. Tanii, Y. Ono
[備考] Austin, Texas, USA, Abstract, pp. 52
[105]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Dopant Arrays
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar, D. Moraru, M. Ligowski, T. Mizuno, R. Jablonski, Y. Ono, M. Tabe
[備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 97-98.
[106]. Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外
[発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara
[備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 796-797.
[107]. Effect of Device Structure on Electrical Conduction of Terphenyl-based Molecule
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010) （2010年9月）招待講演以外
[発表者]T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu
[備考] Tokyo, Extended Abstracts, pp. 507-508.
[108]. Electron-mobility suppression under valley-polarized region in Si quantum well
30th International Conference on the Pysics of Semiconductors (ICPS 2010) （2010年7月）招待講演以外
[発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
[備考] Seoul, Korea, Program P1-097.
[109]. Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-Silicide) （2010年7月）招待講演以外
[発表者]Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ota
[備考] Tukuba
[110]. Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution
18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) （2010年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Shinada, T. Taira, T. Tanii, Y. Ono
[備考] Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Abstract, pp. Mo-12
[111]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method
SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年4月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
[備考] San Jose,USA), Proc. SPIE Vol. 7637, 763711
[112]. In plane transport in a double layer crystalline silicon stracture with an SiO2 barrier
2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era （2010年3月）招待講演以外
[発表者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisarwa, K. Muraki
[備考] Southampton, UK, Program and Abstracts, p. 4.
[113]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method
SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年2月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara
[備考] San Jose, USA, Proc. SPIE Vol. 7637, 763711_1-7
[114]. Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron-transfer operation
International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN-2009) （2009年12月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi
[備考] Kaanapali, Maui, Hawaii, USA, P1-13, pp. 60-61.
[115]. Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009) （2009年10月）招待講演以外
[発表者]K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Sendai,Extended Abstracts, pp. 1140-1141.
[116]. Tunnel spectroscopy of electron subbands in thin SOI MOSFETs
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009) （2009年10月）招待講演以外
[発表者]J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara
[備考] Sendai,Extended Abstracts, pp. 262-263.
[117]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric discrete dopant distribution
TECHCON 2009 technology & talent for the 21st century （2009年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, T. Tanii, T. Endoh
[備考] Austin, Texas, USA, Abstract, pp. 108.
[118]. Single-electron devices based on silicon nanowire MOSFETs
"Trends in NanoTechnology" International Conference (TNT-2009) （2009年9月）招待講演以外
[発表者]A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono
[備考] Barcelona, Spain,Workshop Abstract p. 39.
[119]. Logic switching characteristics of multiple-gate nanodot array device
1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09) （2009年9月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, Y. Kato, M. Arita, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi
[備考] Vigo, Spain
[120]. Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire on SOI substrate
International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures (IWPSN) （2009年7月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara ,Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi
[備考] Hokkaido Univ.Sapporo
[121]. Electron-hole transport in a 40 nm thick silicon slab
The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14,) （2009年7月）招待講演以外
[発表者]K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki
[備考] Kobe, Program E4e.
[122]. Single-electron activation over an oscillating barrier in silicon nanowire MOSFETs
The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14) （2009年7月）招待講演以外
[発表者]S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, A. Fujiwara
[備考] Kobe, Program Tu-eP91.
[123]. Fabrication of coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire
2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2009) （2009年6月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi
[備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 155- 156.
[124]. Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors
2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外
[発表者]M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
[備考] Kyoto.Workshop Abstract, pp. 137- 138.
[125]. Fabrication of Coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire
2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J-B. Choi
[備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 155- 156.
[126]. Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs
2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009) （2009年6月）招待講演以外
[発表者]M. Kawachi, Y. Ono, A. Fujiwara, S. Horiguchi
[備考] Kyoto,Workshop Abstract, pp. 89- 90.
[127]. Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire
6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, (ICSI-6) （2009年5月）招待講演以外
[発表者]M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi
[備考] Los Angels,USA, Workshop Abstract, pp54-55.
[128]. Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET
International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008) （2008年1月）招待講演以外
[発表者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama, K. Muraki
[備考] Atsugi, Program and Abstract, pp. 127.
[129]. In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier
International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008) （2008年1月）招待講演以外
[発表者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki
[備考] Atsugi,Program and Abstract, pp. 128.

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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野 行徳 （ONO Yukinori）

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