[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity
Carbon 218/ - 118749 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI]
[2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector
Sensors and Materials 36/1 169-176 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
信学技報 LQE2023/67 60-63 （2023年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹
[4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites
ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI]
[5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure
Diamond and Related Materials 136/ - 109985 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI]
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[1]. Fc 及び AIP 添加による長尺かつ高密度 CNT フォレストの合成
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]後藤聡汰、中野貴之、杉目恒志、井上翼
[備考] 23p-32A-12、東京都市大学 世田谷キャンパス
[2]. 長波長中性子ビームを用いた BGaN 検出器の中性子検出特性評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]櫻井辰大、安藤光佑、工藤涼兵、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、日野正裕、本田善央、天野浩、井上翼、 青木徹、中野貴之
[備考] 23p-P01-7, 東京都市大学 世田谷キャンパス
[3]. 耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]工藤涼兵、櫻井辰大、小久保瑛斗、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 23p-P01-6, 東京都市大学 世田谷キャンパス
[4]. mist-CVD 法によるカーボンナノチューブフォレストへの均質シリカ誘電膜形成
電気学会 誘電・絶縁材料研究会 （2024年1月19日） 招待講演以外
[発表者]西田和生、中野貴之、井上翼
[備考] 湯布郷館およびWeb開催、DEI-24-004/ EPP-24-004/ HV-24-004, 2024年1月19-20日（口頭）
[5]. III族窒化物半導体を用いた新奇デバイスの創生～BGaN中性子半導体検出器に向けた開発～
応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会 （2023年12月20日） 招待講演
[発表者]中野貴之
[備考] 応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会、産業技術総合研究所九州センター、2023年12月20日
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[1]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[2]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[3]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
[4]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[5]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
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[1]. 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張 （ 2023年10月 ～ 2027年3月 ） 国際共同研究加速基金 分担
[2]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 （ 2023年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[3]. ダイヤモンド放射線検出器による高感度中性子検出の原理解明 （ 2023年4月 ～ 2026年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[4]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[5]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(B) 代表
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[1]. 過酷環境下で動作可能な新規BGaN中性子半導体検出器に向けた高品質結晶成長技術の開発 （2023年11月 - 2024年10月 ) [提供機関] 公益財団法人天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成 [担当区分] 研究代表者
[2]. Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors （2023年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者海外派遣助成 [担当区分] 研究代表者
[3]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 （2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
[4]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討 （2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者
[5]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発 （2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
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[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor （2022年8月)
[受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名：有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) （2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
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[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
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[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[2]. The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[3]. The 24th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2022年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[4]. The 26th Microoptics Conference（MOC2021） （2021年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市
[備考] Local Arrangement committee member
[5]. The 22th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2020年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
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