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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野貴之（Nakano Takayuki）

論文　等

【論文　等】
[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity Carbon 218/ - 118749 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI] [2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector Sensors and Materials 36/1 169-176 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI] [3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価信学技報 LQE2023/67 60-63 （2023年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹 [4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI] [5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure Diamond and Related Materials 136/ - 109985 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI] [6]. Study of group-III nitride semiconductor for novel neutron semiconducting detector JSAP Review 2023/ - 230201 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Takayuki Nakano [備考] JSAP Review 2023, (2023) 230201 [DOI] [7]. ホウ素ドープ多結晶ダイヤモンドを用いた中性子検出ニューダイアモンド 38/4 28-30 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] 三宅拓，中川央也，増澤智昭，山田貴壽，中野貴之，都木克之，青木徹，三村秀典 [8]. Catalyst Dynamics in the Growth of High-Density CNT Forests; Fine Control of the Mass Density of Forest by Colloidal Catalyst Nanoparticles The Journal of Physical Chemistry 126/48 20448-20455 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Kento Tabata, Yuga Kono, Ryosuke Goto, Yuya Abe, Takayuki Nakano, Hisashi Sugime, Yoku Inoue [DOI] [9]. 新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究応用物理 91/10 599-605 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中野貴之 [DOI] [10]. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals Japanese Journal of Applied Physics 61/ - SK1020 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, and Takayuki Nakano [DOI] [11]. Enhancement of catalytic activity by addition of chlorine in chemical vapor deposition growth of carbon nanotube forests Carbon 196/ 391-400 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI] [12]. III族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発放射線 47/2 52-55 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中野貴之、青木徹 [13]. Diamond radiation detector with built-in boron-doped neutron converter layer Physica Status Solidi A 219/ - 2100315 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Tomoaki Masuzawa, Takatoshi Yamada, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, and Hidenori Mimura [DOI] [14]. Fabrication and Optical characterization of GaN quasi-phase matching crystal by double polarity selective area growth in metal organic vapor phase epitaxy Functional Materials Letters 14/10 - 2150034 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Kai Matsuhisa, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Takayuki Nakano [DOI] [15]. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes Journal of Applied Physics 130/12 -- 124501 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki [DOI] [16]. A Study on the growth enhancement effects of chlorine on carbon nanotube forest in chloride-mediated chemical vapor deposition Japanese Journal of Applied Physics 60/ - 045001 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Tatsuhiro Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI] [17]. Study on the mechanical and electrical properties of twisted CNT yarns fabricated from CNTs with various diameters Carbon 176/ 400-410 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Yoku Inoue, Kohei Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, Keiichi Shirasu, Go Yamamoto, Toshiyuki Hashida [DOI] [18]. Excellent electromagnetic interference shielding characteristics of a unidirectionally oriented thin multiwalled carbon nanotube/polyethylene film Materials & Design 195/ - 108918 （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Gunther Kletetschka, Yoku Inoue [DOI] [19]. Novel method for carbon nanotube growth using vapor-phase catalyst delivery Functional Materials Letters 13/5 - 2050026 （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Takayuki Nakano, Takahiro Kikuchi, Yuki Usuda and Yoku Inoue [DOI] [20]. 両極性同時成長を用いたGaN -QPM 結晶の作製およびSHG に向けた光学特性評価信学技報 165/ 41-44 （2019年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 松久快生、小林佑斗、石原弘基、杉浦真子、杉田篤史、井上翼、中野貴之 [21]. Survivability of carbon nanotubes in space Acta Astronautica 165/ 129-138 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Yoji Ishikawa, Yasuhiro Fuchita, Takashi Hitomi, Yoku Inoue, Motoyuki Karita, Kohei Hayashi, Takayuki Nakano, Naoko Baba [DOI] [22]. Impact of growth temperature on the structural properties of BGaN films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron Japanese Journal of Applied Physics 58/ - SC1042 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano [DOI] [23]. Two stepfloating catalyst chemical vapor deposition includingin situfabrication of catalyst nanoparticles and carbon nanotube forestgrowth with low impurity level Carbon 144/ 152-160 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI] [24]. Double-Polarity Selective-Area Growth of GaN by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Using Narrow-Pitch Patterns Phys. Status Solidi B 255/5 - 1700475 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Hirotaka Yagi, Noriyuki Osumi, Yoku Inoue,Takayuki Nakano [DOI] [25]. Embedding of copper into submicrometer trenches in a silicon substrate using the molecular precursor solutions with copper nano-powder Materials Letters 182/ 206-209 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Mitsunobu Sato [共著者]Hiroki Nagai,Tatsuya Suzuki,Takayuki Nakano,Mitsunobu Sato [26]. Study of radiation detection properties of GaN pn diode Japanese Journal of applied physics 55/ 05FJ02- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Mutsuhito Sugiura, Maki Kushimoto, Tadashi Mitsunari, Kohei Yamashita, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, Takayuki Nakano [27]. Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy Japanese Journal of applied physics 55/ 05FA05- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kenta Kuze,Noriyuki Osumi,Yohei Fujita, Yoku Inoue, Takayuki Nakano [28]. Effect of substrate offcut angle on BGaN epitaxial growth Japanese Journal of applied physics 55/ 05FD05- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kohei Ueyama, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI] [29]. Cross-linking multiwall carbon nanotubes using PFPA to build robust, flexible and highly aligned large-scale sheets and yarns Nanotechnology 27/ 115701- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Yoku Inoue [共著者]Kazumichi Nakamura,Yuta Miyasaka,Takayuki Nakano,Gunther Kletetschka [30]. Tensile mechanical properties of carbon nanotube/epoxy composite fabricated by pultrusion of carbon nanotube spun yarn preform Composites: Part A 62/ 32-38 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Yoshinobu Shimamura [共著者]Yoshinobu Shimamura, Kahori Oshima, Keiichiro Tohgo,Tomoyuki Fujii, Keiichi Shirasu, Go Yamamoto,Toshiyuki Hashida, Ken Goto, Toshio Ogasawara, Kimiyoshi Naito,Takayuki Nakano,Yoku Inoue [31]. 紫外線イメージング技術画像ラボ 25/4 14-19 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中野貴之 [共著者]石上善浩 [32]. Neutron detection using boron gallium nitride semiconductor material APL Material 2/ - （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Katsuhiro Atsumi,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki,Takayuki Nakano [33]. Double polar selective area growth of GaN MOVPE by using carbon mask layers Japanese Journal of Applied Physics 52/(num) 08JB26-1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Yohei Fujita,Yasushi Takano,Yoku Inoue,Masatomo Sumiya, Shunro Fuke,Takayuki Nakano [34]. 紫外線イメージング映像情報メディア学会誌 67/6 451-455 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中野貴之 [35]. カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス信学技報 113/39 13-18 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 藤田陽平、高野泰、井上翼、中野貴之 [36]. 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価信学技報 113/39 19-12 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 渥美勝浩、三宅亜紀、三村秀典、井上翼、青木徹、中野貴之 [37]. Study of Growth Enhancement of Multiwalled Carbon Nanotubes by Chlorine-Assisted Chemical Vapor Deposition Japanese Journal of Applied Physics 52/ 035202-1-6 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Crina Ghemes [共著者]Adrian Ghemes,Morihiro Okada,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue [38]. Control of In Surface Segregation and Inter-Diffusion in GaAs on InGaP Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 51/ 055601-1-4 （2012年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Yasuyuki Fukushima [共著者]Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki [39]. Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interface using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 347/1 25-30 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Naomi Enomoto,Eiji Abe,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [40]. Seebeck Effects and Electronic Thermal Conductivity of IV–VI Materials JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 031302-1-5 （2011年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Tomohiro Yamada,Takayuki Nakano,Yasushi Takano,,Sadao Takaoka [41]. Fabrication and performance of photocatalytic GaN powder Advanced Materials Research 222/ 142-145 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masateru Hamada,Shunro Fuke [42]. Characterization of Indium Segregation in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy-Grown InGaP by Schottky Barrier Height Measurement JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 011201-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Osamu Ichikawa [共著者]Noboru Fukuhara,Masahiko Hata,Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [43]. Fabrication and hard -ray photoemission analysis of photocathodes with sharp solar-blind sensitivity using AlGaN films grown on Si substrates APPLIED SURFACE SCIENCE 256/14 4442-4446 （2010年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Masatomo Sumiya [共著者]Yutaro Kamob,Naoki. Ohashi,Masaki Takeguchi,Yoon-Uk Heo,Hideki Yoshikawa,Shigenori Ueda,Keisuke Kobayashi,Tokuaki Nihashi,Minoru Hagino,Takayuki Nakano,Shunro Fuke [44]. Epitaxial growth of high purity cubic InN films on MgO substrates using Hf buffer layers by pulsed laser deposition JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY 182/10 2887-2889 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]R. Ohba [共著者]J. Ohta,K. Shimomoto,T. Fujii,K. Okamoto,A. Aoyama,T. Nakano,A. Kobayashi,H. Fujioka,M. Oshima [45]. Lateral Polarity Control in GaN Based on Selective Growth Procedure Using Carbon Mask Layers Applied Physics Express 2/ 101001 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Hisashi Matsumura [共著者]Yasuo Kanematsu,Takayoshi Shimura,Takayuki Tamaki,Yasuyuki Ozeki,Kazuyoshi Itoh,Masatomo Sumiya,Takayuki Nakano,,Shunro Fuke [46]. GROWTH AND PROPERTIES OF ZNO FILMS GROWN USING PA-MOVPE WITH DMZN AND N2O Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 124-126 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kazuki Nishimoto,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke [47]. Epitaxial growth of GaN on single crystal Mo substrates using HfN buffer layers JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311/ 1311-1315 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Koichiro Okamoto [共著者]Shigeru Inoue,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka [48]. Competitive Kinetics Model to Explain Surface Segregation of Indium during InGaP Growth by Using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 48/011101 1-5 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki [49]. Kinetics of Subsurface Formation during Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InP and InGaP JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 47/3 1473-1478 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masakazu Sugiyama,Yohiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [50]. Abrupt InGaP/GaAs heterointerface grown by optimized gas-switching sequence in metal organic vapor phase epitaxy APPLIED PHYSICS LETTERS 92/11 112106-112108 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Eiji Abe,Masakazu Sugiyama,Naomi Enomoto,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [51]. Growth of single crystalline GaN on silver mirrors APPLIED PHYSICS LETTERS 91/19 191905-191907 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka [52]. Epitaxial growth of AlN on single crystal Mo substrates THIN SOLID FILMS 516/15 4809-4812 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Okamoto [共著者]S. Inoue,T. Nakano,T.-W. Kim,M. Oshima,H. Fujioka [53]. High resolution depth profile of the InGaP-on-GaAs heterointerface by FE-AES and its relationship to device properties JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298/ 85-89 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]O. Ichikawa [共著者]N. Fukuhara,M. Hata,T. Nakano,M. Sugiyama,Y. Shimogaki,Y. Nakano [54]. Kinetic Analysis on the Surface Adsorption Layer in GaAs (001) Metalorganic Vapor Phase Epitaxy by in situ Reflectance Anisotropy Spectroscopy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 46/10A 6519-6524 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Momoko Deura [共著者]Masakazu Sugiyama,Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [55]. Epitaxial growth of AlN films on Rh ultraviolet mirrors APPLIED PHYSICS LETTERS 19/13 131910-131912 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jituo Ohta,Hiroshi Fujioka [56]. Zコントラスト法による化合物半導体へテロ界面急峻性評価まてりあ 45/12 853- （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中野貴之 [共著者]杉山正和,阿部英司,中野義昭,霜垣幸浩 [57]. Role of surface diffusion during Selective Area MOVPE growth of InP THIN SOLID FILMS 498/ 163-166 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N. Waki [共著者]T. Nakano,M. Sugiyma,Y. Nakano,Y. Shimogaki [58]. Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 296/ 179-185 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [59]. Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 287/ 668-672 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Sugiyma [共著者]N. Waki,Y. Nobumori,H. Song,T. Nakano,T. Arakawa,Y. Nakano,Y. Shimogaki [60]. Characteristics of single crystalline AlN films grown on Ru(0001) substrates JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 297/ 317-321 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jituo Ohta,Hiroshi Fujioka [61]. The role of the surface adsorption layer during MOVPE growth analyzed by the flow modulation method JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 272/ 15-23 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki [62]. Kinetic ellipsometry measurement of InGaP/GaAs hetero-interface formation in MOVPE JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 221/ 136-141 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki

[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity
Carbon 218/ - 118749 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI]
[2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector
Sensors and Materials 36/1 169-176 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
信学技報 LQE2023/67 60-63 （2023年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹
[4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites
ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI]
[5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure
Diamond and Related Materials 136/ - 109985 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI]
[6]. Study of group-III nitride semiconductor for novel neutron semiconducting detector
JSAP Review 2023/ - 230201 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Takayuki Nakano [備考] JSAP Review 2023, (2023) 230201
[DOI]
[7]. ホウ素ドープ多結晶ダイヤモンドを用いた中性子検出
ニューダイアモンド 38/4 28-30 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] 三宅拓，中川央也，増澤智昭，山田貴壽，中野貴之，都木克之，青木徹，三村秀典
[8]. Catalyst Dynamics in the Growth of High-Density CNT Forests; Fine Control of the Mass Density of Forest by Colloidal Catalyst Nanoparticles
The Journal of Physical Chemistry 126/48 20448-20455 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kento Tabata, Yuga Kono, Ryosuke Goto, Yuya Abe, Takayuki Nakano, Hisashi Sugime, Yoku Inoue [DOI]
[9]. 新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究
応用物理 91/10 599-605 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之 [DOI]
[10]. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals
Japanese Journal of Applied Physics 61/ - SK1020 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, and Takayuki Nakano [DOI]
[11]. Enhancement of catalytic activity by addition of chlorine in chemical vapor deposition growth of carbon nanotube forests
Carbon 196/ 391-400 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI]
[12]. III族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発
放射線 47/2 52-55 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、青木徹
[13]. Diamond radiation detector with built-in boron-doped neutron converter layer
Physica Status Solidi A 219/ - 2100315 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Tomoaki Masuzawa, Takatoshi Yamada, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, and Hidenori Mimura [DOI]
[14]. Fabrication and Optical characterization of GaN quasi-phase matching crystal by double polarity selective area growth in metal organic vapor phase epitaxy
Functional Materials Letters 14/10 - 2150034 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kai Matsuhisa, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Takayuki Nakano [DOI]
[15]. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes
Journal of Applied Physics 130/12 -- 124501 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki [DOI]
[16]. A Study on the growth enhancement effects of chlorine on carbon nanotube forest in chloride-mediated chemical vapor deposition
Japanese Journal of Applied Physics 60/ - 045001 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tatsuhiro Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI]
[17]. Study on the mechanical and electrical properties of twisted CNT yarns fabricated from CNTs with various diameters
Carbon 176/ 400-410 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yoku Inoue, Kohei Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, Keiichi Shirasu, Go Yamamoto, Toshiyuki Hashida [DOI]
[18]. Excellent electromagnetic interference shielding characteristics of a unidirectionally oriented thin multiwalled carbon nanotube/polyethylene film
Materials & Design 195/ - 108918 （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Gunther Kletetschka, Yoku Inoue [DOI]
[19]. Novel method for carbon nanotube growth using vapor-phase catalyst delivery
Functional Materials Letters 13/5 - 2050026 （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Takayuki Nakano, Takahiro Kikuchi, Yuki Usuda and Yoku Inoue [DOI]
[20]. 両極性同時成長を用いたGaN -QPM 結晶の作製およびSHG に向けた光学特性評価
信学技報 165/ 41-44 （2019年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 松久快生、小林佑斗、石原弘基、杉浦真子、杉田篤史、井上翼、中野貴之
[21]. Survivability of carbon nanotubes in space
Acta Astronautica 165/ 129-138 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yoji Ishikawa, Yasuhiro Fuchita, Takashi Hitomi, Yoku Inoue, Motoyuki Karita, Kohei Hayashi, Takayuki Nakano, Naoko Baba [DOI]
[22]. Impact of growth temperature on the structural properties of BGaN films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron
Japanese Journal of Applied Physics 58/ - SC1042 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano [DOI]
[23]. Two stepfloating catalyst chemical vapor deposition includingin situfabrication of catalyst nanoparticles and carbon nanotube forestgrowth with low impurity level
Carbon 144/ 152-160 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI]
[24]. Double-Polarity Selective-Area Growth of GaN by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Using Narrow-Pitch Patterns
Phys. Status Solidi B 255/5 - 1700475 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hirotaka Yagi, Noriyuki Osumi, Yoku Inoue,Takayuki Nakano [DOI]
[25]. Embedding of copper into submicrometer trenches in a silicon substrate using the molecular precursor solutions with copper nano-powder
Materials Letters 182/ 206-209 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Mitsunobu Sato [共著者]Hiroki Nagai,Tatsuya Suzuki,Takayuki Nakano,Mitsunobu Sato
[26]. Study of radiation detection properties of GaN pn diode
Japanese Journal of applied physics 55/ 05FJ02- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Mutsuhito Sugiura, Maki Kushimoto, Tadashi Mitsunari, Kohei Yamashita, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, Takayuki Nakano
[27]. Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy
Japanese Journal of applied physics 55/ 05FA05- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kenta Kuze,Noriyuki Osumi,Yohei Fujita, Yoku Inoue, Takayuki Nakano
[28]. Effect of substrate offcut angle on BGaN epitaxial growth
Japanese Journal of applied physics 55/ 05FD05- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kohei Ueyama, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[29]. Cross-linking multiwall carbon nanotubes using PFPA to build robust, flexible and highly aligned large-scale sheets and yarns
Nanotechnology 27/ 115701- （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yoku Inoue [共著者]Kazumichi Nakamura,Yuta Miyasaka,Takayuki Nakano,Gunther Kletetschka
[30]. Tensile mechanical properties of carbon nanotube/epoxy composite fabricated by pultrusion of carbon nanotube spun yarn preform
Composites: Part A 62/ 32-38 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yoshinobu Shimamura [共著者]Yoshinobu Shimamura, Kahori Oshima, Keiichiro Tohgo,Tomoyuki Fujii, Keiichi Shirasu, Go Yamamoto,Toshiyuki Hashida, Ken Goto, Toshio Ogasawara, Kimiyoshi Naito,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[31]. 紫外線イメージング技術
画像ラボ 25/4 14-19 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中野貴之 [共著者]石上善浩
[32]. Neutron detection using boron gallium nitride semiconductor material
APL Material 2/ - （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Katsuhiro Atsumi,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[33]. Double polar selective area growth of GaN MOVPE by using carbon mask layers
Japanese Journal of Applied Physics 52/(num) 08JB26-1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Yohei Fujita,Yasushi Takano,Yoku Inoue,Masatomo Sumiya, Shunro Fuke,Takayuki Nakano
[34]. 紫外線イメージング
映像情報メディア学会誌 67/6 451-455 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之
[35]. カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス
信学技報 113/39 13-18 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 藤田陽平、高野泰、井上翼、中野貴之
[36]. 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価
信学技報 113/39 19-12 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 渥美勝浩、三宅亜紀、三村秀典、井上翼、青木徹、中野貴之
[37]. Study of Growth Enhancement of Multiwalled Carbon Nanotubes by Chlorine-Assisted Chemical Vapor Deposition
Japanese Journal of Applied Physics 52/ 035202-1-6 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Crina Ghemes [共著者]Adrian Ghemes,Morihiro Okada,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[38]. Control of In Surface Segregation and Inter-Diffusion in GaAs on InGaP Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 51/ 055601-1-4 （2012年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yasuyuki Fukushima [共著者]Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki
[39]. Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interface using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 347/1 25-30 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Naomi Enomoto,Eiji Abe,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[40]. Seebeck Effects and Electronic Thermal Conductivity of IV–VI Materials
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 031302-1-5 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Tomohiro Yamada,Takayuki Nakano,Yasushi Takano,,Sadao Takaoka
[41]. Fabrication and performance of photocatalytic GaN powder
Advanced Materials Research 222/ 142-145 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masateru Hamada,Shunro Fuke
[42]. Characterization of Indium Segregation in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy-Grown InGaP by Schottky Barrier Height Measurement
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 011201-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Osamu Ichikawa [共著者]Noboru Fukuhara,Masahiko Hata,Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[43]. Fabrication and hard -ray photoemission analysis of photocathodes with sharp solar-blind sensitivity using AlGaN films grown on Si substrates
APPLIED SURFACE SCIENCE 256/14 4442-4446 （2010年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Masatomo Sumiya [共著者]Yutaro Kamob,Naoki. Ohashi,Masaki Takeguchi,Yoon-Uk Heo,Hideki Yoshikawa,Shigenori Ueda,Keisuke Kobayashi,Tokuaki Nihashi,Minoru Hagino,Takayuki Nakano,Shunro Fuke
[44]. Epitaxial growth of high purity cubic InN films on MgO substrates using Hf buffer layers by pulsed laser deposition
JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY 182/10 2887-2889 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Ohba [共著者]J. Ohta,K. Shimomoto,T. Fujii,K. Okamoto,A. Aoyama,T. Nakano,A. Kobayashi,H. Fujioka,M. Oshima
[45]. Lateral Polarity Control in GaN Based on Selective Growth Procedure Using Carbon Mask Layers
Applied Physics Express 2/ 101001 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hisashi Matsumura [共著者]Yasuo Kanematsu,Takayoshi Shimura,Takayuki Tamaki,Yasuyuki Ozeki,Kazuyoshi Itoh,Masatomo Sumiya,Takayuki Nakano,,Shunro Fuke
[46]. GROWTH AND PROPERTIES OF ZNO FILMS GROWN USING PA-MOVPE WITH DMZN AND N2O
Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 124-126 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Kazuki Nishimoto,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke
[47]. Epitaxial growth of GaN on single crystal Mo substrates using HfN buffer layers
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311/ 1311-1315 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Koichiro Okamoto [共著者]Shigeru Inoue,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka
[48]. Competitive Kinetics Model to Explain Surface Segregation of Indium during InGaP Growth by Using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Japanese Journal of Applied Physics 48/011101 1-5 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki
[49]. Kinetics of Subsurface Formation during Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InP and InGaP
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 47/3 1473-1478 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masakazu Sugiyama,Yohiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[50]. Abrupt InGaP/GaAs heterointerface grown by optimized gas-switching sequence in metal organic vapor phase epitaxy
APPLIED PHYSICS LETTERS 92/11 112106-112108 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Tomonari Shioda,Eiji Abe,Masakazu Sugiyama,Naomi Enomoto,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[51]. Growth of single crystalline GaN on silver mirrors
APPLIED PHYSICS LETTERS 91/19 191905-191907 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka
[52]. Epitaxial growth of AlN on single crystal Mo substrates
THIN SOLID FILMS 516/15 4809-4812 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Okamoto [共著者]S. Inoue,T. Nakano,T.-W. Kim,M. Oshima,H. Fujioka
[53]. High resolution depth profile of the InGaP-on-GaAs heterointerface by FE-AES and its relationship to device properties
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298/ 85-89 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]O. Ichikawa [共著者]N. Fukuhara,M. Hata,T. Nakano,M. Sugiyama,Y. Shimogaki,Y. Nakano
[54]. Kinetic Analysis on the Surface Adsorption Layer in GaAs (001) Metalorganic Vapor Phase Epitaxy by in situ Reflectance Anisotropy Spectroscopy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 46/10A 6519-6524 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Momoko Deura [共著者]Masakazu Sugiyama,Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[55]. Epitaxial growth of AlN films on Rh ultraviolet mirrors
APPLIED PHYSICS LETTERS 19/13 131910-131912 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jituo Ohta,Hiroshi Fujioka
[56]. Zコントラスト法による化合物半導体へテロ界面急峻性評価
まてりあ 45/12 853- （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中野貴之 [共著者]杉山正和,阿部英司,中野義昭,霜垣幸浩
[57]. Role of surface diffusion during Selective Area MOVPE growth of InP
THIN SOLID FILMS 498/ 163-166 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N. Waki [共著者]T. Nakano,M. Sugiyma,Y. Nakano,Y. Shimogaki
[58]. Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 296/ 179-185 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[59]. Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 287/ 668-672 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Sugiyma [共著者]N. Waki,Y. Nobumori,H. Song,T. Nakano,T. Arakawa,Y. Nakano,Y. Shimogaki
[60]. Characteristics of single crystalline AlN films grown on Ru(0001) substrates
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 297/ 317-321 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Shigeru Inoue [共著者]Kouichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jituo Ohta,Hiroshi Fujioka
[61]. The role of the surface adsorption layer during MOVPE growth analyzed by the flow modulation method
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 272/ 15-23 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[62]. Kinetic ellipsometry measurement of InGaP/GaAs hetero-interface formation in MOVPE
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 221/ 136-141 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takayuki Nakano [共著者]Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野 貴之 （Nakano Takayuki）

論文 等

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野貴之（Nakano Takayuki）

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