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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野 貴之 （Nakano Takayuki）

特許　等

【特許　等】
[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[6]. 開口基板 [出願番号] 特願2016-570493 (2015年10月26日) [特許番号] 第6675610号 (2020年3月13日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[7]. カーボンナノチューブの製造装置および当該製造装置の一部となる供給ユニットならびにカーボンナノチューブの製造方法 [出願番号] PCT/JP2014/072623 (2014年8月28日) [特許番号] 第5942069号 (2016年6月3日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[8]. カーボンナノチューブの製造装置および当該製造装置の一部となる供給ユニットならびにカーボンナノチューブの製造方法 [出願番号] 特願2013-177235 (2013年8月28日) [特許番号] 第5899523号 (2016年3月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[9]. エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 [出願番号] 特願2008-53562 (2008年3月4日) [特許番号] 第5490368号 (2014年3月7日)
[備考] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[10]. 半導体基板の製造方法 [出願番号] 特願2007-78187 (2007年3月26日) [特許番号] 第5058642号 (2012年8月10日)
[備考] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[11]. 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子 [出願番号] 特願2007-78188 (2007年3月26日) [特許番号] 第5296995号 (2013年6月2日)
[備考] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[12]. 半導体装置の製造方法 [出願番号] 特願2003-144479 (2003年5月22日)
[備考] 松下電器産業株式会社
[13]. 半導体装置の製造方法 [出願番号] 特願2003-50730 (2003年3月27日)
[備考] 松下電器産業株式会社
[14]. 半導体装置およびその製造方法 [出願番号] 特願2003-58174 (2003年3月5日)
[備考] 松下電器産業株式会社
[15]. 半導体装置 [出願番号] 特願2002-189325 (2002年6月28日)
[備考] 松下電器産業株式会社
[16]. MOVPE成長における化合物半導体の結晶成長方法 [出願番号] 特願2002-576002 (2002年3月25日) [特許番号] 第38060122号 (2006年9月2日)
[備考] 独立行政法人科学技術振興機構