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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野 貴之 (Nakano Takayuki)

学会発表・研究発表

【学会発表・研究発表】
[1]. GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価
第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月26日) 招待講演以外
[発表者]嶋田慶也、石原弘基、梅田颯志、横山尚生、本田啓人、井上翼、上向井正裕、谷川智之、片山竜二、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、26p-E203-7、2022年3月22-26日
[2]. 傾斜組成 BGaN 層を用いた BGaN 放射線検出器の開発
第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月25日) 招待講演以外
[発表者]夏目朋幸、宮澤篤也、中村大輔、林幸佑、橋本優作、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、25a-E203-8、2022年3月22-26日
[3]. III族窒化物半導体検出器の高温耐性評価
第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月22日) 招待講演以外
[発表者]林幸佑、中川央也、川崎晟也、出来真斗、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、22a-F308-5、2022年3月22-26日
[4]. 耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製
第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月22日) 招待講演以外
[発表者]中村大輔、西川瞬、小関凌也、林幸佑、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、22p-F308-6、2022年3月22-26日
[5]. III 族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発
産業利用に向けたリアルタイムモニタリングのための太陽電池型線量計研究会 (2022年1月27日) 招待講演
[発表者]中野貴之
[6]. コロイド酸化鉄ナノ粒子を用いた有機分子単分子膜上での高密度CNT合成
第48回炭素材料学会年会 (2021年12月2日) 招待講演以外
[発表者]河野 由雅、田畑 良篤、中野 貴之、井上 翼
[備考] 2G32、オンライン、炭素材料学会
[7]. 金属ナノ粒子担持による均質CNT/Cu複合材料の電気伝導特性及び力学特性の複合効果
第48回炭素材料学会年会 (2021年12月1日) 招待講演以外
[発表者]田中 孝祐, 中野 貴之, 島村 佳伸, 井上 翼
[備考] 1G10、オンライン、炭素材料学会
[8]. Cold-gas CVDによる高温合成に向けたFe触媒活性度制御
第48回炭素材料学会年会 (2021年12月1日) 招待講演以外
[発表者]大場 泰宏、井上 翼、中野 貴之
[備考] 1G47、オンライン、炭素材料学会
[9]. 金属担持層導入によるCNT合成時のFe触媒活性度制御
第48回炭素材料学会年会 (2021年12月1日) 招待講演以外
[発表者]細木 和也、中野 貴之、井上 翼
[備考] 1G27、オンライン、炭素材料学会
[10]. Growth of ultra-high-density carbon nanotube forest for thermal and electrical transport materials
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) (2021年10月26日) 招待講演以外
[発表者]Kento Tabata, Yuga Kono, Takayuki Nakano and Yoku Inoue
[備考] P21-12, online, October 26-29, 2021
[11]. Diamond radiation detector with built-in boron-doped neutron converter layer
inter-Academia 2021 (iA2021) (2021年10月22日) 招待講演以外
[発表者]T.Miyake, H.Nakagawa, T.MASUZAWA, T.Yamada, T.Nakano, K.Takagi, T.Aoki and H.Mimura
[備考] Report 74, online, October 20-22, 2021
[12]. Evaluation of radiation detection characteristics by α-Ga2O3
inter-Academia 2021 (iA2021) (2021年10月21日) 招待講演以外
[発表者]H.Nakagawa, R.Yamada, M.Hashimoto, T.Yamaguchi, T.Onuma, T.Honda, T.Nakano, T.Aoki
[備考] Report 12, online, October 20-22, 2021
[13]. Impact of growth pressure on the neutron-detection efficiency of BGaN diodes
2021 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (2021 IEEE NSD MIC) (2021年10月21日) 招待講演以外
[発表者]A. Miyazawa, Y. Ohta, S. Matsukawa, K. Hayashi, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] R-08-07, online, October 16-23, 2021
[14]. Temperature dependence of α-particle detection characteristics of GaN radiation detectors
2021 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (2021 IEEE NSD MIC) (2021年10月20日) 招待講演以外
[発表者]H. Nakagawa, K. Hayashi, A. Miyazawa, Y. Honda, H. Amano, T. Aoki, T. Nakano
[備考] R-07-06, online, October 16-23, 2021
[15]. Fabrication of GaN-QPM crystals for slab waveguide type wavelength conversion devices
26th MICROOPTICS CONFERENCE (MOC2021) (2021年9月28日) 招待講演以外
[発表者]H. Ishihara, K. Matsuhisa, K. Kurose, Y. Kawata, A. Sugita, Y. Inoue, and T. Nakano
[備考] H-3, Online, September26-29, 2021
[16]. BGaNダイオードの高温環境下における検出特性評価
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (2021年9月12日) 招待講演以外
[発表者]林 幸佑、中川 央也、宮澤 篤也、川崎 晟也、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 12p-N221-2、オンライン、2021年9月10-13日
[17]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (2021年9月11日) 招待講演
[発表者]中野 貴之、青木 徹
[備考] 11p-N324-2、オンライン、2021年9月10-13日
[18]. Growth of high-density CNT forest by a self-assembled monolayer of iron oxide nanoparticles
The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium(FNTG61) (2021年9月1日) 招待講演以外
[発表者]Yuga Kono, Kento Tabata, Takayuki Nakano, Yoku Inoue
[備考] 1P-44、オンライン、2021年9月1-3日
[19]. Electrical and mechanical property of homogeneous CNT/Cu composite wire made from copper nanoparticles decorated spin capable CNT forest
The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium(FNTG61) (2021年9月1日) 招待講演以外
[発表者]Kosuke Tanaka、Takayuki Nakano、Yoku Inoue
[備考] 1P-70、オンライン、2021年9月1-3日
[20]. 厚膜BGaNデバイスに向けた結晶成長技術の開発およびデバイス特性評価
2021年次世代放射線シンポジウム (2021年8月19日) 招待講演以外
[発表者]松川真也、宮澤篤也、林幸佑、川崎晟也、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] P-26、オンライン、2021年8月19-20日
[21]. BGaN中性子検出器における結晶成長圧力が及ぼす影響の評価
2021年次世代放射線シンポジウム (2021年8月19日) 招待講演以外
[発表者]宮澤篤也、松川真也、林幸佑、中川央也、川崎晟也、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] P-23、オンライン、2021年8月19-20日
[22]. Proposal and Development of Novel Neutron Detector using Boron Gallium Nitride
The 7th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications (ANIMMA 2021) (2021年6月21日) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano, Toru Aoki
[備考] Workshops #2-2, Prague Czech Republic (Hybrid conference), June 21-25, 2021
[23]. スラブ導波路型波長変換デバイスに向けたGaN-QPM結晶の作製
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月19日) 招待講演以外
[発表者]石原 弘基、黒瀬 和大、川田 善正、杉田 篤史、井上 翼、中野 貴之
[備考] 19p-Z27-1、オンライン開催、2021年3月16-19日
[24]. コロイド酸化鉄ナノ粒子の多重塗布によるCNTフォレスト密度制御
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月19日) 招待講演以外
[発表者]田畑 良篤、河野 由雅、中野 貴之、井上 翼
[備考] 19p-P02-5、オンライン開催、2021年3月16-19日
[25]. BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月18日) 招待講演以外
[発表者]宮澤 篤也、太田 悠斗、松川 真也、林 幸佑、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 18a-Z11-11、オンライン開催、2021年3月16-19日
[26]. 厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月18日) 招待講演以外
[発表者]松川 真也、太田 悠斗、宮澤 篤也、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 18a-Z11-10、オンライン開催、2021年3月16-19日
[27]. GaNダイオード放射線検出器のα線検出特性の温度依存性
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月16日) 招待講演以外
[発表者]中川 央也、林 幸佑、宮澤 篤也、本田 善央、天野 浩、中野 貴之、青木 徹
[備考] 16p-Z28-17、オンライン開催、2021年3月16-19日
[28]. 14cm数層CNTフォレストの引張特性と電気特性
第68回応用物理学会春季学術講演会 (2021年3月16日) 招待講演以外
[発表者]林 竜弘、中野 貴之、杉目 恒志、野田 優、井上 翼
[備考] 16p-Z30-1、オンライン開催、2021年3月16-19日(講演奨励賞受賞記念講演)
[29]. Development of double polarity selective area growth using MOVPE for fabrication of GaN QPM crystal
6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2021) (2021年2月3日) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano
[備考] IL57, Virtual Conference, February 1-3, 2021
[30]. CNTフォレストの超高密度化に関する研究
第47回炭素材料学会 (2020年12月9日) 招待講演以外
[発表者]柴田 大輝, 中野 貴之, 井上 翼
[備考] 1G35、オンライン開催
[31]. CNT/copper composite yarn made from metallic nanoparticle-decorated spin-capable CNT forest
第59回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2020年9月18日) 招待講演以外
[発表者]田中 孝祐、中野 貴之、井上 翼
[備考] 3P-11、九州大学 筑紫キャンパス(オンライン開催)、2019年9月16 - 18日
[32]. High-density CNT forest by multiple coating of iron oxide nano-colloid for dry-spinnable CNT forest
第59回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2020年9月17日) 招待講演以外
[発表者]田畑 良篤、中野 貴之、井上 翼
[備考] 2P-11、九州大学 筑紫キャンパス(オンライン開催)、2019年9月16 - 18日
[33]. 塩化鉄を触媒前駆体に用いた多層カーボンナノチューブの成長メカニズム
第59回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2020年9月16日) 招待講演以外
[発表者]林 竜弘、中野 貴之、井上 翼
[備考] 1P-1、九州大学 筑紫キャンパス(オンライン開催)、2019年9月16 - 18日
[34]. 多結晶ダイヤモンド薄膜を用いた放射線測定
第81回応用物理学会秋季学術講演会 (2020年9月11日) 招待講演以外
[発表者]三宅 拓、中川 央也、増澤 智昭、中野 貴之、青木 徹、三村 秀典
[備考] 8p-Z05-3、オンライン開催、2020年9月8‐11日
[35]. 14cm数層CNTフォレストの引張特性と電流容量
第81回応用物理学会秋季学術講演会 (2020年9月11日) 招待講演以外
[発表者]林 竜弘、中野 貴之、杉目 恒志、野田 優、井上 翼
[備考] 11a-Z28-2、オンライン開催、2020年9月8‐11日
[36]. Structural characterization of BGaN films grown on AlN layer
The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2020) (2020年4月22日) 招待講演以外
[発表者]Yuki Shimizu, Yuto Ohta, Yuri Takahashi, Narihito Okada, Yoku Inoue, Takayuki Nakano
[備考] LEDIAp-01, Pacifico Yokohama, Japan, April 20-24, 2020
[37]. BGaN中性⼦検出器における結晶品質およびデバイス構造が検 出特性に与える影響
第67回応用物理学会春季学術講演会 (2020年3月14日) 招待講演以外
[発表者]太田 悠斗、高橋 祐吏、山田 夏暉、宮澤 篤也、中川 央也、川崎 晟也、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 14a-D511-1、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12‐15日
[38]. Study of size effect on BGaN neutron detectors
Inter-Academia Asia 2019 (2019年12月3日) 招待講演以外
[発表者]N. Yamada, Y. Ohta, Y. Takahashi, H. Nakagawa, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] Oral23, Hotel Associa Shizuoka, December 2-4, 2019
[39]. Growth of 4 µm pitch pattern GaN-QPM crystal using DP-SAG process and optical characterization
Inter-Academia Asia 2019 (2019年12月3日) 招待講演以外
[発表者]K. Matsuhisa, Y. Kobayashi, H. Ishihara, M. Sugiura, A. Sugita, Y Inoue,T. Nakano
[備考] Oral22, Hotel Associa Shizuoka, December 2-4, 2019
[40]. S Growth of CNT Forest from Chemically-synthesized Nanoparticles for Dry Spinning
Inter-Academia Asia 2019 (2019年12月3日) 招待講演以外
[発表者]R. Goto, K. Tabata, T. Nakano, Y. Inoue
[備考] Oral19, Hotel Associa Shizuoka, December 2-4, 2019
[41]. Effects of CNT Diameter on Tensile and Electrical Properties of Aligned CNT/Epoxy Composite Materials
Inter-Academia Asia 2019 (2019年12月3日) 招待講演以外
[発表者]Y. Tsuyuguchi, T. Nakano, Y.Inoue
[備考] Oral20, Hotel Associa Shizuoka, December 2-4, 2019
[42]. 浮遊触媒CVD法によるアルミホイル上への高密度CNTフォレスト合成
第46回炭素材料学会年会 (2019年11月28日) 招待講演以外
[発表者]宮本 将, 中野 貴之, 井上 翼
[備考] P01、国立大学法人岡山大学、2019年11月28日‐30日
[43]. 紡績に向けた酸化鉄ナノ粒子を用いた単層CNTフォレスト合成
第46回炭素材料学会年会 (2019年11月28日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔, 田畑 良篤, 中野 貴之, 井上 翼
[備考] P03、国立大学法人岡山大学、2019年11月28日‐30日
[44]. 両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価
電子情報通信学会 (2019年11月21日) 招待講演以外
[発表者]松久快生、小林佑斗、石原弘基、杉浦真子、杉田篤史、井上翼、中野貴之
[備考] 10、静岡大学浜松キャンパス1号館、2019年11月21-22日
[45]. Optical characterization of GaN-QPM crystal fabricated by DP-SAG in MOVPE
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) (2019年11月14日) 招待講演以外
[発表者]Kai Matsuhisa, Yuto Kobayashi, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano
[備考] ThP-GR-11, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019
[46]. Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) (2019年11月11日) 招待講演以外
[発表者]Yuri Takahashi, Takayuki Maruyama, Natsuki Yamada, Kazushi Ebara, Yuto Ohta, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigehusa Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
[備考] MoP-GR-12, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019
[47]. Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors
the 2019 IEEE Nuclear Science Symposium (IEEE-RESD) (2019年10月29日) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki
[備考] R-04-450, Manchester Convention Centre, Manchester, UK, October 26 – November 2 , 2019
[48]. 乾式紡績に向けた酸化鉄ナノ粒子を用いた高密度 SWCNT フォレスト合成
第7回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2019年10月27日) 招待講演以外
[発表者]後藤良輔, 田畑良篤, 中野貴之, 井上翼
[備考] P11、名古屋大学IB館
[49]. 一方向配向 CNT/エポキシ樹脂複合材料の諸特性における CNT 直径の影響
第7回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2019年10月27日) 招待講演以外
[発表者]宮本将, 中野貴之, 井上翼
[備考] P15、名古屋大学IB館
[50]. 乾式紡績に向けた酸化鉄ナノ粒子を用いた高密度 SWCNT フォレスト合成
第7回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2019年10月27日) 招待講演以外
[発表者]露口陽平, 中野貴之, 井上翼
[備考] P9、名古屋大学IB館
[51]. BGaN結晶成⻑におけるTMB流量依存性の検討および中性⼦検出デバイ スの作製
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019年9月20日) 招待講演以外
[発表者]太田 悠斗、高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、中川 央也、川崎 晟也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 20p-PB4-79、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日
[52]. BGaN半導体中性⼦検出器のチップサイズ⼩型化
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019年9月19日) 招待講演以外
[発表者]山田 夏暉、太田 悠斗、高橋 祐吏、丸山 貴之、中川 央也、川崎 晟也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 19a-C213-6、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日
[53]. H2キャリアガスを⽤いたBGaN結晶成⻑メカニズムの解析
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019年9月18日) 招待講演以外
[発表者]清水 勇希、江原 一司、新宅 秀矢、井上 翼、青木 徹、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之
[備考] 18a-PB3-40、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日
[54]. ⾼密度化に向けた酸化鉄ナノ粒⼦を⽤いたSWCNTフォレスト合成
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019年9月18日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔、田畑 良篤、中野 貴之、高橋 和彦、井上 翼
[備考] 18a-E307-2、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日
[55]. 塩化鉄を触媒前駆体に⽤いた多層CNT成⻑機構の研究
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019年9月18日) 招待講演以外
[発表者]林 竜弘、小松原 孝太、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 18a-E307-3、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日
[56]. 配向 CNT/エポキシ樹脂複合材料の諸特性における CNT 直径効果
第44回複合材料シンポジウム (2019年9月5日) 招待講演以外
[発表者]露口陽平,中野貴之,井上 翼
[備考] C111、岡山理科大学、2019年9月5-6日
[57]. 配向CNT/エポキシ樹脂複合材料の力学・電気特性におけるCNT直径の効果
第57回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2019年9月3日) 招待講演以外
[発表者]露口 陽平、細木 和、中野 貴之、井上 翼
[備考] 1P-2、名古屋大学 理学南館 坂田・平田ホール、2019年9月3-5日
[58]. Growth of dense SWCNT from iron oxide nanoparticles for spin-capable forest
第57回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2019年9月3日) 招待講演以外
[発表者]Ryosuke Goto, Kento Tabata, Takayuki Nakano, Kazuhiko Takahashi, Yoku Inoue
[備考] 1P-16、名古屋大学 理学南館 坂田・平田ホール、2019年9月3-5日
[59]. Drawable single‐ and double‐walled carbon nanotube forest grown from dip‐coated Iron nanoparticle
NT19: International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials (2019年7月22日) 招待講演以外
[発表者]Yuya Abe, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue
[備考] P003, Würzburg, Germany, 21-26 July, 2019
[60]. BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (2019年6月14日) 招待講演以外
[発表者]太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] Fr-P23、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日
[61]. BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (2019年6月14日) 招待講演
[発表者]中野貴之、青木徹
[備考] Fr-I2、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日
[62]. BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (2019年6月13日) 招待講演以外
[発表者]清水勇希、江原一司、新宅秀矢、井上翼、青木徹、嶋紘平、小島一信、秩父重英、中野貴之
[備考] Th-P19、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日
[63]. 中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月11日) 招待講演以外
[発表者]高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、太田 悠人、中川 央也、 宇佐美 茂佳、本田 善央、天野浩、小島 一信、 秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 11p-S622-8、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[64]. 自立型Si被覆高配向CNTシートを用いたリチウムイオ ン電池負極
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月11日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔、浅生 智也、苅田 基志、中野 貴之、田中 康隆、井上 翼
[備考] 11p-PA3-6、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[65]. 浮遊触媒CVD法による調理用アルミホイル上への紡績性 CNTフォレスト合成
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月11日) 招待講演以外
[発表者]木下 聖也、宮本 将、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 11p-W621-14、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[66]. 一方向配向CNT/エポキシ樹脂複合材料の力学・電気特 性におけるCNT構造の影響
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月10日) 招待講演以外
[発表者]露口 陽平、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 10p-PB5-27、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[67]. 両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月10日) 招待講演以外
[発表者]松久 快生、小林 佑斗、杉田 篤、井上 翼、中野 貴之
[備考] 10p-W541-7、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[68]. 結合剤を用いた強化CNT撚糸の開発
第34回 宇宙構造・材料シンポジウム (2018年12月14日) 招待講演以外
[発表者]喜納太一、苅田基志、中野貴之、井上翼
[備考] 宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所 相模原キャンパス
[69]. TMBを用いたBGaN結晶成長の脱離過程解析
第18回多元物質科学研究所研究発表会 (2018年12月13日) 招待講演以外
[発表者]中野貴之、江原一司、望月健、井上翼、青木徹、小島一信、秩父重英
[備考] B2-06、東北大学 片平さくらホール、2018年12月13-14日
[70]. 結合剤を用いたカーボンナノチューブ撚糸の機械的特性の向上
第45回炭素材料学会年会 (2018年12月5日) 招待講演以外
[発表者]喜納 太一, 苅田 基志, 中野 貴之, 井上 翼
[備考] 国立大学法人 名古屋工業大学、2018年12月5‐7日
[71]. リチウムイオン電池負極への高密度・高配向CNTシート応用
第45回炭素材料学会年会 (2018年12月5日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔, 浅生 智也, 苅田 基志, 中野 貴之, 田中 康隆, 井上 翼
[備考] 国立大学法人 名古屋工業大学、2018年12月5‐7日
[72]. Fabrication and evalauation of thick BGaN vertical neutron detection diodes
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]Y. Takahashi, T. Maruyama, N. Yamada, K. Ebara, K. Mochizuki,H. Nakagawa, Y. Inoue, T.Aoki, T. Nakano
[備考] Oral1, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[73]. Neutron Detection Characteristics of BGaN semiconductor detectors
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]N. Yamada, T. Maruyama, Y. Takahashi, H. Nakagawa, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] Oral2, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[74]. Study of double polarity GaN MOVPE with 4 μ m pitch pattern for SHG devices
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]K. Matsuhisa, Y. Kobayashi, H. Yagi, A. Sugita, Y. Inoue, T. Nakano
[備考] Oral3, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[75]. Study of growth mechanism of multi-walled carbon nanotube
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]K. Komatsubara, T. Hayashi, M. Karita, T. Nakano, Y. Inoue
[備考] Oral9, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[76]. Study on mechanical properties of CNT spun yarns reinforced by chemical binder materials
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]T. Kina, M. Karita, T. Nakano, Y. Inoue
[備考] Oral10, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[77]. Effect of CNT diameter on material properties of aligned CNT/epoxy composite
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]Y.Tsuyuguchi, M.Karita, T.Nakano, Y.Inoue
[備考] Oral11, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[78]. Study on lithium ion battery anode using highly dense and aligned CNT sheet
Inter-Academia Asia 2018 (2018年12月4日) 招待講演以外
[発表者]Ryosuke Goto, Tomoya Asao, Motoyuki Karita,Takayuki Nakano, Yasutaka Tanaka, Yoku Inoue
[備考] Oral12, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018
[79]. Study of BGaN MOVPE for neutron detectors
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年12月1日) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano
[備考] A-1, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[80]. Structural changes in carbon nanotube yarn exposed to actual space environment
MRS Fall Meeting & Exhibit (2018年11月28日) 招待講演以外
[発表者]Motoyuki KARITA,Takayuki NAKANO,Yoku INOUE,Yasuhiro Fuchita,Takashi HITOMI,Yoji ISHIKAWA,Naoko BABA
[備考] NM01.11.20,Hynes Convention Center, Sheraton Boston Hotel, Boston Massachusetts November 25-30, 2018
[81]. Reinforcement of CNT yarn by graphitization and cross-linking CNTs
MRS Fall Meeting & Exhibit (2018年11月28日) 招待講演以外
[発表者]Taichi Kina,Motoyuki KARITA,Takayuki NAKANO,Yoku Inoue
[備考] NM01.11.30,Hynes Convention Center, Sheraton Boston Hotel, Boston Massachusetts November 25-30, 2018
[82]. Thermal and electrical conductivity of high volume fraction aligned CNT/polymer composites
MRS Fall Meeting & Exhibit (2018年11月28日) 招待講演以外
[発表者]Yoku Inoue,Kenta Ishigami,Motoyuki KARITA,Takayuki NAKANO
[備考] NM01.09.06, Hynes Convention Center, Sheraton Boston Hotel, Boston Massachusetts November 25-30, 2018
[83]. Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年11月27日) 招待講演以外
[発表者]K Ebara, K Mochizuki, Y Inoue, T Aoki, K Kojima, SF Chichibu and T Nakano
[備考] C-2, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[84]. Fabrication of 4 μm pitch pattern double polarity GaN MOVPE by V/III ratio control for SHG devices
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年11月27日) 招待講演以外
[発表者]K Matsuhisa, Y Kobayashi, H Yagi, A Sugita, Y Inoue and T Nakano
[備考] C-4, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[85]. Radiation detection characteristics of thick BGaN semiconductor detectors
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年11月27日) 招待講演以外
[発表者]N Yamada, T Maruyama, Y Takahashi, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano
[備考] C-7, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[86]. Study of thick BGaN crystals growth and fabrication of vertical neutron detection device
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年11月27日) 招待講演以外
[発表者]T Maruyama, Y Takahashi, N Yamada, K Ebara, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano
[備考] C-9, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[87]. Influence and Evaluation of TMB Flow Rate on BGaN-MOVPE Crystal Growth
2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (2018年11月27日) 招待講演以外
[発表者]Y Takahashi, T Maruyama, N Yamada, K Ebara, K Mochizuki, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano
[備考] C-11, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018
[88]. 一方向配向CNT/エポキシ樹脂複合材料の諸特性におけるCNT構造の影響
プラスチック成形加⼯学会 第26 回秋季⼤会 (2018年11月26日) 招待講演以外
[発表者]露口陽平、 苅田基志、 中野貴之、 井上翼
[備考] グランドホテル浜松, プラスチック成形加⼯学会
[89]. 塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2018年11月25日) 招待講演以外
[発表者]小松原 孝太、山梨 博美、 苅田 基志、 中野 貴之、 井上 翼、 長岡 宏一
[備考] 名古屋大学、応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター
[90]. 結合剤を用いたカーボンナノチューブ撚糸の強化
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2018年11月25日) 招待講演以外
[発表者]喜納 太一、柴田 大輝、 苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 名古屋大学、応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター
[91]. 縦方向電極応用に向けたCNTフォレストの選択合成
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2018年11月25日) 招待講演以外
[発表者]伊澤 洪作、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 名古屋大学、応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター
[92]. 塩化鉄を触媒に用いたCNTフォレスト合成における成長メカニズムの研究
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2018年11月25日) 招待講演以外
[発表者]林 竜弘、 小松原 孝太、苅田 基志、 中野 貴之、 井上 翼
[備考] 名古屋大学、応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター
[93]. 高密度高配向CNTシートを用いたリチウムイオン電池負極の研究
応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2018年11月25日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔、浅生 智也、苅田 基志、中野 貴之、田中 康隆、井上 翼
[備考] 名古屋大学、応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター
[94]. Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018年11月15日) 招待講演以外
[発表者]Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano
[備考] GR10-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018
[95]. Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018年11月15日) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
[備考] GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018
[96]. Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018年11月14日) 招待講演以外
[発表者]Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N
[備考] GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018
[97]. Radiation detection characteristics of BGaN semiconductor detectors
2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (2018年11月14日) 招待講演以外
[発表者]N. Yamada, K. Mochizuki, T. Maruyama, K. Ebara, Y. Takahashi, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] R-08 – RTSD, the International Convention Centre Sydney, Sydney, Australia, November 10-17, 2018
[98]. 高密度高配向CNTシートを用いたリチウムイオン電池負極の開発
2018電気化学秋季大会 (2018年9月25日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔、浅生 智也、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼、田中 康隆
[備考] 1E07、金沢大学角間キャンパス自然科学本館、2018年9月25‐26日
[99]. 高密度高配向CNTシートを用いたリチウムイオン電池負極
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月20日) 招待講演以外
[発表者]後藤 良輔、浅生 智也、苅田 基志、中野 貴之、田中 康隆、井上 翼
[備考] 20p-231A-7、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[100]. BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月20日) 招待講演以外
[発表者]高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[101]. MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月20日) 招待講演以外
[発表者]丸山 貴之、高橋 祐吏、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、 井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 20a-146-6、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[102]. BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月20日) 招待講演以外
[発表者]江原 一司、望月 健、井上 翼、青木 徹、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之
[備考] 20a-146-5、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日
[103]. V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaNMOVPE法の検討
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月19日) 招待講演以外
[発表者]松久 快生、八木 裕隆、井上 翼、中野 貴之
[備考] 19p-PA4-12、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[104]. 多層CNT成長における触媒粒子とその周辺の挙動調査
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月18日) 招待講演以外
[発表者]小松原 孝太、林 竜弘、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 18p-PB3-36、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日
[105]. 結合剤を用いた強化CNT撚糸の機械的特性
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月18日) 招待講演以外
[発表者]喜納 太一、苅田 基志、中野 貴之、井上 翼
[備考] 18p-PB3-27、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日
[106]. 宇宙環境曝露したカーボンナノチューブ紡績糸の機械特性及び構造評価II
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (2018年9月18日) 招待講演以外
[発表者]苅田 基志、中野 貴之、井上 翼、渕田 安浩、人見 尚、石川 洋二、馬場 尚子
[備考] 18p-PB3-26、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[107]. Mechanical properties of CNT spun yarn reinforced by polymer infiltration and chemical binder
第55回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン 総合シンポジウム (2018年9月11日) 招待講演以外
[発表者]T. Kina, M. Karita, T. Nakano, Y. Inoue
[備考] 東北大学
[108]. Study of the growth of MWCNT forest by chloride-mediated CVD
第55回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン 総合シンポジウム (2018年9月11日) 招待講演以外
[発表者]Kota Komastsubara, Tatsuhiro Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue
[備考] 東北大学
[109]. BGaN半導体検出器の基礎電気特性及び放射線検出
日本原子力学会2018秋の大会 (2018年9月6日) 招待講演以外
[発表者]山田 夏暉、丸山 貴之、中川 央也、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 2A06、岡山大学津島キャンパス、2018年9月5‐7日
[110]. CNT forest growth on Fe/Al2O3 support deposited by mist CVD method
International Union of Materials Societies – International Conference on Electronic Materials 2018 (2018年8月23日) 招待講演以外
[発表者]Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue
[備考] ThP64, Daejeon Convention Center, Daejeon, Korea, August 19-24, 2018.
[111]. MOVPE法による中性子半導体検出器に向けたBGNA結晶成長技術の開発
次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018 (2018年8月7日) 招待講演以外
[発表者]丸山貴之、山田夏暉、江原一司、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] P-36、グランパスin白浜、2018年8月6-8日
[112]. BGaN半導体検出器における放射線検出特性の膜厚依存性評価
次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018 (2018年8月7日) 招待講演以外
[発表者]山田夏暉、丸山貴之、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 開催場所(グランパスin白浜)
[113]. Perovskite solar cell using CNT forest for hole transport layer
19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT18) (2018年7月15日) 招待講演以外
[発表者]Yoku Inoue, Yusuke Okada, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Masaki Sakai, Akinori Konno
[備考] Peking University, China
[114]. CNT forest growth on Fe/Al2O3 support deposited by mist CVD method
19th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT18) (2018年7月15日) 招待講演以外
[発表者]Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue
[備考] Peking University, China
[115]. MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (2018年7月13日) 招待講演以外
[発表者]高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 開催場所(名古屋大学)
[116]. V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (2018年7月12日) 招待講演以外
[発表者]松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之
[備考] 開催場所(名古屋大学)
[117]. Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX) (2018年6月7日) 招待講演以外
[発表者]Kazushi Ebara,Ken Mochizuki,Yoku Inoue,Toru Aoki,Kazunobu Kojima,Shigefusa F. Chichibu,Takayuki Nakano
[備考] Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, June 3-8, 2018, P2-8
[118]. Fabrication of BGaN solid state detector for neutron imaging
International Workshop on Position Sensitive Neutron Detectors (PSND 2018 WORKSHOP) (2018年5月15日) 招待講演以外
[発表者]Takayuki NAKANO,Ken MOCHIZUKI,Takayuki MARUYAMA,Natsuki YAMADA,Hisaya NAKAGAWA,Shigeyoshi USAMI,Yoshio HONDA,Hiroshi AMANO,Kazunobu KOJIMA,Shigefusa F. CHICHIBU,Yoku INOUE,Toru AOKI
[備考] Central Library, Jülich, Germany, May 15-17, 2018, PT-13
[119]. 厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]丸山貴之,望月健,中川央也,宇佐美茂佳,本田善央,天野浩,小島一信,秩父重英,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 19p-P7-78、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日
[120]. MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]江原一司,望月健,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英,中野貴之
[備考] 20p-P6-9、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日
[121]. 塩化物CVD法を用いた高結晶性多層CNTフォレストの合成価
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]喜納太一,苅田基志,中野貴之,井上翼,長岡 宏一
[備考] 19a-P6-16、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日
[122]. Al2O3担持層, Fe触媒ナノ粒子, CNTの装置内連続CVDプロセスを用いた紡績性MWCNTフォレスト合成
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼,長岡 宏一
[備考] 17p-C303-4、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日
[123]. Successive deposition of Al2O3, Fe catalyst layer and CNT forest by in-situ mist CVD process
The 4th International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University 2018 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]T. Kinoshita,M. Karita,T. Nakano,Y. Inoue
[備考] PS-T19, Shizuoka University, March 6, 2018
[124]. ミストCVDによるAl2O3, Fe及びCNTフォレストの連続堆積
第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]木下 聖也,苅田 基志,中野 貴之,井上 翼,長岡 宏一
[備考] 3P-15、東京大学 伊藤謝恩学術研究センター 伊藤謝恩ホール、2017年3月10-12日
[125]. TMBを用いた高品質BGaN結晶成長技術の開発
第17回多元物質科学研究所研究発表会 (2017年12月) 招待講演以外
[発表者]中野 貴之,望月健,江原一司,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英
[備考] B2-08、東北大学片平さくらホール、2017年12月4-5日
[126]. III族窒化物半導体放射線検出器に向けた結晶成長技術の開発と諸特性評価
第66回CVD研究会 (2017年12月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[備考] 愛知工業大学本山キャンパス、2017年12月11日
[127]. Textile-Based Wearable Wide-Range Stretchable Sensor by Aligned CNT/Elastomer Composites
2017 MRS fall meeting, (2017年12月) 招待講演以外
[発表者]Yoku Inoue,Takayuki Nakano,Yasuro Okumiya,Koji Yataka,Shingo Sakakibara,Katsunori Suzuki
[備考] NM02.03.04, November 26-December 1, (2017), Boston, Massachusetts
[128]. Growth of Spin-Capable MWCNT Forest Using Mist CVD Method for In Situ Fe Catalyst Nanoparticles Formation
2017 MRS fall meeting, (2017年12月) 招待講演以外
[発表者]Toshiya Kinoshita,Motoyuki Karita,Takayuki Nakano,Yoku Inoue,Hirokazu Nagaoka
[備考] NM02.11.38, November 26-December 1, (2017), Boston, Massachusetts
[129]. Study of Boron metal organic sources for BGaN growth using MOVPE
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017) (2017年11月) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano,K. Mochizuki,T. Nakamura,T. Aoki,Y. Inoue,K. Kojima,S. F. Chichibu
[備考] Centennial Hall Kyushu University School of Medicine, Fukuoka, Japan, November 14-18, 2017, Th-P15
[130]. 放射線検出器に向けたNa-flux法GaN育成方法の検討と電気特性評価
第46回結晶成長国内会議 (2017年11月) 招待講演以外
[発表者]矢野雄大,中川央也,井上翼,青木徹,今西正幸,今出完,森勇介,中野貴之
[備考] 28a-A01、コンコルド浜松、2017年11月27-29日
[131]. MOVPE法を用いたBGaN結晶成長の基板依存性の評価
第46回結晶成長国内会議 (2017年11月) 招待講演以外
[発表者]江原一司,望月健,井上翼,中野貴之
[備考] 28p-P31、コンコルド浜松、2017年11月27-29日
[132]. MOVPE法を用いたBGaN厚膜成長における結晶性の検討
第46回結晶成長国内会議 (2017年11月) 招待講演以外
[発表者]丸山貴之,望月健,井上翼,中野貴之
[備考] 28p-P30、コンコルド浜松、2017年11月27-29日
[133]. BGaN半導体結晶を用いた熱中性子半導体検出器の開発
第46回結晶成長国内会議 (2017年11月) 招待講演
[発表者]中野貴之,井上翼,青木徹
[備考] 27p-B06、コンコルド浜松、2017年11月27-29日
[134]. 塩化物介在 CVD法を用いた CNT成長における圧力依存性
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]喜納太一,苅田基志,中野 貴之,井上翼
[備考] B9、名古屋大学、2017年10月28,29日
[135]. 金属基板上の垂直配向CNTをホール輸送層として用いたペロブスカイト太陽電池
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]岡田容典,中野 貴之,井上翼,酒井正樹,昆野昭則
[備考] PP7、名古屋大学、2017年10月28,29日
[136]. 触媒担持CNTアレイからのCNT再成長
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]小松原孝太,苅田基志,中野 貴之,井上翼
[備考] PA16、名古屋大学、2017年10月28,29日
[137]. ディップコート金属触媒担持によるCNT フォレストの合成
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]森本亘哉,阿部優也,苅田基志,中野 貴之,井上翼
[備考] PA15、名古屋大学、2017年10月28,29日
[138]. CNTフォレスト構造制御に向けた酸化鉄ナノ粒子触媒よる CNT 成長
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]阿部優也,苅田基志,中野 貴之,井上翼
[備考] PA13、名古屋大学、2017年10月28,29日
[139]. リチウムイオン電池負極に向けた金属基板上へのCNT フォレスト合成
第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]浅生智也,後藤良輔,苅田基志,中野貴之,井上翼,田中康隆
[備考] PA11、名古屋大学、2017年10月28,29日
[140]. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN neutron detection diodes
2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD) (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano, K. Mochizuki, T. Arikawa, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, Y. Inoue ,T. Aoki
[備考] Hyatt Regency, Atlanta, Georgia, USA, October 21-28, 2017, R-17-4
[141]. BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発
日本原子力学会2017年秋の大会 (2017年9月14日) 招待講演以外
[発表者]中野貴之、望月健、宇佐美茂佳、本田喜央、天野浩、小島一信、秩父重英、三村秀典、井上翼、青木徹
[備考] 2L15、北海道大学、2017年9月13-15日
[142]. alpha-particle detection characteristics of BGaN diode detector for neutron detection
The16th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2017) (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]H. Nakagawa, K. Mochizuki, T. Arikawa, T. Terao, A. Koike, T. Nakano,T. Aoki
[備考] Iasi, Rumania, September 25-28 2017
[143]. Mist CVD process including successive deposition of Al2O3, Fe catalyst layers and carbon nanotubes for high density forest
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]T. Kinoshita, M. Karita, T. Nakano, Y. Inoue, T. Miwa, H. Nagaoka
[備考] Sendai International Center, 2017/9/19-22
[144]. 塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果
化学工学会第49回秋季大会 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]小松原孝太,山梨博美,苅田基志,中野貴之,井上翼,長岡宏一
[備考] 名古屋大学東山キャンパス、2017年9月20日-22日
[145]. 高濃度配向CNT/熱可塑性樹脂複合材料の電気・熱伝導性
第42回複合材料シンポジウム (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]石上 健太,苅田 基志,中野 貴之,井上 翼,長岡 宏一
[備考] 東北大学青葉山キャンパス、2017年9月14日-15日
[146]. BGaN-MOVPE法におけるB有機金属原料の検討
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]望月健,中村匠,青木徹,井上翼,小島一信,秩父重英,中野貴之
[備考] 8a-A301-8、福岡国際会議場、2017年9月5-8日
[147]. GaN両極性同時MOVPE法を用いた狭ピッチQPM結晶の作製
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]八木裕隆,大隅紀之,井上翼,中野貴之
[備考] 8a-A301-11、福岡国際会議場、2017年9月5-8日
[148]. In-situ chemical vapor deposition process using mist supply of catalyst precursor solution toward carbon nanotube forest growth
The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM) (2017年8月) 招待講演以外
[発表者]T. Kinoshita,M. Karita,T. Nakano,Y. Inoue,T. Miwa,H Nagaoka
[備考] Kyoto University, 2017/8/27-9/1
[149]. High thermal and electrical conductivity of aligned carbon nanotubes/resin composites
The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM) (2017年8月) 招待講演以外
[発表者]K. Ishigami,M. Karita,T. Nakano,Y. Inoue,T. Miwa,H Nagaoka
[備考] Kyoto University, 2017/8/27-9/1
[150]. GaN放射線検出器に向けたNa-flux法バルク育成方法の検討と電気特性評価
次世代放射線シンポジウム2017(第29回放射線夏の学校) (2017年8月) 招待講演以外
[発表者]矢野雄大,中川央也,今西正幸,今出完,森勇介,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] P-32、静岡大学浜松キャンパス、2017年8月17-19日
[151]. Narrow pitch pattern process at GaN double polarity selective area growth using MOVPE
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) (2017年7月) 招待講演以外
[発表者]H. Yagi,N. Osumi,Y. Inoue,T. Nakano
[備考] Strasbourg, France, July 24-28 (2017), A1.42
[152]. Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) (2017年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Mochizuki,T. Nakamura,T. Arikawa,Y. Inoue,S. Usami,M. Kushimoto,Y. Honda,H. Amano,K. Kojima,S. F. Chichibu,H. Mimura,T. Aoki,T. Nakano
[備考] Strasbourg, France, July 24-28 (2017), D01.12
[153]. 一方向配向カーボンナノチューブ/ウレタン樹脂複合材料による大歪センサ
プラスチック成形加工学会第28回年次大会 (2017年6月) 招待講演以外
[発表者]井上翼,中野貴之,奥宮保郎,谷高幸司,鈴木克典
[備考] タワーホール船堀、2017年6月14日-15日
[154]. 高熱伝導かつ高電気伝導を有する高濃度配向カーボンナノチューブ樹脂複合材料
プラスチック成形加工学会第28回年次大会 (2017年6月) 招待講演以外
[発表者]石上健太,苅田基,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] タワーホール船堀、2017年6月14日-15日
[155]. In-situ Mist-Catalyst CVD Process for Efficient Synthesis Technique of Spinnable MWCNT Forest
2017 International Symposium toward the Future of Adbanced Researches in Shizuoka University (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]T. Kinoshita,M. Karita,T. Nakano,Y. Inoue
[備考] P-9, Shizuoka University, March 8, 2017
[156]. In-situ CNTフォレスト成長に向けた金属酸化物担持層のミストCVD形成
第64回応用物理学会春季学術講演会 (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] 14p-P4-4、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
[157]. GaN両極性同時MOVPE法における狭ピッチパターン形成プロセスの検討
第64回応用物理学会春季学術講演会 (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]八木裕隆,大隅紀之,井上翼,中野貴之
[備考] 17p-P3-21、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
[158]. GaNダイオードを用いた各照射条件下におけるα線検出特性評価
第64回応用物理学会春季学術講演会 (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,有川卓弥,中川央也,宇佐美茂佳,久志本真希,本田喜央,天野浩,Schütt Sebastian,Vogt Adrian,Fiederle Michael,三村秀典,井上翼,青木徹
[備考] 16p-503-15、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
[159]. BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価
第64回応用物理学会春季学術講演会 (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]望月健,中村匠,有川卓弥,宇佐美茂佳,久志本真希,本田喜央,天野浩,小島一信,秩父重英,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 16p-E204-3、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
[160]. 一方向配向CNT/樹脂複合材料の熱及び電気特性
第8回日本複合材料会議(JCCM-8) (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]石上 健太,苅田 基志,中野 貴之,井上 翼,三輪 鉄春,長岡 宏一
[備考] 東京大学本郷キャンパス、2017年3月16-18日
[161]. 配列CNT/ウレタン樹脂による高速・高感度・大歪センサ性
第8回日本複合材料会議(JCCM-8) (2017年3月) 招待講演以外
[発表者]井上 翼,中野 貴之,奥宮保郎,谷高 幸司,鈴木 克典
[備考] B-18,東京大学本郷キャンパス、2017年3月16-18日
[162]. Characterization of pin-GaN diodes radiation detection for -ray
2016 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD) (2016年11月) 招待講演以外
[発表者]T. Arikawa,K. Mochizuki,M. Sugiura,H. Nakagawa,S. Usami,M. Kushimoto,Y. Honda,H. Amano,S. Schütt,A. Vogt,M. Fiederle,H. Mimura,Y. Inoue,T. Aoki,T. Nakano
[備考] 2016 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/
[163]. カーボンナノチューブを用いた高導電性プラスチック複合材料
IEEE Student Branch in Shizuoka University Young Researcher Workshop 2016(YRW2016) (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]石上健太,柴田欣樹,苅田基志,中野貴之,井上翼
[備考] 静岡大学、2016年10月 28日
[164]. 多層カーボンナノチューブの大面積合成に向けた新規合成技術の開発
IEEE Student Branch in Shizuoka University Young Researcher Workshop 2016(YRW2016) (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]栢本一平,苅田基志,中野貴之,井上翼
[備考] 静岡大学、2016年10月 28日
[165]. カーボンナノチューブ合成における一酸化炭素添加効果
IEEE Student Branch in Shizuoka University Young Researcher Workshop 2016(YRW2016) (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]山梨博美,小松原孝太,中野貴之,井上翼
[備考] 静岡大学、2016年10月 28日
[166]. 鉄触媒をミスト供給する新規カーボンナノチューブ合成方法の開発
IEEE Student Branch in Shizuoka University Young Researcher Workshop 2016(YRW2016) (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼
[備考] 静岡大学、2016年10月 28日
[167]. ミスト触媒CVDを用いた紡績性MWCNTフォレストの合成と応用
第4回応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会 (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] B2、名古屋大学、2016年10月29日
[168]. 紡績性MWCNTアレイの大面積化に向けたミスト触媒CVD法の開発
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]栢本一平,苅田基志,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] 第77回応用物理学会秋季学術講演会、13p-P5-2、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日
[169]. 高濃度一方向配向CNT/樹脂複合材料の熱伝導率及び電気伝導率
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]石上健太,柴田欣樹,苅田基志,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] 第77回応用物理学会秋季学術講演会、15p-A25-17、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日
[170]. ミスト触媒CVDによる紡績性MWCNTアレイ成長法の開発
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼,三輪鉄春,長岡宏一
[備考] 第77回応用物理学会秋季学術講演会、13p-P5-3、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日
[171]. III族窒化物放射線検出器に向けたGaN半導体α線検出特性の評価
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]中川央也,有川卓弥,望月健,宇佐美茂佳,久志本真希,本田善央,天野浩,三村秀典,,井上翼,,中野貴之,青木徹
[備考] 第77回応用物理学会秋季学術講演会、15p-P14-58、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日
[172]. Study on the range of alpha particles in GaN diodes
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (2016年8月) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano,T. Arikawa,K. Mochizuki,M. Sugiura,H. Nakagawa,S. Usami,M. Kushimoto,Y. Honda,H. Amano,S. Schütt,A. Vogt,M. Fiederle,H. Mimura,Y. Inoue, T. Aoki
[備考] Tu3-T09-8, The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, Japan
[173]. Proposal and development of novel neutron semiconductor detector using BGaN
The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2016) (2016年7月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano
[備考] July 27-31, 2016, Peking University, Beijing, China
[174]. III族窒化物半導体を用いた放射線検出器の開発
2015年静岡大学テニュアトラックシンポジウム (2016年3月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[175]. ミスト触媒CVD法を用いたCNT成長における塩素ガス効果
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]木下聖也,苅田基志,中野貴之,井上翼,長岡宏一,三輪鉄春,宮林孝行
[備考] 20a-P4-3、東京工業大学、2016年3月19-22日
[176]. GaN-MOVPE両極性同時成長における原料拡散に関する検討
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]大隅紀之,八木裕隆,久瀬健太,井上翼,中野貴之
[備考] 22a-P6-7、東京工業大学、2016年3月19-22日
[177]. pin-GaN ダイオードを用いたα線検出特性評価
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]有川卓弥, 杉浦睦仁, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之
[備考] 22a-P6-5、東京工業大学、2016年3月19-22日
[178]. MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之
[備考] 22a-P6-6、東京工業大学、2016年3月19-22日
[179]. BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価
第15回多元物質科学研究所研究発表会 (2015年12月) 招待講演以外
[発表者]中野 貴之,上山浩平,中村匠,井上翼,青木徹,小島一信,秩父重英
[備考] 東北大学多元物質科学研究所
[180]. Evaluation of radiation detection characteristics for GaN diode
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) (2015年11月) 招待講演以外
[発表者]Mutsuhito Sugiura,Maki Kushimoto,Tadashi Mitsunari,Kohei Yamashita,Yoshio Honda,Hiroshi Amano,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki, Takayuki Nakano,
[備考] Tu-B53, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[181]. The evaluation of growth phenomenon about each polarity in GaN double polarity selective area growth
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) (2015年11月) 招待講演以外
[発表者]Kenta Kuze,Noriyuki Osumi,Yoku Inoue, Takayuki Nakano
[備考] Tu-A2, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[182]. Introduction of Ga-polar initial layer for GaN double polarity selective area growth using MOVPE
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) (2015年11月) 招待講演以外
[発表者]Noriyuki Osumi,Kenta Kuze,Yoku Inoue, Takayuki Nakano
[備考] Tu-A1, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[183]. Characterization of fabricated BGaN films at each growth conditions
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) (2015年11月) 招待講演以外
[発表者]Kohei Ueyama,Hidenori Mimura ,Yoku Inoue,Toru Aoki, Takayuki Nakano
[備考] We-A42, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[184]. Development of high B composition BGaN by Mg surfactant
The 14th International Conference on Global Research and Education (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]T. Nakamura, K. Ueyama, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano
[備考] PY2-17, 28-30 September, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
[185]. Efficiency of Al source supply to B composition in BAlGaN epitaxial growth
The 14th International Conference on Global Research and Education (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]T. Arikawa, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano
[備考] PY2-18,28-30 September, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
[186]. MOVPE法にて作製したBGaN結晶の諸特性の評価
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]上山 浩平,中村 匠,三村 秀典,井上 翼,青木 徹,中野 貴之
[備考] 14p-PB12-12、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日
[187]. GaN-MOVPE両極性同時成長法における界面垂直性制御
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]大隅 紀之,久瀬 健太,井上 翼,中野 貴之
[備考] 13p-1D-22、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日
[188]. GaNにおける放射線検出特性の実験的評価(2)
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]杉浦 睦仁,久志本 真希,光成 正,山下 康平,本田 善央,天野 浩,三村 秀典,井上 翼,青木 徹,中野 貴之
[備考] 13p-PA7-46、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日
[189]. ミストCVD法を用いた長尺紡績性MWCNTアレイ成長
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]木下 聖也,中野 貴之,井上 翼,中西 太宇人,石川 健太郎
[備考] 14a-2U-6、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日
[190]. Growth of spinnable ultra-long vertically aligned MWCNT array for large-scale CNT applications
The 14th International Conference on Global Research and Education (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]T. Kinoshita,T. Nakano,Y. Inoue
[備考] PY1-25,28-30 September, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
[191]. A fast-response aligned-carbon nanotube/polymer large-strain sensor
International Conference on Diamond and Carbon Materials (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]Y. Inoue, K. Sako, T. Inoue, V. Premalal, T. Nakano, K. Suzuki, Y. Okumiya, K. Yataka, S. Sakakibara, H. Mimura
[備考] O9B.3, 6-10 September 2015, Bad Homburg, Germany
[192]. Development of growth technique of spinnable ultra-long dense MWCNT using a mist CVD method
International Conference on Diamond and Carbon Materials (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]Toshiya Kinoshita, Vikum Premalal, Takayuki Nakano, Tauto Nakanishi, Kentaro Ishikawa, Yoku Inoue
[備考] P1.39, 6-10 September 2015, Bad Homburg, Germany
[193]. Electromagnetic interference shielding properties of dry-spun carbon nanotube web/polymer composites
International Conference on Diamond and Carbon Materials (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]N. Chikyu,V. Premalal,T. Nakano,H. Mimura,Y. Inoue
[備考] P2.41, 6-10 September 2015, Bad Homburg, Germany
[194]. Dependencies of growth temperature and carrier gases in BGaN growth
34th Electronic Materials Symposium (EMS34) (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Ueyama, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] We1-1, Laforret Biwako, Shiga, July 15-17, 2015
[195]. The examination of dependence on V/III ratio in GaN double polarity selective area growth
34th Electronic Materials Symposium (EMS34) (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Kuze,N. Osumi, Y. Inoue, T. Nakano
[備考] We1-10, Laforret Biwako, Shiga, July 15-17, 2015
[196]. Examination of the initial layer for GaN double polarity selective area growth by using MOVPE
34th Electronic Materials Symposium (EMS34) (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]N. Osumi,K. Kuze, Y. Inoue, T. Nakano
[備考] We1-9, Laforret Biwako, Shiga, July 15-17, 2015
[197]. Characterization of radiation detection for GaN semiconductor material
34th Electronic Materials Symposium (EMS34) (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]M. Sugiura, M. Kushimoto, T. Mitsunari, K. Yamashita, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano
[備考] Fr1-18, Laforret Biwako, Shiga, July 15-17, 2015
[198]. Mist CVD method for millimeter-long dense MWCNT array
The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotuobes (NT15) (2015年6月) 招待講演以外
[発表者]Toshiya Kinoshita, Vikum Premalal, Takayuki Nakano, Tauto Nakanishi, Kentaro Ishikawa, Yoku Inoue
[備考] P283, 29 June – 3 July 2015, Nagoya University, Nagoya, Japan
[199]. Mechanical and electrical characteristics of highly aligned CNT/polymer composite materials
The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotuobes (NT15) (2015年6月) 招待講演以外
[発表者]Yoshiki Shibata, Vikum Premalal, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, Ken Goto, Toshio Ogasawara, Yoku Inoue
[備考] P463, 29 June – 3 July 2015, Nagoya University, Nagoya, Japan
[200]. Unidirectionally aligned-carbon nanotube/polymer composite strain sensor
The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotuobes (NT15) (2015年6月) 招待講演以外
[発表者]Yoku Inoue, Keisuke Sako, Takayuki Inoue, Vikum Premalal, Takayuki Nakano, Katsunori Suzuki, Yasuhiro Okumiya, Koji Yataka, Shingo Sakakibara
[備考] P488, 29 June – 3 July 2015, Nagoya University, Nagoya, Japan
[201]. Embedding of Copper into Trench of Si Substrate by Molecular Precursor Method
The International Conference on Materials for Advanced Technologies 2015 (ICMAT2015) (2015年6月) 招待講演以外
[発表者]Hiroki NAGAI,Takayuki NAKANO,Ichiro TAKANO,Tohru HONDA,Mitsunobu SATO
[備考] R11-1, 28 June - 3 July 2015, SUNTEC Singapore
[202]. GaN 半導体材料における放射線検出特性評価
第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6) (2015年5月) 招待講演以外
[発表者]杉浦睦仁,久志本真希,光成正,山下康平,本田善央,天野 浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] Fr-13、東北大学片平キャンパス片平さくらホール、2015年5月7-8日
[203]. MOVPE 法を用いたGaN 両極性同時成長におけるV/III 比依存性の検討
第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6) (2015年5月) 招待講演以外
[発表者]久瀬健太,大隅紀之,井上翼,中野貴之
[備考] Fr-03、東北大学片平キャンパス片平さくらホール、2015年5月7-8日
[204]. The development of double polarity GaN growth for fabrication of the GaN QPM crystal
SPIE Microtechnologies 2015 (2015年5月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Kenta Kuze,Yoku Inoue
[備考] 9519-29, 4 - 6 May 2015, Hotel Alimara, Barcelona, Spain
[205]. Examination of the Initial Layer for GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE
The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15) (2015年4月) 招待講演以外
[発表者]N. Osumi,K. Kuze,Y. Inoue,T. Nakano
[備考] LEDp2-2, 22 – 24 April 2015, Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
[206]. Characterization of Radiation Detection for GaN
The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15) (2015年4月) 招待講演以外
[発表者]M. Sugiura,M. Kushimoto, T. Mitsunari, K Yamashita, Y. Honda,H. Amano,Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki,T. Nakano
[備考] LEDp2-46, 22 – 24 April 2015, Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
[207]. GaNダイオードの放射線検出特性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月) 招待講演以外
[発表者]杉浦睦仁,久志本真希,光成 正,山下康平,本田善央,天野浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 12a-B1-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日
[208]. GaN両極性同時成長におけるV/III比依存性の検討
第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月) 招待講演以外
[発表者]久瀬健太,井上翼,中野貴之
[備考] 12p-P16-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日
[209]. 一方向配向CNTによる導電性CNT/樹脂複合材料
第41回炭素材料学会年会 (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]佐孝佳祐,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] 1C04、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[210]. 一方向配向CNT/エポキシ複合材料の電気特性
第41回炭素材料学会年会 (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]柴田欣樹,中野貴之,三村秀典,島村佳伸,後藤健,小笠原俊夫,井上翼
[備考] 1C05、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[211]. カーボンナノチューブ紡績糸を用いたX線源応用
第41回炭素材料学会年会 (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]村上慶太,中野貴之,井上翼,三村秀典,石川健太郎,中西太宇人,下口賦,知久典和
[備考] 1C08、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[212]. HVPN法を用いた紡績性CNTアレイ合成技術の開発
第41回炭素材料学会年会 (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]菊地貴裕,三村秀典,井上翼,石川健太郎,中西太宇人,下口賦,中野貴之
[備考] 1C09、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[213]. 多層カーボンナノチューブ紡績糸の機械特性及び電気特性に関する研究
第41回炭素材料学会年会 (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]林航平,中西太宇人,石川健太郎,下口賦,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] 1C12、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[214]. 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御
第30回宇宙構造材料シンポジウム (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]林航平,島村佳伸,中西太宇人,石川健太郎,下口賦,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] B04、宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所相模原キャンパス、2014年12月1日
[215]. The suggestion of Hydride Vapor Phase Nucleation as novel CNT growth method
4th international Symposium for Promotion of Interdisciplinary Domain Research (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]Takahiro Kikuchi,Hidenori Mimura,Kentaro Ishikawa,Tauto Nakanishi, Takeshi Shimogushi,Takayuki Nakano
[備考] Po-24, 1-2 December 2014, GRANSHIP, Shizuoka, Japan
[216]. Control of electrical and Mechanical property of MWCNT yarn
4th international Symposium for Promotion of Interdisciplinary Domain Research (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]Kohei Hayashi,Tauto Nakanishi,Kentarao Ishikawa, Takeshi Shimoguchi, Yoshinobu Shimamura, Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[備考] P-23, 1-2 December 2014, GRANSHIP, Shizuoka, Japan
[217]. Evaluation of Radiation Detection Characteristic for GaN Semiconductor Material
IEEE Nuclear Science symposium &Medical Imaging Conference; 21st Symposium on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma-ray Detectors (2014年11月) 招待講演以外
[発表者]M. Sugiura,K. Atsumi,Y. Inoue,H. Mimura, T. Aoki,T. Nakano
[備考] R05-3, 8-15 November 2014, Washington State Convention Center, Seattle, WA USA
[218]. Fabrication and Development of BGaN Device for the Novel Neutron Semiconductor Detector
IEEE Nuclear Science symposium &Medical Imaging Conference; 21st Symposium on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma-ray Detectors (2014年11月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki
[備考] J01-5, 8-15 November 2014, Washington State Convention Center, Seattle, WA USA, (Invited talk)
[219]. Fabrication of BGaN semiconductor device for neutron detection
The 21st International of The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry (SPACC) Symposium (2014年11月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki
[備考] October 31 - November 3, 2014, Shinjuku, Tokyo, Japan, (Invited talk)
[220]. BGaN成長における基板off角度依存性
第3回結晶工学未来塾 (2014年11月) 招待講演以外
[発表者]上山浩平,渥美勝浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] No.07、学習院創立百周年記念会館、2014年11月13日
[221]. 高度配向CNTシートを用いたCNT複合材料歪センサの開発
第39回複合材料シンポジウム (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]佐孝佳祐,矢代茂樹、島村佳伸,三村秀典,中野 貴之,井上翼
[備考] C2-06、秋田大学理工学部、2014年9月18-19日
[222]. 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御
第39回複合材料シンポジウム (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]林航平,中西太宇人、石川健太郎、下口賦、島村佳伸,三村秀典,中野 貴之,井上翼
[備考] C2-05、秋田大学理工学部、2014年9月18-19日
[223]. BGaN成長における基板依存性の検討
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]上山浩平,渥美勝浩、三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 17a-C5-2、北海道大学、2014年9月17-20日
[224]. GaNにおける放射線検出特性の実験的評価
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]杉浦睦仁,久志本真希,光成正,山下康平,本田善央,天野浩,三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 17p-B2-13、北海道大学、2014年9月17-20日
[225]. MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]久瀬健太,藤田陽平,三村秀典,井上翼,中野貴之
[備考] 18a-C5-5、北海道大学、2014年9月17-20日
[226]. 高配向長尺CNT/樹脂複合材料の電気伝導特性
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]柴田欣樹,中野貴之,三村秀典,島村佳伸,後藤健,小笠原俊夫,井上翼
[備考] 19p-B1-12、北海道大学、2014年9月17-20日
[227]. The investigation of optical characteristic of GaN double polarity selective area growth by using MOVPE
The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) (2014年8月) 招待講演以外
[発表者]Kenta Kuze,Youhei Fujita,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Takayuki Nakano
[備考] August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland
[228]. Improved BGaN epitaxial growth for the neutron detection device
The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) (2014年8月) 招待講演以外
[発表者]Kohei Ueyama,Katsuhiro Atsumi, Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland
[229]. Improvement of BGaN epitaxial growth with controlled GaN substrate orientation
33th Electronic Materials Symposium (EMS33) (2014年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Ueyama,K. Atsumi,H. Mimura , Y. Inoue,T. Aoki,T. Nakano
[備考] Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014
[230]. The optical characteristic evaluation of the Ga and N polarity interface at double polarity selective area growth GaN by MOVPE
33th Electronic Materials Symposium (EMS33) (2014年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Kuze,Y. Fujita,H. Mimura,Y. Inoue,T. Nakano
[備考] Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014
[231]. BGaN 成長における基板および原料供給量の依存性評価
第6 回窒化物半導体結晶成長講演会 (2014年7月) 招待講演以外
[発表者]上山浩平,渥美勝浩、三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
[232]. MOVPE 法を用いた両極性同時成長GaN の極性界面近傍における光学特性評価
第6 回窒化物半導体結晶成長講演会 (2014年7月) 招待講演以外
[発表者]久瀬健太,藤田陽平,三村秀典,井上翼,中野貴之
[備考] 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
[233]. Fabrication of copper thin films using the solution based method
The Third International Conference on Materials, Science and Environments (ICMEE’14) (2014年6月) 招待講演
[発表者]Hiroki Nagai,Takayuki Nakano,Shohei Mita,Tomohiro Yamaguchi,Ichiro Takano, Tohru Honda, Mitsunobu Sato
[備考] July 01-03, 2014, Honolulu, Hawaii, USA
[234]. Investigation of novel neutron detector by using BGaN semiconductor material
The Third International Conference on Materials, Science and Environments (ICMEE’14) (2014年6月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki
[備考] July 01-03, 2014, Honolulu, Hawaii, USA
[235]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子半導体検出器の作製と結晶成長技術の開発
第7回超領域研究会 (2014年6月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[備考] 静岡大学浜松キャンパス、2014年6月20日
[236]. Examination of on the Influence of Boron Flow Rate and Substrate in BGaN Epitaxial Growth
the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14) (2014年4月) 招待講演以外
[発表者]Kohei Ueyama,Katsuhiro Atsumi, Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
[237]. The Evaluation of Optical Characteristic of GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE
the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14) (2014年4月) 招待講演以外
[発表者]Kenta Kuze,Youhei Fujita,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Takayuki Nakano
[備考] Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 - 24, 2014
[238]. 新規触媒前駆体として液体供給源を用いたCNT成長の開発(II)
第61回応用物理学会春季学術講演会 (2014年3月) 招待講演以外
[発表者]臼田祐希,菊地貴裕,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,冨田恭一,三村秀典,中野 貴之,井上翼
[備考] 17a-E2-27、青山学院大学相模原キャンパス、2014年3月17-20日
[239]. HVPN 法を用いた紡績性CNT アレイ合成技術の開発
第61回応用物理学会春季学術講演会 (2014年3月) 招待講演以外
[発表者]菊地貴裕,臼田祐希,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,冨田恭一,三村秀典,中野 貴之,井上翼
[備考] 9a-E18-3、青山学院大学相模原キャンパス、2014年3月17-20日
[240]. 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御
第61回応用物理学会春季学術講演会 (2014年3月) 招待講演以外
[発表者]林航平,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,冨田恭一,三村秀典,中野 貴之,井上翼
[備考] 20a-E18-1、青山学院大学相模原キャンパス、2014年3月17-20日
[241]. 高度配向CNT シートを用いた新規大歪センサーの開発
第61回応用物理学会春季学術講演会 (2014年3月) 招待講演以外
[発表者]佐孝佳祐,奥宮保郎,榊原慎吾,鈴木克典,中野 貴之,矢代茂樹,島村佳伸,三村秀典,井上翼
[備考] 20a-E18-2、青山学院大学相模原キャンパス、2014年3月17-20日
[242]. Novel neutron detection system by using group-III nitride semiconductor
2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science (2014年1月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano
[備考] January 20-21 2014, Shizuoka University, Japan
[243]. Influences of MWCNT Structures on Mechanical and Electrical Properties of Dry-Spun MWCNT Yarn
2013 MRS Fall Meeting (2013年12月) 招待講演以外
[発表者]Kohei Hayashi,Hitoshi Sato, Tauto Nakanishi, Takashi Kato, Kyoichi Tomita,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[備考] SS13.53, Hynes Convention Center, Boston, USA, December 1 - 6, 2013
[244]. The Suggestion of Hydride Vapor Phase Nucleation as Novel CNT Growth Method
2013 MRS Fall Meeting (2013年12月) 招待講演以外
[発表者]Takahiro Kikuchi,Yuki Usuda, Hitoshi Sato, Tauto Nakanishi, Takashi Kato, Kyoichi Tomita,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[備考] SS13.52, Hynes Convention Center, Boston, USA, December 1 - 6, 2013
[245]. MOCVD法によるカーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長
第2回結晶工学未来塾 (2013年11月) 招待講演以外
[発表者]藤田陽平,高野泰,井上翼,中野 貴之
[備考] 学習院創立百周年記念会館、2013年11月7日
[246]. The Characteristic of Radiation Detection Property for GaN and BGaN
2013 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD) (2013年11月) 招待講演以外
[発表者]Katsuhiro Atsumi,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] R11-3, COEX Convention Center, Seoul, Korea, October 27 – November 2, 2013
[247]. The proposal of the new material at the neutron detection semiconductor
14th International Young Scientists Conference “Optics & High Technology Material Science –SPO 2013” (2013年10月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Katsuhiro Atsumi,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki
[備考] Kyiv, Ukraine, 24-27 October, 2013
[248]. 新規触媒前駆体として液体供給源を用いたCNT成長の開発
第74回応用物理学会秋季学術講演会 (2013年9月) 招待講演以外
[発表者]臼田祐希,菊地貴裕,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] 同志社京田辺キャンパス、2013年9月16-20日
[249]. 超紡績性MWCNTアレイ成長におけるアセトン添加効果
第74回応用物理学会秋季学術講演会 (2013年9月) 招待講演以外
[発表者]中村彰夫,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,富田恭一,中野貴之,三村秀典,井上翼
[備考] 同志社京田辺キャンパス、2013年9月16-20日
[250]. CNT紡績糸を熱フィラメントとしたX線源
第74回応用物理学会秋季学術講演会 (2013年9月) 招待講演以外
[発表者]村上慶太,佐藤仁,中西太宇人,加藤隆,富田恭一,中野貴之,三村秀典,井上翼
[備考] 同志社京田辺キャンパス、2013年9月16-20日
[251]. Design and development of semiconductor neutron detector
2013 JSAP-MRS Joint Symposia (2013年9月) 招待講演以外
[発表者]Toru Aoki,Akifumi Koike, Hisashi Morii,Volodymyr A Gnatyuk,Takayuki Nakano,Hidenori Mimura
[備考] Doshisha University, Kyoto, Japan
[252]. The Characteristic of Radiation Detection Property for Group-III Nitride semiconductor
12th International Conference on Global Research and Education (inter Academia 2013) (2013年9月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Katsuhiro Atsumi,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki
[備考] University of Sofia St. Kliment Ohridski, Sofia, Bulgaria, September 23-27, 2013
[253]. 高配向CNTシートを用いた新規大歪センサーの開発
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]佐孝佳祐,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[254]. CNT紡績糸をフィラメントとしたX線源
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]村上慶太,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[255]. CNT紡績糸の電気機械特性制御
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]林航平,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[256]. PVAを用いた高強度CNT紡績糸に関する研究
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]福谷健太,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[257]. 軽量高導電性CNT紡績糸の開発
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]萩坂文登,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[258]. 新規触媒前駆体を用いたCNT成長の開発
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]臼田祐希,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[259]. 触媒気相供給法を用いた新規CNT成長法の開発
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]菊地貴裕,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[260]. アセトン導入による超紡績性MWCNTの成長促進
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]中村彰夫,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[261]. 高強度CNT構造体に向けたCNT間クロスリンク技術の開発
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]中村和道,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[262]. Synthesis of Ultralong Multiwalled Carbon Nanotubes by Chlorine-Assisted CVD
第一回カーボンナノチューブコンポジットワークショップ (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]Adrian Ghemes,佐藤仁、中西太宇人、加藤隆、富田恭一,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] KKRホテル熱海
[263]. New neutron detector by using semiconductor BGaN
2013 SPIE Optics + Photonics (2013年8月) 招待講演以外
[発表者]Katsuhiro Atsumi,Kosugi Naohumi, Aki Miyake,Hidenori Mimura, Yoku Inoue,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] San Diego Convention Center, San Diego, California, USA, 25-29 August, 2013
[264]. Double polarities selective area growth of GaN in MOVPE by using carbon mask
32th Electronic Materials Symposium (EMS32) (2013年7月) 招待講演以外
[発表者]Y. Fujita,Y. Takano,Y. Inoue,T. Nakano
[備考] 開催場所(Laforret Biwako, Shiga)
[265]. The evaluation of radiation detection for GaN and BGaN
32th Electronic Materials Symposium (EMS32) (2013年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Atsumi,A. Miyake, Y. Inoue,H. Mimura,T. Aoki,T. Nakano
[備考] 開催場所(Laforret Biwako, Shiga)
[266]. 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価
2013年度電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同5月研究会 (2013年5月) 招待講演以外
[発表者]渥美勝浩,三宅亜紀、三村秀典,井上翼,青木徹,中野貴之
[備考] 開催場所(静岡大学浜松キャンパス)
[267]. カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス
2013年度電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同5月研究会 (2013年5月) 招待講演以外
[発表者]藤田陽平,高野泰,井上翼,中野貴之
[備考] 開催場所(静岡大学浜松キャンパス)
[268]. Investigation of neutron semiconductor detector by using BGaN
2013 MRS Spring Meeting (2013年4月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Katsuhiro Atsumi,Hisashi Kaneko, Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Toru Aoki
[備考] 開催場所(San Francisco, California, USA)
[269]. MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセス(II)
第60回応用物理学会春季学術講演会 (2013年3月) 招待講演以外
[発表者]藤田陽平,高野泰,井上翼,中野貴之
[備考] 開催場所(神奈川工科大学)
[270]. 中性子検出半導体に向けたBGaN結晶の作製と検出特性の評価
第60回応用物理学会春季学術講演会 (2013年3月) 招待講演以外
[発表者]渥美勝浩,小杉尚文, 三宅亜紀,井上翼, 三村秀典,青木徹,中野貴之
[備考] 開催場所(神奈川工科大学)
[271]. Improvement of Spinnability and Height of MWCNT Arrays by Using Acetone as a Growth Enhancer
2012 MRS Fall Meeting (2012年11月) 招待講演以外
[発表者]Akio Nakamura,Yusuke Suzuki, Morihiro Okada,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[備考] 開催場所 (Hynes Convention Center, Boston, USA)
[272]. Chlorine Effect on Growth of Long Multiwalled Carbon Nanotube Arrays
2012 MRS Fall Meeting (2012年11月) 招待講演以外
[発表者]Crina Ghemes,Adrian Ghemes,Hidenori Mimura,Takayuki Nakano,Yoku Inoue
[備考] 開催場所(Hynes Convention Center, Boston, USA)
[273]. Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) (2012年10月) 招待講演以外
[発表者]Yohei Fujita,Yasusi Takano,Yoku Inoue,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke,,Takayuki Nakano
[備考] 開催場所(Sapporo Convention Center, Sapporo, Japa)
[274]. Investigation of radiation detection which used BGaN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) (2012年10月) 招待講演以外
[発表者]Katsuhiro Atsumi,Hisashi Kaneko,Takahiro Nishioka,Yoku Inoue,Hidenori Mimura,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] 開催場所(Sapporo Convention Center, Sapporo, Japa)
[275]. 中性子検出半導体に向けたBGaN の結晶成長と評価
第73回応用物理学会学術講演会 (2012年9月) 招待講演以外
[発表者]渥美勝浩,金子寿,西岡孝浩,井上翼,三村秀典,青木徹,中野貴之
[備考] 開催場所(愛媛大学)
[276]. MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発
第73回応用物理学会学術講演会 (2012年9月) 招待講演以外
[発表者]藤田陽平,高野泰,井上翼,角谷正友,福家俊郎,中野貴之
[備考] 開催場所(愛媛大学)
[277]. CNT間クロスリンク技術によるCNT構造体の機械特性向上
第73回応用物理学会学術講演会 (2012年9月) 招待講演以外
[発表者]中村和通,宮坂悠太,中野貴之,三村秀典,井上翼
[備考] 開催場所(愛媛大学)
[278]. ドライスピニング法で紡績したMWCNT紡績糸の電気伝導特性
第73回応用物理学会学術講演会 (2012年9月) 招待講演以外
[発表者]萩坂文登,榎本将規,中野貴之,三村秀典,井上翼
[備考] 開催場所(愛媛大学)
[279]. Growth enhancement of MWCNT by chlorine-assisted CVD
第73回応用物理学会学術講演会 (2012年9月) 招待講演以外
[発表者]Crina Ghemes,Adrian Ghemes,三村秀典,中野貴之,井上翼
[備考] 開催場所(愛媛大学)
[280]. Research of Double Polarities Selective Area Growth of GaN by using MOVPE
11th International Conference on Global Research and ducation (inter-academia2012, iA2012) (2012年8月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Yohei Fujita,Yoku Inoue,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(Budapest, Hungary)
[281]. GaN based semiconductor neutron detector
2012 SPIE Optics + Photonics (2012年8月) 招待講演以外
[発表者]Toru Aoki,Akifumi Koike,Takahiro Nishioka,Hisashi Kaneko,Katsuhiro Atsumi,Takayuki Nakano
[備考] 開催場所(San Diego Convention Center, San Diego,)
[282]. The research on the possibility of the novel neutron detector using BGaN
31th Electronic Materials Symposium (EMS31) (2012年7月) 招待講演以外
[発表者]K. Atsumi,H. Kaneko,T. Nishioka,Y. Inoue,H. Mimura,T. Aoki,,T. Nakano
[備考] 開催場所(Laforret Suzenji, Izu)
[283]. Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE
31th Electronic Materials Symposium (EMS31) (2012年7月) 招待講演以外
[発表者]Y. Fujita,Y. Inoue,Y. Takano,M. Sumiya,S. Fuke,,T. Nakano
[備考] 開催場所(Laforret Suzenji, Izu)
[284]. BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発
第59回応用物理学関係連合講演会 (2012年3月) 招待講演以外
[発表者]金子寿,西岡孝浩,渥美勝浩,三宅亜紀,青木徹,中野貴之
[備考] 開催場所(早稲田大学)
[285]. Nanovision science detection of X-ray photons and neutrons
12th International Young Scientists Conference “Optics & High Technology Material Science(SPO 2011) (2011年10月) 招待講演以外
[発表者]Toru Aoki,Akifumi Koike,Hisashi Morii,Takaharu Okunoyama,Takahiro Nishioka,Toshitaka Yamakawa,Takayuki Nakano,Yoichiro Neo,Hidenori Mimura
[備考] 開催場所(Kyiv, Ukraine)
[286]. Development of GaN polarity inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE
the 12th International Young Scientists Conference Optics and High Technology Material Science (2011年10月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Toru Aoki,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(キエフ、ウクライナ)
[287]. Development of GaN inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE
inter Academia 2011 (2011年9月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Tsuyoshi Tachi,Katsutoshi Iwase,Tsutomu Nogi,Toru Aoki,Masatomo Sumiya,,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(Sucevita, Romania)
[288]. GdGaN半導体を用いた中性子検出器(2)
2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会 (2011年9月) 招待講演以外
[発表者]西岡孝浩,金子寿,三宅亜紀,シン シャイレンドラ,森井久志,中野貴之,根尾陽一郎,三村秀典,青木 徹
[備考] 開催場所(山形大学)
[289]. Growth of GaGdN by MOVPE for semiconductor neutron detector
2011 SPIE Optics + Photonics (2011年8月) 招待講演以外
[発表者]Hisashi Kaneko,Takahiro Nishioka,Aki Miyake,Toru Aoki,Takayuki Nakano
[備考] 開催場所(San Diego, California, USA)
[290]. GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明
2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会 (2011年8月) 招待講演以外
[発表者]舘毅,岩瀬賢俊,野木努,青木徹,中野貴之,角谷正友,福家俊郎
[備考] 開催場所(山形大学)
[291]. Development and analysis of polarity inversion GaN MOVPE by using Mg-doping
9th International Conference on Nitride Semiconductors (2011年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Toshikatu Iwase,Tsuyoshi Tachi,Toru Aoki,Masatomo Sumiya,,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(SECC, Glasgow)
[292]. MgドープGaN極性反転結晶における結晶成長メカニズムの解明
第3回 窒化物半導体結晶成長講演会 (2011年6月) 招待講演以外
[発表者]舘毅,岩瀬賢俊,野木努,青木徹,中野貴之,角谷正友,福家俊郎
[備考] 開催場所(九州大学)
[293]. GdGaN半導体を用いた中性子検出器
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 (2011年3月) 招待講演以外
[発表者]西岡孝浩,金子寿,三宅亜紀,シン シャイレンドラ,森井久志,中野貴之,根尾陽一郎,三村秀典,青木 徹
[備考] 開催場所(神奈川工科大学)
[294]. GaN結晶成長技術による光機能デバイスの開発
極限画像科学シンポジウム (2011年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之
[備考] 開催場所(静岡大学)
[295]. Advanced X-ray / neutron imaging with photon counting imager
UK-Japan Workhop on Photonics and Bio-Medical Engineering (2010年12月) 招待講演
[発表者]Toru Aoki,Akifumi Koike,Takaharu Okunoyama,Toshitaka Yamakawa,Takayuki Nakano,Hidenori Mimura
[備考] 開催場所(Aston University, Birmingham, UK)
[296]. The research of the crystal growth technology which controlled the polarity of GaN
UK-Japan Workshop on Photonics and Bio-Medical Engineering (2010年12月) 招待講演
[発表者]Takayuki Nakano,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(Aston University, Birmingham, UK)
[297]. The research of the crystal growth technology which controlled the polarity of GaN
会議名(UK-Japan Workshop on Photonics and Bio-Medical Engineering) (2010年12月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[備考] 主催団体名(Aston University) 開催場所(Aston University, Birmigham, UK)
[298]. 光触媒による大気浄化
会議名(平成22年度 応用物理学会分科会日本光学会中部地区講演会) (2010年10月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[備考] 主催団体名(応用物理学会分科会日本光学会) 開催場所(静岡大学浜松キャンパス)
[299]. Growth and properties of ZnO films grown using PA-MOVPE with DMZn
会議名(The 11th International Young Scientists Conference) (2010年10月) 招待講演
[発表者]中野 貴之
[備考] 主催団体名(The international Society of Optical Engineering (SPIE)) 開催場所(Kyiv,Ukraine)
[300]. MOVPE法を用いた高MgドープによるGaN極性反転構造の作製
応用物理学会東海支部 第17回基礎セミナー (2010年10月) 招待講演以外
[発表者]舘毅,岩瀬賢俊,野木努,中野貴之,角谷正友,二橋得明,萩野實,福家俊郎
[備考] 開催場所(静岡大学浜松キャンパス)
[301]. Fabrication of polarity inversion of GaN by using Mg-doping in MOVPE
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010) (2010年9月) 招待講演以外
[発表者]Tsuyoshi Tachi,Tsutomu Nogi,Takayuki Nakano,Masatomo Sumiya,Tokuaki Nihashi,Minoru Hagino,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(Tampa, Florida, USA)
[302]. MOVPE法を用いた高MgドープによるGaN極性反転構造の作製
第71回応用物理学会学術講演会 (2010年9月) 招待講演以外
[発表者]舘毅,野木努,中野貴之,角谷正友,二橋得明,萩野實,福家俊郎
[備考] 開催場所(長崎大学)
[303]. Fabrication and analysis of photocatalyst group-III nitride powder
Inter-Academia 2010 (2010年8月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masateru Hamada,Syunro Fuke
[備考] 開催場所(Riga, LATVIA)
[304]. Thermal neutron detection by CdTe detector
Inter Academia 2010 (2010年8月) 招待講演以外
[発表者]Takahiro Nishioka,Shailendrta Singh,Aki Miyake,Hisashi Mori,Takayuki Nakano,Toru Aoki
[備考] 開催場所(Riga, Latvia)
[305]. Fabrication of polarity inversion structure of GaN by using Mg-dope in MOVPE
29th Electronic Materials Symposium (2010年7月) 招待講演以外
[発表者]Tsuyoshi Tachi,Tsutomu Nogi,Takayuki Nakano,Masatomo Sumiya,Tokuaki Nihashi,Minoru Hagino,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(ラフォーレ修善寺)
[306]. Production and analysis of photocatalyst GaN powder
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (2009年10月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masateru Hamada,Syunro Fuke
[備考] 開催場所(ICC Jeju, Korea)
[307]. Growth and Properties of ZnO Films Grown Using PA-MOVPE with DMZn and N2O
Inter Academia 2009 (2009年9月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Kazuki Nishimoto,Masatomo Sumiya,Shunro Fuke
[備考] 開催場所(Poland)
[308]. 集光照射基板を用いたGaN周期極性反転
第70回応用物理学会学術講演会 (2009年9月) 招待講演以外
[発表者]松村 尚,兼松泰男,志村考功,玉木隆幸,小関泰之,伊東一良,角谷正友,中野貴之,福家俊郎
[備考] 開催場所(富山大学)
[309]. The production and analysis of photocatalyst Ga powder
28th Electronic Materials Symposium (2009年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masateru Hamada,Syunro Fuke
[備考] 開催場所(滋賀県、ラフォーレ琵琶湖)
[310]. 光触媒用GaN粉末の作製と光触媒機能の解析
日本結晶成長学会ナノエピ分科会第一回窒化物半導体結晶成長講演会 (2009年5月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,濱田昌輝,福家俊郎
[備考] 開催場所(東京農工大学小金井キャンパス)
[311]. 集光照射基板を用いたGaN選択成長
第56回応用物理学関係連合講演会 (2009年4月) 招待講演以外
[発表者]松村尚,福家俊郎,中野貴之,志村考功,玉木隆幸,小関泰之,伊東一良,兼松泰男
[備考] 開催場所(筑波大学)
[312]. Si(111)基板上AlxGa1-xN薄膜の硬X線光電子分光
第56回応用物理学関係連合講演会 (2009年3月) 招待講演以外
[発表者]角谷正友,大橋直樹,加茂佑太郎,竹口雅樹,吉川英樹,上田茂典,小林啓介,中野貴之,福家俊郎
[備考] 開催場所(筑波大学)
[313]. Fe(110)基板上AlN成長における面内配向関係決定のメカニズム
第55回応用物理学関係連合講演会 (2008年3月) 招待講演以外
[発表者]岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,太田実雄,藤岡洋,石井晃
[備考] 開催場所(日本大学船橋キャンパス)
[314]. PSD法による Cu(111)基板上への窒化物エピタキシャル成長
第55回応用物理学関係連合講演会 (2008年3月) 招待講演以外
[発表者]和田安正,井上茂,中野貴之,岡本浩一郎,藤岡洋,尾嶋正治,石井 晃
[備考] 開催場所(日本大学船橋キャンパス)
[315]. PSD法によるSi(110)基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長
第55回応用物理学関係連合講演会 (2008年3月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,中野貴之,小林篤,岡本浩一郎,藤岡洋,伊勢村雅士
[備考] 開催場所(日本大学船橋キャンパス)
[316]. パルス励起堆積(PXD)法によるⅢ族窒化物の室温エピタキシャル成長
第37回結晶成長国内会議 (2007年11月) 招待講演以外
[発表者]太田実雄,小林篤,上野耕平,金明姫,桜田賢人,中野貴之,尾嶋正治,藤岡洋
[備考] 開催場所(北海道大学)
[317]. Cu(111)基板上へエピタキシャル成長したAlNの面内配向関係の解析
第37回結晶成長国内会議 (2007年11月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,太田実雄,藤岡洋,石井晃
[備考] 開催場所(北海道大学)
[318]. Fe基板上へのGaN結晶の成長と評価
第37回結晶成長国内会議 (2007年11月) 招待講演以外
[発表者]後藤靖博,青山彬,岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(北海道大学)
[319]. HfNバッファー層を用いた単結晶Mo基板上へのGaNエピタキシャル成長
第37回結晶成長国内会議 (2007年11月) 招待講演以外
[発表者]岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(北海道大学)
[320]. PSD-HfNバッファー層を用いたNi基板上へのGaNエピタキシャル成長
第68回応用物理学会学術講演会 (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]和田安正,中野貴之,井上茂,岡本浩一郎,藤岡洋,尾嶋正治
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[321]. PSD-HfN(001)バッファー層上への立方晶InN薄膜の成長
第68回応用物理学会学術講演会 (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]大庭玲美,三田村和弥,太田実雄,青山彬,中野貴之,藤岡洋,尾嶋正治
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[322]. 第一原理計算によるAlN/Cu(111)面内配向関係の解析
第68回応用物理学会学術講演会 (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,太田実雄,藤岡洋,石井晃
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[323]. HfNバッファー層を用いたFe基板上へのGaN結晶成長
第68回応用物理学会学術講演会 (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]青山彬,後藤靖博,岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[324]. Epitaxial Growth of High Quality AlN by Pulsed Sputtering Deposition
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Akira Aoyama,Yasuhiro Goto,Koichiro Okamoto,Shigeru Inoue,Hiroshi Fujioka
[備考] 開催場所(Las Vegas, USA)
[325]. Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Rh(111) UV Mirrors
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]Shigeru Inoue,Koichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka
[備考] 開催場所(Las Vegas, USA)
[326]. Epitaxial Growth of GaN on Lattice-Matched ZrN Buffers Prepared by Pulsed Sputtering Deposition
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]Akira Aoyama,Yasuhiro Goto,Shigeru Inoue,Takayuki Nakano,Hiroshi Fujioka
[備考] 開催場所(Las Vegas, USA)
[327]. PSD法を用いたZnO基板上へのIII族窒化物室温エピタキシャル成長
第68回応用物理学会学術講演会 (2007年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,小林篤,青山彬,後藤靖博,岡本浩一郎,井上茂,藤岡洋
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[328]. Characterization of indium segregation in MOVPE-grown InGaP by Schottky barrier height measurement
The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15) (2007年8月) 招待講演以外
[発表者]Osamu Ichikawa,Noboru Fukuhara,Masahiko Hata,Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yukihiro Shimogaki,Yoshiaki Nakano
[備考] 開催場所(Salt Lake City, Utah, USA)
[329]. Epitaxial Growth of High Quality AlN by Pulsed Sputtering Deposition
26rd Electronic Materials Symposium (EMS26) (2007年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Akira Aoyama,Yasuhiro Goto,Koichiro Okamoto,Shigeru Inoue,Hiroshi Fujioka
[備考] 開催場所(ラフォーレ琵琶湖)
[330]. Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Rh(111) UV Mirrors
26rd Electronic Materials Symposium (EMS26) (2007年7月) 招待講演以外
[発表者]Shigeru Inoue,Koichiro Okamoto,Takayuki Nakano,Jitsuo Ohta,Hiroshi Fujioka
[備考] 開催場所(ラフォーレ琵琶湖)
[331]. PSD法による4族窒化物をバッファー層に用いたGaN結晶成長(1)
第54回応用物理学関係連合講演会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]青山彬,後藤靖博,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[332]. PSD法による4族窒化物をバッファー層に用いたGaN結晶成長(2)
第54回応用物理学関係連合講演会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]後藤靖博,青山彬,岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,太田実雄,藤岡洋
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[333]. PSD法を用いたAlN薄膜エピタキシャル成長
第54回応用物理学関係連合講演会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,青山彬,後藤靖博,岡本浩一郎,井上茂,太田実雄,藤岡洋
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[334]. GaAs-MOVPEにおける表面吸着層のin situ観察および解析
化学工学会第72年会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]出浦桃子,杉山正和,中野貴之,霜垣幸浩,中野義昭
[備考] 開催場所(京都大学)
[335]. 鏡面Rh(111)基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長
第54回応用物理学関係連合講演会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,太田実雄,藤岡洋
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[336]. In situ RASを用いたGaAs-MOVPEにおけるサブサーフェスの速度論的解析
第54回応用物理学関係連合講演会 (2007年3月) 招待講演以外
[発表者]出浦桃子,杉山正和,中野貴之,霜垣幸浩,中野義昭
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[337]. Epitaxial growth of GaN films on Tungsten substrates
第36回結晶成長国内会議 (2006年11月) 招待講演以外
[発表者]G. Li,J. Ohta,S. Inoue,K. Okamoto,T. Nakano,H. Fujioka
[備考] 開催場所(大阪大学)
[338]. 単結晶fcc金属基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長
第36回結晶成長国内会議 (2006年11月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(大阪大学)
[339]. Epitaxial Growth of Group III nitrides on Bcc Metal Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) (2006年10月) 招待講演以外
[発表者]K. Okamoto,S. Hirata,S. Inoue,T. Nakano,T. Kim,J. Ohta,H. Fujioka,,M. Oshima
[備考] 開催場所(Kyoto, Japan)
[340]. Characteristics of GaN Epitaxial Growth on Ag Mirrors
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) (2006年10月) 招待講演以外
[発表者]S. Inoue,K. Okamoto,T. Nakano,T. W. Kim,H. Fujioka
[備考] 開催場所(Kyoto, Japan)
[341]. 単結晶W(110)基板上へのAlN薄膜エピタキシャル成長
第67回応用物理学会学術講演会 (2006年8月) 招待講演以外
[発表者]李国強,井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(立命館大学)
[342]. Ru(0001)基板上へのAlN薄膜エピタキシャル成長
第67回応用物理学会学術講演会 (2006年8月) 招待講演以外
[発表者]井上茂,岡本浩一郎,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(立命館大学)
[343]. 低温成長AlNバッファー層を用いたFeSi合金基板上へのGaNエピタキシャル成長
第67回応用物理学会学術講演会 (2006年8月) 招待講演以外
[発表者]岡本浩一郎,井上茂,中野貴之,藤岡洋
[備考] 開催場所(立命館大学)
[344]. In situ RASを用いたGaAs-MOVPEにおけるサブサーフェスの観察
第67回応用物理学会学術講演会 (2006年8月) 招待講演以外
[発表者]出浦桃子,杉山正和,中野貴之,霜垣幸浩,中野義昭
[備考] 開催場所(立命館大学)
[345]. MOVPEによるGaAs/InGaPヘテロ界面の精緻化とZ-STEM法を用いた急峻性評価
第67回応用物理学会学術講演会 (2006年8月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,阿部英司,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(立命館大学)
[346]. Fabrication of abrupt GaAs/InGaP hetero-interface by MOVPE using novel gas-switching sequence
25rd Electronic Materials Symposium (EMS25) (2006年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Eiji Abe,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(伊豆長岡、ホテルサンバレー富士見)
[347]. InGaP –on-GaAs heterointerface profile by FE-AES measurement and its relation to device property
13th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE13 (2006年5月) 招待講演以外
[発表者]O. Ichiukawa,N. Fukuhara,M. Hata,T. Nakano,M. Sugiyama,Y. Shimogaki,,Y. Nakano
[備考] 開催場所(Miyazaki, Japan)
[348]. Precise control of GaAs/InGaP interface structure and its abruptness analyzed by S-TEM
13th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE13) (2006年5月) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano,E. Abe,M. Sugiyama,Y. Nakano,,Y. Shimogaki
[備考] 開催場所(Miyazaki, Japan)
[349]. 化合物半導体MOVPE法の表面反応メカニズム解析
化学工学会第37回秋季大会 (2005年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(岡山大学)
[350]. MOVPE-InGaP成長におけるIn表面偏析現象の解析とショットキー接合特性評価
第66回応用物理学会学術講演会 (2005年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,市川磨,杉山正和,秦雅彦,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(徳島大学)
[351]. Surface kinetics of MOVPE for InGaP growth analyzed by flow modulation method
24rd Electronic Materials Symposium (EMS24) (2005年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(メルパルク松山)
[352]. Evolution of Abnormal Edge Growth in Selective Area MOVPE of InP
24rd Electronic Materials Symposium (EMS24 (2005年7月) 招待講演以外
[発表者]Masakazu Sugiyama,Noriaki Waki,Yusuke Nobumori,Haizeng Song,Takayuki Nakano,Taro Arakawa,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(メルパルク松山)
[353]. Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP
16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE16) (2005年7月) 招待講演以外
[発表者]M. Sugiyma,N. Waki,Y. Nobumori,H. Song,T. Nakano,T. Arakawa,Y. Nakano,,Y. Shimogaki
[備考] 開催場所(Montana, USA)
[354]. Surface kinetics in MOVPE of InP and InGaP analyzed by flow modulation method
17th International Conference on Indium Phosphide and related materials (IPRM'05) (2005年5月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(Glasgow, Scotland, UK)
[355]. MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(4)
第52回応用物理学会学術講演会 (2005年4月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(埼玉大学)
[356]. 時間変調操作によるMOVPE表面反応メカニズムの解明
化学工学会第70年会 (2005年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(名古屋大学)
[357]. Role of surface diffusion during Selective Area MOVPE growth of compound semiconductor
the 3rd Asian Conference on Chemical Vapor Deposition (ACVD3) (2004年10月) 招待講演以外
[発表者]Noriaki Waki,Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(Taipei)
[358]. 化合物半導体のMOVPE選択成長における以上成長制御
第65回応用物理学会学術講演会 (2004年9月) 招待講演以外
[発表者]和氣範明,中野貴之,呉豪振,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(東北大学)
[359]. MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(3)
第65回応用物理学会学術講演会 (2004年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(東北大学)
[360]. Understanding the abnormal growth of InP-related materials in selective-area MOVPE
23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (2004年7月) 招待講演以外
[発表者]Noriaki Waki,Takayuki Nakano,Hojh Oh,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(伊豆長岡、ホテルサンバレー富士見)
[361]. Examination of sub-surface in MOVPE by time modulation growth
23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (2004年7月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(伊豆長岡、ホテルサンバレー富士見)
[362]. The role of the surface adsorption layer during MOVPE growth analyzed by the flow modulation method
12th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE12) (2004年6月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(Maui, Hawaii, USA)
[363]. 時間変調操作によるMOVPE表面反応メカニズムの解明
化学工学会第69年会 (2004年4月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(大阪府立大学)
[364]. 化合物半導体のMOVPE選択成長における以上成長制御
化学工学会第69年会 (2004年4月) 招待講演以外
[発表者]和氣範明,中野貴之,呉豪振,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(大阪府立大学)
[365]. MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(2)
第51回応用物理学会学術講演会 (2004年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(東京工科大学)
[366]. MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明
第64回応用物理学会学術講演会 (2003年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,福島康之,杉山正和,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(九州大学)
[367]. MOVPEによるGaAs/InGaPヘテロ界面形成での分光エリプソメトリーのその場観察
2001年化学工学会「神奈川大会」 (2001年8月) 招待講演以外
[発表者]福島康之,中野貴之,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(横浜国立大学)
[368]. Optimaization of InGaP/GaAs Interface Structure using Kinetic Ellipsometry in MOVPE
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) (2001年6月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki.
[備考] 開催場所(Kyoto, Japan)
[369]. MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察(3)
第48回春季応用物理学会学術講演会 (2001年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(明治大学)
[370]. 分光エリプソメトリによるその場観察を活用したGaAs/InGaP界面の構造制御
化学工学会第33回秋季大会 (2000年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(静岡大学)
[371]. MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察(2)
第61回応用物理学会学術講演会 (2000年9月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(北海道工業大学)
[372]. Kinetic ellipsometry measurement of InGaP/GaAs hetero-interface formation in MOVPE
10th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE10) (2000年6月) 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano,Yoshiaki Nakano,Yukihiro Shimogaki
[備考] 開催場所(Sapporo, Japan)
[373]. MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察
第47回応用物理学関係連合講演会 (2000年3月) 招待講演以外
[発表者]中野貴之,中野義昭,霜垣幸浩
[備考] 開催場所(青山学院大学)
[374]. 多重磁気転移を示すGd1-xRxMn2Ge2 (R=Y,La)の電気抵抗
日本物理学会 (1999年9月) 招待講演以外
[発表者]和田裕文,中野貴之,A.Sokorofu,志賀正幸