[1]. Study of group-III nitride semiconductor for novel neutron semiconducting detector
JSAP Review 2023/ - 230201 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Takayuki Nakano [備考] JSAP Review 2023, (2023) 230201
[DOI]
[2]. ホウ素ドープ多結晶ダイヤモンドを用いた中性子検出
ニューダイアモンド 38/4 28-30 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] 三宅拓，中川央也，増澤智昭，山田貴壽，中野貴之，都木克之，青木徹，三村秀典
[3]. Catalyst Dynamics in the Growth of High-Density CNT Forests; Fine Control of the Mass Density of Forest by Colloidal Catalyst Nanoparticles
The Journal of Physical Chemistry 126/48 20448-20455 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kento Tabata, Yuga Kono, Ryosuke Goto, Yuya Abe, Takayuki Nakano, Hisashi Sugime, Yoku Inoue [DOI]
[4]. 新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究
応用物理 91/10 599-605 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之 [DOI]
[5]. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals
Japanese Journal of Applied Physics 61/ - SK1020 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, and Takayuki Nakano [DOI]
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[1]. in-situアニールを用いたBGaN中性子検出器の評価
第70回応用物理学会春季学術講演会 （2023年3月17日） 招待講演以外
[発表者]橋本優作、夏目朋幸、西川 瞬、川崎 晟也、若林 源一郎、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之
[備考] 17p-PB07-10、上智大学四谷キャンパス+オンライン、応用物理学会、2023年3月15-18日
[2]. BGaN半導体を用いた新奇中性子検出器の開発
第70回応用物理学会春季学術講演会 （2023年3月17日） 招待講演
[発表者]中野 貴之、青木 徹
[備考] 17a-B401-5、上智大学四谷キャンパス+オンライン、応用物理学会、2023年3月15-18日（招待講演）
[3]. Impact of dynamic density reduction by length change of CNT forests on electrical resistivity
第64回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム （2023年3月1日） 招待講演以外
[発表者]Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue, Terumasa Omatsu, Nobuaki Shirai, Sota Yanai, Masaki Nagata, Yasuhiro Shimizu
[備考] 3P-1、名古屋大学、フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会、2023年3月1-3日
[4]. GaN-QPM結晶を用いた波長変換デバイスの作製および諸特性評価
レーザー学会学術講演会第43回年次大会 （2023年1月19日） 招待講演以外
[発表者]嶋田 慶也、石原 弘基、梅田 颯志、横山 尚生、本田 啓人、井上 翼、上向井 正大、谷川 智之、片山 竜二、中野 貴之
[備考] F02-19p-XII-05、ウインクあいち、レーザー学会、2023年1月18-20日
[5]. Yを用いた鉄触媒安定化による高密度CNTフォレストの成長とその熱抵抗
第49回炭素材料学会年会 （2022年12月7日） 招待講演以外
[発表者]金澤 克昌、中野 貴之、井上 翼
[備考] P17、姫路市民会館、炭素材料学会、2022年12月7-9日
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[1]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
[2]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[3]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[4]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2021年4月 ～ 2022年3月 ）
[備考] 代表：山口智広准教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[5]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担 （ 2021年4月 ～ 2022年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
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[1]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 （ 2023年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[2]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[3]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[4]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出半導体の開発 （ 2012年4月 ～ 2016年3月 ） 若手研究(A) 代表
[5]. III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作製 （ 2010年4月 ～ 2012年3月 ） 若手研究(B) 代表
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[1]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 （2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
[2]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討 （2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者
[3]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発 （2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
[4]. BGaN厚膜結晶を用いた高n/γ弁別中性子検出器の開発 （2020年4月 - 2021年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 単年度研究助成 [担当区分] 研究代表者
[5]. 中性子イメージングシステムに向けたデバイスプロセス開発 （2020年2月 - 2023年1月 ) [提供機関] 村川二郎基金 [制度名] 国際共同研究プロジェクト助成 [担当区分] 研究代表者
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[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor （2022年8月)
[受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名：有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) （2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
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[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
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[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （2021年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[2]. The 26th Microoptics Conference（MOC2021） （2021年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市
[備考] Local Arrangement committee member
[3]. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) （2019年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Onna-son, Okinawa, Japan
[備考] Local arrangement committee member
[4]. 日本フォトニクス協議会第四回アカデミック・パートナーシップゼミナール （2019年3月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] 静岡大学浜松キャンパス
[5]. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018) （2018年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Kanazawa, Japan
[備考] Local Arrangement committee member
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