静岡大学：教員データベース - 中野貴之（Nakano Takayuki）

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野貴之（Nakano Takayuki）

中野貴之（Nakano Takayuki）准教授学術院工学領域 - 電子物質科学系列工学部 - 電子物質科学科大学院総合科学技術研究科工学専攻 - 電子物質科学コース電子工学研究所 - ナノビジョン研究部門創造科学技術研究部 - ナノビジョンサイエンス部門
最終更新日：2022/06/24 9:37:45

教員基本情報

博士(工学) 　東京大学　 2006年3月

工学 - 電気電子工学 - 電子・電気材料工学
数物系科学 - 物理学 - 原子・分子・量子エレクトロニクス
工学 - プロセス・化学工学 - 反応工学・プロセスシステム
総合理工 - 応用物理学 - 結晶工学

結晶工学
化合物半導体
半導体プロセス
反応工学

Ⅲ族窒化物両極性同時成長を用いた新規光機能デバイスの開発
Ⅲ族窒化物半導体による新規半導体中性子検出器の開発
紡績性カーボンナノチューブの革新的合成手法の開発

半導体材料, 化合物半導体, 結晶成長

・応用物理学会
・日本原子力学会
・日本結晶成長学会

https://wwp.shizuoka.ac.jp/nakano/

研究業績情報

[1]. Diamond radiation detector with built-in boron-doped neutron converter layer
Physica Status Solidi A 218/ - 2100315 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [1] Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Tomoaki Masuzawa, Takatoshi Yamada, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki and Hidenori Mimura [DOI]
[2]. Fabrication and Optical characterization of GaN quasi-phase matching crystal by double polarity selective area growth in metal organic vapor phase epitaxy
Functional Materials Letters 14/10 - 2150034 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kai Matsuhisa, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes
Journal of Applied Physics 130/12 -- 124501 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki [DOI]
[4]. A Study on the growth enhancement effects of chlorine on carbon nanotube forest in chloride-mediated chemical vapor deposition
Japanese Journal of Applied Physics 60/ - 045001 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tatsuhiro Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI]
[5]. Study on the mechanical and electrical properties of twisted CNT yarns fabricated from CNTs with various diameters
Carbon 176/ 400-410 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yoku Inoue, Kohei Hayashi, Motoyuki Karita, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, Keiichi Shirasu, Go Yamamoto, Toshiyuki Hashida [DOI]

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[1]. GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価
第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月26日）招待講演以外
[発表者]嶋田慶也、石原弘基、梅田颯志、横山尚生、本田啓人、井上翼、上向井正裕、谷川智之、片山竜二、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、26p-E203-7、2022年3月22-26日
[2]. 傾斜組成 BGaN 層を用いた BGaN 放射線検出器の開発
第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月25日）招待講演以外
[発表者]夏目朋幸、宮澤篤也、中村大輔、林幸佑、橋本優作、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、25a-E203-8、2022年3月22-26日
[3]. III族窒化物半導体検出器の高温耐性評価
第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月22日）招待講演以外
[発表者]林幸佑、中川央也、川崎晟也、出来真斗、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、22a-F308-5、2022年3月22-26日
[4]. 耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製
第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月22日）招待講演以外
[発表者]中村大輔、西川瞬、小関凌也、林幸佑、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 応用物理学会、青山学院大学相模原キャンパス、22p-F308-6、2022年3月22-26日
[5]. III 族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発
産業利用に向けたリアルタイムモニタリングのための太陽電池型線量計研究会（2022年1月27日）招待講演
[発表者]中野貴之

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[1]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担（ 2021年4月～ 2022年3月）
[備考] 代表：山口智広准教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[2]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担（ 2021年4月～ 2022年3月）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[3]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担（ 2020年6月～ 2021年3月）
[備考] 代表：山口智広准教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[4]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担（ 2020年6月～ 2021年3月）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[5]. 国内共同研究 GaInNの結晶成長とγ線検出器への応用展開
分担（ 2019年4月～ 2019年3月）
[備考] 代表：山口智広准教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）

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[1]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発（ 2019年4月～ 2022年3月）基盤研究(B) 代表

[2]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発（ 2016年4月～ 2019年3月）基盤研究(B) 代表

[3]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出半導体の開発（ 2012年4月～ 2016年3月）若手研究(A) 代表

[4]. III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作製（ 2010年4月～ 2012年3月）若手研究(B) 代表

[5]. 化合物半導体有機金属気相成長におけるサブサーフェスの理解とヘテロ界面制御への展開（ 2004年4月～ 2006年3月）特別研究員奨励費代表

[1]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討（2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者
[2]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発（2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
[3]. BGaN厚膜結晶を用いた高n/γ弁別中性子検出器の開発（2020年4月 - 2021年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 単年度研究助成 [担当区分] 研究代表者
[4]. 中性子イメージングシステムに向けたデバイスプロセス開発（2020年2月 - 2023年1月 ) [提供機関] 村川二郎基金 [制度名] 国際共同研究プロジェクト助成 [担当区分] 研究代表者
[5]. BGaN半導体デバイスを用いた新規中性子イメージングセンサーの開発（2019年4月 - 2020年3月 ) [提供機関] 公益財団法人豊田理化学研究所 [制度名] 豊田理研スカラー [担当区分] 研究代表者

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[1]. 高柳研究奨励賞　(課題名：有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) （2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)

[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社

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[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （2021年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[2]. The 26th Microoptics Conference（MOC2021）（2021年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市
[備考] Local Arrangement committee member
[3]. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) （2019年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Onna-son, Okinawa, Japan
[備考] Local arrangement committee member
[4]. 日本フォトニクス協議会第四回アカデミック・パートナーシップゼミナール（2019年3月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] 静岡大学浜松キャンパス
[5]. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018) （2018年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Kanazawa, Japan
[備考] Local Arrangement committee member

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教育関連情報

[1]. 学部専門科目電子デバイスⅠ （2022年度 - 前期 )
[2]. 学部専門科目量子エレクトロニクス（2022年度 - 後期 )
[3]. 大学院科目(修士）結晶工学（2022年度 - 後期 )

2021年度
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 6 人
2020年度
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2019年度
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2018年度
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2017年度
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 5 人

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[1]. 2021年春季学術講演会放射線分科会学生優秀講演賞 (2021年9月)
[受賞学生氏名] 宮澤篤也 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル：BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2) 所属：総合科学技術研究科
[2]. ２０１８年秋季学術講演会学生ポスター賞 (2018年9月)
[受賞学生氏名] 高橋祐吏 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル：BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価所属：総合科学技術研究科
[3]. ２０１８年春季学術講演会学生ポスター賞 (2018年3月)
[受賞学生氏名] 丸山貴之 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル：厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価所属：総合科学技術研究科
[4]. Young Scientist Award (2015年11月)
[受賞学生氏名] Mutsuhito Sugiura (総合科学技術研究科)
[授与団体名] Symposium organizing, steering, and program committees for the 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6）
[備考] 発表題目：Evaluation of radiation detection characteristics for GaN diode 参加者約430名、発表者約280名、受賞者15名程度
[5]. Young Scientist Award (2015年11月)
[受賞学生氏名] Kenta Kuze (総合科学技術研究科)
[授与団体名] Symposium organizing, steering, and program committees for the 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6）
[備考] 発表題目：The evaluation of growth phenomenon about each polarity in GaN double polarity selective area growth 参加者約430名、発表者約280名、受賞者15名程度

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社会活動

[1]. シンポジウムちゅうでんサイエンスフォーラム2019 （2019年9月 - 2019年9月 )
[内容] 研究成果について市民に向けて発表
[備考] 御前崎市民会館　2019/9/7

[1]. 新聞中部電力公募研究10件採択の研究者として名を連ねた (2022年4月7日)
[備考] 静岡新聞朝刊23面
[2]. 新聞静大の研究など採択　中電募集　原発の安全技術 (2015年4月28日)
[備考] 中日新聞朝刊１６面
[3]. 新聞 GaNを用いた紫外域の透過型光電面の実用化に成功 (2010年7月29日)
[備考] 日本経済新聞、その他

[1]. 先進フォトニクス技術研究会委員（2018年11月 ) [団体名] 特定非営利活動法人日本フォトニクス協議会
[活動内容]セミナーの企画立案
[2]. 放射線分科会幹事（2018年4月 - 2020年3月 ) [団体名] 応用物理学会

[1]. リフレッシュ理科教室会場委員（2019年7月 - 2019年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[2]. リフレッシュ理科教室会場委員（2017年6月 - 2017年6月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[3]. リフレッシュ理科教室会場委員（2015年7月 - 2015年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[4]. リフレッシュ理科教室会場委員（2012年4月 - 2012年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[5]. リフレッシュ理科教室（2011年4月 - 2011年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)

国際貢献実績

[1]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成（2020年2月 - 2023年1月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] BGaN中性子イメージングセンサーに共同研究
[2]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成（2017年10月 - 2018年9月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] 中性子イメージングセンサーに向けたIII族窒化物半導体に関する共同研究

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