[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity Carbon 218/ - 118749 (2024年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI] [2]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価 信学技報 LQE2023/67 60-63 (2023年) [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹 [3]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI] [4]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure Diamond and Related Materials 136/ - 109985 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI] [5]. Study of group-III nitride semiconductor for novel neutron semiconducting detector JSAP Review 2023/ - 230201 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Takayuki Nakano [備考] JSAP Review 2023, (2023) 230201 [DOI]
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[1]. mist-CVD 法によるカーボンナノチューブフォレストへの均質シリカ誘電膜形成 電気学会 誘電・絶縁材料研究会 (2024年1月19日) 招待講演以外 [発表者]西田和生、中野貴之、井上翼 [備考] 湯布郷館およびWeb開催、DEI-24-004/ EPP-24-004/ HV-24-004, 2024年1月19-20日(口頭) [2]. III族窒化物半導体を用いた新奇デバイスの創生~BGaN中性子半導体検出器に向けた開発~ 応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会 (2023年12月20日) 招待講演 [発表者]中野貴之 [備考] 応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会、産業技術総合研究所九州センター、2023年12月20日 [3]. カーボンナノチューブ撚糸の熱伝導率測定 第38回宇宙構造・材料シンポジウム (2023年12月18日) 招待講演以外 [発表者]黒野 陽斗、中野 貴之、鈴木 颯、望月 拓海、濱崎 拡、池田 浩也、井上 翼 [備考] B08、宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 相模原キャンパス、2023年12月18日(口頭) [4]. Study of BGaN semiconductor for novel neutron semiconducting detector The 30th International Display Workshops (IDW’23) (2023年12月7日) 招待講演 [発表者]Takayuki Nakano, and Toru Aoki [備考] DXR1-[2(Invited)], TOKI MESSE Niigata Convention Center, Niigata, Japan, December 6-8, 2023,(Invited talk) [5]. Development of BGaN diodes with high radiation tolerance for nuclear instrumentation system International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS) (2023年12月2日) 招待講演以外 [発表者]Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano [備考] Nagoya University, Japan, December 1-3, 2023
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[1]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開 分担 ( 2023年4月 ~ 2024年3月 ) [備考] 代表:山口智広教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
[2]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証 分担 ( 2023年4月 ~ 2024年3月 ) [備考] 代表:岡田成仁准教授(山口大学大学院創世科学研究科)
[3]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価 分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 ) [備考] 代表:小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科 [4]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開 分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 ) [備考] 代表:山口智広教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
[5]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発 分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 ) [備考] 代表:岡田成仁准教授(山口大学大学院創世科学研究科)
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[1]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 ( 2023年4月 ~ 2027年3月 ) 基盤研究(A) 代表 [2]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 ( 2019年4月 ~ 2022年3月 ) 基盤研究(B) 代表 [3]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 ( 2016年4月 ~ 2019年3月 ) 基盤研究(B) 代表 [4]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出半導体の開発 ( 2012年4月 ~ 2016年3月 ) 若手研究(A) 代表 [5]. III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作製 ( 2010年4月 ~ 2012年3月 ) 若手研究(B) 代表
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[1]. 過酷環境下で動作可能な新規BGaN中性子半導体検出器に向けた高品質結晶成長技術の開発 (2023年11月 - 2024年10月 ) [提供機関] 公益財団法人天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成 [担当区分] 研究代表者 [2]. Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors (2023年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者海外派遣助成 [担当区分] 研究代表者 [3]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 (2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者 [4]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討 (2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者 [5]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発 (2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
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[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor (2022年8月) [受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022) [備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022 [2]. 高柳研究奨励賞 (課題名:有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) (2008年11月) [備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
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[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日) [備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学 [2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日) [備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN [3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日) [備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社 [4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日) [備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社 [5]. CNTフォレスト、CNTフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日) [備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
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[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) (2023年11月) [役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市 [備考] Local Arrangement committee member [2]. The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2023年11月) [役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University [3]. The 24th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2022年11月) [役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University [4]. The 26th Microoptics Conference(MOC2021) (2021年9月) [役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市 [備考] Local Arrangement committee member [5]. The 22th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2020年11月) [役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
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