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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野 貴之 (Nakano Takayuki)

中野 貴之 (Nakano Takayuki)
准教授
学術院工学領域 - 電子物質科学系列 工学部 - 電子物質科学科
大学院総合科学技術研究科工学専攻 - 電子物質科学コース
電子工学研究所 - ナノビジョン研究部門 創造科学技術研究部 - ナノビジョンサイエンス部門


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最終更新日:2022/11/22 2:06:56

教員基本情報

【取得学位】
博士(工学)  東京大学   2006年3月
【研究分野】
工学 - 電気電子工学 - 電子・電気材料工学
数物系科学 - 物理学 - 原子・分子・量子エレクトロニクス
工学 - プロセス・化学工学 - 反応工学・プロセスシステム
総合理工 - 応用物理学 - 結晶工学
【相談に応じられる教育・研究・社会連携分野】
結晶工学
化合物半導体
半導体プロセス
反応工学
【現在の研究テーマ】
Ⅲ族窒化物両極性同時成長を用いた新規光機能デバイスの開発
Ⅲ族窒化物半導体による新規半導体中性子検出器の開発
紡績性カーボンナノチューブの革新的合成手法の開発
【研究キーワード】
半導体材料, 化合物半導体, 結晶成長
【所属学会】
・日本原子力学会
・応用物理学会
・日本結晶成長学会
【個人ホームページ】
https://wwp.shizuoka.ac.jp/nakano/
 

研究業績情報

【論文 等】
[1]. 新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究
応用物理 91/10 599-605 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之
[2]. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals
Japanese Journal of Applied Physics 61/ - SK1020 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama and Takayuki Nakano [DOI]
[3]. Enhancement of catalytic activity by addition of chlorine in chemical vapor deposition growth of carbon nanotube forests
Carbon 196/ 391-400 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Yoku Inoue [DOI]
[4]. III族窒化物半導体を用いた中性子検出器の開発
放射線 47/2 52-55 (2022年) [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、青木徹、
[5]. Diamond radiation detector with built-in boron-doped neutron converter layer
Physica Status Solidi A 218/ - 2100315 (2021年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Tomoaki Masuzawa, Takatoshi Yamada, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki and Hidenori Mimura [DOI]
【学会発表・研究発表】
[1]. 多結晶ダイヤモンド放射線検出器のキャリア輸送特性評価
第36回ダイヤモンドシンポジウム (2022年11月17日) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭、三宅 拓、中川 央也、中野 貴之、都木 克之、青木 徹、三村 秀典、山田 貴壽
[備考] P2-03、第36回ダイヤモンドシンポジウム、慶應義塾大学矢上キャンパスおよびオンライン、11月16日-18日
[2]. Evaluation of high-temperature tolerance in group-III nitride semiconductor detectors
2022 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (2022 IEEE NSD MIC RTSD) (2022年11月10日) 招待講演以外
[発表者]K. Hayashi1, H. Nakagawa, S. Kawasaki, M. Deki, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] R-10-03, The Milano Convention Centre (MiCo), Mirano, Italy, 5-12 November 2022
[3]. Fabrication and evaluation of BGaN device structures for high-temperature tolerance neutron semiconductor detectors
2022 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (2022 IEEE NSD MIC RTSD) (2022年11月8日) 招待講演以外
[発表者]D. Nakamura, K. Hayashi, S. Nishikawa, R. Ozeki, S. Kawasaki, W. Kwon, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] R-03-03, The Milano Convention Centre (MiCo), Mirano, Italy, 5-12 November 2022
[4]. Fabrication of BGaN neutron detecors and evalition of the radiation detection characteristics
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022) (2022年10月14日) 招待講演以外
[発表者]T. Nakano, Y. Ota, A. Miyazawa, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki
[備考] AT231, Berlin Germany, October 09-14, 2022
[5]. 均質CNT/Cu複合材料の電気伝導特性および引張特性における複合効果
日本材料学会M&M2022材料力学会カンファレンス (2022年9月26日) 招待講演以外
[発表者]井上 翼、田中孝祐、中野貴之、島村佳伸
[備考] 弘前大学文京町キャンパス、OS1509、2022年9月26-28日
【共同・受託研究】
[1]. 企業等からの受託研究 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発
代表 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 中部電力原子力安全研究所公募研究
[2]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
[3]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:山口智広准教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
[4]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:岡田成仁准教授(山口大学大学院創世科学研究科)
[5]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 ( 2021年4月 ~ 2022年3月 )
[備考] 代表:山口智広准教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
【科学研究費助成事業】
[1]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 ( 2019年4月 ~ 2022年3月 ) 基盤研究(B) 代表

[2]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 ( 2016年4月 ~ 2019年3月 ) 基盤研究(B) 代表

[3]. Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出半導体の開発 ( 2012年4月 ~ 2016年3月 ) 若手研究(A) 代表

[4]. III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作製 ( 2010年4月 ~ 2012年3月 ) 若手研究(B) 代表

[5]. 化合物半導体有機金属気相成長におけるサブサーフェスの理解とヘテロ界面制御への展開 ( 2004年4月 ~ 2006年3月 ) 特別研究員奨励費 代表
【外部資金(科研費以外)】
[1]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討 (2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者
[2]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発 (2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
[3]. BGaN厚膜結晶を用いた高n/γ弁別中性子検出器の開発 (2020年4月 - 2021年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 単年度研究助成 [担当区分] 研究代表者
[4]. 中性子イメージングシステムに向けたデバイスプロセス開発 (2020年2月 - 2023年1月 ) [提供機関] 村川二郎基金 [制度名] 国際共同研究プロジェクト助成 [担当区分] 研究代表者
[5]. BGaN半導体デバイスを用いた新規中性子イメージングセンサーの開発 (2019年4月 - 2020年3月 ) [提供機関] 公益財団法人豊田理化学研究所 [制度名] 豊田理研スカラー [担当区分] 研究代表者
【受賞】
[1]. Best presantation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor (2022年8月)
[受賞者] 中野貴之、青木徹 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名:有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) (2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
【特許 等】
[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. CNTフォレスト、CNTフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
【学会・研究会等の開催】
[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) (2021年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[2]. The 26th Microoptics Conference(MOC2021) (2021年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市
[備考] Local Arrangement committee member
[3]. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) (2019年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Onna-son, Okinawa, Japan
[備考] Local arrangement committee member
[4]. 日本フォトニクス協議会第四回アカデミック・パートナーシップゼミナール (2019年3月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等) [開催場所] 静岡大学浜松キャンパス
[5]. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018) (2018年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Kanazawa, Japan
[備考] Local Arrangement committee member

教育関連情報

【今年度担当授業科目】
[1]. 学部専門科目 電子デバイスⅠ (2022年度 - 前期 )
[2]. 学部専門科目 量子エレクトロニクス (2022年度 - 後期 )
[3]. 大学院科目(修士) 結晶工学 (2022年度 - 後期 )
【指導学生数】
2021年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 6 人
2020年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2019年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2018年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2017年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
【指導学生の受賞】
[1]. 2021年春季学術講演会 放射線分科会学生優秀講演賞 (2021年9月)
[受賞学生氏名] 宮澤 篤也 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2) 所属:総合科学技術研究科
[2]. 2018年秋季学術講演会 学生ポスター賞 (2018年9月)
[受賞学生氏名] 高橋 祐吏 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価 所属:総合科学技術研究科
[3]. 2018年春季学術講演会 学生ポスター賞 (2018年3月)
[受賞学生氏名] 丸山 貴之 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価 所属:総合科学技術研究科
[4]. Young Scientist Award (2015年11月)
[受賞学生氏名] Mutsuhito Sugiura (総合科学技術研究科)
[授与団体名] Symposium organizing, steering, and program committees for the 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)
[備考] 発表題目:Evaluation of radiation detection characteristics for GaN diode 参加者約430名、発表者約280名、受賞者15名程度
[5]. Young Scientist Award (2015年11月)
[受賞学生氏名] Kenta Kuze (総合科学技術研究科)
[授与団体名] Symposium organizing, steering, and program committees for the 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)
[備考] 発表題目:The evaluation of growth phenomenon about each polarity in GaN double polarity selective area growth 参加者約430名、発表者約280名、受賞者15名程度

社会活動

【講師・イベント等】
[1]. シンポジウム ちゅうでんサイエンスフォーラム2019 (2019年9月 - 2019年9月 )
[内容] 研究成果について市民に向けて発表
[備考] 御前崎市民会館 2019/9/7
【報道】
[1]. 新聞 中部電力公募研究10件採択の研究者として名を連ねた (2022年4月7日)
[備考] 静岡新聞朝刊23面
[2]. 新聞 静大の研究など採択 中電募集 原発の安全技術 (2015年4月28日)
[備考] 中日新聞朝刊16面
[3]. 新聞 GaNを用いた紫外域の透過型光電面の実用化に成功 (2010年7月29日)
[備考] 日本経済新聞、その他
【学外の審議会・委員会等】
[1]. 先進フォトニクス技術研究会委員 (2018年11月 ) [団体名] 特定非営利活動法人日本フォトニクス協議会
[活動内容]セミナーの企画立案
[2]. 放射線分科会幹事 (2018年4月 - 2020年3月 ) [団体名] 応用物理学会
【その他社会活動】
[1]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2019年7月 - 2019年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[2]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2017年6月 - 2017年6月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[3]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2015年7月 - 2015年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[4]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2012年4月 - 2012年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[5]. リフレッシュ理科教室 (2011年4月 - 2011年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)

国際貢献実績

【国際協力事業】
[1]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成 (2020年2月 - 2023年1月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] BGaN中性子イメージングセンサーに共同研究
[2]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成 (2017年10月 - 2018年9月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] 中性子イメージングセンサーに向けたIII族窒化物半導体に関する共同研究

管理運営・その他