[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity
Carbon 218/ - 118749 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI]
[2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector
Sensors and Materials 36/1 169-176 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
信学技報 LQE2023/67 60-63 （2023年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹
[4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites
ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI]
[5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure
Diamond and Related Materials 136/ - 109985 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI]
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[1]. N極性面GaN/AlN HEMTの電気特性の動作温度依存性
第72回応用物理学会春季学術講演会 （2025年3月17日） 招待講演以外
[発表者]岡田成仁、山中 郁哉、Zazuli Aina Hiyama、藤井 開、木本 大星、仁ノ木 亮祐、倉井 聡、岡田 成仁、田中 敦之、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、廣木 正伸、平間 一行、谷保 芳孝、中野 貴之、山田 陽一
[備考] 17p-K301-9、東京理科大学 野田キャンパス&オンライン、2025年3月14-17日（口頭）
[2]. AlGaN バッファー層を用いた QST 基板上の BGaN 成長における成長温度依存性評価
第72回応用物理学会春季学術講演会 （2025年3月16日） 招待講演以外
[発表者]林敦景、西川瞬、小久保瑛斗、若林源一郎、本田善央、天野浩、松本倖汰、伊藤範和、田中岳利、中原健、 井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 16a-K401-9、東京理科大学 野田キャンパス&オンライン、2025年3月14-17日（口頭）
[3]. 耐高温中性子検出器に向けた低 B 組成 BGaN 検出器の B 組成依存性評価
第72回応用物理学会春季学術講演会 （2025年3月16日） 招待講演以外
[発表者]工藤涼兵、櫻井辰大、小久保瑛斗、都木克之、西澤潤一、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武 、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 16p-K501-5、東京理科大学 野田キャンパス&オンライン、2025年3月14-17日（口頭）
[4]. 高密度CNTフォレストによるTIM開発
第39回エレクトロニクス実装学会春季講演大会 （2025年3月13日） 招待講演以外
[発表者]奥村友貴、中野貴之、井上翼
[備考] 13B2-2、拓殖大学 文京キャンパス、2025年3月11-13日（口頭）
[5]. 高密度垂直配向カーボンナノチューブの熱伝導率
第39回エレクトロニクス実装学会春季講演大会 （2025年3月13日） 招待講演以外
[発表者]渡辺倭、中野貴之、井上翼
[備考] 13B2-3、拓殖大学 文京キャンパス、2025年3月11-13日（口頭）
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[1]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 （ 2024年4月 ～ 2025年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[2]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2024年4月 ～ 2025年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[3]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[4]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[5]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
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[1]. 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張 （ 2023年10月 ～ 2027年3月 ） 国際共同研究加速基金 分担
[2]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 （ 2023年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[3]. ダイヤモンド放射線検出器による高感度中性子検出の原理解明 （ 2023年4月 ～ 2026年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[4]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[5]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(B) 代表
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[1]. 過酷環境下における中性子検出に向けたBGaN高温中性子検出器の開発 （2025年4月 - 2028年3月 ) [提供機関] 公益財団法人 岩谷直治記念財団 [制度名] 第2階岩谷科学技術特別研究助成 [担当区分] 研究代表者
[2]. 次世代原子炉用核計装を目指した高温中性子検出半導体の開発 （2025年4月 - 2027年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
[3]. 過酷環境下で動作可能な新規BGaN中性子半導体検出器に向けた高品質結晶成長技術の開発 （2023年11月 - 2024年10月 ) [提供機関] 公益財団法人天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成 [担当区分] 研究代表者
[4]. Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors （2023年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者海外派遣助成 [担当区分] 研究代表者
[5]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 （2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
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[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor （2022年8月)
[受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名：有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) （2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
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[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
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[1]. The 11th International Symposium toward the Future of Advanced Research at Shizuoka University (ISFAR-SU2025) （2025年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Zoom Distribution
[2]. The 9th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2024) （2024年12月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] ACT CITY Hamamatsu Congress Center, Hamamatsu, Japan
[3]. The 26th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2024年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[4]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[5]. The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
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