[1]. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit
Communications Physics 6/19 19_1-6 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito [DOI]
[2]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors
Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI]
[3]. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Applied Physics Express 14/10 104003-1-4 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
[4]. Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors
Applied Physics Letters 118/26 263504_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Hori, Y. Ono [DOI]
[5]. Characteristics of Si Single-Electron Transistor under Illumination
ECS Transactions 92/4 7-56 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Y. Takahashi, M. Shinohara, A. T-Fukuchi, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa
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[1]. 電子・物性系のための量子力学－デバイスの本質を理解する
森北出版株式会社 （2015年）
[著書の別]著書（教育）
[単著・共著・編著等の別] 単著
[著者]小野 行徳
[備考] https://www.morikita.co.jp/books/book/2839
[2]. "Silicon Single-Electron Devices," in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
Springer, New York （2009年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]Yasuo Takahashi,Yukinori Ono,Akira Fujiwara,Katsuhiko Nishiguchi,Hiroshi Inokawa
[3]. "Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology
Wiley-VCH, Weinheim （2008年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Yasuo Takahashi,Katsuhiko Nishiguchi,Akira Fujiwara |
[1]. 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
2023年 日本物理学会 春季大会 （2023年3月23日） 招待講演以外
[発表者]樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
[備考] オンライン
[2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-
2023年 第70回 応用物理学会 春季学術講演会 （2023年3月16日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
2023年 第70回 応用物理学会 春季学術講演会 （2023年3月16日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[4]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用
共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用 東北大学－静岡大学合同冬季研究会 （2023年2月27日） 招待講演以外
[発表者]小野行徳
[備考] 東北大学 電気通信研究所
[5]. シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用
第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」 （2023年1月31日） 招待講演
[発表者]小野行徳
[備考]
開催場所：産総研臨海副都心センター （東京都江東区）
主催団体：電子情報通信学会
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[1]. 企業等からの受託研究 超伝導量子ビットを用いた極限量子センシング
分担 （ 2017年11月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 国立研究開発法人科学技術振興機構 CREST 戦略的創造研究推進事業
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[1]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022年6月 ～ 2027年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表
[2]. 電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[3]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[4]. 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立 （ 2017年6月 ～ 2022年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表
[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(A) 代表
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[1]. 令和2年度（第34回）高柳記念賞 シリコンナノ構造における電子・電子散乱制御とそのデバイス応用に関する研究 （2020年11月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 公益社団法人浜松電子工学奨励会
[2]. 令和２年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞 研究部門 電子電子散乱と電子流体のデバイス応用に関する先駆的研究 （2020年4月)
[受賞者] 小野 行徳 [授与機関] 文部科学省
[3]. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 ナノスケール・シリコンにおける電⼦・電⼦散乱を利⽤したエレクトロン・アスピレーター （2020年3月)
[受賞者] 小野行徳, ヒンマ フィルダス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエル モラル, 高橋庸夫, 藤原聡 [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会
[備考] 第67回応用物理学会春季学術講演会
[4]. 第10回（2017秋季応物学会）Poster Award チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出 （2017年9月)
[受賞者] M.Hori, T.Tsuchiya, Y.Ono [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会
[備考] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[5]. 第38回応用物理学会論文賞 Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps:Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method （2016年9月)
[受賞者] T.Tsuciya, Y.Ono [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会 |
[1]. 走査型プローブ顕微鏡用探針 [出願番号] 特願2006-312723 (2006年11月20日) [特許番号] 特許第4680868号
[2]. ゲインセル・メモリ回路及びその駆動方法 [出願番号] 特願2006-6205 (2006年1月13日) [特許番号] 特許第4602912号
[3]. 単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-138479 (2005年5月11日) [特許番号] 特許第4704802号
[4]. 電界変調型単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-119782 (2005年4月18日) [特許番号] 特許第4648061号
[5]. ナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法 [出願番号] 特願2005-092444 (2005年3月28日) [特許番号] 特許第4627206号
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