[1]. Precise Deposition of Carbon Nanotube Bundles by Inkjet-Printing on a CMOS-Compatible Platform
Materials 15/14 4935-1-9 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] R. S. Singh, K. Takagi, T. Aoki, J.-H. Moon, Y. Neo, F. Iwata, H. Mimura, and D. Moraru [DOI]
[2]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors
Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Teja. Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI]
[3]. Probing ionization characteristics of under-water plasma arc discharge using simultaneous current and voltage versus time measurement in carbon nanoparticle synthesis
Micro and Nano Engineering 14/ 100099-1-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Anwar, T. E. Saraswati, L. Anjarwati, D. Moraru, A. Udhiarto, F. Adriyanto, H. Maghfiroh, R. Nuryadi [DOI]
[4]. Electron transport via a few-dopant cluster in the presence of counter-dopants in silicon nanowire transistors
Applied Physics Express 14/5 055002_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] C. Pandy, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, V N Ramakrishnan, Y. Neo, H. Mimura, D. Moraru [DOI]
[5]. Band-to-band tunneling mechanism observed at room temperature in lateral non-degenerately doped nanoscale p-n and p-i-n silicon devices
Japanese Journal of Applied Physics 60/2 024001-1-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] A. Udhiarto, R. Nuryadi, M. Anwar, G. Prabhudesai, D. Moraru [DOI]
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[1]. Nanoscale Silicon Devices
Taylor & Francis Group （2015年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]D. Moraru,M. Tabe [URL]
[備考] Chapter 8: "Dopant-Atom Silicon Tunneling Nanodevices", CRC Press
[2]. Toward quantum FinFET
Springer （2014年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]D. Moraru,M. Tabe [担当頁] 305-324
[備考] Chapter 13: Single-electron tunneling transistors utilizing individual dopant potentials
[3]. Single Atom Nanoelectronics
Pan Stanford Publishing （2013年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]M. Tabe,A. Udhiarto,D. Moraru [担当頁] 305-327
[備考] Chapter 13: Silicon-based single dopant devices and integration with photons
[4]. ナノシリコンの最新技術と応用展開
シーエムシー出版 （2010年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]M. Tabe,D. Moraru
[備考] Chapter 6: シングルフォトン検出 (Single photon detection)
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[1]. Transport of electrons one by one through dopants in thin-Si devices
The 29th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS29) （2022年8月25日） 招待講演
[発表者]Daniel Moraru
[備考] Nanjing University, Nanjing, CHINA (Online)
[2]. Towards Practical Implementation of Single-Electron Tunneling via Donor-Induced Quantum Dots in Silicon Nanodevices
Physics and Its Applications （2022年7月21日） 招待講演
[発表者]D. Moraru
[備考] San Francisco, Online
[3]. Single-electron tunneling through multiple-donor QDs in high-concentration co-doped Si nanoscale transistors
シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/電子デバイス研究会（ED） （2022年5月27日） 招待講演以外
[発表者]T. T. Jupalli, T. Kaneko, C. Pandy, and D. Moraru
[備考] 電子情報通信学会
オンライン開催
[4]. 高濃度共ドープしたSiナノトランジスタの単一電子トンネリング評価
The 69th JSAP Spring Meeting 2022 （2022年3月23日） 招待講演以外
[発表者]金子 義，タルナ・テジャ・ジュパリ, 三浦 舜平, 山口 謙祐, モラル・ダニエル
[備考] Sagamihara Campus Aoyama Gakuin University,
Online,
Oral presentation
[5]. Study of single-electron tunneling in Si nano-transistors in different doping concentration regimes for room-temperature operation
The 69th JSAP Spring Meeting 2022 （2022年3月23日） 招待講演以外
[発表者]T. T. Jupalli, A. Debnath, Y. Ono, and D. Moraru
[備考] Sagamihara Campus Aoyama Gakuin University,
Online,
Oral presentation
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[1]. Research on band-to-band tunneling via discrete dopants near pn junctions in Si nanodevices （ 2022年4月 ～ 2025年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[2]. Study of two-dimensional Si Esaki diodes at ultra-high doping with semimetal behavior （ 2019年6月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[3]. 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系-各子系・高速エネルギー変換技術の確率 （ 2017年4月 ～ 2022年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 分担
[4]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(A) 分担
[5]. ソース端ドナー原子のエネルギーフィルタ効果を用いたSiナノトランジスタ （ 2014年4月 ～ 2016年3月 ） 若手研究(B) 代表
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[1]. 高柳研究奨励賞 シリコンナノデバイスにおける不純量子ドットを介した高温単電子トンネリングの研究 （2017年10月)
[授与機関] 公益財団法人浜松電子工学奨励会
[2]. Poster Award in “Toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University” Symposium （2015年1月)
[備考] Organizing Committee of “Toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University” Symposium
[3]. 第5回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会「論文賞」（論文タイトル：Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures） （2014年3月)
[備考] Japan Society of Applied Physics (JSAP)
[4]. 1st Young Scientist Gold Award in International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM) 2012 （2012年9月)
[備考] Organizing Committee of International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM)
[5]. Young Researcher Award in JSAP 67th Autumn National Meeting （2006年9月)
[備考] Organizing Committee of JSAP 67th Autumn National Meeting
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[1]. Invited Lectures Erasmus+ Program at Al. I. Cuza Univ., Iasi, Romania "Physics of Electron Transport in Nanoscale" （2016年12月 )
[備考] A series of 5 lectures for MSc and PhD students of Faculty of Physics, Al. I. Cuza University, Romania.
Invitation supported by an EU staff exchange
[2]. Internet Lecture Al. I. Cuza University (Romania) - Shizuoka University （2016年3月 - 2016年3月 )
[備考] "Quantum Tunneling via Atoms in Nanostructures"
[3]. reviewer for international scientific journal （2008年1月 )
[備考] IEEE Transactions on Nanotechnology, Japanese Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Nanoscale Research Lett |