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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : MORARU DANIEL （MORARU DANIEL）

論文　等

【論文　等】
[1]. Ellipticity Enhancement of a Terahertz Wave Circular Polarizer Made of 3D Chiral Metamaterial IEEE Photonics Technology Letters 36/7 457-460 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] K. Yamamura, G. Otake, A. Ouchi, D. Moraru, A. Nakamura, and S. R. Tripathi [DOI] [2]. Fabrication of organic light-emitting diodes (OLEDs) using the lamination method in a vacuum-free environment International Journal of Electrical, Computer, and Biomedical Engineering (IJECBE) 1/2 54-64 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Daris Alfafa, Daniel Moraru, and Arief Udhiarto [URL] [DOI] [3]. Four-polarisation camera for anisotropy mapping at three orientations: micro-grain of olivine Coatings 13/9 1640_1-1640_12 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] S. Kamegaki, D. Smith, M. Ryu, S. H. Ng, H. Huang, P. Maasoumi, J. Vongsvivut, D. Moraru, T. Katkus, S. Juodkazis, and J. Morikawa [DOI] [4]. Challenges and progress in the fabrication of silicon nanowire tunnel diodes International Journal of Electrical, Computer, and Biomedical Engineering (IJECBE) 1/1 57-65 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] D. Moraru [URL] [DOI] [5]. Structure and optical anisotropy of spider scales and silk: use of chromaticity and azimuth colors Nanomaterials 13/12 1894_1-1894_23 1894 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] D. Linklater, A. Vailionis, M. Ryu, S. Kamegaki, J. Morikawa, H. Mu, D. Smith, P. Maasoumi, R. Ford, T. Katkus, S. Blamires, T. Kondo, Y. Nishijima, D. Moraru, M. Shribak, A. O'Connor, E. Ivanova, S. H. Ng, H. Masuda, and S. Juodkazis [DOI] [6]. Single-charge tunneling in codoped silicon nanodevices Nanomaterials 13/13 1911_1-1911_15 1911 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] D. Moraru, T. Kaneko, Y. Tamura, T. T. Jupalli, R. S. Singh, C. Pandy, L. Popa, and F. Iacomi [DOI] [7]. Crystalline Flat Surface Recovered by High Temperature Annealing after Laser Ablation Photonics 10/5 594_1-11 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Daniel Smith, Soon Hock Ng, Tomas Katkus, Amanda Tang, Daniel Moraru, and Saulius Juodkazis [DOI] [8]. Polarisation Control in Arrays of Microlenses and Gratings: Performance in Visible-IR Spectral Ranges Micromachines 14/4 798_1-19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] H. Mu, D. Smith, T. Katkus, D. Gailevičius, M. Malinauskas, Y. Nishijima, P. R. Stoddart, D. Ruan, M. Ryu, J. Morikawa, T. Vasiliev, V. Lozovski, D. Moraru, S. H. Ng, and S. Juodkazis [URL] [DOI] [9]. Inelastic Cotunneling in the Coulomb-blockade transport of donor-atom transistors Journal of Vacuum Science ＆Technology B 41/1 012208_1-7 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] P. Yadav, S. Chakraborty, D. Moraru, and A. Samanta [DOI] [10]. Variable-Barrier Quantum Coulomb Blockade Effect in Nanoscale Transistors Nanomaterials 12/24 4437_1-12 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] P. Yadav, S. Chakraborty, D. Moraru, and A. Samanta [DOI] [11]. Precise Deposition of Carbon Nanotube Bundles by Inkjet-Printing on a CMOS-Compatible Platform Materials 15/14 4935_1-9- （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] R. S. Singh, K. Takagi, T. Aoki, J.-H. Moon, Y. Neo, F. Iwata, H. Mimura, and D. Moraru [DOI] [12]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] T. Teja. Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI] [13]. Probing ionization characteristics of under-water plasma arc discharge using simultaneous current and voltage versus time measurement in carbon nanoparticle synthesis Micro and Nano Engineering 14/1 100099_1-7- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] M. Anwar, T. E. Saraswati, L. Anjarwati, D. Moraru, A. Udhiarto, F. Adriyanto, H. Maghfiroh, R. Nuryadi [DOI] [14]. Electron transport via a few-dopant cluster in the presence of counter-dopants in silicon nanowire transistors Applied Physics Express 14/5 055002_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] C. Pandy, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, V N Ramakrishnan, Y. Neo, H. Mimura, D. Moraru [DOI] [15]. Band-to-band tunneling mechanism observed at room temperature in lateral non-degenerately doped nanoscale p-n and p-i-n silicon devices Japanese Journal of Applied Physics 60/2 024001-1-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] A. Udhiarto, R. Nuryadi, M. Anwar, G. Prabhudesai, D. Moraru [DOI] [16]. Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors Applied Physics Express 12/8 085004_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] A. Afiff, A. Samanta, A. Udhiarto, H. Sudibyo, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, and D. Moraru [DOI] [17]. Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes Appl. Phys. Lett. 114/24 243502_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] G. Prabhudesai, M. Muruganathan, L.T. Anh, H. Mizuta, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, and D. Moraru [DOI] [18]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon Nature Communications 9/ 4813_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI] [19]. Detection of single holes generated by impact ionization in silicon Applied Physics Letters 113/16 163103_1-5 （2018年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI] [20]. Phosphorus doped p-type MoS2 polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film AIP Advances 8/2 025009_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Momose [共著者]A. Nakamura,D. Moraru,M. Shimomura [DOI] [21]. A statistical study on the formation of a-few-dopant quantum dots in highly-doped Si nanowire transistors IEEE Xplore (2017 15th International Conference on Quality in Research, QiR: International Symposium on Electrical and Computer Engineering) (vol)/(num) 74-78 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]A. Afiff [共著者]T. Hasan,A. Udhiarto,H. Sudibyo,D. Hartanto,A. Samanta,M. Muruganathan,H. Mizuta, M. Tabe,D. Moraru [DOI] [22]. Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors Applied Physics Letters 110/9 093107_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,M.Muruganathan,M.Hori,Y.Ono,H.Mizuta,M.Tabe,D.Moraru [DOI] [23]. Inter-band Current Enhancement by Dopant-Atoms in Low-Dimensional pn Tunnel Diodes Springer (vol)/(num) 95-101 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]M.Muruganathan,L.T.Anh,R.Nuryadi,H.Mizuta,M.Tabe [DOI] [24]. Toward Room Temperature Operation of Dopant Atom Transistors Springer (vol)/(num) 83- 88 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Tabe [共著者]A.Samanta,D.Moraru [DOI] [25]. Atomistic nature in band-to-band tunneling in two-dimensional silicon pn tunnel diodes Applied Physics Letters 108/9 093502_1-5 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]H. N. Tan; T. Mizuno; M. Muraganathan; L. T. Anh; H. Mizuta; R. Nuryadi; D. Moraru [DOI] [26]. Electric-field-assisted formation of an interfacial double-donor molecule in silicon nano-transistors Scientific Reports 5/ 17377-1-10 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Samanta [共著者]D. Moraru, T. Mizuno, M. Tabe [URL] [27]. Effect of individual dopants in nano-SOI-MOSFETs and nano-pn-diodes ECS Transactions 69/10 189-195 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru, A. Samanta, K. Tyszka, H. N. Tan, Y. Takasu, R. Jablonski, L. T. Anh, H. Mizuta, T. Mizuno [URL] [28]. Tunneling in systems of coupled dopant-atoms in Si nanodevices Nanoscale Research Letters 10/ 372_1-10 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta, K. Tyszka, L. T. Anh, M. Manoharan, T. Mizuno, R. Jablonski, H. Mizuta, M. Tabe [URL] [29]. Physics of strongly-coupled dopant-atoms in nanodevices International Journal of Technology 6/6 1057-1064 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]K. Tyszka; Y. Takasu; A. Samanta; T. Mizuno; R. Jablonski; M. Tabe [URL] [30]. Effect of selective doping on the spatial dispersion of donor-induced quantum dots in Si nanoscale transistors Applied Physics Express 8/ 094202-1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,A. Samanta,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [31]. Linear I-V characteristics of highly-doped SOI p-i-n diode for low temperature measurement International Journal of Technology 6/3 318-326 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.A.N.G. Sapteka [共著者]H. N. Tan, R. Unno, D. Moraru, A. Udhiarto, S. Purwiyanti, M. Tabe, D. Hartanto, H. Sudibyo [32]. Tunneling transport in quantum dots formed by coupled dopant atoms Advanced Materials Research 1117/ 78-81 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,T. Tsutaya,Y. Takasu,T. Mizuno,M. Tabe [DOI] [33]. Kelvin probe force microscope observation of donors’ arrangement in Si transistor channel Advanced Materials Research 1117/ 82-85 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [34]. Comparative study of donor-induced quantum dots in Si nano-channels by single-electron transport characterization and Kelvin probe force microscopy Journal of Applied Physics 117/24 244307_1-6 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [35]. The impacts of electronic state hybridization on the binding energy of single phosphorus donor electrons in extremely downscaled silicon nanostructures Journal of Applied Physics 116/6 063705-1-9 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]L. T. Anh [共著者]D. Moraru,M. Manoharan,M. Tabe,H. Mizuta [DOI] [36]. Transport spectroscopy of coupled donors in silicon nano-transistors Scientific Reports 4/ 6219_1-4 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,L. T. Anh,T. Mizuno,H. Mizuta,M. Tabe [URL] [37]. Observation of tunneling effects in lateral nanowire pn junctions Makara Journal of Technology 18/2 91-95 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Purwiyanti [共著者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,D. Hartanto,M. Tabe [URL] [38]. Potential profile and photovoltaic effect in nanoscale lateral pn junction observed by Kelvin probe force microscopy Thin Solid Films 557/ 249-253 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL] [39]. Individuality of dopants in silicon nano-pn junctions Materials Science 20/2 129-131 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]S. Purwiyanti,R. Nowak,T. Mizuno,A. Udhiarto,D. Hartanto,R. Jablonski,M. Tabe [URL] [40]. Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/2 261-264 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [URL] [41]. Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/2 261-264 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [URL] [42]. Dopant-atom-based tunnel SOI-MOSFETs ECS Transactions 58/9 89-95 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,E. Hamid,A. Samanta,L. T. Anh,T. Mizuno,H. Mizuta [URL] [43]. Dopant-induced random telegraph signal in nanoscale lateral silicon pn diodes Applied Physics Letters 103/24 243102-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Purwiyanti [共著者]R. Nowak,D. Moraru,T. Mizuno,D. Hartanto,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [44]. Observation of photovoltaic effect and single-photon detection in nanowire silicon pn-junction Makara Journal of Technology 17/2 64-68 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]S. Purwiyanti,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [45]. Effect of deep-level dopants on the electronic potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope Applied Physics Letters 102/8 083109-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [46]. Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures Physical Review B 87/8 085420_1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]E. Hamid [共著者]D. Moraru,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [DOI] [47]. Photon-induced random telegraph signal due to potential fluctuation of a single donor-acceptor pair in nanoscale Si p-n junctions Applied Physics Express 5/ 112201-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,S. Purwiyanti,Y. Kuzuya,T. Mizuno,H. Mizuta,M. Tabe [DOI] [48]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique Journal of Advanced Research in Physics 3/2 021202-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL] [49]. 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス－デバイス特性とフォトンセンシング機能－応用物理 81/2 147-150 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,A. Udhiarto,T. Mizuno [50]. Effect of donor-level deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs Journal of Advanced Research in Physics 2/1 011111-1-011111-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,E. Hamid,M. Anwar,R. Nowak,Y. Kuzuya,T. Mizuno [URL] [51]. Temperature evolution of electron transport in single-donor transistors Journal of Advanced Research in Physics 2/1 011112-1-011112-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,A. Udhiarto,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [52]. Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscopy Applied Physics Letters 99/21 213101-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]R. Nowak,D. Moraru,A. Udhiarto,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI] [53]. Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors Applied Physics Letters 99/11 113108_1-3- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 24, no. 13, September 26th, 2011 [DOI] [54]. Single-electron charging in phosphorus donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope Japanese Journal of Applied Physics 50/4 08LB10-1-4 （2011年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]Y. Kawai,D. Moraru,R. Nowak,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [55]. Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures Nanoscale Research Letters 6/ 479_1-9 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Udhiarto,M. Anwar,R. Nowak,R. Jablonski,E. Hamid,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [56]. Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs Advanced Materials Research 222/ 122-125 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [57]. Si-based single-dopant atom devices Advanced Materials Research 222/ 205-208 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,A. Udhiarto,S. Miki,M. Anwar,Y. Kawai,T. Mizuno [URL] [58]. Single-photon detection by Si single-electron FETs Physica Status Solidi A 203/3 646-651 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno [DOI] [59]. Tunable single-electron turnstile using discrete dopants in nanoscale SOI-FETs Key Engineering Materials 470/ 22-27 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]K. Yokoi,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [URL] [60]. KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel Key Engineering Materials 470/ 33-38 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]D. Moraru,Y. Kawai,M. Ligowski,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL] [61]. Single-electron transfer between two donors in thin nanoscale silicon-on-insulator field-effect transistors Applied Physics Letters 97/26 262101_1-3 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Earfan Hamid [共著者]D. Moraru,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 23, no. 1, Jan. 3rd 2011 [URL] [62]. Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junction arrays Journal of Applied Physics 108/5 053710-1-5 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Kiyohito Yokoi [共著者]D. Moraru, T. Mizuno, and M. Tabe [DOI] [63]. Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment Physical Review Letters 105/1 016803_1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, and T. Mizuno [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 22, no. 3, July 19th 2010 [DOI] [64]. Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices Thin Solid Films 518/6 S38-S43 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, K. Yokoi, R. Jablonski, and T. Mizuno [URL] [65]. Breakthrough of advanced nano-silicon devices Indonesian Nanoletter 3/1 17-21 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Anwar, K. Yokoi, R. Nakamura, M. Ligowski, S. Miki, and T. Mizuno [66]. Detection of individual dopants in single-electron devices – a study by KFM observation and simulation Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 130-133 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Maciej Ligowski [共著者]D. Moraru, M. Anwar, J. C. Tarido, T. Mizuno, M. Tabe, and R. Jablonski [URL] [67]. Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 52-54 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]M. Ligowski, J. C. Tarido, S. Miki, R. Nakamura, K. Yokoi, T. Mizuno, and M. Tabe [URL] [68]. Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors Applied Physics Express 2/7 071201-1-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]M. Ligowski, K. Yokoi, T. Mizuno, and M. Tabe [URL] [69]. Single-gated single-electron transfer in non-uniform arrays of quantum dots Japanese Journal of Applied Physics 48/2 024503-1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Kiyohito Yokoi [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, and M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 19, no. 19, May 11th 2009 [URL] [70]. Si single-electron SOI-MOSFETs: Interplay with individual dopants and photons 2009 Materials Research Society Bulletin (Proceedings of MRS Fall Meeting 2008) 1145-MM10-01/ 1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, D. Moraru, M. Ligowski, R. Jablonski, and T. Mizuno [DOI] [71]. Observation of individual dopants in a thin silicon layer by low temperature Kelvin Probe Force Microscope Applied Physics Letters 93/14 142101_1-3 （2008年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Maciej Ligowski [共著者]D. Moraru, M. Anwar, T. Mizuno, R. Jablonski, and M. Tabe [DOI] [72]. Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection Acta Physica Polonica A 113/3 811-814 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]R. Nuryadi, D. Moraru, Z. A. Burhanudin, K. Yokoi, and H. Ikeda [URL] [73]. Manipulation of single electrons in Si nanodevices – interplay with photons and ions Recent Advances in Mechatronics (Proceedings of Mechtronics 2007 Conference) (Springer) / 500-504 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]R. Nuryadi, Z. A. Burhanudin, D. Moraru, K. Yokoi, and H. Ikeda [DOI] [74]. Quantized-electron transfer through random multiple junctions in phosphorous-doped silicon nanowires Physical Review B 76/7 075332- （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, and M. Tabe [DOI] [75]. Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs Reports of the Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 28/ 15-20 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, R. Nuryadi, H. Ikeda, and M. Tabe [URL] [76]. Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/Si(111) tunneling structures Japanese Journal of Applied Physics 45/11 L316-L318 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] D. Moraru, H. Kato, S. Horiguchi, Y. Ishikawa, H. Ikeda, and M. Tabe [URL]

[1]. Ellipticity Enhancement of a Terahertz Wave Circular Polarizer Made of 3D Chiral Metamaterial
IEEE Photonics Technology Letters 36/7 457-460 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] K. Yamamura, G. Otake, A. Ouchi, D. Moraru, A. Nakamura, and S. R. Tripathi [DOI]
[2]. Fabrication of organic light-emitting diodes (OLEDs) using the lamination method in a vacuum-free environment
International Journal of Electrical, Computer, and Biomedical Engineering (IJECBE) 1/2 54-64 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Daris Alfafa, Daniel Moraru, and Arief Udhiarto [URL] [DOI]
[3]. Four-polarisation camera for anisotropy mapping at three orientations: micro-grain of olivine
Coatings 13/9 1640_1-1640_12 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] S. Kamegaki, D. Smith, M. Ryu, S. H. Ng, H. Huang, P. Maasoumi, J. Vongsvivut, D. Moraru, T. Katkus, S. Juodkazis, and J. Morikawa [DOI]
[4]. Challenges and progress in the fabrication of silicon nanowire tunnel diodes
International Journal of Electrical, Computer, and Biomedical Engineering (IJECBE) 1/1 57-65 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] D. Moraru [URL] [DOI]
[5]. Structure and optical anisotropy of spider scales and silk: use of chromaticity and azimuth colors
Nanomaterials 13/12 1894_1-1894_23 1894 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] D. Linklater, A. Vailionis, M. Ryu, S. Kamegaki, J. Morikawa, H. Mu, D. Smith, P. Maasoumi, R. Ford, T. Katkus, S. Blamires, T. Kondo, Y. Nishijima, D. Moraru, M. Shribak, A. O'Connor, E. Ivanova, S. H. Ng, H. Masuda, and S. Juodkazis [DOI]
[6]. Single-charge tunneling in codoped silicon nanodevices
Nanomaterials 13/13 1911_1-1911_15 1911 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] D. Moraru, T. Kaneko, Y. Tamura, T. T. Jupalli, R. S. Singh, C. Pandy, L. Popa, and F. Iacomi [DOI]
[7]. Crystalline Flat Surface Recovered by High Temperature Annealing after Laser Ablation
Photonics 10/5 594_1-11 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Daniel Smith, Soon Hock Ng, Tomas Katkus, Amanda Tang, Daniel Moraru, and Saulius Juodkazis [DOI]
[8]. Polarisation Control in Arrays of Microlenses and Gratings: Performance in Visible-IR Spectral Ranges
Micromachines 14/4 798_1-19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] H. Mu, D. Smith, T. Katkus, D. Gailevičius, M. Malinauskas, Y. Nishijima, P. R. Stoddart, D. Ruan, M. Ryu, J. Morikawa, T. Vasiliev, V. Lozovski, D. Moraru, S. H. Ng, and S. Juodkazis [URL] [DOI]
[9]. Inelastic Cotunneling in the Coulomb-blockade transport of donor-atom transistors
Journal of Vacuum Science ＆Technology B 41/1 012208_1-7 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] P. Yadav, S. Chakraborty, D. Moraru, and A. Samanta [DOI]
[10]. Variable-Barrier Quantum Coulomb Blockade Effect in Nanoscale Transistors
Nanomaterials 12/24 4437_1-12 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] P. Yadav, S. Chakraborty, D. Moraru, and A. Samanta [DOI]
[11]. Precise Deposition of Carbon Nanotube Bundles by Inkjet-Printing on a CMOS-Compatible Platform
Materials 15/14 4935_1-9- （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] R. S. Singh, K. Takagi, T. Aoki, J.-H. Moon, Y. Neo, F. Iwata, H. Mimura, and D. Moraru [DOI]
[12]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors
Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Teja. Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI]
[13]. Probing ionization characteristics of under-water plasma arc discharge using simultaneous current and voltage versus time measurement in carbon nanoparticle synthesis
Micro and Nano Engineering 14/1 100099_1-7- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Anwar, T. E. Saraswati, L. Anjarwati, D. Moraru, A. Udhiarto, F. Adriyanto, H. Maghfiroh, R. Nuryadi [DOI]
[14]. Electron transport via a few-dopant cluster in the presence of counter-dopants in silicon nanowire transistors
Applied Physics Express 14/5 055002_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] C. Pandy, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, V N Ramakrishnan, Y. Neo, H. Mimura, D. Moraru [DOI]
[15]. Band-to-band tunneling mechanism observed at room temperature in lateral non-degenerately doped nanoscale p-n and p-i-n silicon devices
Japanese Journal of Applied Physics 60/2 024001-1-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] A. Udhiarto, R. Nuryadi, M. Anwar, G. Prabhudesai, D. Moraru [DOI]
[16]. Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors
Applied Physics Express 12/8 085004_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] A. Afiff, A. Samanta, A. Udhiarto, H. Sudibyo, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, and D. Moraru [DOI]
[17]. Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes
Appl. Phys. Lett. 114/24 243502_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] G. Prabhudesai, M. Muruganathan, L.T. Anh, H. Mizuta, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, and D. Moraru [DOI]
[18]. Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
Nature Communications 9/ 4813_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI]
[19]. Detection of single holes generated by impact ionization in silicon
Applied Physics Letters 113/16 163103_1-5 （2018年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI]
[20]. Phosphorus doped p-type MoS2 polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film
AIP Advances 8/2 025009_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Momose [共著者]A. Nakamura,D. Moraru,M. Shimomura [DOI]
[21]. A statistical study on the formation of a-few-dopant quantum dots in highly-doped Si nanowire transistors
IEEE Xplore (2017 15th International Conference on Quality in Research, QiR: International Symposium on Electrical and Computer Engineering) (vol)/(num) 74-78 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]A. Afiff [共著者]T. Hasan,A. Udhiarto,H. Sudibyo,D. Hartanto,A. Samanta,M. Muruganathan,H. Mizuta, M. Tabe,D. Moraru [DOI]
[22]. Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors
Applied Physics Letters 110/9 093107_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,M.Muruganathan,M.Hori,Y.Ono,H.Mizuta,M.Tabe,D.Moraru [DOI]
[23]. Inter-band Current Enhancement by Dopant-Atoms in Low-Dimensional pn Tunnel Diodes
Springer (vol)/(num) 95-101 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]M.Muruganathan,L.T.Anh,R.Nuryadi,H.Mizuta,M.Tabe [DOI]
[24]. Toward Room Temperature Operation of Dopant Atom Transistors
Springer (vol)/(num) 83- 88 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Tabe [共著者]A.Samanta,D.Moraru [DOI]
[25]. Atomistic nature in band-to-band tunneling in two-dimensional silicon pn tunnel diodes
Applied Physics Letters 108/9 093502_1-5 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]H. N. Tan; T. Mizuno; M. Muraganathan; L. T. Anh; H. Mizuta; R. Nuryadi; D. Moraru [DOI]
[26]. Electric-field-assisted formation of an interfacial double-donor molecule in silicon nano-transistors
Scientific Reports 5/ 17377-1-10 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Samanta [共著者]D. Moraru, T. Mizuno, M. Tabe [URL]
[27]. Effect of individual dopants in nano-SOI-MOSFETs and nano-pn-diodes
ECS Transactions 69/10 189-195 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru, A. Samanta, K. Tyszka, H. N. Tan, Y. Takasu, R. Jablonski, L. T. Anh, H. Mizuta, T. Mizuno [URL]
[28]. Tunneling in systems of coupled dopant-atoms in Si nanodevices
Nanoscale Research Letters 10/ 372_1-10 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta, K. Tyszka, L. T. Anh, M. Manoharan, T. Mizuno, R. Jablonski, H. Mizuta, M. Tabe [URL]
[29]. Physics of strongly-coupled dopant-atoms in nanodevices
International Journal of Technology 6/6 1057-1064 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]K. Tyszka; Y. Takasu; A. Samanta; T. Mizuno; R. Jablonski; M. Tabe [URL]
[30]. Effect of selective doping on the spatial dispersion of donor-induced quantum dots in Si nanoscale transistors
Applied Physics Express 8/ 094202-1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,A. Samanta,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[31]. Linear I-V characteristics of highly-doped SOI p-i-n diode for low temperature measurement
International Journal of Technology 6/3 318-326 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.A.N.G. Sapteka [共著者]H. N. Tan, R. Unno, D. Moraru, A. Udhiarto, S. Purwiyanti, M. Tabe, D. Hartanto, H. Sudibyo
[32]. Tunneling transport in quantum dots formed by coupled dopant atoms
Advanced Materials Research 1117/ 78-81 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,T. Tsutaya,Y. Takasu,T. Mizuno,M. Tabe [DOI]
[33]. Kelvin probe force microscope observation of donors’ arrangement in Si transistor channel
Advanced Materials Research 1117/ 82-85 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[34]. Comparative study of donor-induced quantum dots in Si nano-channels by single-electron transport characterization and Kelvin probe force microscopy
Journal of Applied Physics 117/24 244307_1-6 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Tyszka [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[35]. The impacts of electronic state hybridization on the binding energy of single phosphorus donor electrons in extremely downscaled silicon nanostructures
Journal of Applied Physics 116/6 063705-1-9 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]L. T. Anh [共著者]D. Moraru,M. Manoharan,M. Tabe,H. Mizuta [DOI]
[36]. Transport spectroscopy of coupled donors in silicon nano-transistors
Scientific Reports 4/ 6219_1-4 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Samanta,L. T. Anh,T. Mizuno,H. Mizuta,M. Tabe [URL]
[37]. Observation of tunneling effects in lateral nanowire pn junctions
Makara Journal of Technology 18/2 91-95 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Purwiyanti [共著者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,D. Hartanto,M. Tabe [URL]
[38]. Potential profile and photovoltaic effect in nanoscale lateral pn junction observed by Kelvin probe force microscopy
Thin Solid Films 557/ 249-253 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL]
[39]. Individuality of dopants in silicon nano-pn junctions
Materials Science 20/2 129-131 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]S. Purwiyanti,R. Nowak,T. Mizuno,A. Udhiarto,D. Hartanto,R. Jablonski,M. Tabe [URL]
[40]. Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs
Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/2 261-264 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [URL]
[41]. Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs
Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/2 261-264 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [URL]
[42]. Dopant-atom-based tunnel SOI-MOSFETs
ECS Transactions 58/9 89-95 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,E. Hamid,A. Samanta,L. T. Anh,T. Mizuno,H. Mizuta [URL]
[43]. Dopant-induced random telegraph signal in nanoscale lateral silicon pn diodes
Applied Physics Letters 103/24 243102-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Purwiyanti [共著者]R. Nowak,D. Moraru,T. Mizuno,D. Hartanto,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[44]. Observation of photovoltaic effect and single-photon detection in nanowire silicon pn-junction
Makara Journal of Technology 17/2 64-68 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]S. Purwiyanti,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[45]. Effect of deep-level dopants on the electronic potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope
Applied Physics Letters 102/8 083109-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[46]. Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures
Physical Review B 87/8 085420_1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]E. Hamid [共著者]D. Moraru,Y. Kuzuya,T. Mizuno,L. T. Anh,H. Mizuta,M. Tabe [DOI]
[47]. Photon-induced random telegraph signal due to potential fluctuation of a single donor-acceptor pair in nanoscale Si p-n junctions
Applied Physics Express 5/ 112201-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,S. Purwiyanti,Y. Kuzuya,T. Mizuno,H. Mizuta,M. Tabe [DOI]
[48]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique
Journal of Advanced Research in Physics 3/2 021202-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Nowak [共著者]M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL]
[49]. 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス－デバイス特性とフォトンセンシング機能－
応用物理 81/2 147-150 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,A. Udhiarto,T. Mizuno
[50]. Effect of donor-level deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs
Journal of Advanced Research in Physics 2/1 011111-1-011111-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,E. Hamid,M. Anwar,R. Nowak,Y. Kuzuya,T. Mizuno [URL]
[51]. Temperature evolution of electron transport in single-donor transistors
Journal of Advanced Research in Physics 2/1 011112-1-011112-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,A. Udhiarto,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[52]. Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscopy
Applied Physics Letters 99/21 213101-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]R. Nowak,D. Moraru,A. Udhiarto,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [DOI]
[53]. Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors
Applied Physics Letters 99/11 113108_1-3- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 24, no. 13, September 26th, 2011
[DOI]
[54]. Single-electron charging in phosphorus donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope
Japanese Journal of Applied Physics 50/4 08LB10-1-4 （2011年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]Y. Kawai,D. Moraru,R. Nowak,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[55]. Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures
Nanoscale Research Letters 6/ 479_1-9 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Udhiarto,M. Anwar,R. Nowak,R. Jablonski,E. Hamid,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[56]. Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs
Advanced Materials Research 222/ 122-125 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[57]. Si-based single-dopant atom devices
Advanced Materials Research 222/ 205-208 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,A. Udhiarto,S. Miki,M. Anwar,Y. Kawai,T. Mizuno [URL]
[58]. Single-photon detection by Si single-electron FETs
Physica Status Solidi A 203/3 646-651 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno [DOI]
[59]. Tunable single-electron turnstile using discrete dopants in nanoscale SOI-FETs
Key Engineering Materials 470/ 22-27 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]K. Yokoi,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [URL]
[60]. KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel
Key Engineering Materials 470/ 33-38 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]D. Moraru,Y. Kawai,M. Ligowski,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [URL]
[61]. Single-electron transfer between two donors in thin nanoscale silicon-on-insulator field-effect transistors
Applied Physics Letters 97/26 262101_1-3 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Earfan Hamid [共著者]D. Moraru,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 23, no. 1, Jan. 3rd 2011
[URL]
[62]. Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junction arrays
Journal of Applied Physics 108/5 053710-1-5 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Kiyohito Yokoi [共著者]D. Moraru, T. Mizuno, and M. Tabe [DOI]
[63]. Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment
Physical Review Letters 105/1 016803_1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, and T. Mizuno [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 22, no. 3, July 19th 2010
[DOI]
[64]. Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
Thin Solid Films 518/6 S38-S43 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, K. Yokoi, R. Jablonski, and T. Mizuno [URL]
[65]. Breakthrough of advanced nano-silicon devices
Indonesian Nanoletter 3/1 17-21 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]D. Moraru, M. Anwar, K. Yokoi, R. Nakamura, M. Ligowski, S. Miki, and T. Mizuno
[66]. Detection of individual dopants in single-electron devices – a study by KFM observation and simulation
Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 130-133 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Maciej Ligowski [共著者]D. Moraru, M. Anwar, J. C. Tarido, T. Mizuno, M. Tabe, and R. Jablonski [URL]
[67]. Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants
Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 52-54 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]M. Ligowski, J. C. Tarido, S. Miki, R. Nakamura, K. Yokoi, T. Mizuno, and M. Tabe [URL]
[68]. Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
Applied Physics Express 2/7 071201-1-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]M. Ligowski, K. Yokoi, T. Mizuno, and M. Tabe [URL]
[69]. Single-gated single-electron transfer in non-uniform arrays of quantum dots
Japanese Journal of Applied Physics 48/2 024503-1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Kiyohito Yokoi [共著者]D. Moraru, M. Ligowski, and M. Tabe [備考] selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 19, no. 19, May 11th 2009
[URL]
[70]. Si single-electron SOI-MOSFETs: Interplay with individual dopants and photons
2009 Materials Research Society Bulletin (Proceedings of MRS Fall Meeting 2008) 1145-MM10-01/ 1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, D. Moraru, M. Ligowski, R. Jablonski, and T. Mizuno [DOI]
[71]. Observation of individual dopants in a thin silicon layer by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
Applied Physics Letters 93/14 142101_1-3 （2008年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Maciej Ligowski [共著者]D. Moraru, M. Anwar, T. Mizuno, R. Jablonski, and M. Tabe [DOI]
[72]. Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection
Acta Physica Polonica A 113/3 811-814 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]R. Nuryadi, D. Moraru, Z. A. Burhanudin, K. Yokoi, and H. Ikeda [URL]
[73]. Manipulation of single electrons in Si nanodevices – interplay with photons and ions
Recent Advances in Mechatronics (Proceedings of Mechtronics 2007 Conference) (Springer) / 500-504 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]R. Nuryadi, Z. A. Burhanudin, D. Moraru, K. Yokoi, and H. Ikeda [DOI]
[74]. Quantized-electron transfer through random multiple junctions in phosphorous-doped silicon nanowires
Physical Review B 76/7 075332- （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, and M. Tabe [DOI]
[75]. Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
Reports of the Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 28/ 15-20 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, R. Nuryadi, H. Ikeda, and M. Tabe [URL]
[76]. Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/Si(111) tunneling structures
Japanese Journal of Applied Physics 45/11 L316-L318 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] D. Moraru, H. Kato, S. Horiguchi, Y. Ishikawa, H. Ikeda, and M. Tabe [URL]

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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : MORARU DANIEL （MORARU DANIEL）

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