[1]. SiSn mediated formation of polycrystalline SiGeSn Jpn. J.Appl.Phys. 61/SC - (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Yosuke Shimura, Masaki Okado, Tokimune Motofuji, and Hirokazu Tatsuoka [DOI] [2]. Synthesis of calcium monosilicide nanowires by a reactive deposition technique Jpn. J.Appl.Phys. 61/SC SC1067-1--5 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Xiang Meng, Liangliang Tian, Fuqiang Zhai, Lu Li, Yosuke Shimura, and Hirokazu Tatsuoka [DOI] [3]. Promoting effect of (Co, Ni)O solid solution on Pd catalysts for ethylene glycol electrooxidation in alkaline solution Electrochimica Acta 408/ 139965-10 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Baoyu Liu, Changxu Wu, Cuilian Wen, Hengyi Li, Yosuke Shimura, Hirokazu Tatsuoka, Baisheng Sa [DOI] [4]. Thermal conductivity and inelastic x-ray scattering measurements on SiGeSn polycrystalline alloy Jpn. J.Appl.Phys. 60/SB SBBF11-1-6 (2021年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Yosuke Shimura, Kako Iwamoto, Ryo Yokogawa, Motohiro Tomita, Hirokazu Tatsuoka, Hiroshi Uchiyama, Atsushi Ogura [DOI] [5]. Fine structural and photoluminescence properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates Jpn. J.Appl.Phys. 60/SB SBBK07- (2021年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] T. Koga, R. Tamaki, X. Meng, Y. Numazawa, Y. Shimura, N. Ahsan, Y. Okada, A. Ishida, and H. Tatsuoka [DOI]
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[1]. シリサイド系半導体の科学と技術ー 資源・環境時代のあたらしい半導体と関連物質 裳華房 (2014年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]前田佳均編著,前田佳均編著,秋安藤裕一郎,磯田幸宏,板倉賢,今井基晴,今井庸二,打越雅仁,鵜殿治彦,末益崇,鈴木基史,高倉健一郎,立岡浩一,寺井慶和,中村芳明,浜屋宏平,舟窪浩,前田佳均,山口憲司,山田高広,吉武剛 [備考] 2.結晶成長技術 2.2 気相からの結晶成長
[2]. 第16回リフレッシュ理科教室(東海支部浜松会場)「磁石でまわる!はねる!とぶ!楽しい工作」 日本応用物理学会 ISBN 978-4-86348-329-3 (2013年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]高井吉明 [備考] 立岡 浩一「ひらひらくるくる!メリーゴーランド」 [3]. 第15回リフレッシュ理科教室(東海支部浜松会場)「ゆれる!ふるえる!まわる!楽しい工作」 日本応用物理学会 ISBN 978-4-86348-248-7 (2012年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]高井吉明 [備考] 立岡 浩一「波のりイルカ」 [4]. 社団法人応用物理学会 第13回「リフレッシュ理科教室」(東海支部浜松会場)テキスト 不思議な電気の世界 The Japan Society of Applied Physics ISBN 978-4-86348-078-0 (2010年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]高井吉明 [備考] 立岡 浩一「をつくって電気を起こそう!」 [5]. Growth of nanowire and nanobelt based oxides by thermal oxidation with gallium IN-TECH (2010年) [著書の別]著書(研究) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]Qing Yang,Takahito Yasuda,Hitonori Kukino,Miyoko Tanaka,Hirokazu Tatsuoka
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[1]. CaGe2粉末の熱処理によるGe基ナノシート束の作製 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月23日) 招待講演以外 [発表者]関野 海斗、志村 洋介、立岡 浩一 [備考] 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン [2]. 液相成長法を用いて作製したMg2Siナノシート束の微細構造 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月23日) 招待講演以外 [発表者]佐々木 啓悟、古賀 友也、志村 洋介、立岡 浩一 [備考] 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン [3]. MnCl2溶融塩を用いて作成したMnSi1.7ナノシート束の微細構造 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月23日) 招待講演以外 [発表者]米田 文緒、伊藤 聖悟、志村 洋介、立岡 浩一 [備考] 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン [4]. GeSn単結晶薄膜のX線非弾性散乱測定 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 (2022年3月23日) 招待講演以外 [発表者]千野 雅人、横川 凌、小椋 厚志、内山 裕士、立岡 浩一、志村 洋介 [備考] 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン [5]. CaSi2をテンプレートとしたMg2SiO4/MgOナノシート束の作製と発光特性 第12回IDEA連携シンポジウム (2022年3月4日) 招待講演以外 [発表者]立岡 浩一, 志村 洋介, 三村 秀典, 根尾 陽一郎, 岡田 至崇 [備考] Online
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[1]. 多様な化合物ナノシート束の造り分け技術の確立とエネルギーデバイスへの応用 ( 2020年4月 ~ 2023年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [2]. 新規ナノシート束の創生,構造制御とエネルギーデバイスへの応用 ( 2019年4月 ~ 2020年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [3]. 新規ナノシート束の創生,構造制御とエネルギーデバイスへの応用 ( 2018年4月 ) 基盤研究(C) 代表 [4]. 新規ナノシート束の創生,構造制御とエネルギーデバイスへの応用 ( 2017年4月 ) 基盤研究(C) 代表 [5]. 簡便な熱処理によるナノ構造の形態・形状制御と熱電発電への応用 ( 2016年4月 ~ 2017年3月 ) 基盤研究(C) 代表
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[1]. 船外機用軽量,安全高効率熱電発電材料(デバイス)の開発 (2020年4月 - 2021年3月 ) [提供機関] JST [制度名] A-step [担当区分] 研究代表者 [備考] 2019より継続 [2]. 船外機用軽量,安全高効率熱電発電材料(デバイス)の開発 (2019年9月 ) [提供機関] JST [制度名] A-Step [担当区分] 研究代表者 [3]. Prof. Dmitri B. Migas /(BSUIR) ベラルーシ共和国,Prof. Yu Huang / (UCLA) アメリカ合衆国
(2013年7月 ) [提供機関] 池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者招聘事業 [4]. APAC-Silicide 2013実行委員会にて執行 (2013年7月 ) [提供機関] 井上科学振興財団 [制度名] 国際会議助成 [5]. 熱電デバイス用均一組成シリコンゲルマニウム半導体結晶成長 (2010年4月 ) [提供機関] 日本学術振興会 [制度名] 二国間交流事業共同研究
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[1]. 応用物理学会東海支部奨励賞 (2014年1月) [備考] 応用物理学会東海支部 [2]. 高柳奨励賞 (1992年1月)
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[1]. マグネシウムシリサイドの合成方法 [出願番号] 2003347150 (2003年10月6日) [特許番号] 3882047 [2]. β‐FeSi2の製造方法 [出願番号] 2003081963 (2003年3月25日) [特許番号] 4241123 [3]. マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法 [出願番号] 2002171339 (2002年6月12日) [特許番号] 3772206 [4]. カリシュウムシリサイド薄膜の成長方法 [出願番号] 2001086119 (2001年3月23日) [特許番号] 特許第3584284号 [5]. 液相からのバルク単結晶ベータ鉄シリサイド結晶成長法 [出願番号] 00-371387 (2000年12月6日) [特許番号] 3520333
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