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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 立岡 浩一 (TATSUOKA Hirokazu)

論文 等

【論文 等】
[1]. Ge1−xSnx nanodots crystal nuclei for solid phase crystallization of poly-Si1−x−yGexSny
Jpn. J.Appl.Phys. 62/SC - SC1003 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yusei Shirai, Hirokazu Tatsuoka, and Yosuke Shimura [DOI]
[2]. Synthesis of MnSi1.7 nanosheet bundles from CaSi2 crystal powders using MnCl2 in molten salt
Jpn. J.Appl.Phys. 62/SD - SD1021 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Fumio Komeda, Shogo Itoh, Yosuke Shimura, Naohisa Takahashi, and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[3]. SiSn mediated formation of polycrystalline SiGeSn
Jpn. J.Appl.Phys. 61/SC - (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yosuke Shimura, Masaki Okado, Tokimune Motofuji, and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[4]. Synthesis of calcium monosilicide nanowires by a reactive deposition technique
Jpn. J.Appl.Phys. 61/SC SC1067-1--5 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Xiang Meng, Liangliang Tian, Fuqiang Zhai, Lu Li, Yosuke Shimura, and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[5]. Promoting effect of (Co, Ni)O solid solution on Pd catalysts for ethylene glycol electrooxidation in alkaline solution 
Electrochimica Acta 408/ 139965-10 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Baoyu Liu, Changxu Wu, Cuilian Wen, Hengyi Li, Yosuke Shimura, Hirokazu Tatsuoka, Baisheng Sa [DOI]
[6]. Thermal conductivity and inelastic x-ray scattering measurements on SiGeSn polycrystalline alloy
Jpn. J.Appl.Phys. 60/SB SBBF11-1-6 (2021年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yosuke Shimura, Kako Iwamoto, Ryo Yokogawa, Motohiro Tomita, Hirokazu Tatsuoka, Hiroshi Uchiyama, Atsushi Ogura [DOI]
[7]. Fine structural and photoluminescence properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates
Jpn. J.Appl.Phys. 60/SB SBBK07- (2021年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Koga, R. Tamaki, X. Meng, Y. Numazawa, Y. Shimura, N. Ahsan, Y. Okada, A. Ishida, and H. Tatsuoka [DOI]
[8]. Topological synthesis of Mg-based silicate nanosheet bundles from CaSi2 crystal powders
Jpn. J.Appl.Phys. 59/ SFFD02 - (2020年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Y. Numazawa, S. Itoh, Y. Ono, Y. Huang, Y. Shimura, Y. Hayakawa, and H. Tatsuoka, [DOI]
[9]. Synthesis of CaF2 nanostructures from calcium silicide powders in diluted aqueous HF solution
Jpn. J.Appl.Phys. Cof. Proc., Accepted/ - (2020年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Y. Ono, Y. Numazawa, S. Itoh, Y. Huang, Y. Shimura, H. Tatsuoka, and N. Takahashi
[10]. Synthesis of Ge-based nanosheet bundles using calcium germanides as templates in IP6 aqueous solution
Jpn. J.Appl.Phys. 59/ SGGK08 - (2020年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Vimal Saxena, Nanae Atsumi, Yosuke Shimura, and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[11]. Synthesis of Si nanowire/nanosheet complexes from CaSi2 crystals by thermal annealing under MnCl2/NH4Cl vapors
Jpn. J. Appl.Phys. 59/ SFFD01- (2020年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Shogo Itoh, Yushin Numazawa, Yoshiki Ono, Yalei Huang, Yosuke Shimura, Naohisa Takahashi, and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[12]. Synthesis, Structural and Photoluminescence Properties of Mg2Si/Si Nanocomposites Consisting of Si Nanosheet Bundles and Mg2Si Deposits
Jpn J.Appl.Phys. / - (2019年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Yalei Huang, Ryo Tamaki, Peiling Yuan, Yuki Kumazawa, Nanae Atsumi, Vimal Saxena, Nazmul Ahsan, Yoshitaka Okad, Yasuhiro Hayakawa and Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[13]. Formation of Si-based Nanosheet Bundles and Morphological Modification of CaSi2 Crystals by Thermal Treatment using Chloride Compounds
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 16/ 218-224 (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Xiang Meng, Peiling Yuan, Yasuhiro Hayakawa, Kenta Sasaki, Keisuke Tsukamoto, Shinya Kusazaki, Yuya Saito, Yuki Kumazawa, Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[14]. Morphological and Structural Modifications of Si-Based Nanostructures Synthesized from Metal Silicide Templates in IP6, Acid and Metal Chloride Solutions,
Defect and Diffusion Forum 386/ 61-67 (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Yalei Huang, Peiling Yuan, Yuki Kumazawa, Shinya Kusazaki, Yuya Saito, Vimal Saxena, Kazuma Konishi, Yuya Kujime, Tubasa Kato, Kaito Tanaka, Yasuhiro Hayakawa, Hirokazu Tatsuoka [DOI]
[15]. Structural and Photoluminescence Properties of Si-based Nanosheet Bundles Rooted on Si Substrates
Jpn J.Appl.Phys. 57/(num) 04FJ01-04FJ01-7 (2018年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Peiling Yuan,Ryo Tamaki,Shinya Kusazaki,Nanae Atsumi,Yuya Saito,Yuki Kumazawa,Nazmul Ahsan,Yoshitaka Okada,Akihiro Ishid,Hirokazu Tatsuoka3
[16]. STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF SI-BASED NANOWIRE AND NANOSHEET BUNDLES
Physics, Chemistry and Application of Nanostructures Reviews and Short Notes to Nanomeeting-2017 (vol)/(num) 11-17 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一 [共著者]P. Yuan,K. Sasaki,M. Nakayama,Y. Kumazawa,K. Hikichi,H. Tatsuoka
[17]. Ordered CaSi2 microwall arrays on Si substrates induced by the Kirkendall effect
Chemistry - A European Journal 23/13 3098-3106 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者] Hirokazu Tatsuoka,Hiroshi Itahara [共著者]Xiang Meng,Akiko Ueki,Hirokazu Tatsuoka, and Hiroshi Itahara
[18]. Synthesis of flower-like Si nanostructures on Si substrates
Jpn J.Appl.Phys. 56/S51 05DE05-05DE05 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一 [共著者]Peiling Yuan,Ryo Tamaki,Hiroaki Suzuki,Kenta Sasaki,Makoto Nakayama,Yuya Saito,Shinya Kusazaki,Yuki Kumazawa,Xiang Meng,Nazmul Ahsan,Yoshitaka Okada,Hirokazu Tatsuoka
[19]. Synthesis of crystalline Si-based nanosheets by extraction of Ca from CaSi2 in inositol hexakisphosphate solution
Jpn J.Appl.Phys. 56/5S1 05DE02 -05DE02 (2017年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一 [共著者]Xiang Meng,Kenta Sasaki,Koki Sano,Peiling Yuan,Hirokazu Tatsuoka
[20]. Synthesis and structural property of Si nanosheets connected to Si nanowires using MnCl2/Si powder source
Applied Surface Science 378/ 460-466 (2016年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Erchao Meng,Akiko Ueki,Xiang Meng,Hiroaki Suzuki,Hiroshi Itahara,Hirokazu Tatsuoka
[21]. テンプレートとしてシリサイド粉末を用いた酸性溶液中でのsi系ナノシートからなる粉末の作製
粉体工学会誌 53/12 797-803 (2016年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一 [共著者]熊澤 佑貴,佐々木 謙太,袁 佩玲,孟 祥,立岡 浩一
[22]. Characteristic Modification of Catalysts by Use of a Chloride Source
Solid State Phenomena 247/ 106-110 (2016年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Xiang Meng,Hiroaki Suzuki,Kenta Sasaki,Hirokazu Tatsuoka
[23]. Synthesis and structural control of silicon and silicide nanowires/microrods using metal chloride sources
Japanese journal of applied physics 54/752 07JD02--8 (2015年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hirokazu Tatsuoka,Hiroaki Suzuki1,Takanori Suzuki,Wen Li,Junhua Hu,Xiang Meng,Erchao Meng
[24]. Vertical gradient solution growth of N-type Si0.73Ge0.27 bulk crystals with homogeneous composition and its thermoelectric properties
Journal of Crystal Growth 442/15 102-109 (2015年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Hayakawa [共著者]M. Omprakash,M. Arivanandhan,M. Sabarinathan,T. Koyama,Y. Momose,H. Ikeda,H. Tatsuoka,D.K. Aswal,S. Bhattacharya,Y. Inatomi,Y. Hayakawa
[25]. Observation of Point Contact Visible Luminescence from Ga-Doped ZnO Layers
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 13/(num) 201-203 (2015年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Qing Yang,Xiaohong Zhang,Xiaohong Zhou,Hirokazu Tatsuoka,Hiroko Kominami,Kazuhiko Hara,Yoichiro Nakanishi
[26]. High power factor of Ga-doped compositionally homogeneous Si0.68Ge0.32 bulk crystal grown by the vertical temperature gradient freezing method
Crystal Growth & Design 13/3 1380-1388 (2015年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Omprakash, Muthusamy,Arivanandhan, Mukannan,Koyama, Tadanobu,Momose, Yoshimi,Ikeda, Hiroya,Tatsuoka, Hirokazu,Aswal, Dinesh,Bhattacharya, Shovit,Okano, Yasunori,Ozawa, Tetsuo,Inatomi, Yuko,Moorthy Babu, Sridharan,Hayakawa, Yasuhiro
[27]. Ultraviolet-emitting ZnO thick layer grown by thermal oxidation with gallium
SCIENCE CHINA Technological Sciences 57/12 2500-2503 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] YANG Qing,ZHOU XiaoHong,NUKUI Takao,SAEKI Yu,IZUMI Sotaro,TACKEUCHI Atsushi,TATSUOKA Hirokazu,LIANG ShuHua
[28]. Reactive vapor deposition and electrochemical performance of nano-structured magnesium silicide on silicon and silicon carbide substrates
Materials Science in Semiconductor Processing 27/ 873-876 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Peiling Yuan,Meng Wei,Zhenya Fu,Guosheng Shao,H. Tatsuoka,Junhua Hu
[29]. The (011) Twin Structure Periodical in Monoclinic ZrO2 Nanofiber
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 12/ 418-419 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Qing Yang,Hirokazu Tatsuoka,Miyoko Tanaka
[30]. Formation of Si-based nanosheets by extraction of Ca from CaSi2 layers on Si substrates
Journal of the Ceramic Society of Japan 122/8 618-621 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Xiang MENG,Haruo IMAGAWA,Erchao MENG,Hiroaki SUZUKI,Yuya SHIRAHASHI,Kaito NAKANE,Hiroshi ITAHARA,Hirokazu TATSUOKA
[31]. Growth of MnSi1.7 layers on MnSi substrate by molten salt method
Journal of Electronic Materials 43/6 1487-1491 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Wen Li,Daisuke Ishikawa,Junhua Hu [DOI]
[32]. Analysis of Dissolution and Growth Process of SiGe Alloy Semiconductor Based on Penetrated X- ray Intensities
Journal of alloys and compounds 590/ 96-101 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hayakawa [共著者]M.OMPRAKASH,M.ARIVANANDHAN,R.ARUN KUMAR,H.MORII,T.AOKI,T.KOYAMA,Y.MOMOSE,H.IKEDA,H.TATSUOKA,Y.OKANO,T.OZAWA,S.MOORTHY BABU,Y.INATOMI,Y.HAYAKAWA
[33]. Time-resolved ultraviolet photoluminescence of ZnO/ZnGa2O4 composite layer
AIP Advances 4/ 027101- (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Qing Yang,Xiaohong Zhou,Takao Nukui,Yu Saeki,Sotaro Izumi,Atsushi Tackeuchi,Hirokazu Tatsuoka,Shuhua Liang
[34]. Syntheses and Structural Control of Silicide, Oxide and Metallic Nanostructured Materials
Solid State Phenomena 213/ 35-41 (2014年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Wen Li,Erchao Meng,Daisuke Ishikawa,Kaito Nakane
[35]. Synthesis of Si nanowires using Au catalyst accompanied with Silicide nanoparticle formation
phys.stat.sol.(c) 10/12 1789-1792 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Erchao Meng,Wen Li,Kaito Nakane,Yuya Shirahashi,Hiroaki Suzuki
[36]. Syntheses of Mg2Si and MnSi1.7 nanowire bundles using Si nanowire arrays as the templates
phys.stat.sol.(c) 10/12 1800-1803 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Wen Li,Kaito Nakane
[37]. Synthesis of Mg2Si nanorod arrays by the heat treatment of Si nanorod arrays under Mg vapor
phys.stat.sol.(c) 10/12 1800-1803 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]hirokazu Tatsuoka [共著者]Wen Li,Kaito Nakane,Motofumi Suzuki
[38]. Shape modification of Si nanowires by using faceted silicide catalysts nucleated in Au-Si catalyst solution during the growth
AIP ADVANCES 3/9 092107- (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]Erchao Meng,Wen Li,Kaito Nakane,Yuya Shirahashi,Yasuhiro Hayakawa
[39]. SYNTHESES OF NANOSTRUCTURE BUNDLES BASED ON SEMICONDUCTING METAL SILICIDES
Functional Materials Letters (FML) 6/5 1340011- (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Hirokazu Tatsuoka [共著者]WEN LI,DAISUKE ISHIKAWA
[40]. Growth of Ag Nanostructures on Various Metallic Substrates
Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/1 73-79 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]E. Meng,K. Nakane, ,M. Shimomura,W. Tomoda,K. Miyabayashi
[41]. Syntheses and structural characterizations of CrSi2 nanostructures using Sisubstratesunder CrCl2 vapor
J.Cryst.Growth 365/ 11-18 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]Wen Li, Erchao Meng, Tomoji Matsushita, Shingo Oda, Daisuke Ishikawa, Kaito Nakane, Junhua Hu, Shaokang Guan, Akihiro Ishida , Hirokazu Tatsuoka
[42]. Growth of CrSi2 nanostructures using CrCl2 powder on Si substrates
Makara Seri Journal 17/1 21-24 (2013年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一,W. Li [共著者]E. C. Meng,T. Matsushita,S. Oda,D. Ishikawa,K. Nakane,H. Tatsuoka
[43]. Syntheses of a Variety of Silicide Nanowire and Nanosheet Bundles
ECS Transactions, Volume 50, "Low-Dimensional Nanoscale Electronic and Photonic Devices 5" 50/6 3-10 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]立岡 浩一 [共著者]H. Tatsuoka, W. Li, E. Meng, and D. Ishikawa
[44]. Synthesis of Mg2Si/MgO Nanofibers Using SiO2 Nanofibers in Mg Vapor
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10/ 297-300 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]W. Li [共著者]Q. Yang,H. Tatsuoka
[45]. Growth of Cu-oxide nanowires on Cu substrates by thermal annealing
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10/ 175-179 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]S.M. Cai,T. Matsushita,H. Fujii,K. Shirai,T. Nonomura,C.-W. Hsu,Y.-J. Wu,L.-J. Chou
[46]. Growth of MoSi2 by Molten Salt Technique Using Mo-Based Compounds
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10/ 55-58 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]D. Ishikawa,K. Nakane,T. Nonomura,K. Shirai,W. Li,C.-W. Hsu,Y.-J. Wu,L.-J. Chou
[47]. Electronic transports for thermoelectric applications on IV-VI semiconductors
Materials Transaction -/- - (2012年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Yutaro Sugiyama,Hirokazu Tatsuoka,Tomoki Ariga,Mikio Koyano,Sadao Takaoka
[48]. Effect of Cu or Co addition on b-FeSi2 growth by molten salt method
J.Cryst.Growth 340/1 51-55 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]W. Li,C. Wen,M. Yamashita,T. Nonomura,Y. Hayakawa
[49]. Fabrication of magnesium germanide nanorods from Ge nanorod templates
Physics Procedia 23/1 57-60 (2012年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]C.L. Wen,Q. Yang,H. Hara,M. Suzuki,W. Li,S.M. Cai
[50]. Simple synthesis of ZrO2/SiOx core/shell nanofibers using ZrSi2 with gallium
Thin Solid Films 519/24 8532-8537 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Miyoko Tanaka,Shuhua Liang,Kazuki Ogino,Hiromichi Fijii,Akihiro Ishida,Hirokazu Tatsuoka
[51]. Growth of homogeneous polycrystalline Si1-xGex and Mg2Si1-xGex
Thin Solid Films 519/24 8532-8537 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Hayakawa [共著者]M. Arivan,han,Y. Saito,T. Koyama,Y. Momose,H. Ikeda,A. Tanaka,C. Wen,Y. Kubota,T. Nakamura,S. Bhattacharya,D. K. Aswal,S. M. Babu,Y. Inatomi,H. Tatsuoka
[52]. Effect of Na Addition on Electric Properties of Ca2Si Sintered Compacts
IOP Conference Series: 18/14 142014 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]C Wen [共著者]T Nonomura,K Isobe,Y Kubota,T Nakamura,Y Hayakawa,A Kato,H Tatsuoka
[53]. Syntheses of single-phase polycrystalline Ca2Si powder and sintered compacts
Int. J. Mater. Res 2011/04/ 401-405 (2011年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Cuilian Wen [共著者]Tomomi Nonomura,Yoshifumi Warashina,Yoshihiro Kubota,Tamotsu Nakamura,Yasuhiro Hayakawa,Miyoko Tanaka,Kenji Isobe,Hirokazu Tatsuoka
[54]. Syntheses and Electrical Properties of Hexagonal Phase Group VI Metal Silicide
IOP Conference Series: MSE 18/14 142010 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Nonomura [共著者]C. Wen,K. Shirai,K. Isobe,A. Kato,Y. Kubota,T. Nakamura,Y. Hayakawa,H. Tatsuoka
[55]. Phase Selection during Calcium Silicide Formation for Layered and Powder Growth
Journal of Alloys and Compounds 509/13 4583-4587 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]C. Wen [共著者]A. Kato,T. Nonomura,H. Tatsuoka
[56]. Growth of homogeneous polycrystalline Si1-xGex and Mg2Si1-xGex for thermoelectric application
J.Cryst.Growth 318/1 324-327 (2011年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Arivan [共著者]han,Y. Saito,T. Koyama,Y. Momose,H. Ikeda,A. Tanaka,T.Tatsuoka,D.K. Aswal,Y. Inatomi,Y. Hayakawa
[57]. Preparation and electrical properties of Mn silicides by reaction of MnCl2
Physics Procedia 11/ 138-141 (2011年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Junhua Hu [共著者]Caili Zhang,Wen Li,Shaokang Guan,Hirokazu Tatsuoka
[58]. Sr2SiO4 flower-like nanostructures grown by thermal oxidation of SrSi2 with Ga
Physics Procedia 11/ 114-117 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Miyoko Tanaka,Shuhua Liang,Kazuki Ogino,Takahito Yasuda,Hirokazu Tatsuoka
[59]. Thermoelectric properties of group VI metal silicide semiconductors
Physics Procedia 11/ 110-113 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Nonomura [共著者]C. Wen,A. Kato,K. Isobe,Y. Kubota,T. Nakamura,M. Yamashita,Y. Hayakawa,H. Tatsuoka
[60]. Electrical Properties of Ca2Si Sintered Compact Synthesized by Spark
Physics Procedia 11/ 106-109 (2011年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]C. Wen [共著者]T. Nonomura,A. Kato,Y. Kenichi,H. Udono,K. Isobe,M. Otake,Y. Kubota,T. Nakamura,Y. Hayakawa,H. Tatsuoka
[61]. Ab-initio Calculations for Defect Energies in Co2MnSi and Co2CrAl
Journal of Alloys and Compounds 504S/S531 S533 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Toshiharu Hoshino [共著者]Nobuhisa Fujima,Mitsuhiro Asato,Hirokazu Tatsuoka
[62]. HRTEM observation of defect structures of b-Ga2O3 nanowires
physica status solidi (a) 207/11 2467-2471 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Takahiro Yasuda,Paul D. Brown,Miyoko Tanaka,,Hirokazu Tatsuoka
[63]. Optical and Electronic Properties of M2Si (M=Mg, Ca and Sr) Grown
IJMPB 24/19 3693-3699 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J. Hu [共著者]Y. Sato,T. Hosono,H. Tatsuoka
[64]. Novel ultraviolet photoluminescence of ZnO/ZnGa2O4 composites
Applied Surface Science 256/22 6928-6931 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Yu Saeki,Sotaro Izumi,Takao Nukui,Atsushi Tackeuchi,Akihiro Ishida,Hirokazu Tatsuoka
[65]. Brownleeite: a New Manganese Silicide Mineral in an Interplanetary Dust Particle
AMERICAN MINERALOGIST 95/ 221-228 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Keiko Nakamura-Messenger [共著者]Lindsay P. Keller,Simon J. Clemett,Scott Messenger,John H. Jones,Russell L. Palma,Robert O. Pepin,Wolfgang Klöck,Michael E. Zolensky,Hirokazu Tatsuoka
[66]. The Effects of Gallium Droplets on the Morphologies and Structures of
Journal of Nanoscience and 10/ 7795-7799 (2010年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Hitonori Kukino,Hirokazu Tatsuoka
[67]. 2009年 "平成21年度第12回リフレッシュ理科教室―東海支部浜松会場―開催報告
(2010年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[68]. ZnO belt-like structures grown using ZnS substrates with Ga droplets
IEICE Nanomaterials and Nanodevices for E92-C/12 1479-1482 (2009年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing YANG [共著者]Miyoko TANAKA,Takahito YASUDA,Hirokazu TATSUOKA
[69]. Growth Condition Dependence of Structural and Electrical properties of
Vacuum 83/ 1494-1497 (2009年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J. Hu [共著者]A. Kato,T. Sadoh,Y. Maeda,K.N. Galkin,T.V.Turchin,H. Tatsuoka
[70]. Growth of ZnO nanowires using ZnS substrates with Ga droplets
eJSSN 7/ 25-28 (2009年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Qing Yang [共著者]Miyoko Tanaka,Takahito Yasuda,,Hirokazu Tatsuoka
[71]. Morphological and Structural Properties of b-Ga2O3 Nanostructures
ECS Transactions 16/33 33-38 (2009年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka,T. Yasuda [共著者]S. Honda,K. Ogino,Qing Yang,H. Tatsuoka,M. Tanaka,P. D. Brown
[72]. Growth of manganese silicide layers on Si substrates using MnCl2 source
physica status solidi (a) 206/2 233-237 (2009年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hu Junhua [共著者]Takanori Kurokawa,Takashi Suemasu,Shogo Takahara,Masaru Itakura,Hirokazu Tatsuoka
[73]. Growth of Ca-Germanide and Ca-Silicide Crystals
eJSSN 7/ 129-133 (2009年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka,Yoshifumi Warashina [共著者]Yoshifumi Ito,Tamotsu Nakamura,Hirokazu Tatsuoka,Jeff Snyder,Miyoko Tanaka,Takashi Suemasu,Yoshikazu Anma,Masaru Shimomura,Yasuhiro Hayakawa
[74]. "平成20年度第11回リフレッシュ理科教室―東海支部浜松会場―開催報告
32/2 123 (2008年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[75]. Full-Potential Screened KKR Calculations for Magnetism of Co2MnSi,
Mater. Trans. 49/8 1760-1767 (2008年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Asato [共著者]M.Ohkubo,T.Hoshino,F.Nakamura,N. Fujima,H. Tatsuoka
[76]. 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室―東海支部浜松会場―開催報告
応用物理教育 シンポジウム報告論文 31/2 115-120 (2007年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]池田浩也 [共著者]立岡浩一,早川泰弘
[77]. Preparation and Electrical Properties of Ca5Si3 and Sr5Si3 Powders
Thin Solid Films 515/22 8226-8229 (2007年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Inaba [共著者]A. Kato,K. Miura,M. Akasaka,T. Iida,Y. Momose,H. Tatsuoka
[78]. Structural Property of b-FeSi2 Layers Deposited on FeSi from a Molten Salt
Thin Solid Films 515/22 8201-8204 (2007年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Ohishi [共著者]A.Mishina,I.Yamauchi,T.Matsuyama,H.Tatsuoka
[79]. Growth of SiOx Nanofibers using FeSi and b-FeSi2 Substrates with Ga Droplets
Thin Solid Films 515/22 8158-8161 (2007年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Inaba [共著者]Y. Saito,H. Kominami,Y. Nakanishi,K. Murakami,T. Matsuyama,H. Tatsuoka
[80]. Simple Synthesis of a Variety of Nano-structures Using Silicide Alloys with Ga Droplets
ECS Transactions 11/8 77-82 (2007年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Ogino [共著者]S. Honda,T. Yasuda,H. Tatsuoka,T. Inaba,H. Kominami,Y. Nakanishi,K. Murakami
[81]. Preparation of b-FeSi2 Substrates by Molten Salt Method
Thin Solid Films 515/22 8268-8271 (2007年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Okubo [共著者]T. Ohishi,A. Mishina. Yamauchi,H. Udono,T. Suemasu,T. Matsuyama,H. Tatsuoka
[82]. 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室 ―東海支部浜松会場― 開催報告
応用物理学会応用物理教育分科会 30/2 77-80 (2006年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]池田浩也 [共著者]立岡浩一,早川泰弘
[83]. シリサイド半導体に関するアジア太平洋国際会議の報告
Japan Nanonet Bulletin /5 3-4 (2006年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[84]. APAC-SILICIDE2006報告 ーシリサイド半導体に関するアジア太平洋国際会議ー
電子材料 (2006年)
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[85]. Resistive contrast in R-EBIC from thin films
Microscopy of Semiconducting Materials 107/ 515-518 (2006年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K Durose [共著者]H Tatsuoka
[86]. Growth Evolution of Sr-Silicide Layers on Si(111) and Mg2Si/Si(111) Substrates
Thin Solid Films 508/1-2 74-77 (2006年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Kentaro Miura [共著者]Takuya Ohishi,Takashi Inaba,Yusuke Mizuyoshi,Noriyuki Takagi,Takashi Matsuyama,Yoshimi Momose,Tadanobu Koyama,Yasuhiro Hayakawa,Hirokazu Tatsuoka
[87]. Growth of Mg2Si1-xGex Layers on Silicon-Germanium Substrates
Thin Solid Films 508/1-2 70-73 (2006年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yusuke Mizuyoshi [共著者]Ryuji Yamada,Takuya Ohishi,Yoshiro Saito,Yasuhiro Hayakawa,Tadanobu Koyama,Takashi Matsuyama,Hirokazu Tatsuoka
[88]. 分科会・研究会だより シリサイド系半導体 と関連物質研究会
75/5 615 (2006年)
[責任著者・共著者の別]
[89]. 教育の広場 2005年度 リフレッシュ理科教室報告  東海支部
応用物理 75/5 598-600 (2006年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]高井吉明 立岡浩一 [共著者]田中功,三宅秀人,伊藤貴司,吉田憲充,岡島茂樹
[90]. Growth of SiOx Nanofibers using FeSi Substrates with Ga Droplets
JJAP P2-lett 45/49 L1320-L1321 (2006年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takashi Inaba [共著者]Yoshio Saito,Hiroko Kominami,YoichiroNakanishi,Kenji Murakami,Tsuyoshi Matsuyama,Hirokazu TATSUOKA
[91]. シリサイド半導体薄膜の結晶成長と特性 ー熱反応堆積法に始まる新しいシリサイド半導体薄膜の成長ー(解説)
機能材料 25/10 15- (2005年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 立岡 浩一
[92]. エコマテリアルとしてのシリサイド半導体(解説)
まてりあ 44/6 466-470 (2005年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 立岡 浩一
[93]. 分科会・研究会だより シリサイド系半導体 と関連物質研究会
応用物理 74/5 655 (2005年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]立岡浩一 [共著者]末益崇
[94]. 2004年度リフレッシュ理科教室報告 東海支部浜松会場でのリフレッシュ理科教室 ー動く! 動く! なんでだろう?-
応用物理 74/5 636 (2005年)
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[95]. Growth and Morphological Properties of b-FeSi2 Layers
APPLIED SURFACE SCIENCE 244/1/4 326-329 (2005年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Tanaka [共著者]A. Yamamoto,S. Makiuchi,T. Matsuyama,M. Rebien,W. Henrion,H. Tatsuoka,M. Tanaka,Z.-Q. Liu,H. Kuwabara
[96]. Growth and Structural Properties of Mg2Si and Ca2Si Bulk Crystals
APPLIED SURFACE SCIENCE 244/1/4 330-333 (2005年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Noriyuki Takagi [共著者]Yusei Sato,Tsuyoshi Matsuyama,Hirokazu Tatsuoka,Miyoko Tanaka,Chu Fengmin,Hiroshi Kuwabara
[97]. HRTEM observation of interface states between ZnO epitaxial film and Si(1 1 1) substrate
APPLIED SURFACE SCIENCE 244/1/4 359-364 (2005年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Nakanishi [共著者]A. Miyake,H. Tatsuoka,H. Kominami,H. Kuwabara,Y. Hatanaka
[98]. 分科会・研究会だより シリサイド系半導体 と関連物質研究会
応用物理 73/5 670 (2004年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]立岡浩一 [共著者]末益崇
[99]. Microstructures of semiconducting silicide layers grown by
Thin Solid Films 461/1 57-62 (2004年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Tatsuoka [共著者]T.Ohishi,S.Okaya,N.Takagi,S.Tanaka,T.Inaba,H.Kannou,Y.Sato,A.Yamamoto,H.Kuwabara,T.Matsuyama
[100]. Structural and Electrical Properties of b-FeSi2 Single Crystals Grown
Thin Solid Films 461/1 110-115 (2004年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kannou [共著者]Y.Saito,M.Kuramoto,T.Takeyama,T.Nakamura,H.Tatsuoka,H.Kuwabara,T.Matsuyama,H.Udono,Y.Maeda,M.Tanaka,Z.Q.Liu
[101]. Growth of b-FeSi2 Layers Deposited from the Molten Salt
Thin Solid flms 461/1 63-67 (2004年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Ohishi [共著者]Y.Mizuyoshi,H.Tatsuoka,H.Kuwabara,T.Matsuyama
[102]. Morphological Modification of b-FeSi2 on Si(111) by high temperature growth and post-thermal annealing
Thin Solid Films 461/1 28-33 (2004年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Yamamoto [共著者]S.Tanaka,D.Matsubayashi,S.Makiuchi,H.Tatsuoka,H.Kuwabara,T.Matsuyama,M.Tanaka,Z.Q. Liu
[103]. 分科会・研究会だより  シリサイド半導体と関連物質研究会
応用物理 72/5 633 (2003年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[104]. Simple Fabrication of Mg2Si thermoelectric generator
Polycrystalline Semiconductors VII 93/ 447-453 (2003年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Hosono [共著者]Y.Matsuzawa,M.Kuramoto,Y.Momose,H.Tatsuoka,H.Kuwabara
[105]. Growth of β-FeSi2 on MnSi1.7 layers by Reactive Deposition Epitaxy
Appl.Surface Sci. 216/1 614-619 (2003年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Kohira [共著者]T.Matsuyama,H.Tatsuoka,H.Kuwabara
[106]. Formation of CaMgSi at Ca2Si/Mg2Si Interface
Appl.Surface Sci. 216/1 620-624 (2003年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Hosono [共著者]M.Kuramoto,Y.Matsuzawa,Y.Momose,Y.Maeda,T.Matsuyama,H.Tatsuoka,H.Kuwabara
[107]. 分科会・研究会だより  シリサイド系半導体と関連物質研究会
応用物理 71/5 609 (2002年)
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]前田佳均 [共著者]立岡浩一
[108]. Preparation of CdTe Quantum Structures on ZnTe by Hot-Wall Epitaxy
phys.stat.sol.(b) 229(1) 149-153 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[109]. Luminescent properties of Sb doped CdTe grown by Hot-Wall Epitaxy
phys.stat.sol.(b) 229(1) 145-148 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[110]. Formation of MnSb during the growth of MnSi layers in the presence of an Sb flux
J.Appl.Phys. 91(8) 4932-4935 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[111]. Characterization of AlN/GaN Quantum-Cascade Structures Prepared by Hot-Wall Epitaxy
phys.stat.sol.(c) 0/1 520-523 (2002年) [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ose,H.Nagasawa,Y.Inoue,H.Tatsuoka,H.Fijuyasu,H.-J.Ko,H.Makino,T.Yao,H.Kan
[112]. Liquid phase growth of bulk b-FeSi2 single crystals using Sb solvent
J.Crystal Growth 237/239 1981-1985 (2002年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Tatsuoka [共著者]M.Kuramoto,Y.Nose,Y.Momose,K.Saitou,H.Tatsuoka,H.Kuwabara,
[113]. Growth Evolution of b-Fesi2 layers grown by Sb-mediated reactive deposition epitaxy
J.Crystal Growth 237/239 1966-1970 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[114]. Growth of Ca2Si layers on Mg2Si/Si(111) substrates
J.Crystal Growth 237/239 2121-2124 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[115]. TEM observation of b-FeSi2(110),(101)/Si(111) layers grown by reactive deposition epitaxy in the presence of an Sb flux
J.Crystal Growth 237/239 249-253 (2002年)
[責任著者・共著者の別]
[116]. Microstructure of semiconducting MuSi1,7 and β-FeSi2 layers grown by surfactant-mediated reactive deposition epitaxy
Thin Solid Films 381/ 231-235 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[117]. Shallow Junction Formation on p-like CdTe Crystals by Indium Diffusion Using Excimer Laser Annealing
J. Electronic Materials 30(7) 911-916 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[118]. "Growth of Epitaxial ZnO Thin Film by Oxidation of Epitaxial ZnS Thin Film on Si(111)
International Journal of Modern Physics B 15(28/30) 3861-3864 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[119]. Structural propertices of zinc-blende Mate layers grown by Hot-Wall Epitaxy
Appl. Surf. Sci. 169/170/ 325-330 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[120]. Epitaxial growth of high quality beta-FeSi2 layers on Si(111) under the presence of Sb flux
Appl.Surface Sci. 169/170 310-314 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[121]. Microstructure of semiconducting MnSi1.7 and b-FeSi2 layers grown by surfactant-mediated reactive deposition epitaxy
Thin Solid Films 381 231-235 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[122]. Epitaxial growth of MnSi1.7 layers under the presence of an Sb flux
J.Crystal Growth 229 527-531 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[123]. Growth of CdTe islands on ZnTe by hot-wall epitaxy
Appl.Surface Sci. 175/176 643-648 (2001年)
[責任著者・共著者の別]
[124]. Luminescent properties of ZnO thin films grown epitaxially on Si substrate(共著)
Journal of Crystal Growth 214-215/ 294-298 (2000年)
[責任著者・共著者の別]
[125]. Growth of β-FeSi2 and FeSi layers by reactive deposition using Sb-related intermetallic compounds(共著)
Thin Solid Films 369/ 248-252 (2000年)
[責任著者・共著者の別]
[126]. Growth of Epitaxial ZnO Thin Film by Oxidation of Epitaxial ZnS Film on Si ((]G0003[)) Substrate
Jpn. J. Appl. Phys. 39/11B L186-L1187 (2000年)
[責任著者・共著者の別]
[127]. β-FeSi2エピタキシャル薄膜及びバルク結晶の低温成長(総説)
材料科学 37/1 29-33 (2000年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 立岡 浩一
[128]. CaS:Cu,F薄膜の構造及び発光特性
静岡大学電子工学研究所研究報告 34 41-44 (1999年)
[責任著者・共著者の別]
[129]. The mechanism for the high-quality single-phase growth of MuSi films on Si (111) in the presence of the Sb flux(共著)
Applied Physics Letter 75/19 2894-2896 (1999年)
[責任著者・共著者の別]
[130]. High quality epitaxial MnSi(111) layers grown in the presence of an Sb flux
Japanese Journal of Applied Physics 37/12A 6556- (1998年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H.Tatsuoka [共著者]K.Matsuda,H.Tatsuoka,K.Matsunaga,K.Isaji,H.Kuwabara,P.D.Brown,YanXin,R.Dunin-Borkowski,C.J.Humphreys,
[131]. Morphology and Magnetic Anaysis of MnSb Films Grown by Hot-Wall Epitaxy
Journal of Applied Physics 84/2 973- (1998年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B.L.Low,C.K.Ong,G.C.Han,H.Gong,T.Y.F.Liew$4H.Tatsuoka,H.Kuwabara,Z.Yang,
[132]. Interfacial reaction and defect microstructure of epitaxial MnSb/Si(111)grown by Hot-Wall Epitaxy
Journal of Applied Physics 83/10 5504 (1998年)
[責任著者・共著者の別]
[133]. Structural characterisation of MnSb/GaAs and MnSb/Si heterostructures grown by Hot-Wall Epitaxy
The Institute of Physics Conference Series 157/ 59 (1997年)
[責任著者・共著者の別]
[134]. Growth of epitaxial MnSb layers on Si substrates by Hot-Wall Epitaxy
Applied Surface Science 113 114/ (1997年)
[責任著者・共著者の別]
[135]. Growth of MnSb and Mn2Sb epitaxial layers on GaAs substrates by Hot-Wall Epitaxy
Thin Solid Films 281 282/1 (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[136]. Preparation of blue-emitting SrGa2Se4 : Ce thin film by multi-source deposition(共著)
Applied Surface Science 100 101/ (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[137]. Effect of insulating layer structural properties for thin-film electroluminescent devices
Materials Chemistry and Physics 43/ 292-295 (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[138]. Picosecond photoluminesce properties CdTe-ZnTe superlattices prepared by hot-wall epitaxy
Journal of Crystal Growth 159/ 839-842 (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[139]. Structural characterization of epitaxial ferromagnetic MnSb layers grown by Hot-Wall Epitaxy
Applied Surface Science 92/ 382-386 (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[140]. Epitaxial ferromagnetic MnSb layers on GaAs substrates grown by Hot-Wall Epitaxy
Journal of Crystal Growth 166/ 754 (1996年)
[責任著者・共著者の別]
[141]. Structural and luminescent properties of SrGa2Se4:Ce thin films prepared by multi-source deposition
Bulletin of the research institute of electronics, Shizuoka University 30[3] 123-126 (1995年)
[責任著者・共著者の別]
[142]. Growth of epitaxial ferromagnetic MuSb layers by Hot-Wall Epitaxy
Journal of Applied Physics 77/5 2190-2192 (1995年)
[責任著者・共著者の別]
[143]. The microstructure of MnSb grown on (001) GaAs by Hot Wall Epitaxy (collaboration)
Journal of Crystal Growth 156/ 155-162 (1995年)
[責任著者・共著者の別]
[144]. Growth and strucrural properties of manganese antimonide layers on GaAs substrates by Hot-Wall Epitaxy
Bulletin of the research institute of electronics, Shizuoka University 30[3] 105-108 (1995年)
[責任著者・共著者の別]
[145]. HgTe and HgCdTe vapor growth under contrlled Hg pressure
Journal of Crystal Growth 138/1-4 964-969 (1994年)
[責任著者・共著者の別]
[146]. Misfit dislocation arrangements at (HgMn)Te/CdTe and (HgMn)Te/CdZnTe heterointerfaces on (001), (111)B and (112)B substrates
Journal of Crystal Growth 145/ 589-595 (1994年)
[責任著者・共著者の別]
[147]. Unusual strain caused by twin boundary structure in CdTe(III)B films
Applied Surface Science 65 66/426-432 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[148]. CdTe(III) growth on misoriented Si(100) substrates by hot-wall epitaxy
Journal of Crystal Growth 129/3 4 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[149]. Thickness dependence of the density of threading dislocations in mismatched (001)oriented epilayers, (共著)
The Institute of Physics Conference Series 134/581-584 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[150]. 多元蒸着法によるEL用SrSe;Ce薄膜の作成と発光特性(共著)
表面科学 14/6 352-357 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[151]. ZnS:Tm薄膜ELの電荷補償と発光特性
静岡大学電子工学研究所研究報告 28[2] 99-107 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[152]. Characterisation of the (HgMn)Te/CdTe interface by TEM
The Institute of Physics Conference Series 135/ 339-342 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[153]. 多元蒸着により作成したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性
静岡大学電子工学研究所研究報告 27[2] 109-114 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[154]. XTEM observations of MOUPE grown (HgMn)Te epilayers
The lnstitute of Physics Confevence Series 134/421-424 (1993年)
[責任著者・共著者の別]
[155]. New approach to the mechanism of strain release in lattice-mismatched epitaxial films
Journal of Crystal Growth 117/1-4 (1992年)
[責任著者・共著者の別]
[156]. CdTe(111)growth on sapphire(0001)substrates by hot-wall epitaxy.
Thin Solid Films 213/1 (1992年)
[責任著者・共著者の別]
[157]. New approach to the strain relaxation mechanism in lattice-mismatched epitaxy.
Thin Solid Films 201/1 (1991年)
[責任著者・共著者の別]
[158]. Growth of CdTe(111)B hamoepitaxial layers by hot-wall epitaxy.
Journal of Applied Physics 69/9 (1991年)
[責任著者・共著者の別]
[159]. Preparation of SrSe thin films by hot-wall deposition.
Vacuum 41/4-6 (1990年)
[責任著者・共著者の別]
[160]. Preparation of ZnS : Ag, Cl thin films emitting blue luminescence.
Thin Solid Films 187/2 (1990年)
[責任著者・共著者の別]
[161]. Strain relaxation of CdTe(100)layers grown by hot-wall epitaxy on GaAs(100)substrates
Journal of Applied Physics 67/11 (1990年)
[責任著者・共著者の別]
[162]. CdTe(111)B growth on oriented and misoriented GaAs(100)grown by hot-wall epitaxy.
Journal of Applied Physics 68/9 (1990年)
[責任著者・共著者の別]
[163]. Luminescent properties of CaS phosphors activated by copper and fluorine (共著)
Journal of Crystal Growth 101/1 4 (1990年)
[責任著者・共著者の別]
[164]. ホットウォール蒸着法により作成したSrSe薄膜の構造
静岡大学電子工学研究所研究報告 24[1] 43-51 (1989年)
[責任著者・共著者の別]
[165]. Growth of CdTe on GaAs by hot-wall epitaxy and its stress relaxation
Journal of Applied Physics 65/5 (1989年)
[責任著者・共著者の別]
[166]. 酸化タングテンスパッタ膜の着色効率とエージング
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 9 1-7 (1988年)
[責任著者・共著者の別]
[167]. Preparation and aging of sputtered tungstic oxide films.
Journal of Applied Physics 62/5 (1987年)
[責任著者・共著者の別]
[168]. 酸化タングステンスパッタ膜のエレクトロクロミズム
真空 28(6) 510-514 (1985年)
[責任著者・共著者の別]
[169]. UV emission from epitaxial ZnO thin film on Si(111) substrate
J.Crystal Growth
[責任著者・共著者の別]