[1]. The Emergence of Chalcogenides: A New Era for Thin Film Solar Absorbers
Progress in Solid State Chemistry / - 100490 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Devika Rajan Sajitha, Beauno Stephen, Atsushi Nakamura, Manickam Selvaraj, Shyju Thankaraj Salammal, Shamima Hussain [備考] カルコゲナイド系材料におけるテルル化化合物（CdTe, ZnTe）に関するパートを担当した。
[DOI]
[2]. Development of a localized surface plasmon-enhanced electron beam-pumped nanoscale light source for electron beam excitation-assisted optical microscopy
Microscopy / - （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Shunpei Shiba, Kei Hosomi, Atsushi Ono, Yoshimasa Kawata, Wataru Inami [備考] 責任著者
[DOI]
[3]. Investigation of 2D-layered photocatalytic semiconductors with enhanced heterojunction region for photocatalytic degradation
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 35/ - 1236 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] B. Malathi, Y. Mori, S. Harish & A. Nakamura [備考] 責任著者
[DOI]
[4]. Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor
Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor / - 113023 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, P. Bharathi, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] 原稿校正
[DOI]
[5]. Ultrathin layered MoS2/N-doped graphene quantum dots (NGQDs) heterostructures for highly sensitive room temperature NO2 gas sensor
Sensors and Actuators B: Chemical / 403- 135083 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] Supervisor, Editing, Graph correction
[DOI]
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[1]. 二次元層状材料のヘテロ接合形成による高エネルギー効率光触媒の実現
窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 （2024年11月29日） 招待講演以外
[発表者]森 耀平・バスカー マラティ・中村篤志
[備考] 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会（CPM）電子デバイス研究会（ED）レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
[2]. 酸化鉄ナノ粒子・形状記憶ポリマー複合体による磁気発熱駆動アクチュエーターの開発
第33回MAGDAコンファレンスin東京(MAGDA2024) （2024年11月18日） 招待講演以外
[発表者]中村 篤志，大多 哲史，本澤 政明
[備考] 会場 東京科学大学 大岡山キャンパス 蔵前会館
〒152-0033 東京都目黒区大岡山2-12-1
[3]. 可視光光触媒SnS2/ g-C3N4の薄膜ヘテロ接合形成による光エネルギー効率向上に向けた研究
第85回応用物理学会秋季学術講演会 （2024年9月17日） 招待講演以外
[発表者]森 耀平、バスカー マラティ、ハリッシュ サンダーナクリッシュナン、ナバニーザン マニ、中村 篤志
[備考] 応用物理学会 朱雀メッセ
[4]. Visible light-driven Z-scheme photocatalyst of SnS2/g-C3N4 for dye decomposition.
International Conference on Advanced Functional Materials and Devices 2024 （2024年2月27日） 招待講演
[発表者]Atsushi Nakamura
[備考] SRM Nanotechnology Research Centre
[5]. 湿式化学法によるヘテロ接合型g-C3N4/SnS2光触媒の開発
発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 （2024年1月26日） 招待講演以外
[発表者]森 耀平・Baskar Malathi・中村篤志
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会
電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会
電気学会電子デバイス技術委員会
照明学会固体光源分科会
SID日本支部
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[1]. 国内共同研究 グラフェンファイバーを用いた人体動作センサー&アクチュエーターの開発
代表 （ 2017年5月 )
[相手先] 生体医歯工学共同研究拠点
[2]. 国際受託研究 ZnMgO系酸化物半導体ナノコラム構造並びにコアシェルナノ構造を用いた高効率発光LEDの開発
代表 （ 2010年11月 ～ 2014年3月 )
[相手先] スペイン マドリッド工科大 MINECO （JST）
[3]. 企業等からの受託研究 リモートプラズマMOCVD法による高効率ZnO系発光デバイスの評価
（ 2007年4月 ）
[4]. 企業等からの受託研究 リモートプラズマMOCVD法による高効率ZnO系発光デバイスの評価
（ 2006年12月 ～ 2007年3月 ）
[5]. 企業等からの受託研究 ZnO系化合物半導体のMOCVD成長装置開発
（ 2006年9月 ～ 2007年3月 ）
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[1]. 磁性ナノ粒子の磁化応答を介した腫瘍環境非侵襲可視化法の創成とがん診断治療への応用 （ 2023年4月 ～ 2026年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[2]. プラズモンによる蛍光増強を用いた電子線励起超解像顕微鏡 （ 2022年4月 ～ 2025年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[3]. ハプティックグローブによる盲ろう者の国際的遠隔双方向情報伝達方法の研究 （ 2022年4月 ～ 2025年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[4]. 電子線励起超解像顕微鏡における蛍光薄膜の厚さの最適化とコントラスト増強 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[5]. 再生可能な100万桁のダイナミックレンジを有するグラフェンバイオFETの創製 （ 2017年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(B) 代表
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[1]. 酸化亜鉛系量子ディスクに関する研究 （2007年12月 ) [提供機関] 財団法人 浜松科学技術研究振興会 [制度名] 村田基金研究助成
[2]. 酸化物半導体を用いた紫外・可視域受発光素子開発 （2007年4月 ) [提供機関] JST [制度名] 地域イノベーション創出総合支援事業
[3]. （2006年4月 ) [提供機関] JST [制度名] 技術移転支援センター事業
[4]. 高輝度可視発光酸化亜鉛系ナノ構造形成と光デバイス応用 （2005年12月 ) [提供機関] カシオ科学振興財団 [制度名] 第23回カシオ科学振興財団 研究助成 |
[1]. 電気学会インタラクティブディスプレイ協同研究委員会「技術委員会奨励賞」 唾液分析のためのCuOナノ粒子によるプリントグルコースセンサ （2023年1月)
[受賞者] 柴田康平 中村篤志 [授与機関] 電気学会 インタラクティブディスプレイ協同研究委員会
[2]. 情報ディスプレイ研究会「学生奨励賞」 プリントグルコースセンサーのためのCuOナノ粒子分散液の合成 （2021年2月)
[受賞者] 柴田康平 中村篤志 [授与機関] 映像情報メディア学会 情報ディスプレイ研究会
[3]. 電気学会・電子情報システム部門 技術委員会奨励賞 人工臓器に転用可能なコンポジットファイバーマットの製造に関する研究 （2021年1月)
[受賞者] 森拓海 中村篤志 [授与機関] 電気学会
[4]. 電気学会・電子情報システム部門 技術委員会奨励賞 ナノカーボン薄膜の成長と溶液ゲートトランジスタの作製 （2020年1月)
[受賞者] 大塚朱夏・新澤亮介・中村篤志 [授与機関] 電気学会
[5]. 第19回高柳研究奨励賞 (課題名：ZnO系混晶のエピタキシャル成長と高効率可視発光素子の研究) （2005年12月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人 浜松電子工学奨励会)
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[1]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 19021PCT-US [出願番号] PCT/JP2021/015635 17/923949 (2023年8月15日) [特許番号] 11728119 (2024年1月5日)
[備考] 学内整理番号：19021PCT-US
米国出願番号：17/923949
発明の名称：光電陰極及び光電陰極の製造方法
学内発明者：中村 篤志 先生
共同出願人：浜松ホトニクス 株式会社 様
特許登録日：2023年8月15日
特許登録番号：11728119
[2]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 19021PCT-CN [出願番号] PCT/JP2021/015635 17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[3]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 19021PCT-IS [出願番号] PCT/JP2021/015635 17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[4]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 19021PCT-KR [出願番号] PCT/JP2021/015635 17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[5]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 [出願番号] 特願2020-088003 (2020年5月20日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 出願人 静岡大学：浜松ホトニクス株式会社
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[1]. 発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会 （2025年1月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] 静岡大学
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 研究会の開催
[2]. 発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会 （2024年1月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] 龍谷大学
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 研究会の開催
[3]. 発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会 （2023年1月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] オンライン
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 研究会の開催
[4]. 発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会 （2022年1月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] オンライン
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 研究会の開催
[5]. 発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会 （2021年1月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] 龍谷大学（オンライン）
[備考] 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 研究会の開催
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[1]. 映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 幹事 （2013年1月 )
[備考] 学会誌編集、研究会開催 |