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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中村 篤志 （Nakamura Atsushi）

特許　等

【特許　等】
[1]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法　19021PCT-US [出願番号] PCT/JP2021/015635　17/923949 (2023年8月15日) [特許番号] 11728119 (2024年1月5日)
[備考] 学内整理番号：19021PCT-US 米国出願番号：17/923949 発明の名称：光電陰極及び光電陰極の製造方法 学内発明者：中村 篤志 先生 共同出願人：浜松ホトニクス 株式会社 様 　 　特許登録日：2023年8月15日 　特許登録番号：11728119
[2]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法　19021PCT-CN [出願番号] PCT/JP2021/015635　17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[3]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法　19021PCT-IS [出願番号] PCT/JP2021/015635　17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[4]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法　19021PCT-KR [出願番号] PCT/JP2021/015635　17/923949 (2022年11月8日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 2021年10月11日
[5]. 光電陰極及び光電陰極の製造方法 [出願番号] 特願2020-088003 (2020年5月20日) [特許番号] 特許第6958827号 (2021年10月11日)
[備考] 出願人　静岡大学：浜松ホトニクス株式会社
[6]. 結晶成長方法及び結晶成長装置 (2005年12月16日) [特許番号] 特許第4876242号
[備考] 登録日　平成23年12月9日
[7]. 半導体光発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法 [出願番号] 特願2005-247902 (2005年8月29日) [特許番号] 特許第5034035号
[備考] 出願 平成17年8月29日 登録　平成24年7月13日