[1]. Ultrathin layered MoS2/N-doped graphene quantum dots (NGQDs) heterostructures for highly sensitive room temperature NO2 gas sensor
Sensors and Actuators B: Chemical / 403- 135083 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] Supervisor, Editing, Graph correction
[DOI]
[2]. Ellipticity enhancement of a terahertz wave circular polarizer made of 3D chiral metamaterial
IEEE Photonics Technology Letters / - DOI: 10.1109/LPT.2024.3367979 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kotaro Yamamura; Gemma Otake; Atsushi Ouchi; Daniel Moraru; Atsushi Nakamura; Saroj R. Tripathi [備考] Editing
[DOI]
[3]. An extended gate field-effect transistor (EG-FET) type non-enzymatic glucose sensor with inkjet-printed copper oxide nanoparticles
SN Applied Sciences 4/10 253- 10.1007/s42452-022-05133-6 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Shibata Kohei, Nakamura Atsushi [URL] [DOI]
[4]. Improvement of in-plane uniformity of cathodoluminescence from ZnO luminescent layers for electron beam excitation assisted optical microscope
Japanese Journal of Applied Physics 60/ 065502- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Wataru Inami, Ryo Yamamoto, Yuma Imai, Shun Kobayashi, Yoshimasa Kawata [DOI]
[5]. An actuator-sensor hybrid device of carbon-based polymer composite for self-sensing systems
AIP Advances / - （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Shotaro Kawakami [DOI]
[6]. Growth of glassy carbon thin films and its pH sensor applications
SN Applied Sciences 1/171 1-10 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Ryosuke Shinzawa, Ayaka Otsuka, Atsushi Nakamura [DOI]
[7]. Phosphorous doped p-type MoS2 polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film
AIP Advances 8/(num) 025009- (zzz) （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]百瀬友博,ダニエル・モラル,下村勝 [DOI]
[8]. Investigation of microstructural and electrical properties of composition dependent co-sputtered Hf1−x Ta x O2 thin films
Materials Research Express 4/11 129501- (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K C Das [共著者]中村 篤志,N Tripathy,S P Ghosh,S K Mohanta,J P Kar [備考] 薄膜の組成分析、表面観察、電気的特性を評価した
[9]. A piezo-resistive graphene strain sensor with a hollow cylindrical geometry
Materials Science & Engineering B 219/(num) 20-27 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]濱西敏貴,川上翔太郎,武田正典
[10]. Strong Quantum Confinement Effects in Nanometer Devices with Graphene Directly Grown on Insulator by Catalyst-free Chemical Vapor Deposition
Current Graphene Science (1)/(num) (xxx) - (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]猪川洋 [共著者]中村 篤志,佐藤弘明 [備考] 試料作製とグラフェン膜の評価に関して測定評価を行った。
[DOI]
[11]. Wurtzite Zn(Mg,Cd)O quaternary systems for photodiodes in visible spectral range
Journal of Crystal Growth (vol)449/(num) (27) - (34) （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]Yoshiaki Nieda,Mari Suzuki,Jiro Temmyo,Gema Tabares,Alejandro Kurtz
[12]. Development of a scanning nanopipette probe microscope for fine processing using atmospheric pressure plasma jet
Japanese Journal of Applied Physics (55)/(8S1) - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]岩田 太 [共著者]中村 篤志,荻野明久,永津雅章 [備考] 試料提供と加工結果に関しての議論
[13]. Direct growth of nanocrystalline graphitic carbon films on BaF 2 by alcohol CVD
Japanese Journal of Applied Physics (vol)55/(num)3S2 - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yan Tan [共著者]中村 篤志,久保野 敦史
[14]. Nematic liquid crystalline alignment on graphitic carbon film surfaces and its electrooptical characteristics
Japanese Journal of Applied Physics (vol)54/(num)9 - （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]久保野敦史
[15]. VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion
VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion 25/25 - （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M Lopez-Ponce [共著者]中村 篤志 [備考] 試料結晶成長 サンプル提供
[16]. Acceptor levels probed by DLOS in ZnMgO:N
Applied Physics Letters 104/(num) 081105-0811053 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Kurtz [共著者]中村 篤志
[17]. Electricalcharacterization of Schottky contacts to n-MgZnO films
Thin Solid Films 548/(num) 539-545 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村 篤志,J. Temmyo
[18]. Synthesis and characterization of N, In co-doped MgZnO films using remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
Journal of Crystal Growth 375/(num) 1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村 篤志,J. Temmyo
[19]. Optical properties and microstructre of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: effect of thermal
Applied Physics Letters 102/(num) - （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ponse [共著者]中村 篤志,J. Temmyo,A. Hierro,E. Munoz
[20]. Single cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature for PV application
OPTICS EXPRESS 21/9 11448-11456 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村 篤志,J. Temmyo
[21]. Nitrogen doping in cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature
Materials Letters 92/(num) 188-191 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村 篤志,J. Temmyo
[22]. Direct Growth Properties of Graphene Layers on Sapphire Substrate by Alcohol-Chemical Vapor Deposition
Japanese Journal of Applied Physics 51/4 04DN031- 04DN035 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]天明 二郎
[23]. Green Electroluminescence from ZnCdO Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
IEEE Photon. Tech. Lett., (vol)23/(num) 1052-1054 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]山本兼司 [共著者]中村 篤志,天明二郎
[24]. Nitrogen and Copper doping in MgxZn1-xO films and their impact on p-type conductivity
J. Appl. Phys. (vol)110/(num) 0135241-0135248 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. K. Mohanta [共著者]中村 篤志,天明二郎
[25]. Schottky contact on ZnO nanocolumnar film with H2O2 treatment
Japanese Journal of Applied Physics 109/(num) 0935171-0935177 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]天明 二郎
[26]. Graphene Layers on Sapphire Substrates Grown by Alcohol Chemical Vapor Deposition
Japanese Journal of Applied Physics 50/(num) 04DH12- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Miyasaka [共著者]中村 篤志,天明二郎
[27]. Schottky barrier contacts formed on polar and nonpolar MgxZn1-xO films grown by remote plasma enhanced MOCVD
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 247/ 1472-1475 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中村 篤志
[28]. Dot-height dependence of Photoluminescence from ZnO quantum dots
Japanease Journal of Applied Physics 4B/ 3007-3009 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志,A. Nakamura [共著者]K. Okamatsu,K. Tawara,H. Gotoh,J. Temmyo,Y. Matsui
[29]. Full-color electroluminescence from ZnO-based heterojunction diodes
APPLIED PHYSICS LETTERS 90/ 093512-093514 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]T. Ohashi,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo,H. Gotoh
[30]. P-type nitrogen-doped ZnO thin films on sapphire (11-20) substrates by remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
J. Cryst. Growth 298/ 486-490 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,A. Nakamura,Y. Ichikawa,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo
[31]. MgxZn1-xO films grown by remote-plasma-enhanced MOCVD with EtCp2Mg
J. Cryst. Growth 298/ 468-471 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Yamamoto [共著者]K. Enomoto,A. Nakamura,T. Aoki,J. Temmyo
[32]. Optical Properties of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ 2516-2518 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Toshiya Ohashi [共著者]Kenji Yamamoto,Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[33]. Vertically Aligned Single-Crystal ZnO Nanotubes Grown on γ-LiAlO2(100) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ L730-L732 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Masahiko Adachi,S,ip Ganjil,Atsushi Nakamura,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui
[34]. Nonpolar (11-20) p-Type Nitrogen-Doped ZnO by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ L549-L551 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,Atsushi Nakamura,Masaru Shimomura,Jiro Temmyo
[35]. Very Thin Single-Walled Carbon Nanotubes Self-Assembled on 6H-SiC(000-1) Substrate by Surface Decomposition Method
Jpn. J. Appl. Phys. 46/ L53-L56 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Yoshitaka Hashimoto,Atsushi Nakamura,Akira Tanaka,Jiro Temmyo
[36]. Growth and characterization of ZnO nanostructures by remote plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition
phys. stat. sol. (c) 4/ 722-735 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]G. Zhang [共著者]A. Nakamura,S. Nakagawa,T. Aoki,,J. Temmyo
[37]. Au-assisted growth approach for vertically aligned ZnO nanowires on Si substrate
Appl. Phys. Lett. 89/ 113112-113114 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui
[38]. ZnCdO systems with visible band gaps
Appl. Phys. Lett. 89/ 091914-090915 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Junji Ishihara,Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[39]. Photoluminescence properties of ZnCdO/MgZnO heterostructures
Physica Status Solidi 4/ 946-967 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo
[40]. Characterization of MgZnO films grown by remote-plasma-enhanced Metalorganic chemical vapor deposition using bis-ethylcyclopendadienyl magnesium
Jpn. J. Appl.Phys. 44/ 7267-7270 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo
[41]. Growth of MgZnO films using remote plasma MOCVD
Appl. Surf. Sci. 244/ 385-388 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo
[42]. ZnCdO/ZnO heterostructures for visible light emitting devices
Jpn. J. Appl. Phys. 44/ L4-L6 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志,A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,H. Gotoh,J. Temmyo
[43]. Growth and characterization of Zn1-xCdxO films using remote plasma MOCVD
Appl. Surf. Sci. 244/ 381-384 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Junji Ishihara [共著者]Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[44]. Sb excimer-laser doping in ZnO films prepared by oxidation of sulfide on Si
Appl. Surf. Sci. 244/ 369-372 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Ohara [共著者]T. Seino,A. Nakamura,T. Aoki,H. Kominami,Y. Nakanishi,Y. Hatanaka
[45]. Zn1-xCdxO Film Growth Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1088-L1090 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Atsushi Nakamura,Junji Ishihara,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[46]. Hydroxyl-Radical-Assisted Growth of ZnO Films by Remote Plasma Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ 7672-7676 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[47]. Characterization of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1452-L1454 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志 [共著者]Junji Ishihara,Satoshi Shigemori,Kenji Yamamoto,Toru Aoki,Hideki Gotoh,Jiro Temmyo
[48]. ZnO growth using remote plasma metalorganic chemical vapor deposition
phys. stat. sol. 1/ pp. 880-883 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,Y. Shimizu,T. Aoki,,J. Temmyo
[49]. 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評ソ
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 52/ 83-89 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]重盛聡,青木徹,天明二郎
[50]. OH Radical Activation of ZnO Growth in Remote Plasma Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys. 42/ L775-L777 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村 篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Akira Tanaka,Jiro Temmyo
[51]. Stability issues of high-energy resolution diode type CdTe nuclear radiation detectors in a long-term operation
Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. A. 491/ 168-175 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Niraula [共著者]A. Nakamura,T. Aoki,Y. Tomita,Y. Hatanaka
[52]. Excimer laser doping techniques for II-VI semiconductors
Appl. Surf. Sci 175-176/ 462-467 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Hatanaka [共著者]M. Niraula,A. Nakamura,T. Aoki |