[1]. Electron thermometry for Si MOS inversion layer using proximity nano-transistor and its application to Joule-heating experiment
Appl. Phys. Lett. 126/ - 083501_1-6 （2025年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hossain Md Nayem, Masahiro Hori, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono [DOI]
[2]. Drag of electron–hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature
Applied Physics Express 17/ 064003_1-5 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Nabil Ahmed, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono [DOI]
[3]. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces
Communications Physics 6/1 - 316 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono [DOI]
[4]. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S
RSC Advances 13/17 11525-11529 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, and Choji Fukuhara [DOI]
[5]. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit
Communications Physics 6/1 - 19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito [DOI]
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[1]. 電子・物性系のための量子力学－デバイスの本質を理解する
森北出版株式会社 （2015年）
[著書の別]著書（教育）
[単著・共著・編著等の別] 単著
[著者]小野 行徳
[備考] https://www.morikita.co.jp/books/book/2839
[2]. "Silicon Single-Electron Devices," in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
Springer, New York （2009年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]Yasuo Takahashi,Yukinori Ono,Akira Fujiwara,Katsuhiko Nishiguchi,Hiroshi Inokawa
[3]. "Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology
Wiley-VCH, Weinheim （2008年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Yasuo Takahashi,Katsuhiko Nishiguchi,Akira Fujiwara |
[1]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (14) -平均的CP電流
第72回応用物理学会秋季学術講演会 （2025年3月15日） 招待講演以外
[発表者]土屋 敏章, 堀 匡寛, 小野 行徳
[備考] 東京理科大学, 千葉
[2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (15) -DOSの分析(I)-
第72回応用物理学会秋季学術講演会 （2025年3月15日） 招待講演以外
[発表者]土屋 敏章, 堀 匡寛, 小野 行徳
[備考] 東京理科大学, 千葉
[3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (16) -DOSの分析(Ⅱ)-
第72回応用物理学会秋季学術講演会 （2025年3月15日） 招待講演以外
[発表者]土屋 敏章, 堀 匡寛, 小野 行徳
[備考] 東京理科大学, 千葉
[4]. Electron thermometry using subthreshold swing of Si nano transistors
37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) （2024年11月14日） 招待講演以外
[発表者]Hossain Md Nayem, Masahiro Hori, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono
[備考] Kyoto Brighton Hotel, Kyoto, Japan
[5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (12)
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 （2024年9月） 招待講演以外
[発表者]土屋 敏章, 堀 匡寛, 小野 行徳
[備考] 朱鷺メッセほか
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[1]. 企業等からの受託研究 超伝導量子ビットを用いた極限量子センシング
分担 （ 2017年11月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 国立研究開発法人科学技術振興機構 CREST 戦略的創造研究推進事業
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[1]. シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生 （ 2024年4月 ～ 2028年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[2]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022年6月 ～ 2027年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表
[3]. 電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[4]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[5]. 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立 （ 2017年6月 ～ 2022年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表
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[1]. 第６期静岡大学研究フェロー 極低消費電力・新原理デバイスの研究 （2025年4月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 静岡大学
[2]. 第17回（2023年）応用物理学会フェロー SiO2/Si系ナノデバイスにおける単電荷輸送の研究 （2023年6月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会
[3]. 感謝状 （2023年3月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 日本学術振興会
[備考] 学術システム研究センター専門研究員として功労に対しての感謝状
[4]. 第５期静岡大学研究フェロー 極低消費電力・新原理デバイスの研究 （2022年4月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 静岡大学
[5]. 令和2年度（第34回）高柳記念賞 シリコンナノ構造における電子・電子散乱制御とそのデバイス応用に関する研究 （2020年11月)
[受賞者] 小野行徳 [授与機関] 公益社団法人浜松電子工学奨励会
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[1]. 走査型プローブ顕微鏡用探針 [出願番号] 特願2006-312723 (2006年11月20日) [特許番号] 特許第4680868号
[2]. ゲインセル・メモリ回路及びその駆動方法 [出願番号] 特願2006-6205 (2006年1月13日) [特許番号] 特許第4602912号
[3]. 単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-138479 (2005年5月11日) [特許番号] 特許第4704802号
[4]. 電界変調型単電子トランジスタ [出願番号] 特願2005-119782 (2005年4月18日) [特許番号] 特許第4648061号
[5]. ナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法 [出願番号] 特願2005-092444 (2005年3月28日) [特許番号] 特許第4627206号
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