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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 :
堀 匡寛 （HORI Masahiro）
堀 匡寛 （HORI Masahiro）
准教授
学術院工学領域 - 電子物質科学系列
電子工学研究所 - 極限デバイス研究部門
工学部 - 電子物質科学科
大学院総合科学技術研究科工学専攻 - 電子物質科学コース
創造科学技術研究部 - ナノビジョンサイエンス部門
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最終更新日：2024/07/04 2:05:07
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教員基本情報
学士（工学） 早稲田大学 2008年3月
修士（工学） 早稲田大学 2010年3月
博士（工学） 早稲田大学 2012年3月 |
| ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） - 電子デバイス、電子機器 |
| ナノエレクトロニクス |
| 半導体デバイス, 単一ドーパント原子, 電子スピン共鳴法, チャージポンピング法 |
・応用物理学会
・米国電気電子学会IEEE |
| https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/ |
研究業績情報
[1]. Drag of electron–hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature
Applied Physics Express 17/ 064003_1-5 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] N. Ahmed, M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
[2]. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces
Communications Physics 6/1 1-11 316 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono [DOI]
[3]. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S
RSC Advances 13/ 11525-11529 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] R. Watanabe, F. Karasawa, C. Yokoyama, K. Oshima, M. Kishida, M. Hori, Y. Ono, S. Satokawa, P. Verma, C. Fukuhara [DOI]
[4]. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit
Communications Physics 6/1 1-6 19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito [DOI]
[5]. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Applied Physics Express 14/10 104003_1-4 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
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[1]. シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学 世田谷キャンパス
[2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) –捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学 世田谷キャンパス
[3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) –捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月23日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学 世田谷キャンパス
[4]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会 （2023年9月21日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
[5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会 （2023年9月21日） 招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
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[1]. 高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析 （ 2024年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[2]. シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生 （ 2024年4月 ～ 2028年3月 ） 基盤研究(A) 分担
[3]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022年6月 ～ 2027年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 分担
[4]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 研究課題 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(A) 分担
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[1]. （2024年4月 - 2025年3月 ) [提供機関] 公益財団法人 天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成金 [担当区分] 研究代表者
[2]. （2013年4月 - 2014年3月 ) [提供機関] 株式会社 北陸銀行 [制度名] ほくぎん若手研究者助成金 [担当区分] 研究代表者
[3]. （2012年4月 - 2013年3月 ) [提供機関] 一般財団法人 イオン工学振興財団 [制度名] イオン工学振興財団助成金 [担当区分] 研究代表者 |
[1]. 令和3年度(第35回)高柳研究奨励賞 シリコン・トランジスタにおける磁気共鳴下のチャージポンピングに関する研究 （2021年12月)
[受賞者] 堀 匡寛 [授与機関] 公益財団法人浜松電子工学奨励会
[2]. 第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞 「Charge Pumping Under Spin Resonance in Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor Transistors」 （2020年3月)
[受賞者] 堀 匡寛 [授与機関] 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
[3]. 第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 論文賞 「Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon」 （2020年3月)
[受賞者] ヒンマ フィルダウス、渡邉時暢、堀匡寛、ダニエル モラル、高橋庸夫、藤原聡、小野行徳 [授与機関] 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
[4]. 第43回（2017秋季応物学会）講演奨励賞 「チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出」 （2018年3月)
[受賞者] 堀 匡寛 [授与機関] 応用物理学会
[備考] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[5]. 第10回（2017秋季応物学会）Poster Award 「Charge-pumping electrically-detected magnetic resonance for detection of silicon dangling bonds」 （2017年9月)
[受賞者] 堀 匡寛、土屋 敏章、小野 行徳 [授与機関] 応用物理学会
[備考] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
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教育関連情報
[1]. 全学教育科目（共通科目） 自然と物理 （2024年度 - 後期 )
[2]. 全学教育科目（共通科目） 科学と技術 （2024年度 - 後期 )
[3]. 大学院科目(修士） 量子効果デバイス （2024年度 - 後期 )
[4]. 学部専門科目 ディジタル電子回路 （2024年度 - 前期 )
[5]. 学部専門科目 電子物理デバイス工学実験Ⅰ （2024年度 - 後期 )
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2023年度
卒研指導学生数（3年） 3 人
卒研指導学生数（4年） 3 人
修士指導学生数 5 人 博士指導学生数(副指導) 1 人
2022年度
卒研指導学生数（3年） 3 人
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 5 人
2021年度
卒研指導学生数（3年） 1 人
卒研指導学生数（4年） 3 人
修士指導学生数 3 人
2020年度
卒研指導学生数（3年） 3 人
卒研指導学生数（4年） 4 人
修士指導学生数 2 人
2019年度
卒研指導学生数（3年） 3 人
卒研指導学生数（4年） 1 人
修士指導学生数 3 人
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社会活動
[1]. 公開講座 第22回リフレッシュ理科教室 （2019年7月 - 2019年7月 )
[内容] リフレッシュ理科教室現地実行委員
[備考] 開催日：7月13日
開催場所：浜松科学館
主催：公益社団法人応用物理学会、浜松科学館
[2]. 公開講座 ラーニングフェスタ2018 （2018年8月 - 2018年8月 )
[内容] 次世代ナノエレクトロニンクス：単一原子を用いた単一電子の極限制御
[備考] 豊橋創造大学
[3]. 公開講座 ラーニングフェスタ2017 （2017年8月 - 2017年8月 )
[内容] 高大連携事業 高校生を対象に専門講座を開講「次世代ナノ電子工学～たった1個の電子を操作する」
[備考] 豊橋創造大学
[4]. 公開講座 ラーニングフェスタ2016 （2016年8月 - 2016年8月 )
[内容] 高大連携事業 高校生を対象に専門講座を開講「次世代ナノ電子工学～原子と電子の究極制御～」
[備考] 豊橋創造大学 |
[1]. その他 強く束縛したペア（励起子）を生成 シリコントランジスタ上で同時に電子と正孔が存在 (2023年11月10日)
[概要]https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2311/09/news126.html
[備考] EE Times Japan
[2]. その他 静岡大ら，トランジスタ上で電子正孔共存系を形成 (2023年11月9日)
[概要]https://optronics-media.com/news/20231109/85393/
[備考] Optronics online
[3]. 新聞 静岡大など、電子と正孔の同時存在に成功 シリコントランジスタ上で (2023年11月9日)
[概要]https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00691976
[備考] 日刊工業新聞
[4]. その他 シリコン・トランジスタ上で電子正孔共存系の形成に成功 (2023年10月31日)
[概要]https://www.shizuoka.ac.jp/news/detail.html?CN=9573
[備考] 静岡大学 Press Release
[5]. その他 NTTと静岡大学が超伝導磁束量子ビットを用いて神経細胞中の鉄イオンを検出 (2023年3月8日)
[概要]https://news.mynavi.jp/techplus/article/kinmirai-technology-kenbunroku-323/
[備考] TECH+
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[1]. 2024年マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議論文委員（国際会議MNC2024） （2024年5月 - 2024年12月 )
[2]. 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員（国際会議SSDM2023） （2022年8月 - 2023年12月 ) [団体名] 応用物理学会
[3]. 応用物理学会 機関誌企画・編集委員 （2022年4月 - 2024年3月 ) [団体名] 応用物理学会
[4]. 2015年マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議現地委員（国際会議MNC2015） （2015年4月 - 2015年12月 ) [団体名] 応用物理学会
[5]. 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 実行委員 （2014年4月 - 2014年11月 ) [団体名] 応用物理学会 |
国際貢献実績
管理運営・その他