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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 堀 匡寛 （HORI Masahiro）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. 高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析 （ 2024年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(B) 代表

[2]. シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生 （ 2024年4月 ～ 2028年3月 ） 基盤研究(A) 分担

[3]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022年6月 ～ 2027年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 分担

[4]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 代表

[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 研究課題 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(A) 分担

[6]. 単一界面欠陥のチャージポンピング過程を用いた２電子スピン相関の室温観測 研究課題 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 若手研究(A) 代表

[7]. 高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御 （ 2015年4月 ～ 2017年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担

[8]. ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究 （ 2013年4月 ～ 2016年3月 ） 若手研究(A) 代表

[9]. 単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究 （ 2013年4月 ～ 2015年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担

[10]. シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究 （ 2013年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[11]. シングルイオン注入法を用いたシングルドーパントデバイス創製に関する研究 （ 2011年4月 ～ 2013年3月 ） 特別研究員奨励費 代表