静岡大学：教員データベース - 堀匡寛（HORI Masahiro）

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 堀匡寛（HORI Masahiro）

学会発表・研究発表

【学会発表・研究発表】
[1]. シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス [2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) –捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)– 第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス [3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) –捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)– 第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス [4]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)– 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：熊本城ホール [5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)– 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：熊本城ホール [6]. 超伝導磁束量子ビットによるシリコン中ビスマス不純物の磁化測定日本物理学会第78回年次大会（2023年9月19日）招待講演以外 [発表者]樋田啓, 角柳孝輔, Leonid V. Abdurakhimov, 堀匡寛, 小野行徳, 齊藤志郎 [7]. Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) （2023年9月6日）招待講演以外 [発表者]Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono [備考] 開催場所：Nagoya Congress Center [8]. Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演以外 [発表者]Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono [備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto [9]. 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定 2023年日本物理学会春季大会（2023年3月23日）招待講演以外 [発表者]樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎 [備考] オンライン [10]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)- 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：上智大学＋オンライン [11]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 - 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：上智大学＋オンライン [12]. Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs 第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月30日）招待講演 [発表者]M. Hori [備考] 開催場所：静岡大学 [13]. Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces 第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月29日）招待講演以外 [発表者]Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori [備考] 開催場所：静岡大学ポスター発表 [14]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和- 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学＋オンライン [15]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別- 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学＋オンライン [16]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [17]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [18]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位- 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会 [19]. Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用（2022年1月7日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：東北大学電気通信研究所 [20]. Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs-Identification of interface defects and detection of donor electrons- International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2021 IWDTF) （2021年11月14日）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Virtual conference [21]. 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [22]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [23]. チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [24]. Charge pumping under electron spin resonance 6th International Conference on Nanosceience and Nanotechnology (ICONN2021) （2021年2月）招待講演 [発表者]M. Hori [備考] SRM Institute of Science & Technology, Chennai,INDIA (VirtualcConference) [25]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演 [発表者]小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [26]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会 [27]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演 [発表者]小野行徳, ヒンマフィルダウス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡 [備考] 上智大学四谷キャンパス [28]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 上智大学四谷キャンパス [29]. チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 上智大学四谷キャンパス [30]. Charge Pumping in Silicon MOSFETs-Towards Ultimate Control of Charges and Spins- 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces （2019年11月28日）招待講演 [発表者]M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono [備考] 東北大学 [31]. Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]M. Rasanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp. 12-136 [32]. シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳 [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-137 [33]. 単一MOS 界面トラップの2 電子準位の相関I -準位密度分布- 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-138 [34]. 単一MOS 界面トラップの2 電子準位の相関 II -電子捕獲過程- 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-139 [35]. Charge pumping under spin resonance in silicon MOS transistors 戦略的創造研究推進事業（CREST）進捗報告会（2019年8月8日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛 [URL] [備考] 近畿大学東大阪キャンパス [36]. Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes The 66th JSAP Spring Meeting, 2019 （2019年3月11日）招待講演以外 [発表者]G. Prabhudesai, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru [備考] Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology Abstract pp.11-282 [37]. シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳 [備考] 東京工業大学　大岡山キャンパス Abstract pp.11-110 [38]. 2トラップ間のチャージポンピング相互作用 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外 [発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 東京工業大学　大岡山キャンパス Abstract pp.11-109 [39]. Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs 5th International Conference on Nanosceience and Nanotechnology (ICONN2019) （2019年1月28日）招待講演 [発表者]M. Hori, Y.Ono [備考] SRM Institute of Science & Technology, Chennai Proseeding pp.20 [40]. チャージポンピングEDMR 法を用いたSiO2/Si 界面の欠陥検出 2018 年日本表面真空学会中部支部研究会『Si 表面・界面・ナノ構造の研究最前線』（2018年11月30日）招待講演 [発表者]堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：静岡大学創造科学技術大学院主催団体：日本表面真空学会中部支部研究会 [41]. Remote Detaction of Holes Generated by Impact Ionization 17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia2018 （2018年9月24日）招待講演以外 [発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Ono [備考] Kaunas University of Technology, Lithuania Abstract pp.22 [42]. Detection and Characterization of Single Near –Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA2018) （2018年7月17日）招待講演以外 [発表者]T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono [備考] Marina Bay Sands, Singapore [43]. ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢, 多胡友, 杉浦史悦, 堀匡寛, 小野行徳, 塚本裕也, 大見俊一郎 [備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス Abstract p.39 [44]. 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]三宅丈雄, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス(神奈川県横浜市） [45]. チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演 [発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区）,Abstract p.12-174 [46]. チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]土屋敏章,堀匡寛,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区） Abstract p.12-205 [47]. チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外 [発表者]安藤克哉,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区） Abstract p.12-175 [48]. Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（2018年2月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳 [備考] 北海道大学百年記念会館(北海道札幌市） [49]. Charge Pumping EDMR for Si/SiO2 Interface Analysis The 2nd International Symposium on Biomedical Engineering （2017年11月）招待講演以外 [発表者]M.Hori [備考] Shizuoka University [50]. チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,土屋敏明,小野行徳 [備考] 福岡国際会議場(福岡県福岡市）Abstract p.12-262 [51]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis The 15th Quality in Research (QiR2017) （2017年8月）招待講演以外 [発表者]M.Hori,T.Watanabe,Y.Ono [備考] The Westin Resort Nusa Dua,Bali,Indonesia, Abstract pp.E3A-1 [52]. Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Ionization in Silicon 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop （2017年6月）招待講演以外 [発表者]H.Firdaus,M.Hori,Y.Takahashi,A.Fujiwara,Y.Ono [備考] Rihga Royal Hotel Kyoto,Kyoto Workshop Abstracts pp.29-30 [53]. Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演 [発表者]Y. Ono, H. Firdaus, M. Hori [備考] Hotel Seven Park,Italy Abstract pp.11 [54]. Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演 [発表者]M.Hori,Y.Ono [備考] Hotel Seven Pstk, Italy Abstract pp.7 [55]. Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Opearation 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]K M T.Hasan,A. Samanta,A. Afiff,L.T. Anh,M. Manoharan,M. Hori,Y. Ono,H. Mizuta,M. Tabe,D. Moraru [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会 [56]. Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]G. Prabhudesai, L. T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会 [57]. Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳 [備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体名：応用物理学会 [58]. シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月）招待講演 [発表者]小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章 [備考] 開催場所：八洲学園大学主催団体：応用物理学会シリサイド研究会 [59]. SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング電子情報通信学会研究会（2017年2月）招待講演以外 [発表者]渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳 [備考] 開催場所：北海道大学百年記念会館（札幌市）主催団体：電子情報通信学会 [60]. Silicon Single Boron Transistor ICNERE2016 （2016年11月）招待講演以外 [発表者]Y. Ono, M. Hori, A. Fujiwara [備考] 開催場所：Malang(Indonesia) [61]. Charge pumping EDMR for MOS interface analysis The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2016年11月）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Hamamatsu Campus, Shizuoka University Proceedings pp.1-5 [62]. Analysis of phonon assistance as a function of temperature in inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes 第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru, M. Shibuya, R. Nuryadi, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe [備考] 開催場所：朱鷺メッセ（新潟市）主催団体：応用物理学会 [63]. 高感度チャージポンピングEDMR法の開発第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳 [備考] 朱鷺メッセ（新潟市） Abstract pp.12-056 [64]. EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Warsaw University,Poland Proceedings pp.89-93 [65]. Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外 [発表者]Y. Ono, M.Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara [備考] Warsaw University, Poland Proceedings pp.137-141 [66]. Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016) （2016年7月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, Y. Ono [備考] Hakodate,Workshop,Abstract pp.377-379 [67]. Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2016年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, R. Narimatsu, Y. Ono [備考] Honolulu, USA, Workshop,Abstract pp.142-143 [68]. Novel application of the charge pumping process for charge and spin control EMN Meeting on Quantum 2016 （2016年4月）招待講演 [発表者]M. Hori, Y. Ono [備考] Phuket, Thailand, Abstract pp. 32-33 [69]. Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015) （2015年11月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe,M. Hori,T. Saruwatari,A. Fujiwara,Y. Ono [備考] Toyama International Conference Center, Toyama, Abstract pp.13B-10-4 [70]. Time-domain measurements of charge pimping current 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,T. Watanabe,T. Tsuchiya,Y. Ono [備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract pp.31- 32 [71]. Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Nishiuchi ,K. Furuta,T. Mitani,M. Hori,Y. Ono [備考] Jeju Island, Korea, Abstract pp.352-354 [72]. Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon- III Bilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演 [発表者]Y. Ono, M. Hori [備考] Campus Plaza Kyoto, Kyoto Japan, Workshop Abstract pp. 6 [73]. ESR measurements of As donor electrons in silicon The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,M. Uematsu,A. Fujiwara [備考] TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan, Workshop Abstract pp.220 [74]. Single ion implantation of Ge donor impurity in silicon transistors 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演 [発表者]E. Prati, Y. Chiba, M. Yano, K. Kumagai, M. Hori [備考] Rega Royal Hotel Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp. 29- 30 [75]. Charge Puming in SOI Gated PIN Diode 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, T. Tsuchiya, A. Fujiwara [備考] Rega Royal Hotel Kyoto, Japan, Workshop Abstract, pp. 105-106 [76]. チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合課程の直接観測第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,渡辺時暢,土屋敏章,小野行徳 [備考] 東海大学(神奈川県) Abstract 11p-A23-9 [77]. チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合課程の直接観測第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,渡辺時暢,土屋敏章,小野行徳 [備考] 東海大学（神奈川県） Abstract 11p-A23-13 [78]. シリコンＰＮ接合における再結合電流のＥＤＭＲ観察第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]古田慧悟,小野行徳,西内祐樹,三谷太希,堀匡寛 [備考] 東海大学（神奈川県） Abstract 11p-A23-13 [79]. 実時間チャージポンピングの精度評価電子情報通信学会研究会シリコン材料・デバイス研究会（2015年2月）招待講演以外 [発表者]渡辺時暢,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 北海道大学百年記念会館（北海道） Abstract pp.13-16 [80]. Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping 2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2014) （2014年7月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe,M. Hori,T. Tsuchiya [備考] Kanazawa, Japan, Workshop Digest pp.96-99 [81]. 実時間チャージポンピング法の開発第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外 [発表者]渡辺時暢,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳 [備考] 青山学院大学（神奈川県） Abstract 20p-F12-3 [82]. １次元リン(P)ドーパント配列を有する長チャネルトランジスタの低温伝導特性評価第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外 [発表者]熊谷国憲,Enrico Prati,堀匡寛,福井結子,谷井孝至,品田賢宏 [備考] 青山学院大学（神奈川県） Abstract 18p-PA12-1 [83]. ESR study on pure single crystalline sapphire Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-Silicide) （2013年7月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,N. Fukumoto,Y. Ono,R. Chikaoka,Y. Hayakawa [備考] Tsukuba, Abstract pp.28-P24 [84]. Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) （2013年7月）招待講演以外 [発表者]N. Fukumoto,Y. Ono,M. Hori,R. Chikaoka,Y. Hayakawa [備考] Chiba, Japan, Abstract pp.52 [85]. ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013) （2013年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,H. Tanaka,A. Fujiwara,Y. Ono [備考] Kanazawa, Japan, Abstract pp.P1-47 [86]. イオンビーム応用研究の源流マイクロビームアナリシス第141委員会, 平成２５年度研修セミナー「イオン利用分析法」（2013年4月）招待講演 [発表者]大泊巌,堀匡寛 [備考] 大阪 Abstract pp1-48 [87]. 電子スピン共鳴を用いたKAGRAサファイアミラーの吸収測定第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外 [発表者]福本展大,小野行徳,堀匡寛,森脇成典,三尾典克 [備考] 神奈川工科大学（神奈川県） Abstract 15-285, 28p-PA3-5 [88]. Fabrication of the Ordered Array of Optical Centers in Diamond by Low Energy Ion Implantation 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012) （2012年11月）招待講演以外 [発表者]A. Komatsubara,T. Teraji,M. Hori,K. Kumagai,S. Tamura [備考] Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan, Abstract pp.2D-8-3_1-2 [89]. Single ion implantation for nanoelectronics and the application to biological system Coldbeams: ultra-COLD gas for Bright Electron And Monochromatic ion Source （2012年10月）招待講演 [発表者]I. Ohdomari, M. Hori, T. Shinada [備考] Nîmes, France, Abstract pp. 50-51 [90]. シングルイオン注入法を用いた単一ドーパント原子を有するトランジスタの作製と低温伝導特性評価秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,Enrico Prati,熊谷国憲,Filippo Guagliardo,Giorgio Ferrari,谷井孝至,小野行徳,品田賢宏 [備考] 愛媛大学、松山大学（愛媛県） Abstract 13-211, 14a-F4-6 [91]. ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]小松原彰,寺地徳之,堀匡寛,熊谷国憲,田村崇人,大島武,小野田忍,山本卓,Christoph Mller,Boris Naydenov,Liam McGuinness,Fedor Jelezko,谷井孝至,品田賢宏,磯谷順一 [備考] 愛媛大学, 松山大学(愛媛県）,Abstract 06-058, 13a-PB2-9 [92]. Quantum Transport Property in FETs with Deterministically Implanted Single-Arsenic Ions Using Single-Ion Implantation 2012 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2012) （2012年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori, T. Shinada, F. Guagliardo, G. Ferrari, E. Prati [備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract, pp. 59-60. [93]. 単一イオン注入法を用いたヒ素(As)イオンの位置と個数を制御したトランジスタの低温伝導特性評価春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,E. Prati,F. Guagliarldo,小野行徳,小松原彰,熊谷国憲,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏 [備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p13-224, 18a-GP6-8 [94]. ヒ素イオン注入による注入イオンのストラグリング抑制効果の評価春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]熊谷国憲,堀匡寛,小松原彰,谷井孝至,品田賢宏 [備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p.13-223, 18a-GP6-7 [95]. ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの作製春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]小松原彰,堀匡寛,熊谷国憲,谷井孝至,寺地徳之,磯谷順一,品田賢宏 [備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p.06-046, 17p-F3-2 [96]. Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象電子デバイス研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」（2012年2月）招待講演以外 [発表者]品田賢宏,堀匡寛,F. Guagliardo,G. Ferrari,小野行徳,熊谷国憲,谷井孝至,E. Prati [備考] 北海道大学(北海道札幌市) Abstract電子情報通信学会　信学技法　ED2011-142, pp.1-4 [97]. Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs 2011 International Electron Devices Meeting (IEDM-2011) （2011年12月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada,M. Hori,F. Guagliardo,G. Ferrari,A. Komatsubara [備考] Washington DC, USA, Technical Digest pp.698-700 [98]. 単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,E. Prati,F. Guagliarldo,小野行徳,小松原彰,熊谷国憲,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏 [備考] 山形大学(山形県) Abstract p13-203, 1p-P10-11 [99]. 単一イオン注入プロセス:1nm精度への挑戦秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]品田賢宏,堀匡寛,小野行徳,田部道晴 [備考] 山形大学(山形県) Abstract p91, 29p-ZM-5 [100]. 砒素イオン注入によるドーパント位置制御効果秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]小松原彰,堀匡寛,熊谷国憲,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏 [備考] 山形大学(山形県) Abstract p.13-127, 1a-P10-11 [101]. Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impact on Transconductance of FETs 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011) （2011年6月）招待講演 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai [備考] Daejeon, Korea [102]. Quantum transport in a deterministically implanted phosphorous array in a Silicon nanostructure 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011) （2011年6月）招待講演以外 [発表者]E. Prati,M. Hori,F. Guagliardo,G. Ferrari,T. Shinada [備考] Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp.77-78 [103]. Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011) （2011年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,Y. Ono,K. Taira,A. Komatsubara,K. Kumagai [備考] Kyoto, Extended Abstract pp.75-76 [104]. ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,小松原彰,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌 [備考] 神奈川工大学(神奈川県) Abstract p13-187, 25a-P3-14 [105]. 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価電子デバイス研究会「グリーンITにおける電子デバイス」（2011年3月）招待講演以外 [発表者]品田賢宏,堀匡寛,平圭吾,小松原彰,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌 [備考] 群馬県 Abstract電子デバイス研究会, 電気学会, EDD-11-35, pp.1-4 [106]. Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance 2010 International Electron Devices Meeting (IEDM-2010) （2010年12月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara [備考] San Francisco, USA, Technical Digest, pp. 592-595 [107]. Improving Single Dopant Detection Efficiency by Controlling Substrate Bias in Single Ion Implantation Method TECHCON 2010 technology & talent for the 21st century （2010年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,T. Tanii,Y. Ono [備考] Austin, Texas, USA, Abstract pp.52 [108]. 基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,小松原彰,品田賢宏,小野行徳,平圭吾,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌 [備考] 長崎大学(長崎県) Abstract 16a-ZD-3 [109]. Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution 18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) （2010年6月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,T. Shinada,T. Taira,T. Tanii,Y. Ono [備考] Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Abstract pp.Mo-12 [110]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年2月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara [備考] San Jose, USA, Proc. SPIE Vol. 7637, 763711_1-7 [111]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric discrete dopant distribution TECHCON 2009 technology & talent for the 21st century （2009年9月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,T. Tanii,T. Endoh [備考] Austin, Texas, USA, Abstract pp.108 [112]. シングルイオン注入法の基板バイアス印加による単一性改善に関する研究秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,遠藤哲郎,谷井孝至,大泊巌 [備考] 富山大学(富山県富山市) Abstract p.766, 10p-TG-2 [113]. 離散的ドーパント位置のデバイス特性に及ぼす影響調査秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]平圭吾,品田賢宏,堀匡寛,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌 [備考] 富山大学(富山県富山市) Abstract p.652, 8a-L-10 [114]. 集束Auイオンビームによる細胞機能修飾秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]品田賢宏,秋本崇之,朱延偉,堀匡寛,平圭吾,大泊巌 [備考] 富山大学(富山県) Abstract p.783, 8a-TE-5 [115]. Recent advance in single-ion implantation method for single-dopant devices 9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009) （2009年6月）招待講演 [発表者]T. Shinada,M. Hori,K. Taira,T. Endoh,I. Ohdomari [備考] Kyoto, Japan, Extended Abstract pp.96-99 [116]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric dopant distribution International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5) （2008年11月）招待講演以外 [発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,N. Shimamoto,I. Ohdomari [備考] Waseda Univ., Tokyo, Japan, Abstract pp.306 [117]. 非対称な不純物原子配置を有する半導体デバイスの電気的特性評価秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外 [発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,島本直伸,大泊巌 [備考] 中部大学(愛知県春日井市), Abstract p.766, 4a-E-3 [118]. Single Ion Implantation for Single-Dopant Controlled Devices 20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI-2008) （2008年8月）招待講演 [発表者]T. Shinada, M. Hori, K. Taira, I. Ohdomari [備考] Fort Worth, Texas, USA, Abstract pp. 38-39 [119]. Single Ion Implantation for Fluctuation Control 17th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT-2008) （2008年6月）招待講演 [発表者]T. Shinada, M. Hori, K. Taira, I. Ohdomari [備考] Monterey, California, USA, Abstract pp. 41 [120]. Enhancing Semiconductor Device Performance using Ordered Dopant Arrays International Workshop on Materials and Life Science using Nuclear Probes from Heavy-Ion Accelerators （2008年4月）招待講演以外 [発表者]T. Shinada, T. Kurosawa, M. Hori, I. Ohdomari [備考] Wako, Japan, Workshop Abstract pp. S6-3_1-2 [121]. ナノホールアレイマスクによる不純物原子の規則配列形成秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]黒沢智紀,品田賢宏,堀匡寛,島本直伸,大泊巌 [備考] 北海道工業大学(北海道札幌市), Abstract p.856, 5a-P6-12 [122]. Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, (SNW-2007) （2007年6月）招待講演 [発表者]T. Shinada,T. Kurosawa,M. Hori,I. Ohdomari [備考] Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp. 157

[1]. シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス
[2]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) –捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス
[3]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) –捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)–
第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東京都市大学　世田谷キャンパス
[4]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
[5]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)–
第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月21日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：熊本城ホール
[6]. 超伝導磁束量子ビットによるシリコン中ビスマス不純物の磁化測定
日本物理学会第78回年次大会（2023年9月19日）招待講演以外
[発表者]樋田啓, 角柳孝輔, Leonid V. Abdurakhimov, 堀匡寛, 小野行徳, 齊藤志郎
[7]. Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) （2023年9月6日）招待講演以外
[発表者]Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono
[備考] 開催場所：Nagoya Congress Center
[8]. Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature
Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) （2023年6月12日）招待講演以外
[発表者]Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono
[備考] 開催場所：Rihga Royal Hotel Kyoto
[9]. 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
2023年日本物理学会春季大会（2023年3月23日）招待講演以外
[発表者]樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
[備考] オンライン
[10]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[11]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月16日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：上智大学＋オンライン
[12]. Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs
第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月30日）招待講演
[発表者]M. Hori
[備考] 開催場所：静岡大学
[13]. Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces
第24回高柳健次郎記念シンポジウム（2022年11月29日）招待講演以外
[発表者]Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori
[備考] 開催場所：静岡大学ポスター発表
[14]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学＋オンライン
[15]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別-
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月22日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学＋オンライン
[16]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[17]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[18]. MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月23日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：青山学院大学相模原キャンパス主催団体：応用物理学会
[19]. Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング
東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用（2022年1月7日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：東北大学電気通信研究所
[20]. Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs-Identification of interface defects and detection of donor electrons-
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2021 IWDTF) （2021年11月14日）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Virtual conference
[21]. 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[22]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[23]. チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出
第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月13日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[24]. Charge pumping under electron spin resonance
6th International Conference on Nanosceience and Nanotechnology (ICONN2021) （2021年2月）招待講演
[発表者]M. Hori
[備考] SRM Institute of Science & Technology, Chennai,INDIA (VirtualcConference)
[25]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター
第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演
[発表者]小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[26]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング
第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月11日）招待講演
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] オンライン開催主催団体：応用物理学会
[27]. ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演
[発表者]小野行徳, ヒンマフィルダウス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡
[備考] 上智大学四谷キャンパス
[28]. シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月13日）招待講演
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 上智大学四谷キャンパス
[29]. チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出
第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 上智大学四谷キャンパス
[30]. Charge Pumping in Silicon MOSFETs-Towards Ultimate Control of Charges and Spins-
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces （2019年11月28日）招待講演
[発表者]M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
[備考] 東北大学
[31]. Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]M. Rasanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp. 12-136
[32]. シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-137
[33]. 単一MOS 界面トラップの2 電子準位の相関I -準位密度分布-
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-138
[34]. 単一MOS 界面トラップの2 電子準位の相関 II -電子捕獲過程-
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月19日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 北海道大学札幌キャンパス pp.12-139
[35]. Charge pumping under spin resonance in silicon MOS transistors
戦略的創造研究推進事業（CREST）進捗報告会（2019年8月8日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛
[URL]
[備考] 近畿大学東大阪キャンパス
[36]. Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes
The 66th JSAP Spring Meeting, 2019 （2019年3月11日）招待講演以外
[発表者]G. Prabhudesai, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
[備考] Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology Abstract pp.11-282
[37]. シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 東京工業大学　大岡山キャンパス Abstract pp.11-110
[38]. 2トラップ間のチャージポンピング相互作用
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月10日）招待講演以外
[発表者]土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 東京工業大学　大岡山キャンパス Abstract pp.11-109
[39]. Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs
5th International Conference on Nanosceience and Nanotechnology (ICONN2019) （2019年1月28日）招待講演
[発表者]M. Hori, Y.Ono
[備考] SRM Institute of Science & Technology, Chennai Proseeding pp.20
[40]. チャージポンピングEDMR 法を用いたSiO2/Si 界面の欠陥検出
2018 年日本表面真空学会中部支部研究会『Si 表面・界面・ナノ構造の研究最前線』（2018年11月30日）招待講演
[発表者]堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：静岡大学創造科学技術大学院主催団体：日本表面真空学会中部支部研究会
[41]. Remote Detaction of Holes Generated by Impact Ionization
17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia2018 （2018年9月24日）招待講演以外
[発表者]H. Firdaus, M. Hori, Y. Ono
[備考] Kaunas University of Technology, Lithuania Abstract pp.22
[42]. Detection and Characterization of Single Near –Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method
International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA2018) （2018年7月17日）招待講演以外
[発表者]T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono
[備考] Marina Bay Sands, Singapore
[43]. ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性
平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢, 多胡友, 杉浦史悦, 堀匡寛, 小野行徳, 塚本裕也, 大見俊一郎
[備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス Abstract p.39
[44]. 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発
平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]三宅丈雄, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 東京工業大学すずかけ台キャンパス(神奈川県横浜市）
[45]. チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演
[発表者]堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区）,Abstract p.12-174
[46]. チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]土屋敏章,堀匡寛,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区） Abstract p.12-205
[47]. チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価
第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月）招待講演以外
[発表者]安藤克哉,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス（東京都新宿区） Abstract p.12-175
[48]. Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（2018年2月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢,堀匡寛,小野行徳
[備考] 北海道大学百年記念会館(北海道札幌市）
[49]. Charge Pumping EDMR for Si/SiO2 Interface Analysis
The 2nd International Symposium on Biomedical Engineering （2017年11月）招待講演以外
[発表者]M.Hori
[備考] Shizuoka University
[50]. チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出
第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,土屋敏明,小野行徳
[備考] 福岡国際会議場(福岡県福岡市）Abstract p.12-262
[51]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis
The 15th Quality in Research (QiR2017) （2017年8月）招待講演以外
[発表者]M.Hori,T.Watanabe,Y.Ono
[備考] The Westin Resort Nusa Dua,Bali,Indonesia, Abstract pp.E3A-1
[52]. Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Ionization in Silicon
2017 Silicon Nanoelectronics Workshop （2017年6月）招待講演以外
[発表者]H.Firdaus,M.Hori,Y.Takahashi,A.Fujiwara,Y.Ono
[備考] Rihga Royal Hotel Kyoto,Kyoto Workshop Abstracts pp.29-30
[53]. Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature
IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演
[発表者]Y. Ono, H. Firdaus, M. Hori
[備考] Hotel Seven Park,Italy Abstract pp.11
[54]. Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon
IV Bilateral Italy-Japan Seminar （2017年5月）招待講演
[発表者]M.Hori,Y.Ono
[備考] Hotel Seven Pstk, Italy Abstract pp.7
[55]. Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Opearation
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]K M T.Hasan,A. Samanta,A. Afiff,L.T. Anh,M. Manoharan,M. Hori,Y. Ono,H. Mizuta,M. Tabe,D. Moraru
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会
[56]. Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]G. Prabhudesai, L. T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体：応用物理学会
[57]. Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳
[備考] 開催場所：パシフィコ横浜主催団体名：応用物理学会
[58]. シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー
第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月）招待講演
[発表者]小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章
[備考] 開催場所：八洲学園大学主催団体：応用物理学会シリサイド研究会
[59]. SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング
電子情報通信学会研究会（2017年2月）招待講演以外
[発表者]渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳
[備考] 開催場所：北海道大学百年記念会館（札幌市）主催団体：電子情報通信学会
[60]. Silicon Single Boron Transistor
ICNERE2016 （2016年11月）招待講演以外
[発表者]Y. Ono, M. Hori, A. Fujiwara
[備考] 開催場所：Malang(Indonesia)
[61]. Charge pumping EDMR for MOS interface analysis
The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2016年11月）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Hamamatsu Campus, Shizuoka University Proceedings pp.1-5
[62]. Analysis of phonon assistance as a function of temperature in inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru, M. Shibuya, R. Nuryadi, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe
[備考] 開催場所：朱鷺メッセ（新潟市）主催団体：応用物理学会
[63]. 高感度チャージポンピングEDMR法の開発
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳
[備考] 朱鷺メッセ（新潟市） Abstract pp.12-056
[64]. EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature
Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Warsaw University,Poland Proceedings pp.89-93
[65]. Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission
Inter Academia2016 （2016年9月）招待講演以外
[発表者]Y. Ono, M.Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
[備考] Warsaw University, Poland Proceedings pp.137-141
[66]. Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016) （2016年7月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, Y. Ono
[備考] Hakodate,Workshop,Abstract pp.377-379
[67]. Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature
2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2016年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, R. Narimatsu, Y. Ono
[備考] Honolulu, USA, Workshop,Abstract pp.142-143
[68]. Novel application of the charge pumping process for charge and spin control
EMN Meeting on Quantum 2016 （2016年4月）招待講演
[発表者]M. Hori, Y. Ono
[備考] Phuket, Thailand, Abstract pp. 32-33
[69]. Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015) （2015年11月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe,M. Hori,T. Saruwatari,A. Fujiwara,Y. Ono
[備考] Toyama International Conference Center, Toyama, Abstract pp.13B-10-4
[70]. Time-domain measurements of charge pimping current
2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,T. Watanabe,T. Tsuchiya,Y. Ono
[備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract pp.31- 32
[71]. Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Nishiuchi ,K. Furuta,T. Mitani,M. Hori,Y. Ono
[備考] Jeju Island, Korea, Abstract pp.352-354
[72]. Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon-
III Bilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演
[発表者]Y. Ono, M. Hori
[備考] Campus Plaza Kyoto, Kyoto Japan, Workshop Abstract pp. 6
[73]. ESR measurements of As donor electrons in silicon
The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,M. Uematsu,A. Fujiwara
[備考] TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan, Workshop Abstract pp.220
[74]. Single ion implantation of Ge donor impurity in silicon transistors
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演
[発表者]E. Prati, Y. Chiba, M. Yano, K. Kumagai, M. Hori
[備考] Rega Royal Hotel Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp. 29- 30
[75]. Charge Puming in SOI Gated PIN Diode
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, T. Tsuchiya, A. Fujiwara
[備考] Rega Royal Hotel Kyoto, Japan, Workshop Abstract, pp. 105-106
[76]. チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合課程の直接観測
第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,渡辺時暢,土屋敏章,小野行徳
[備考] 東海大学(神奈川県) Abstract 11p-A23-9
[77]. チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合課程の直接観測
第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,渡辺時暢,土屋敏章,小野行徳
[備考] 東海大学（神奈川県） Abstract 11p-A23-13
[78]. シリコンＰＮ接合における再結合電流のＥＤＭＲ観察
第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]古田慧悟,小野行徳,西内祐樹,三谷太希,堀匡寛
[備考] 東海大学（神奈川県） Abstract 11p-A23-13
[79]. 実時間チャージポンピングの精度評価
電子情報通信学会研究会シリコン材料・デバイス研究会（2015年2月）招待講演以外
[発表者]渡辺時暢,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 北海道大学百年記念会館（北海道） Abstract pp.13-16
[80]. Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2014) （2014年7月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe,M. Hori,T. Tsuchiya
[備考] Kanazawa, Japan, Workshop Digest pp.96-99
[81]. 実時間チャージポンピング法の開発
第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外
[発表者]渡辺時暢,堀匡寛,土屋敏章,小野行徳
[備考] 青山学院大学（神奈川県） Abstract 20p-F12-3
[82]. １次元リン(P)ドーパント配列を有する長チャネルトランジスタの低温伝導特性評価
第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外
[発表者]熊谷国憲,Enrico Prati,堀匡寛,福井結子,谷井孝至,品田賢宏
[備考] 青山学院大学（神奈川県） Abstract 18p-PA12-1
[83]. ESR study on pure single crystalline sapphire
Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-Silicide) （2013年7月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,N. Fukumoto,Y. Ono,R. Chikaoka,Y. Hayakawa
[備考] Tsukuba, Abstract pp.28-P24
[84]. Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors
12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) （2013年7月）招待講演以外
[発表者]N. Fukumoto,Y. Ono,M. Hori,R. Chikaoka,Y. Hayakawa
[備考] Chiba, Japan, Abstract pp.52
[85]. ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime
The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013) （2013年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,H. Tanaka,A. Fujiwara,Y. Ono
[備考] Kanazawa, Japan, Abstract pp.P1-47
[86]. イオンビーム応用研究の源流
マイクロビームアナリシス第141委員会, 平成２５年度研修セミナー「イオン利用分析法」（2013年4月）招待講演
[発表者]大泊巌,堀匡寛
[備考] 大阪 Abstract pp1-48
[87]. 電子スピン共鳴を用いたKAGRAサファイアミラーの吸収測定
第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外
[発表者]福本展大,小野行徳,堀匡寛,森脇成典,三尾典克
[備考] 神奈川工科大学（神奈川県） Abstract 15-285, 28p-PA3-5
[88]. Fabrication of the Ordered Array of Optical Centers in Diamond by Low Energy Ion Implantation
25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012) （2012年11月）招待講演以外
[発表者]A. Komatsubara,T. Teraji,M. Hori,K. Kumagai,S. Tamura
[備考] Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan, Abstract pp.2D-8-3_1-2
[89]. Single ion implantation for nanoelectronics and the application to biological system
Coldbeams: ultra-COLD gas for Bright Electron And Monochromatic ion Source （2012年10月）招待講演
[発表者]I. Ohdomari, M. Hori, T. Shinada
[備考] Nîmes, France, Abstract pp. 50-51
[90]. シングルイオン注入法を用いた単一ドーパント原子を有するトランジスタの作製と低温伝導特性評価
秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,Enrico Prati,熊谷国憲,Filippo Guagliardo,Giorgio Ferrari,谷井孝至,小野行徳,品田賢宏
[備考] 愛媛大学、松山大学（愛媛県） Abstract 13-211, 14a-F4-6
[91]. ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製
秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]小松原彰,寺地徳之,堀匡寛,熊谷国憲,田村崇人,大島武,小野田忍,山本卓,Christoph Mller,Boris Naydenov,Liam McGuinness,Fedor Jelezko,谷井孝至,品田賢宏,磯谷順一
[備考] 愛媛大学, 松山大学(愛媛県）,Abstract 06-058, 13a-PB2-9
[92]. Quantum Transport Property in FETs with Deterministically Implanted Single-Arsenic Ions Using Single-Ion Implantation
2012 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2012) （2012年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori, T. Shinada, F. Guagliardo, G. Ferrari, E. Prati
[備考] Honolulu, Hawaii, USA, Workshop Abstract, pp. 59-60.
[93]. 単一イオン注入法を用いたヒ素(As)イオンの位置と個数を制御したトランジスタの低温伝導特性評価
春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,E. Prati,F. Guagliarldo,小野行徳,小松原彰,熊谷国憲,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏
[備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p13-224, 18a-GP6-8
[94]. ヒ素イオン注入による注入イオンのストラグリング抑制効果の評価
春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]熊谷国憲,堀匡寛,小松原彰,谷井孝至,品田賢宏
[備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p.13-223, 18a-GP6-7
[95]. ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの作製
春季第52回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]小松原彰,堀匡寛,熊谷国憲,谷井孝至,寺地徳之,磯谷順一,品田賢宏
[備考] 早稲田大学(東京都) Abstract p.06-046, 17p-F3-2
[96]. Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象
電子デバイス研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」（2012年2月）招待講演以外
[発表者]品田賢宏,堀匡寛,F. Guagliardo,G. Ferrari,小野行徳,熊谷国憲,谷井孝至,E. Prati
[備考] 北海道大学(北海道札幌市) Abstract電子情報通信学会　信学技法　ED2011-142, pp.1-4
[97]. Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs
2011 International Electron Devices Meeting (IEDM-2011) （2011年12月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada,M. Hori,F. Guagliardo,G. Ferrari,A. Komatsubara
[備考] Washington DC, USA, Technical Digest pp.698-700
[98]. 単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価
秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,E. Prati,F. Guagliarldo,小野行徳,小松原彰,熊谷国憲,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏
[備考] 山形大学(山形県) Abstract p13-203, 1p-P10-11
[99]. 単一イオン注入プロセス:1nm精度への挑戦
秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]品田賢宏,堀匡寛,小野行徳,田部道晴
[備考] 山形大学(山形県) Abstract p91, 29p-ZM-5
[100]. 砒素イオン注入によるドーパント位置制御効果
秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]小松原彰,堀匡寛,熊谷国憲,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌,品田賢宏
[備考] 山形大学(山形県) Abstract p.13-127, 1a-P10-11
[101]. Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impact on Transconductance of FETs
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011) （2011年6月）招待講演
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai
[備考] Daejeon, Korea
[102]. Quantum transport in a deterministically implanted phosphorous array in a Silicon nanostructure
2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011) （2011年6月）招待講演以外
[発表者]E. Prati,M. Hori,F. Guagliardo,G. Ferrari,T. Shinada
[備考] Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp.77-78
[103]. Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs
11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011) （2011年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,Y. Ono,K. Taira,A. Komatsubara,K. Kumagai
[備考] Kyoto, Extended Abstract pp.75-76
[104]. ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価
春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,小松原彰,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌
[備考] 神奈川工大学(神奈川県) Abstract p13-187, 25a-P3-14
[105]. 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
電子デバイス研究会「グリーンITにおける電子デバイス」（2011年3月）招待講演以外
[発表者]品田賢宏,堀匡寛,平圭吾,小松原彰,小野行徳,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌
[備考] 群馬県 Abstract電子デバイス研究会, 電気学会, EDD-11-35, pp.1-4
[106]. Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance
2010 International Electron Devices Meeting (IEDM-2010) （2010年12月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara
[備考] San Francisco, USA, Technical Digest, pp. 592-595
[107]. Improving Single Dopant Detection Efficiency by Controlling Substrate Bias in Single Ion Implantation Method
TECHCON 2010 technology & talent for the 21st century （2010年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,T. Tanii,Y. Ono
[備考] Austin, Texas, USA, Abstract pp.52
[108]. 基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証
秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,小松原彰,品田賢宏,小野行徳,平圭吾,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌
[備考] 長崎大学(長崎県) Abstract 16a-ZD-3
[109]. Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution
18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) （2010年6月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,T. Shinada,T. Taira,T. Tanii,Y. Ono
[備考] Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Abstract pp.Mo-12
[110]. Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method
SPIE Advanced Lithography - Alternative Lithographic Technologies II （2010年2月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara
[備考] San Jose, USA, Proc. SPIE Vol. 7637, 763711_1-7
[111]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric discrete dopant distribution
TECHCON 2009 technology & talent for the 21st century （2009年9月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,T. Tanii,T. Endoh
[備考] Austin, Texas, USA, Abstract pp.108
[112]. シングルイオン注入法の基板バイアス印加による単一性改善に関する研究
秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,遠藤哲郎,谷井孝至,大泊巌
[備考] 富山大学(富山県富山市) Abstract p.766, 10p-TG-2
[113]. 離散的ドーパント位置のデバイス特性に及ぼす影響調査
秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]平圭吾,品田賢宏,堀匡寛,谷井孝至,遠藤哲郎,大泊巌
[備考] 富山大学(富山県富山市) Abstract p.652, 8a-L-10
[114]. 集束Auイオンビームによる細胞機能修飾
秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]品田賢宏,秋本崇之,朱延偉,堀匡寛,平圭吾,大泊巌
[備考] 富山大学(富山県) Abstract p.783, 8a-TE-5
[115]. Recent advance in single-ion implantation method for single-dopant devices
9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009) （2009年6月）招待講演
[発表者]T. Shinada,M. Hori,K. Taira,T. Endoh,I. Ohdomari
[備考] Kyoto, Japan, Extended Abstract pp.96-99
[116]. Performance evaluation of semiconductor device with asymmetric dopant distribution
International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5) （2008年11月）招待講演以外
[発表者]M. Hori,T. Shinada,K. Taira,N. Shimamoto,I. Ohdomari
[備考] Waseda Univ., Tokyo, Japan, Abstract pp.306
[117]. 非対称な不純物原子配置を有する半導体デバイスの電気的特性評価
秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外
[発表者]堀匡寛,品田賢宏,平圭吾,島本直伸,大泊巌
[備考] 中部大学(愛知県春日井市), Abstract p.766, 4a-E-3
[118]. Single Ion Implantation for Single-Dopant Controlled Devices
20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI-2008) （2008年8月）招待講演
[発表者]T. Shinada, M. Hori, K. Taira, I. Ohdomari
[備考] Fort Worth, Texas, USA, Abstract pp. 38-39
[119]. Single Ion Implantation for Fluctuation Control
17th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT-2008) （2008年6月）招待講演
[発表者]T. Shinada, M. Hori, K. Taira, I. Ohdomari
[備考] Monterey, California, USA, Abstract pp. 41
[120]. Enhancing Semiconductor Device Performance using Ordered Dopant Arrays
International Workshop on Materials and Life Science using Nuclear Probes from Heavy-Ion Accelerators （2008年4月）招待講演以外
[発表者]T. Shinada, T. Kurosawa, M. Hori, I. Ohdomari
[備考] Wako, Japan, Workshop Abstract pp. S6-3_1-2
[121]. ナノホールアレイマスクによる不純物原子の規則配列形成
秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]黒沢智紀,品田賢宏,堀匡寛,島本直伸,大泊巌
[備考] 北海道工業大学(北海道札幌市), Abstract p.856, 5a-P6-12
[122]. Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays
2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, (SNW-2007) （2007年6月）招待講演
[発表者]T. Shinada,T. Kurosawa,M. Hori,I. Ohdomari
[備考] Kyoto, Japan, Workshop Abstract pp. 157

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 堀 匡寛 （HORI Masahiro）

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