[1]. CVD synthesis of monolayer MoS 2 using Na compounds as additives to enhance two-dimensional growth
Jpn. J. Appl. Phys. 62/7 1-6 075503 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Yuki Goto, Akihisa Ogino [URL] [DOI]
[2]. Effect of hydrogen ion dose and sample temperature on hydrogenation of Mg oxides using microwave excited hydrogen plasma
Jpn. J. Appl. Phys. 61/ 1-7 SI1012 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Ryohei Kurebayashi, Akihisa Ogino [URL] [DOI]
[3]. Effect of radical on defect and molecular structure of monolayer MoS2 by low temperature plasma treatment
Jpn. J. Appl. Phys. 61/ 1-7 SI1006 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Shuya Asada, Akihisa Ogino [URL] [DOI]
[4]. Sub-micrometer plasma-enhanced chemical vapor deposition using an atmospheric pressure plasma jet localized by a nanopipette scanning probe microscope
J. Micromech. Microeng. 32/1 015006- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Sho Yamamoto, Kenta Nakazawa, Akihisa Ogino, Futoshi Iwata [URL] [DOI]
[5]. Enhancement of thermionic emission and conversion characteristics using polarization- and band-engineered n-type AlGaN/GaN cathodes
J. Vac. Sci. Technol. B39/ 062207- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Shigeya Kimura, Hisashi Yoshida, Hisao Miyazaki, Takuya Fujimoto, Akihisa Ogino [URL] [DOI]
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[1]. セシウム-酸素吸着n型AlGaNエミッタの熱電子放出特性と表面状態
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月24日） 招待講演以外
[発表者]名村 海、木村 重哉、宮崎 久生、荻野 明久
[備考] 東京都市大学 世田谷キャンパス, 2024.3.22-25, 24a-P10-1.
[2]. セシウムと酸素で表面活性化した二次元 MoS2の光支援熱電子放出特性
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月22日） 招待講演以外
[発表者]後藤 有生、荻野 明久
[備考] 東京都市大学 世田谷キャンパス, 2024.3.22-25, 22p-P07-56.
[3]. MoS2 Synthesis on Fluorine-terminated Si Substrate by SF6 Mixed Gas Plasma
APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 （2024年3月5日） 招待講演以外
[発表者]Akihisa Ogino, Ryotaro Kito
[備考] 3-7 March, 2024, Nagoya University, Nagoya, Japan, 05P-P2-15.
[4]. 水素プラズマによるマグネシウム系材料の水素化とその改善
第84回応用物理学会秋季学術講演会 （2023年9月22日） 招待講演以外
[発表者]荻野 明久，今田 紫苑
[備考] 熊本城ホール，22p-P01-4.
[5]. n型AlGaNへのセシウムと酸素の共蒸着による熱電子放出特性の向上
第84回応用物理学会秋季学術講演会 （2023年9月21日） 招待講演以外
[発表者]名村 海, 木村 重哉, 吉田 学史, 宮崎 久生, 荻野 明久
[備考] 熊本城ホール，21p-P03-4.
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[1]. マイクロ波プラズマによる循環利用型水素キャリア合成と高効率化に関する研究 （ 2022年4月 ～ 2025年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[2]. 層状半導体材料を用いた新規薄型光支援熱電子エミッタの開発 （ 2018年4月 ～ 2021年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[3]. 半導体エミッタの活性化による高効率熱電子放出と光熱併用熱電子発電への応用 （ 2014年4月 ～ 2017年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[4]. ナノスケールプラズマジェット照射可能なプローブ顕微鏡微細加工システムの開発 （ 2014年4月 ～ 2017年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[5]. プラズマ処理による化学修飾を用いた生体高分子の固定化とバイオセンサへの応用 （ 2009年4月 ～ 2012年3月 ） 若手研究(B) 代表
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[1]. （2014年4月 - 2015年3月 ) [提供機関] 一般財団法人東海産業技術振興財団 [制度名] 助成研究 「研究育成型」 [担当区分] 研究代表者
[2]. （2013年10月 - 2014年3月 ) [提供機関] 公益財団法人 谷川熱技術振興基金 [制度名] 研究助成 [担当区分] 研究代表者
[3]. （2013年1月 - 2014年3月 ) [提供機関] 公益財団法人東電記念財団 [制度名] 研究助成(一般研究) [担当区分] 研究代表者
[4]. 風力発電その他未利用エネルギー （2012年7月 - 2013年3月 ) [提供機関] 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) [制度名] 新エネルギーベンチャー技術革新事業
[5]. （2010年6月 - 2010年6月 ) [提供機関] 財団法人村田学術振興財団 [制度名] 第25回研究者海外派遣援助 [担当区分] 研究代表者
[備考] 派遣先：アメリカ、ノーフォーク
37th IEEE International Conference on Plasma Science
海外派遣： Protein Grafting onto Chitosan Surface Using Low Temperature Microwave Pl
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[1]. 応用物理学会優秀論文賞 Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H–SiC substrates （2021年7月)
[受賞者] 木村 重哉, 吉田 学史, 内田 翔太, 荻野 明久 [授与機関] 応用物理学会
[備考] Shigeya Kimura, Hisashi Yoshida, Shota Uchida, and Akihisa Ogino; Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SGGF01.
[2]. BEST POSTER AWARD (OUTSTANDING POSTER AWARD) Surface Electronic Properties of Si-doped AlGaN and the Thermionic Emission Characteristics with Adsorption of Alkali Metal Atoms （2019年7月)
[受賞者] 木村 重哉, 吉田 学史, 内田 翔太, 荻野 明久 [授与機関] 第13回窒化物半導体国際会議組織委員会
[3]. 第10回プラズマエレクトロニクス賞 （2012年3月)
[備考] 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
[4]. 平成23年度プラズマ・核融合学会学会賞、第16回技術進歩賞 （2011年11月)
[備考] プラズマ・核融合学会学
[5]. 電気学会東海支部 優秀論文発表賞B (課題名：光照射型熱電子発電器の発電効率) （2001年3月)
[備考] 授与・助成団体名(電気学会東海支部)
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[1]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 202010862324.1 (2020年8月25日)
[備考] 中国出願
[2]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 16/999621 (2020年8月21日) [特許番号] 11542160 (2023年1月3日)
[備考] 米国特許
発明の名称：水素化マグネシウムの製造方法及びテトラヒドロほう酸塩の製造方法
公開日：2021年3月4日
公開番号：US-2021-0061658-A1
[3]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 102020210583.9 (2020年8月20日)
[備考] ドイツ出願
[4]. テトラヒドロほう酸塩の製造方法 [出願番号] 特願2020-113022 (2020年6月30日) [特許番号] 特許第7345788号 (2023年9月8日)
[5]. 水素化マグネシウムの製造方法及びテトラヒドロほう酸塩の製造方法 [出願番号] 特願2020-103132 (2020年6月15日) [特許番号] 特許第7286110号 (2023年5月26日)
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[1]. APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 （2024年4月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 名古屋
[備考] 名古屋大学, 2024.3.3-7
[2]. ISPlasma2023/IC-PLANTS2023 （2023年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 岐阜市
[備考] 岐阜大学, 2023.3.5-9
[3]. ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 （2022年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] ONLINE
[備考] Held by ONLINE
2022.3.6-10
[4]. ISPlasma2021/IC-PLANTS2021 （2021年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] ONLINE
[備考] Held by ONLINE
2021.3.7-11
[5]. ISPlasma2020/IC-PLANTS2020 （2020年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 名古屋市
[備考] Nagoya University
2020.3.8-12
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