[1]. Enhancing atomic ordering, magnetic and transport properties of Mn2VGa Heusler alloy thin films toward negatively spin-polarized charge injection Acta Materialia 276/ 120110-1-12 (2024年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Z.H. Li, H. Suto, V. Barwal, K. Masuda, T.T. Sasaki, Z.X. Chen, H. Tajiri, L.S.R. Kumara, T. Koganezawa, K. Amemiya, S. Kokado, K. Hono, Y. Sakuraba [備考] S. Kokado et al., JPSJ(2019)で導出したAMR比の理論式をMn2VGaに適用し、AMR比の数値計算を行った。さらに計算結果をもとにAMR比の正負(実験結果)の起源を説明した。 [DOI] [2]. Origin of negative anisotropic magnetoresistance effect in Fe0.75Co0.25 single-crystal thin films upon Ir addition Phys. Rev. Materials 7/8 084401- (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] R. Toyama, S. Kokado, K. Masuda, Z. Li, V. K. Kushwaha, T. T. Sasaki, L. S. R. Kumara, T. Koganezawa, H. Tajiri, T. Yamazaki, M. Kotsugi, Y. Iwasaki, and Y. Sakuraba [備考] S. Kokado et al., JPSJ(2019)で導出したAMR比の理論式をFeCoIrに適用し、AMR比の数値計算を行った。さらに計算結果をもとにAMR比の正負(実験結果)の起源を説明した。 [DOI] [3]. Compositional dependence of anisotropic magnetoresistance effects in Weyl semimetal Co2MnAl Heusler alloy epitaxial thin films Journal of Applied Physics 132/ 223907-1-7 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] T. Sato, S. Kokado, H. Shinya, M. Tsujikawa, A. Miura, S. Kosaka, T. Ogawa, M. Shirai, and M. Tsunoda [備考] 理論式の導出と実験結果に対する理論的考察 [DOI] [4]. Prediction of half-metallic gap formation and Fermi level position in Co-based Heusler alloy epitaxial thin films through anisotropic magnetoresistance effect Physical Review Materials 6/ 064411-1-10 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Varun K. Kushwaha, S. Kokado, S. Kasai, Y. Miura, T. Nakatani, R. Kumara, H. Tajiri, T. Furubayashi, K. Hono, and Y. Sakuraba [備考] 理論式の導出と実験結果に対する理論的考察 [DOI] [5]. Theoretical Study on Anisotropic Magnetoresistance Effects of Arbitrary Directions of Current and Magnetization for Ferromagnets: Application to Transverse Anisotropic Magnetoresistance Effect JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 91/4 044701-1-044701-12 (2022年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Satoshi Kokado, Masakiyo Tsunoda [備考] テーマ設定、理論構築、計算、考察、論文執筆 [DOI]
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[1]. スピントロニクスハンドブック (株)エヌ・ティー・エス (2023年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 分担執筆 [著者]古門聡士 [担当範囲] 第4章「磁気輸送現象」の第1節「異方性磁気抵抗効果」を執筆。
[2]. 量子力学入門-物質科学の基礎-(改訂版) (株)学術図書出版社 (2010年) [著書の別]著書(教育) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]浅田寿生,星野敏春,藤間信久,田村了,古門聡士 [備考] 共著担当箇所(第5章 74-95, 付録B 146-150) [3]. 量子力学入門-物質科学の基礎-(改訂版) 学術図書出版社 (2008年) [著書の別]著書(研究) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]星野敏春,浅田寿生,藤間信久,田村了,古門聡士 [備考] 共著担当箇所(第5章81-105, 157,158,164-169) [4]. 物理学実験「物理・化学実験」テキスト 学術図書出版社 (2008年) [著書の別]著書(研究) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]星野敏春,中島伸治,岡部拓也,田村了,古門聡士 [備考] 共著担当箇所(第9章77-93) [5]. 物理・化学実験テキスト 物理実験の部 (共著) 静岡大学工学部共通講座物理 (2007年) [著書の別]著書(研究) [単著・共著・編著等の別] 共著 [著者]星野敏春,中島伸治,岡部拓也,田村了,古門聡士 [備考] 共著担当箇所(第9章 超伝導)
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[1]. Theoretical study on in-plane, out-of-plane, and transverse anisotropic magnetoresistance effects for ferromagnetic films 14th International Advances in Applied Physics & Materials Science Congress & Exhibition (2024年10月11日) 招待講演 [発表者]Satoshi Kokado, Makiyo Tsunoda [備考] Oludeniz, Mugla, Turkey [2]. Investigations of Sign and Magnitude of Anisotropic Magnetoresistance in Co-based Heusler Alloys Exhibiting Half-Metallic Ferromagnetism 15th International Conference on Materials and Manufacturing Technologies (2024年3月23日) 招待講演以外 [発表者]Takahiro Tanaka, Takahide Kubota, Satoshi Kokado and Rie Y. Umetsu [備考] Nha Trang, Vietnam ベトナム / Research Forum on Heusler Alloys [3]. (001)及び(110)配向したFe4N エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性 Magneto-Transport Properties of (001) and (110) Oriented Epitaxial Fe4N Thin Films (2024年3月22日) 招待講演以外 [発表者]佐藤崇哉,古門聡士,大兼幹彦,角田匡清 [備考] 東京都市大学世田谷キャンパス/応用物理学会 [4]. Theoretical Study on In-Plane, Out-of-Plane, and Transverse Anisotropic Magnetoresistance Effects for Ferromagnetic Films International Experts Summit on Condensed Matter Physics and Materials 2023 (2023年10月13日) 招待講演 [発表者]Satoshi Kokado, Masakiyo Tsunoda [備考] 開催場所:アラブ首長国連邦・ドバイ,主催団体:MEGHAZ MEETINGS [5]. Theoretical Study on Anisotropic Magnetoresistance Effects for Ferromagnets: Crystal Field Model American University of Sharjah物理学科でのセミナー講演 (2023年10月12日) 招待講演 [発表者]Satoshi Kokado, Masakiyo Tsunoda [備考] Department of Physics, American University of Sharjah, Dubai, United Arab Emirates / Prof. Mehmet Egilmez
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[1]. 国内共同研究 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究「軽元素を含む逆ペロブスカイト型金属材料の開発とスピントロニク実用素子の作製」 分担 ( 2022年4月 ~ 2025年3月 ) [相手先] 東北大学 [2]. 国内共同研究 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究「2p軽元素を含む遷移金属化合物薄膜のスピン輸送機構解明と高効率磁化反転素子の開発」 分担 ( 2019年4月 ~ 2022年3月 ) [相手先] 東北大学 [3]. 企業等からの受託研究 異方性磁気抵抗効果を含むスピン依存電気伝導の理論的研究 分担 ( 2018年6月 ~ 2023年3月 ) [相手先] 株式会社豊田中央研究所 [4]. 国内共同研究 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究「強誘電体障壁を有するFe4N基トンネル接合素子の開発」 分担 ( 2014年4月 ~ 2017年3月 ) [相手先] 東北大学 [5]. 国内共同研究 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究「負のスピン分極材料を用いたスピントロニクスデバイス」 分担 ( 2010年4月 ~ 2013年3月 ) [相手先] 東北大学
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[1]. 量子系ワイヤレス給電に向けたスピン・分子回転・分子振動-電気伝導変換の理論研究 ( 2024年4月 ~ 2027年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [2]. 高効率スピン軌道トルク磁化反転を実現する高スピン分極異常ホール効果材料の開発 ( 2024年4月 ~ 2027年3月 ) 基盤研究(B) 分担 [3]. ナノサイズ高感度磁気再生素子を実現するCPP-AMR単結晶薄膜材料の開発 ( 2020年4月 ~ 2023年3月 ) 基盤研究(B) 分担 [4]. 超高周波ワイヤレス給電に向けたスピンを介した分子運動-電気伝導変換の理論的研究 ( 2019年4月 ~ 2025年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [5]. 自己発電型ナノマシンに向けたスピンを介した電力-動力間変換に関する理論的研究(採択, 研究代表, 期間2016年度-2018年度) ( 2016年10月 ~ 2019年3月 ) 基盤研究(C) 代表
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[1]. オーストラリア・ウロンゴン大学での招待講演 (2016年11月 - 2016年11月 ) [提供機関] 静岡大学工学部 [制度名] 工学部長裁量経費(国際会議招待講演の旅費支援) [2]. 強誘電体障壁を有するFe4N基トンネル接合素子の開発 (2014年4月 - 2018年3月 ) [提供機関] 東北大学電気通信研究所 [制度名] 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 [3]. 負のスピン分極材料を用いたスピントロニクスデバイスの研究 (2010年4月 - 2013年3月 ) [提供機関] 東北大学電気通信研究所 [制度名] 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 [4]. 電子スピンー核スピン結合を利用したー原子多値メモリの創製 (2005年4月 - 2006年3月 ) [提供機関] 静岡大学 [制度名] 学長裁量経費:平成17年度重点配分経費(競争的配分経費(H)) |
[1]. 2020年日本物理学会論文賞 Anisotropic Magnetoresistance Effects in Fe, Co, Ni, Fe4N, and Half-Metallic Ferromagnet: A Systematic Analysis (2020年1月) [受賞者] 古門聡士, 角田匡清, 針谷喜久雄, 佐久間昭正 [授与機関] 日本物理学会 [備考] 日本物理学会論文賞のページ:https://www.jps.or.jp/activities/awards/ronbunsyo/ronbun25-2020.php
受賞論文:S. Kokado et al., J. Phys. Soc. Jpn. 81, 024705 (2012). [2]. 平成29年度科学研究費助成事業(科研費)審査委員表彰 (2017年9月) [受賞者] 古門聡士 [授与機関] 日本学術振興会 [備考] https://www.jsps.go.jp/j-grantsinaid/26_hyosho/index.html [3]. 日本応用磁気学会優秀講演賞 窒化鉄Fe4Nのスピン偏極伝導の理論的解析 (2005年11月) [受賞者] 古門聡士 [授与機関] 日本応用磁気学会(日本磁気学会に改名) |
[1]. Ferromagnetic Tunnel Junction Element Exhibiting High Magnetoresistivity at Finite Voltage and Tunnel Magnetoresistive Head Provided Therewith, Magnetic Head Slider, and Magnetic Disk Drive (2002年1月10日) [特許番号] 6804090 [備考] United States Patent (October 12, 2004)
出願時の所属 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
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