静岡大学：教員データベース - 小野行徳（ONO Yukinori）

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野行徳（ONO Yukinori）

論文　等

【論文　等】
[1]. Drag of electron–hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature Applied Physics Express 17/ 064003_1-5 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Nabil Ahmed, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono [DOI] [2]. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces Communications Physics 6/1 - 316 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono [DOI] [3]. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S RSC Advances 13/17 11525-11529 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, and Choji Fukuhara [DOI] [4]. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit Communications Physics 6/1 - 19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito [DOI] [5]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI] [6]. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Applied Physics Express 14/10 104003-1-4 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI] [7]. Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors Applied Physics Letters 118/26 263504_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] M. Hori, Y. Ono [DOI] [8]. Characteristics of Si Single-Electron Transistor under Illumination ECS Transactions 92/4 7-56 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Y. Takahashi, M. Shinohara, A. T-Fukuchi, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa [9]. Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors App.Phys.Express 12/8 085004_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Adnan Afiff, Arup Samanta, Arief Udhiarto, Harry Sudibyo, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe, Daniel Moraru [DOI] [10]. Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors Phys. Rev. Applied 11/6 064064-1-12 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] M. Hori, Y. Ono [DOI] [11]. Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes Appl. Phys. Lett. 114/24 243502-1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] G. Prabhudesai, M. Muruganathan, L. T. Anh, H. Mizuta, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, D. Moraru [DOI] [12]. Electron Aspirator using Elecron-electron Scattering in Nanoscale Silicon Nature communications 9/ 4813_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI] [13]. Detection of single holes generated by impact ionization in silicon Applied Physics Letters 113/16 163103_1-5 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI] [14]. Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method Proceedings of 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) / 1-4 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono [DOI] [15]. Construction of KAGRA: an underground gravitational-wave observatory Progress of Theoretical and Experimental Physics 2018/1 - （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] T. Akutsu, Y. Ono et al., [DOI] [16]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Proccess for SiO2/Si Interface Analysis QiR:2017 15th Intl. Conf. QiR: Intl. Symp. Elec. and Com. Eng. (vol)/(num) 52-56 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]M.Hori [共著者]T.Watanabe,Y,Ono [17]. Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors Appl.Phys.Lett. 110/9 093107_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]A.Samanta,M.Muruganathan,M.Hori,Y.Ono,H.Mizuta,M.Tabe,D.Moraru [DOI] [18]. EDMR on recombination process in silicon MOSFETs at room temperature Springer Advances in intelligent system and computing 519/ 89- 93 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Hori [共著者]Y.Ono [備考] IA Proceedings [DOI] [19]. Manipulation of single charges using dopant atoms in silicon – Interplay with intervalley phonon emission – Springer Advances in intelligent system and computing 519/ 137-141 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y.Ono [共著者]M.Hori,G.P.Lansbergen,A.Fujiwara [備考] IA Proceedings [DOI] [20]. Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Appl. Phys. Express 10/1 015701_1-4 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Hori [共著者]T.Tsuchiya,Y.Ono [DOI] [21]. Time-domain charge pumping on silicon-on-indulator MOS devices Jpn. J. Appl. Phys 56/1 011303_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y.Ono [共著者]T.Watanabe,M.Hori,T.Tsuchiya,A.Fujiwara,Y.Ono [DOI] [22]. Fabrication and single-electron-transfer operation of a triple-dot single-electron transistor J. Appl. Phys. 118/21 214305-1-6 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Jo [共著者]M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi [DOI] [23]. Evaluation of accuracy of charge pumping current in time domain IEICE Trans. Electron. E98-C/5 390-394 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]T. Watanebe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI] [24]. Electrical activation and electron spin resonance measurements of arsenic implanted in silicon Appl. Phys. Lett. 106/14 142105_1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI] [25]. Direct observation of electron emission and recombination processes by time domain measurements of charge pumping current Appl. Phys. Lett. 106/4 041603_1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI] [26]. Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method Jpn. J. Appl. Phys. 54/ 04DC01-1-7 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Tsuchiya [共著者]T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI] [27]. Analysis of electron capture process in charge pumping sequence using time domain measurements Appl. Phys. Lett. 105/26 261602_1-4- （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI] [28]. Single-electron thermal noise Nanotechnology 25/27 275201-1-7 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者] K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara [DOI] [29]. Electron spin resonance study on pure single crystalline sapphire Phys. Status Solidi C 10/12 1681- 1683 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, S. Moriwaki [DOI] [30]. Electron and hole mobilities at a Si/SiO 2 interface with giant valley splitting Appl. Phys. Lett. 102/19 191603-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Niida [共著者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama [DOI] [31]. Reduction of threshold voltage fluctuation in field-effect transistors by controlling individual dopant position Appl. Phys. Lett. 101/10 013503_1-3- （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Hori [共著者]M. Hori,K. Taira,A. Komatsubara,K. Kumagai,Y. Ono,T.Tanii,T.Endoh,T.Shinada [DOI] [32]. Donor-based single electron pumps with tunable donor binding energy Nano Letetrs 12/2 763-768 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]G.P.Lansbergen [共著者]G.P.Lansbergen,Y.Ono,A.Fujiwara [DOI] [33]. Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers Optics Express 19/25 25255-25262 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Sumikura [共著者]H. Sumikura,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,M. Notomi [DOI] [34]. Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon Thin Solid Films, 519/24 8505-8508 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta [DOI] [35]. Impact of a few dopant positions controlled by deterministic single-ion doping on the transconductance of field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 99/6 062103_1-3- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T.Shinada [共著者]M. Hori,T. Shinada,Y. Ono,A. Komatsubara,K. Kumagai [DOI] [36]. Electrical measurements of terphenyl-based molecular devices Jpn. J. Appl. Phys 50/7 071603-1-6 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Goto [共著者]T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu [DOI] [37]. Carrier transport in indium-doped p-channel silicon-on-insulator transistors doped with indium between 30 and 285 K J. Appl. Phys. 110/19 014512-1-6 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,J. Noborisaka,G. P. Lansbergen,A. Fujiwara [DOI] [38]. Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs Appl. Phys. Lett. 98/19 193502-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara [DOI] [39]. Enhancing secondary electron detection efficiency by applying a substrate bias voltage for deterministic single-ion Doping Appl. Phys. Express 4/4 046501_1-2 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Shinada [共著者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, A. Komatsubara, Y. Ono, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari [DOI] [40]. Si Nanodot device fabricated by thermal oxidation and their applications Key Engineering Materials 470/3 175-183 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,M. Jo,T. Kaizawa,Y. Kato,M. Arita,A. Fujiwara ,Y. Ono,H. Inokawa,J.-B. Choi [DOI] [41]. Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 98/3 033503-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]J. Noborisaka [共著者]J. Noborisaka,K. Nishiguchi,Y. Ono,H. Kageshima,A. Fujiwara: [DOI] [42]. Separately contacted monocrystalline silicon double-layer structure with an amorphous silicon dioxide barrier made by wafer bonding Semicond. Sci. Technol. 25/12 125001-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Omi, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki [DOI] [43]. Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer Phys. Rev. B 82/3 033303-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Miyamoto [共著者]S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara [DOI] [44]. Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment Phys. Rev. Lett 105/1 016803-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]M. Tabe,D. Moraru,M. Ligowski,M. Anwar,R. Jablonski,Y. Ono,T. Mizuno [DOI] [45]. Tunneling spectroscopy of electron subbands in thin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 96/11 112102-1-3 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]J. Noborisaka [共著者]J. Noborisaka,K. Nishiguchi,H. Kageshima,Y. Ono,A. Fujiwara: [DOI] [46]. Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire Thin Solid Films 518/6S1 S186-S189 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Jo [共著者]M. Jo,T. Kaizawa,M. Arita,A. Fujiwara,Y. Ono,K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi [DOI] [47]. Si nanodot array device with multiple gates Material Science in Semiconductor Processing 11/5-6 175-178 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Jo [共著者]M. Jo,T. Kaizawa,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi [48]. Single-electron device with Si nanodot array and multiple input gates IEEE Trans. Nanotechnology 8/4 535-541 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Kaizawa [共著者]T. Kaizawa,M. Jo,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi [49]. Full adder operation based on Si nanodot array device with multiple inputs and outputs International Journal of Nanotechnology and Molecular Computation 1/2 58-69 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Kaizawa [共著者]T. Kaizawa,M. Jo,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi [50]. Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 94/22 223501-1-223501-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara [51]. Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures Appl. Phys. Lett. 94/14 142104-1-142104-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,T. Fujisawa,Y. Hirayama,K. Muraki [52]. Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Appl. Phys. Lett. 93/22 222103-1-222103-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Miyamoto [共著者]S. Miyamoto,K. Nishiguchi,Y. Ono,K. M. Itoh,A. Fujiwara [53]. Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor Jpn. J. Appl. Phys. 47/11 8305-8310 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,C. Koechlin,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa,H. Yamaguchi [54]. Why the long-term charge offset drift in Si single-electron tunneling transistors is much smaller (better) than in metal-based ones: Two-level fluctuator stability J. Appl. Phys. 104/3 033710-1-033710-12 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,W. H. Huber,B. Simonds,E. Hourdakis,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,H. Inokawa,M. Furlan,M. W. Keller [55]. First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si Phys. Rev. B 78/4 045307-1-045307-7 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Yabuuchi [共著者]S. Yabuuchi,H. Kageshima,Y. Ono,M. Nagase,A. Fujiwara,E. Ohta [56]. Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics Appl. Sur. Sci. 254/19 6252-6256 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Khalafalla,K. Nishiguchi,K. Takashina,A. Fujiwara,S. Horiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi [57]. A reliable method for the counting and control of single ions for single-dopant controlled devices Nanotechnology 19/34 345202-1-4 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Shinada [共著者]T. Shinada, T. Kurosawa, H. Nakayama, Y. Zhu, M. Hori [58]. Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon Jpn. J. Appl. Phys 47/6 4487-4450 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Yabuuchi [共著者]S. Yabuuchi,Y. Ono,H. Kageshima,M. Nagase,A. Fujiwara,E. Ohta [59]. A gate-defined silicon quantum dot molecule Appl. Phys. Lett. 92/22 222104-1-222104-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H. W. Liu [共著者]H. W. Liu,T. Fujisawa,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Hirayama [60]. Silicon single-charge transfer devices J. Phys. Chem. Solids 69/2-3 702-707 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,A. Fujiwara,K. Nishiguchi,Y. Takahashi,H. Inokawa [61]. Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot Phys. Rev. B 77/7 073310-1-073310-4 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H. W. Liu [共著者]H. W. Liu,T. Fujisawa,Y. Ono,H. Inokawa,A. Fujiwara,K. Takashina,Y. Hirayama [62]. Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 92/6 062105-1- 062105-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa,Y. Takahashi [63]. Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Appl. Phys. Lett. 92/4 042102-1-042102-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Fujiwara [共著者]A. Fujiwara,K. Nishiguchi,Y. Ono [64]. Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 91/26 263513-1-263513-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara [65]. Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires Phys. Rev. B 76/7 075332-1-075332-5 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,H. Ikeda,M. Tabe [66]. Anomalous resistance ridges along filling factor v= 4i Phys. Rev. Lett. 99/3 036803-1-036803-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,M. Brun,T. Ota, D,K. Maude,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,Y. Hirayama [67]. Infrared detection with silicon nano field-effect transistor Appl. Phys. Lett. 90/22 223108-1-223108-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguch [共著者]K. Nishiguch,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi [68]. Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors IEICE Trans. Electron. E-90C/5 943-948 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]W. C .Zhang [共著者]W. C .Zhang,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi,N. J. Wu [69]. Low-temperature characteristics of ambipolar SiO2/Si/SiO2 hall-bar devices Jpn. J. Appl. Phys. 46/4B 2596-2598 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,B. Gaillaed,Y. Ono,Y. Hirayama [70]. Effect of UV/Ozone treatment on nanogap electrodes for molecular devices Jpn. J. Appl. Phys. 46/4A 1731-1733 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Goto [共著者]T. Goto,H. Inokawa,M. Nagase,Y. Ono,K. Sumitomo,K. Torimitsu [71]. Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors Phys. Rev. Lett. 98/16 166601-1-166601-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]J.-F. Morizur [共著者]J.-F. Morizur,Y. Ono,H. Kageshima,H. Inokawa,H. Yamaguchi [72]. Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors Appl. Phys. Lett. 90/10 102106-1-102106-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi [73]. Mechanism of metal-semiconductor transition in electric properties of single-walled carbon nanotubes induced by low-energy electron irradiation J. Appl. Phys 101/3 034317-1-034317-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Kanzaki [共著者]K. Kanzaki,S. Suzuki,H. Inokawa,Y. Ono,A. Vijayaraghavan,Y. Kobayashi [74]. Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node IEEE Electron Device Letters 28/1 48-50 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi [75]. Charge offset stability in tunable-barrier Si single-electron tunneling devices Appl. Phys. Lett 90/3 033507-1-033507-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,B. J. Simonds,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,H. Inokawa [76]. Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K Phys. Rev. B 74/23 235317-1-235317-9 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,J.-F. Morizur,K. Nishiguchi,K. Takashina,H. Yamaguchi,K. Hiratsuka,S. Horiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi [77]. Intersubband scattering in double-gate MOSFETs IEEE Trans. Nanotechnology 5/5 430-435 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,Y. Hirayama [78]. Valley polarization in Si(100) at zero magnetic field Phys. Rev. Lett. 96/23 236801-1-236801-4 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,Y. Hirayama [79]. Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology Appl. Phys. Lett. 88/18 183101-1-183101-3 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi [80]. Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications, Jpn. J. Appl. Phys. 45/4B 3606-3608 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N. Clement [共著者]N. Clement,H. Inokawa,Y. Ono [81]. Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires Jpn. J. Appl. Phys 44/10 7717-7719 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,O. Crauste,H. Namatsu,S. Horiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,H. Inokawa [82]. Thermally induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator substrate Appl. Phys. Lett. 87/12 12195-1-12195-3 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Z. A. Burhanudin [共著者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,Y. Ishikawa,M. Tabe,Y. Ono [83]. Metal-semiconductor transition in single-wall carbon nanotubes induced by low energy electron irradiation Nano. Lett. 5/8 1585-1589 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Vijayaraghavan [共著者]A. Vijayaraghavan,K. Kanzaki,S. Suzuki,Y. Kobayashi,H. Inokawa,Y. Ono,S. Kar,P. M. Ajayan [84]. Charge-state control of phosphorus donors in a silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Jpn. J. Appl. Phys. 44/4B 2588-2591 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Nishiguchi,H. Inokawa,S. Horiguchi,Y. Takahashi [85]. Manipulation and detection of single electrons for future information processing J. Appl. Phys 97/03 031101-1-031101-19 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,A. Fujiwara,K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi [86]. Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices J. Appl. Phys 96/9 5254-5266 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,E. Hourdakis,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi [87]. Multilfunctional Boolean logic using single-electron transistors IEICE Trans. Electrons E87-C/11 1809-1817 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi [88]. Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor Jpn. J. Appl. Phys 43/10 6863-6867 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.- J. Kim [共著者]S.- J. Kim,Y. Ono,Y. Takahashi,J. B. Choi [89]. Multilevel memory using an electrically formed single-electron box Appl. Phys. Lett 85/7 1277-1279 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi [90]. Current quantization due to single-electron transfer in Si-wire charge coupled devices Appl. Phys. Lett. 84/8 1323-1325 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Fujiwara [共著者]A. Fujiwara,N. M. Zimmerman,Y. Ono,Y. Takahashi [91]. Multilevel memory using single-electron turnstile Electronics Letters 44/4 229-230 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi [92]. Automatic control of oscillation phase of a single-electron transistor Electron Devices Letters 25/1 31-33 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi [93]. Influence of oxidation temperature on Si single-electron transistor characteristics J. Vac. Sci. Technol. B21/6 2869-2873 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H. Namatsu [共著者]H. Namatsu,Y. Watanabe,K. Yamazaki,T. Yamaguchi,M. Nagase,Y. Ono,A. Fujiwara,S. Horiguchi [94]. Turnstile operation using a silicon dual-gate single-electron transistor Jpn. J. Appl. Phys. 42/10A L1109-L1111 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,N. M. Zimmerman,K, Yamazaki,Y. Takahashi [95]. Development of silicon single-electron devices Physica E. 19/1-2 95- 101 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa [96]. Ultimately thin double-gate SOI MOSFETs IEEE Trans. Electron devices 50/3 830-838 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Ernst [共著者]T. Ernst,S. Cristoloveanu,G. Ghibaudo,T. Ouisse,S. Horiguchi,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase [97]. Electron pump by a combined single-electron/field-effect transistor structure Appl. Phys. Lett 82/8 1221-1223 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi [98]. Fabrication of Si single-electron transistors with precise dimensions using electron-beam nanolithography J. Vac. Sci. Technol B21/1 1-5 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H. Namatsu [共著者]H. Namatsu,Y. Watanabe,K. Yamazaki,T. Yamaguchi,M. Nagase,Y. Ono,A. Fujiwara,S. Horiguchi [99]. Fabrication of single-electron transistors and circuits using SOIs Solid-State Electronics 46/11 1723-1727 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,M. Nagase,S. Horiguchi,K. Shiraishi,Y. Takahashi [100]. Silicon single-electron devices J. of Phys.; Condens. Matter 14/39 R995-R1033 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa [101]. Binary adder of single-electron transistors: Specific design using pass-transistor logic IEEE Trans. Nanotechnology 1/2 93-99 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi [102]. Single-electron devices formed by pattern-dependent oxidation: microscopic structural evaluation Applied Surface Science 190/1-4 144-150 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Nagase [共著者]M. Nagase,S. Horiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,K. Yamazaki,H. Namatsu,Y. Takahashi [103]. Observation and circuit application of negative differential conductance in Si single-electron transistors Jpn. J. Appl. Phys. 41/4B 2569-2573 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi [104]. Thermal agglomeration of single-crystalline Si layer on buried SiO2 in ultrahigh vacuum J. Vac. Sci. Technol B20/1 167-172 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]R. Nuryadi [共著者]R. Nuryadi,Y. Ishikawa,Y. Ono,M. Tabe [105]. Single-electron and quantum SOI devices Microelectronic Engineering 59/1-4 435-442 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,M. Nagase,S. Horiguchi,K. Shiraishi,Y. Takahashi [106]. Si single-electron transistors with high voltage gain IEICE Trans. Electron E84-C/8 1061-1065 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,Y. Takahashi [107]. Si complementary single-electron inverter with voltage gain Appl. Phys. Lett 76/21 3121-3123 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase [108]. Single-electron transistors and current-switching devices fabricated by Vertical Pattern-Dependent Oxidation Jpn. J. Appl. Phys. 39/4B 2325-2328 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase [109]. Fabrication method for IC-oriented Si single-electron transistors IEEE Trans. on Electron Devices 47/1 147- 153 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase [110]. Investigation of SOI MOSFETs with ultimate thickness Microelectronics Engineering 48/1-4 339-342 （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Ernst [共著者]T. Ernst,D. Munteanua,S. Cristoloveanua,T. Ouissea,S. Horiguchib,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase [111]. Subband structure and anomalous valley splitting in ultra-thin silicon-on-insulator MOSFETs Physca B 249/251 731-734 （1998年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T. Ouisse [共著者]T. Ouisse,D. Maude,S. Horiguchi,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase,S. Cristoloveanu [112]. Electron tunneling from the edge of thin single-crystal Si layers through SiO2 film J. Appl. Phys 80/8 4450-4457 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,S. Horiguchi,K. Murase,M. Tabe [113]. Thermal agglomeration of thin single crystal Si on SiO2 in vacuum Jpn. J. Appl. Phys. 34/4 1728-1735 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Nagase,M. Tabe,Y. Takahashi [114]. Photoluminescence from a silicon quantum well formed on separation by implanted oxygen substrate Jpn. J. Appl. Phys. 34/2B 950-954 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,T. Furuta,Y. Ono,T. Ishiyama,M. Tabe [115]. Origin of dark regions in scanning tunneling microscopy images formed by thermal oxidation of Si(111) surface Jpn. J. Appl. Phys 33/7A 4070-4074 （1994年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H. Kageshima [共著者]H. Kageshima,Y. Ono,M. Tabe,T. Ohno [116]. Scanning-tunneling-microscopy observation of thermal oxide growth on Si(111)7x7 surfaces Phys. Rev. B 48/19 14291-14300 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,H. Kageshima [117]. Scanning-tunneling-microscopy observation of thermal oxide growth on Si(111)7x7 surfaces Phys. Rev. B 48/19 14291-14300 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,H. Kageshima [118]. Segregation and defect termination of fluorine at SiO2/Si interfaces Appl. Phys. Lett. 62/4 375-377 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,Y. Sakakibara [119]. Influence of effective masses on the oscillation of Fowler-Nordheim tunneling in thin SiO2 MOS capacitors Jpn. J. Appl. Phys 29/11 2381-2385 （1990年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,T. Makino

[1]. Drag of electron–hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature
Applied Physics Express 17/ 064003_1-5 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Nabil Ahmed, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono [DOI]
[2]. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces
Communications Physics 6/1 - 316 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono [DOI]
[3]. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S
RSC Advances 13/17 11525-11529 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, and Choji Fukuhara [DOI]
[4]. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit
Communications Physics 6/1 - 19 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito [DOI]
[5]. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors
Applied Physics Express 15/6 065003_1-4 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru [DOI]
[6]. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Applied Physics Express 14/10 104003-1-4 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
[7]. Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors
Applied Physics Letters 118/26 263504_1-6 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Hori, Y. Ono [DOI]
[8]. Characteristics of Si Single-Electron Transistor under Illumination
ECS Transactions 92/4 7-56 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Y. Takahashi, M. Shinohara, A. T-Fukuchi, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa
[9]. Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors
App.Phys.Express 12/8 085004_1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Adnan Afiff, Arup Samanta, Arief Udhiarto, Harry Sudibyo, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe, Daniel Moraru [DOI]
[10]. Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors
Phys. Rev. Applied 11/6 064064-1-12 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Hori, Y. Ono [DOI]
[11]. Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes
Appl. Phys. Lett. 114/24 243502-1-5 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] G. Prabhudesai, M. Muruganathan, L. T. Anh, H. Mizuta, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, D. Moraru [DOI]
[12]. Electron Aspirator using Elecron-electron Scattering in Nanoscale Silicon
Nature communications 9/ 4813_1-8 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
[13]. Detection of single holes generated by impact ionization in silicon
Applied Physics Letters 113/16 163103_1-5 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, and Y. Ono [DOI]
[14]. Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method
Proceedings of 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) / 1-4 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono [DOI]
[15]. Construction of KAGRA: an underground gravitational-wave observatory
Progress of Theoretical and Experimental Physics 2018/1 - （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] T. Akutsu, Y. Ono et al., [DOI]
[16]. Real-time Monitoring of Charge-pumping Proccess for SiO2/Si Interface Analysis
QiR:2017 15th Intl. Conf. QiR: Intl. Symp. Elec. and Com. Eng. (vol)/(num) 52-56 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M.Hori [共著者]T.Watanabe,Y,Ono
[17]. Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors
Appl.Phys.Lett. 110/9 093107_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]A.Samanta,M.Muruganathan,M.Hori,Y.Ono,H.Mizuta,M.Tabe,D.Moraru [DOI]
[18]. EDMR on recombination process in silicon MOSFETs at room temperature
Springer Advances in intelligent system and computing 519/ 89- 93 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Hori [共著者]Y.Ono [備考] IA Proceedings
[DOI]
[19]. Manipulation of single charges using dopant atoms in silicon – Interplay with intervalley phonon emission –
Springer Advances in intelligent system and computing 519/ 137-141 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y.Ono [共著者]M.Hori,G.P.Lansbergen,A.Fujiwara [備考] IA Proceedings
[DOI]
[20]. Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Appl. Phys. Express 10/1 015701_1-4 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Hori [共著者]T.Tsuchiya,Y.Ono [DOI]
[21]. Time-domain charge pumping on silicon-on-indulator MOS devices
Jpn. J. Appl. Phys 56/1 011303_1-5 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y.Ono [共著者]T.Watanabe,M.Hori,T.Tsuchiya,A.Fujiwara,Y.Ono [DOI]
[22]. Fabrication and single-electron-transfer operation of a triple-dot single-electron transistor
J. Appl. Phys. 118/21 214305-1-6 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Jo [共著者]M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi [DOI]
[23]. Evaluation of accuracy of charge pumping current in time domain
IEICE Trans. Electron. E98-C/5 390-394 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]T. Watanebe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI]
[24]. Electrical activation and electron spin resonance measurements of arsenic implanted in silicon
Appl. Phys. Lett. 106/14 142105_1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono [DOI]
[25]. Direct observation of electron emission and recombination processes by time domain measurements of charge pumping current
Appl. Phys. Lett. 106/4 041603_1-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI]
[26]. Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method
Jpn. J. Appl. Phys. 54/ 04DC01-1-7 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Tsuchiya [共著者]T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI]
[27]. Analysis of electron capture process in charge pumping sequence using time domain measurements
Appl. Phys. Lett. 105/26 261602_1-4- （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Hori [共著者]M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono [DOI]
[28]. Single-electron thermal noise
Nanotechnology 25/27 275201-1-7 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者] K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara [DOI]
[29]. Electron spin resonance study on pure single crystalline sapphire
Phys. Status Solidi C 10/12 1681- 1683 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, S. Moriwaki [DOI]
[30]. Electron and hole mobilities at a Si/SiO 2 interface with giant valley splitting
Appl. Phys. Lett. 102/19 191603-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Niida [共著者]Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama [DOI]
[31]. Reduction of threshold voltage fluctuation in field-effect transistors by controlling individual dopant position
Appl. Phys. Lett. 101/10 013503_1-3- （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Hori [共著者]M. Hori,K. Taira,A. Komatsubara,K. Kumagai,Y. Ono,T.Tanii,T.Endoh,T.Shinada [DOI]
[32]. Donor-based single electron pumps with tunable donor binding energy
Nano Letetrs 12/2 763-768 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]G.P.Lansbergen [共著者]G.P.Lansbergen,Y.Ono,A.Fujiwara [DOI]
[33]. Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers
Optics Express 19/25 25255-25262 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Sumikura [共著者]H. Sumikura,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,M. Notomi [DOI]
[34]. Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon
Thin Solid Films, 519/24 8505-8508 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta [DOI]
[35]. Impact of a few dopant positions controlled by deterministic single-ion doping on the transconductance of field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 99/6 062103_1-3- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Shinada [共著者]M. Hori,T. Shinada,Y. Ono,A. Komatsubara,K. Kumagai [DOI]
[36]. Electrical measurements of terphenyl-based molecular devices
Jpn. J. Appl. Phys 50/7 071603-1-6 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Goto [共著者]T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu [DOI]
[37]. Carrier transport in indium-doped p-channel silicon-on-insulator transistors doped with indium between 30 and 285 K
J. Appl. Phys. 110/19 014512-1-6 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,J. Noborisaka,G. P. Lansbergen,A. Fujiwara [DOI]
[38]. Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs
Appl. Phys. Lett. 98/19 193502-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara [DOI]
[39]. Enhancing secondary electron detection efficiency by applying a substrate bias voltage for deterministic single-ion Doping
Appl. Phys. Express 4/4 046501_1-2 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Shinada [共著者]M. Hori, T. Shinada, K. Taira, A. Komatsubara, Y. Ono, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari [DOI]
[40]. Si Nanodot device fabricated by thermal oxidation and their applications
Key Engineering Materials 470/3 175-183 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,M. Jo,T. Kaizawa,Y. Kato,M. Arita,A. Fujiwara ,Y. Ono,H. Inokawa,J.-B. Choi [DOI]
[41]. Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 98/3 033503-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J. Noborisaka [共著者]J. Noborisaka,K. Nishiguchi,Y. Ono,H. Kageshima,A. Fujiwara: [DOI]
[42]. Separately contacted monocrystalline silicon double-layer structure with an amorphous silicon dioxide barrier made by wafer bonding
Semicond. Sci. Technol. 25/12 125001-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Omi, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki [DOI]
[43]. Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer
Phys. Rev. B 82/3 033303-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Miyamoto [共著者]S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara [DOI]
[44]. Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment
Phys. Rev. Lett 105/1 016803-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]M. Tabe,D. Moraru,M. Ligowski,M. Anwar,R. Jablonski,Y. Ono,T. Mizuno [DOI]
[45]. Tunneling spectroscopy of electron subbands in thin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 96/11 112102-1-3 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J. Noborisaka [共著者]J. Noborisaka,K. Nishiguchi,H. Kageshima,Y. Ono,A. Fujiwara: [DOI]
[46]. Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
Thin Solid Films 518/6S1 S186-S189 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Jo [共著者]M. Jo,T. Kaizawa,M. Arita,A. Fujiwara,Y. Ono,K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi [DOI]
[47]. Si nanodot array device with multiple gates
Material Science in Semiconductor Processing 11/5-6 175-178 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Jo [共著者]M. Jo,T. Kaizawa,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi
[48]. Single-electron device with Si nanodot array and multiple input gates
IEEE Trans. Nanotechnology 8/4 535-541 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Kaizawa [共著者]T. Kaizawa,M. Jo,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi
[49]. Full adder operation based on Si nanodot array device with multiple inputs and outputs
International Journal of Nanotechnology and Molecular Computation 1/2 58-69 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Kaizawa [共著者]T. Kaizawa,M. Jo,M. Arita,A. Fujiwara,K. Yamazaki,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi,J.-B. Choi
[50]. Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 94/22 223501-1-223501-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara
[51]. Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures
Appl. Phys. Lett. 94/14 142104-1-142104-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,T. Fujisawa,Y. Hirayama,K. Muraki
[52]. Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Appl. Phys. Lett. 93/22 222103-1-222103-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Miyamoto [共著者]S. Miyamoto,K. Nishiguchi,Y. Ono,K. M. Itoh,A. Fujiwara
[53]. Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor
Jpn. J. Appl. Phys. 47/11 8305-8310 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,C. Koechlin,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa,H. Yamaguchi
[54]. Why the long-term charge offset drift in Si single-electron tunneling transistors is much smaller (better) than in metal-based ones: Two-level fluctuator stability
J. Appl. Phys. 104/3 033710-1-033710-12 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,W. H. Huber,B. Simonds,E. Hourdakis,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,H. Inokawa,M. Furlan,M. W. Keller
[55]. First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si
Phys. Rev. B 78/4 045307-1-045307-7 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Yabuuchi [共著者]S. Yabuuchi,H. Kageshima,Y. Ono,M. Nagase,A. Fujiwara,E. Ohta
[56]. Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics
Appl. Sur. Sci. 254/19 6252-6256 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Khalafalla,K. Nishiguchi,K. Takashina,A. Fujiwara,S. Horiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi
[57]. A reliable method for the counting and control of single ions for single-dopant controlled devices
Nanotechnology 19/34 345202-1-4 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Shinada [共著者]T. Shinada, T. Kurosawa, H. Nakayama, Y. Zhu, M. Hori
[58]. Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon
Jpn. J. Appl. Phys 47/6 4487-4450 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Yabuuchi [共著者]S. Yabuuchi,Y. Ono,H. Kageshima,M. Nagase,A. Fujiwara,E. Ohta
[59]. A gate-defined silicon quantum dot molecule
Appl. Phys. Lett. 92/22 222104-1-222104-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. W. Liu [共著者]H. W. Liu,T. Fujisawa,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Hirayama
[60]. Silicon single-charge transfer devices
J. Phys. Chem. Solids 69/2-3 702-707 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,A. Fujiwara,K. Nishiguchi,Y. Takahashi,H. Inokawa
[61]. Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot
Phys. Rev. B 77/7 073310-1-073310-4 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. W. Liu [共著者]H. W. Liu,T. Fujisawa,Y. Ono,H. Inokawa,A. Fujiwara,K. Takashina,Y. Hirayama
[62]. Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 92/6 062105-1- 062105-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa,Y. Takahashi
[63]. Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Appl. Phys. Lett. 92/4 042102-1-042102-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Fujiwara [共著者]A. Fujiwara,K. Nishiguchi,Y. Ono
[64]. Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 91/26 263513-1-263513-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. A. H. Khalafalla [共著者]M. A. H. Khalafalla,Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara
[65]. Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires
Phys. Rev. B 76/7 075332-1-075332-5 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,H. Ikeda,M. Tabe
[66]. Anomalous resistance ridges along filling factor v= 4i
Phys. Rev. Lett. 99/3 036803-1-036803-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,M. Brun,T. Ota, D,K. Maude,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,Y. Hirayama
[67]. Infrared detection with silicon nano field-effect transistor
Appl. Phys. Lett. 90/22 223108-1-223108-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguch [共著者]K. Nishiguch,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi
[68]. Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
IEICE Trans. Electron. E-90C/5 943-948 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]W. C .Zhang [共著者]W. C .Zhang,K. Nishiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi,N. J. Wu
[69]. Low-temperature characteristics of ambipolar SiO2/Si/SiO2 hall-bar devices
Jpn. J. Appl. Phys. 46/4B 2596-2598 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina,B. Gaillaed,Y. Ono,Y. Hirayama
[70]. Effect of UV/Ozone treatment on nanogap electrodes for molecular devices
Jpn. J. Appl. Phys. 46/4A 1731-1733 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Goto [共著者]T. Goto,H. Inokawa,M. Nagase,Y. Ono,K. Sumitomo,K. Torimitsu
[71]. Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors
Phys. Rev. Lett. 98/16 166601-1-166601-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J.-F. Morizur [共著者]J.-F. Morizur,Y. Ono,H. Kageshima,H. Inokawa,H. Yamaguchi
[72]. Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors
Appl. Phys. Lett. 90/10 102106-1-102106-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Nishiguchi,A. Fujiwara,H. Yamaguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi
[73]. Mechanism of metal-semiconductor transition in electric properties of single-walled carbon nanotubes induced by low-energy electron irradiation
J. Appl. Phys 101/3 034317-1-034317-4 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Kanzaki [共著者]K. Kanzaki,S. Suzuki,H. Inokawa,Y. Ono,A. Vijayaraghavan,Y. Kobayashi
[74]. Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node
IEEE Electron Device Letters 28/1 48-50 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi
[75]. Charge offset stability in tunable-barrier Si single-electron tunneling devices
Appl. Phys. Lett 90/3 033507-1-033507-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,B. J. Simonds,A. Fujiwara,Y. Ono,Y. Takahashi,H. Inokawa
[76]. Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K
Phys. Rev. B 74/23 235317-1-235317-9 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,J.-F. Morizur,K. Nishiguchi,K. Takashina,H. Yamaguchi,K. Hiratsuka,S. Horiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi
[77]. Intersubband scattering in double-gate MOSFETs
IEEE Trans. Nanotechnology 5/5 430-435 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,Y. Hirayama
[78]. Valley polarization in Si(100) at zero magnetic field
Phys. Rev. Lett. 96/23 236801-1-236801-4 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Takashina [共著者]K. Takashina, Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,Y. Hirayama
[79]. Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology
Appl. Phys. Lett. 88/18 183101-1-183101-3 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi
[80]. Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications,
Jpn. J. Appl. Phys. 45/4B 3606-3608 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N. Clement [共著者]N. Clement,H. Inokawa,Y. Ono
[81]. Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires
Jpn. J. Appl. Phys 44/10 7717-7719 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,O. Crauste,H. Namatsu,S. Horiguchi,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi,H. Inokawa
[82]. Thermally induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator substrate
Appl. Phys. Lett. 87/12 12195-1-12195-3 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. A. Burhanudin [共著者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,Y. Ishikawa,M. Tabe,Y. Ono
[83]. Metal-semiconductor transition in single-wall carbon nanotubes induced by low energy electron irradiation
Nano. Lett. 5/8 1585-1589 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Vijayaraghavan [共著者]A. Vijayaraghavan,K. Kanzaki,S. Suzuki,Y. Kobayashi,H. Inokawa,Y. Ono,S. Kar,P. M. Ajayan
[84]. Charge-state control of phosphorus donors in a silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Jpn. J. Appl. Phys. 44/4B 2588-2591 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Nishiguchi,H. Inokawa,S. Horiguchi,Y. Takahashi
[85]. Manipulation and detection of single electrons for future information processing
J. Appl. Phys 97/03 031101-1-031101-19 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,A. Fujiwara,K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Takahashi
[86]. Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices
J. Appl. Phys 96/9 5254-5266 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N. M. Zimmerman [共著者]N. M. Zimmerman,E. Hourdakis,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi
[87]. Multilfunctional Boolean logic using single-electron transistors
IEICE Trans. Electrons E87-C/11 1809-1817 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi
[88]. Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor
Jpn. J. Appl. Phys 43/10 6863-6867 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.- J. Kim [共著者]S.- J. Kim,Y. Ono,Y. Takahashi,J. B. Choi
[89]. Multilevel memory using an electrically formed single-electron box
Appl. Phys. Lett 85/7 1277-1279 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi
[90]. Current quantization due to single-electron transfer in Si-wire charge coupled devices
Appl. Phys. Lett. 84/8 1323-1325 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Fujiwara [共著者]A. Fujiwara,N. M. Zimmerman,Y. Ono,Y. Takahashi
[91]. Multilevel memory using single-electron turnstile
Electronics Letters 44/4 229-230 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi
[92]. Automatic control of oscillation phase of a single-electron transistor
Electron Devices Letters 25/1 31-33 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Nishiguchi [共著者]K. Nishiguchi,H. Inokawa,Y. Ono,A. Fujiwara,Y. Takahashi
[93]. Influence of oxidation temperature on Si single-electron transistor characteristics
J. Vac. Sci. Technol. B21/6 2869-2873 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. Namatsu [共著者]H. Namatsu,Y. Watanabe,K. Yamazaki,T. Yamaguchi,M. Nagase,Y. Ono,A. Fujiwara,S. Horiguchi
[94]. Turnstile operation using a silicon dual-gate single-electron transistor
Jpn. J. Appl. Phys. 42/10A L1109-L1111 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,N. M. Zimmerman,K, Yamazaki,Y. Takahashi
[95]. Development of silicon single-electron devices
Physica E. 19/1-2 95- 101 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa
[96]. Ultimately thin double-gate SOI MOSFETs
IEEE Trans. Electron devices 50/3 830-838 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Ernst [共著者]T. Ernst,S. Cristoloveanu,G. Ghibaudo,T. Ouisse,S. Horiguchi,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase
[97]. Electron pump by a combined single-electron/field-effect transistor structure
Appl. Phys. Lett 82/8 1221-1223 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi
[98]. Fabrication of Si single-electron transistors with precise dimensions using electron-beam nanolithography
J. Vac. Sci. Technol B21/1 1-5 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. Namatsu [共著者]H. Namatsu,Y. Watanabe,K. Yamazaki,T. Yamaguchi,M. Nagase,Y. Ono,A. Fujiwara,S. Horiguchi
[99]. Fabrication of single-electron transistors and circuits using SOIs
Solid-State Electronics 46/11 1723-1727 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,M. Nagase,S. Horiguchi,K. Shiraishi,Y. Takahashi
[100]. Silicon single-electron devices
J. of Phys.; Condens. Matter 14/39 R995-R1033 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,Y. Ono,A. Fujiwara,H. Inokawa
[101]. Binary adder of single-electron transistors: Specific design using pass-transistor logic
IEEE Trans. Nanotechnology 1/2 93-99 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,H. Inokawa,Y. Takahashi
[102]. Single-electron devices formed by pattern-dependent oxidation: microscopic structural evaluation
Applied Surface Science 190/1-4 144-150 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Nagase [共著者]M. Nagase,S. Horiguchi,A. Fujiwara,Y. Ono,K. Yamazaki,H. Namatsu,Y. Takahashi
[103]. Observation and circuit application of negative differential conductance in Si single-electron transistors
Jpn. J. Appl. Phys. 41/4B 2569-2573 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi
[104]. Thermal agglomeration of single-crystalline Si layer on buried SiO2 in ultrahigh vacuum
J. Vac. Sci. Technol B20/1 167-172 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Nuryadi [共著者]R. Nuryadi,Y. Ishikawa,Y. Ono,M. Tabe
[105]. Single-electron and quantum SOI devices
Microelectronic Engineering 59/1-4 435-442 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,M. Nagase,S. Horiguchi,K. Shiraishi,Y. Takahashi
[106]. Si single-electron transistors with high voltage gain
IEICE Trans. Electron E84-C/8 1061-1065 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,K. Yamazaki,Y. Takahashi
[107]. Si complementary single-electron inverter with voltage gain
Appl. Phys. Lett 76/21 3121-3123 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase
[108]. Single-electron transistors and current-switching devices fabricated by Vertical Pattern-Dependent Oxidation
Jpn. J. Appl. Phys. 39/4B 2325-2328 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase
[109]. Fabrication method for IC-oriented Si single-electron transistors
IEEE Trans. on Electron Devices 47/1 147- 153 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,K. Yamazaki,M. Nagase,H. Namatsu,K. Kurihara,K. Murase
[110]. Investigation of SOI MOSFETs with ultimate thickness
Microelectronics Engineering 48/1-4 339-342 （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Ernst [共著者]T. Ernst,D. Munteanua,S. Cristoloveanua,T. Ouissea,S. Horiguchib,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase
[111]. Subband structure and anomalous valley splitting in ultra-thin silicon-on-insulator MOSFETs
Physca B 249/251 731-734 （1998年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Ouisse [共著者]T. Ouisse,D. Maude,S. Horiguchi,Y. Ono,Y. Takahashi,K. Murase,S. Cristoloveanu
[112]. Electron tunneling from the edge of thin single-crystal Si layers through SiO2 film
J. Appl. Phys 80/8 4450-4457 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,Y. Takahashi,S. Horiguchi,K. Murase,M. Tabe
[113]. Thermal agglomeration of thin single crystal Si on SiO2 in vacuum
Jpn. J. Appl. Phys. 34/4 1728-1735 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Nagase,M. Tabe,Y. Takahashi
[114]. Photoluminescence from a silicon quantum well formed on separation by implanted oxygen substrate
Jpn. J. Appl. Phys. 34/2B 950-954 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Takahashi [共著者]Y. Takahashi,T. Furuta,Y. Ono,T. Ishiyama,M. Tabe
[115]. Origin of dark regions in scanning tunneling microscopy images formed by thermal oxidation of Si(111) surface
Jpn. J. Appl. Phys 33/7A 4070-4074 （1994年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. Kageshima [共著者]H. Kageshima,Y. Ono,M. Tabe,T. Ohno
[116]. Scanning-tunneling-microscopy observation of thermal oxide growth on Si(111)7x7 surfaces
Phys. Rev. B 48/19 14291-14300 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,H. Kageshima
[117]. Scanning-tunneling-microscopy observation of thermal oxide growth on Si(111)7x7 surfaces
Phys. Rev. B 48/19 14291-14300 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,H. Kageshima
[118]. Segregation and defect termination of fluorine at SiO2/Si interfaces
Appl. Phys. Lett. 62/4 375-377 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,M. Tabe,Y. Sakakibara
[119]. Influence of effective masses on the oscillation of Fowler-Nordheim tunneling in thin SiO2 MOS capacitors
Jpn. J. Appl. Phys 29/11 2381-2385 （1990年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ono [共著者]Y. Ono,T. Makino

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野 行徳 （ONO Yukinori）

論文 等

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