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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 青木 徹 （AOKI Toru）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. フォトン・カウンティング機能を搭載した新しい組織分析型歯科用ＣＴの開発 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[2]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2021年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[3]. 超高解像度CdTe放射線デバイスを目指した新エネルギー弁別手法の研究 （ 2008年4月 ～ 2009年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表
[4]. 高エネルギー放射線集積化画像検出器の開発 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[5]. ワイドギャップ化合物半導体へのレーザードーピングプロセスの研究 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[6]. Si基板上ZnO薄膜のエピタキシャル成長と近紫外レーザ発光デバイス形成の研究 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[7]. ゾルーゲル法による超微粒子高性能蛍光体の合成 （ 1999年4月 ） 基盤研究(C) 分担

[8]. 高エネルギー放射線用集積化画像検出器の開発 （ 1999年4月 ） 基盤研究(A) 分担

[9]. ワイドギャップ半導体へのエキシマレーザードーピングの研究 （ 1999年4月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] エキシマレーザーを用いて,レーザードーピングという方法を提案した.シリコンにおいてエキシマレーザーを用いて結晶化及び高濃度ドーピングの実施例はすでにある.しかし,化合物半導体において成功した例は今までなかった.

[10]. 高エネルギ-放射線用固体画像検出器 （ 1997年4月 ） 基盤研究(A) 分担

[11]. 有機シリコンからの高品質ワイドギャップ半導体の創成 （ 1997年4月 ） 基盤研究(B) 分担