[1]. Analysis of SI Thyristors for Pulse Closing Switches
siデバイスシンポジウム論文集 7/12 51-56 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]堀内英明 [共著者]下田智之,関谷高幸,清水尚博,木村雅和
[2]. Over 55kV/s, dV/dt turn-off characteristics of 4kV Static Induction Thyristor for Pulsed Power Applications
SSID2004 / 281-284 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N.Shimizu [共著者]T.Sekiya,K.Iida,Y.Imanishi,M.Kimura,J.Nishizawa
[3]. Electric Field Analysis of SIThys at Pulsed Turn-off Actions
SIデバイスシンポジウム論文集 04/ 51-56 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N.Shimizu [共著者]T.Sekiya,M.Kimura,J.Nishizawa
[4]. Induction Thyristor on Inductive Energy Storage Type Power Supply
SIデバイスシンポジウム論文集 03/ 49-53 （2003年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N.Shimizu [共著者]T.Sekiya,T.Saitoh,M.Kimura
[5]. Static Induction Diode with Low Loss and Soft Recovery
SSID02 02/ 29-34 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J.Nishizawa [共著者]M.Kimura,K.Dezaki,T.Kikuta
[6]. A Key Advance in Power Devices –Static Induction Diode-
APAM Seoul2001 / 17 （2001年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Kimura [共著者]J.Nishizawa
[7]. Static Induction Diodes - Characteristics of Low- and Medium-Voltage Devices-
SSID01 01/ 7-14 （2001年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J.Nishizawa [共著者]M.Kimura,K.Dezaki,T.Kikuta
[8]. 静電誘導ダイオードの電流伝導機構
第12回SIデバイスシンポジウム講演論文集 99/3 13-18 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]木村 [共著者]西澤
[9]. Static Induction Diodes
PCIM98 / 41-46 （1998年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J.Nishizawa [共著者]M.Kimura
[10]. 静電誘導デバイス
電子材料 137/5 98-103 （1998年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]西澤 [共著者]木村
[11]. 静電誘導デバイス -静電誘導効果を利用したダイオード-
第11回SIデバイスシンポジウム講演論文集 98/3 13-18 （1998年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]西澤 [共著者]木村
[12]. Pulling of GaSb crystals from non-stoichiometric solution(2-11)
7th China-Japan Symposium on Science and Technology of Crystal Growth and Materials / 50-53 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[13]. Natural convection in liquid phase epitaxial growth of multicomponent crystals(K53-111)
Proc. 19th Int. Congress of Theoretical & Appl. Mechnics / 585 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[14]. Lattice compensation in LPE-grown GaAs crystals by simultaneous Te and Si doping
Journal of Crystal Growth 165/4 482-484 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[15]. Convection model for growth and dissolution of ternary alloys by LPE
Journal of Crystal Growth 167/1/2 74-86 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[16]. Liquid phase epitaxy of silicon : An experimental and numerical study
Journal of Crystal Growth 167/3-4 516-524 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[17]. Suppression of twins in GaAs layers grown on a GaP(111)B substrate by liquid phase epitaxy
Journal of Crystal Growth 169/1 181-184 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[18]. Conversion mechanism of GaAs to GaAsP on GaP substrate
Third International Wrokshop Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies / 1-4 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[19]. Rapid diffusion of V elements during conversion of GaAs to GaAsP on GaP substrate(WeA-3)
Eighth International Conferernce on Solid Films and Surfaces / 54 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[20]. GaSb crystals pulled from non-stoichiometric solution at constant temperature(G21)
15th Electronic Materials Symposium / 227-230 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[21]. Gravity effect on LPE growht of GaSb(G22)
15th Electronic Materials Symposium / 231-232 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[22]. Conversion of GaAs to GaN on GaP substrate by annealing in NH3 flow
The Tenth American Conference on Crystal Growth, in conjunction with The Ninth International Conference on Vapor Growth & Epitaxy / 71 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[23]. Gravity effect on dissolution and growth of GaSb by liquid phase epitaxy
The Tenth American Conference on Crystal Growth, in conjunction with The Ninth International Conference on Vapor Growth & Epitaxy / 46 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[24]. Diffusion mass transport in solution growth of semiconductors
Proc. First Trabzon International Energy and Environment sysposium 2/ 609-614 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[25]. Formation of zinc blende GaN using conversion technique(B2-3)
2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / 22 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[26]. LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffision Modelによる解析I
静岡大学電子工学研究所研究報告 30/2 105-118 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[27]. 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 17/ 43-48 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[28]. LPE growth of GaAs by yo-yo solute feeding method
Journal of Crystal Growth 160/3/4 229-234 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[29]. Growth of GaAsP on GaP by compositional conversion
Proceedings of International Symposium on Surfaces and Thin Films of Electronic Materials(Bull. Res. Inst. Electron. , Shizuoka University) 30/3 81-84 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[30]. Preparation of ZnSe substrate by PVD and selective etching
The Tenth American Conference on Crystal Growth, in conjunction with The Ninth International Conference on Vapor Growth & Epitaxy / 71 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[31]. Growth of GaAsP alloy layer on GaP substrate by compositional conversion technique
Reports of The Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 17/ 43-48 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[32]. A solid-liquid diffusion modlfor rowt adissolution of III-V semiconductor aloy crytals by LPEI
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 30/2 105-118 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[33]. Liquid phase epitaxy of GaAs by yo-yo solute feeding method
Proceedings of International Symposium on Surfaces and Thin Films of Electronic Materials(Bull. Res. Inst. Electron. Shizuoka University) 30/3 77-80 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[34]. A solid-liquid diffusion model for growth and dissolution of ternary alloys by liquid phase epitaxy
Journal of Crystal Growth 158/3 231-240 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[35]. Crystal growth of ZnSe thick layers
Reports of the Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 16/ 1-6 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[36]. GeSi bulk alloy growth by yo-yo solute-feeding method
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 29/2 143-150 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[37]. Experiment and simulation of liquid phase epitaxy of silicon
Canada-Japan Microgravity Workshop, Wrokshop Reports / 589-603 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[38]. Preparation of lithium niobate films by MOCVD with a lithium alkoxide source
Journal of Crystal Growth 148/ 324-326 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[39]. 厚いZnSe層の結晶成長
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 16/ 1-6 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[40]. yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長
静岡大学電子工学研究所研究報告 29/2 143-150 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[41]. Ge/GaAs連続液相エピタキシャル成長-GaAs静電誘導サイリスタの実現をめざして-
静岡大学電子工学研究所研究報告 29/1 67-72 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[42]. 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長
静岡大学電子工学研究所研究報告 28/2 93-98 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[43]. 新しいLPE法を用いたGaAs p-channel BSITの制作
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 15/ 39-46 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[44]. Fabrication of GaAs p-channel BSIT using a new LPE technique
Reports of the Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 15/ 39-46 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[45]. The solute-feeding Czochralski method for homogeneous GaInSb bulk alloy pulling
Journal of Crystal Growth 135/1-2 269-272 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[46]. Consecutive liquid phase epitaxial growth of Ge/GaAs -For realization of GaAs static induction thyristers-
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 29/1 67-72 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[47]. Growth of homogeneous GaInSb bulk alloy by solute-feeding Czochralski method
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 28/2 93-98 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[48]. Compositional Conversion of GaAs Layer on a GaP substrate to GaAsyP1-y
13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, Symposium Record / 67-68 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別]
[49]. Convective transport and interface kinetics in liquid phase epitaxy
Journal of Crystal Growth 143/ 334-348 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[50]. Multi-Step Pulling of GaInSb by Solute Feeding Czochralski Method
13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, Symposium Record / 69-70 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[51]. Compositional conversion of GaAs to GaAsP by annealing in the solution
12th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 447-452 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[52]. Gravity effect on liquid phase epitaxy of Si
Journal of Crystal Growth 128/1-4 310-313 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[53]. Investigation of the Backgate-Region Effects in the MOSSIT by Numerical Analysis
Reports of The Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 14 73-81 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[54]. Pulling of a homogeneous GaInSb alloy by the solute-feeding method
12th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 453-458 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[55]. Compositionl Conversion of GaAs Layers on a GaP Substrate to GaAsP
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 28/1 29-35 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[56]. The conversion of GaAs on GaP to GaAsP by annealing in Ga-As-P solution
Proc. of the First Russian-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 14 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[57]. Influence of majority carrier accumulation in the SIT with a high-purity channel on voltage amplification factor
IEEE Trans. on Electron Devices 40/11 2092-2094 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[58]. GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換
日本結晶成長学会誌 20/2 130 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[59]. Conversion from GaAs to GaAsP by annealing a GaAs layer on GaP in Ga-As-P solution
Japanese Journal of Applied Physics 32 L1164-L1166 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[60]. GaP基板上GaAs層のGaAsPへの組成変換
静岡大学電子工学研究所研究報告 28/1 29-35 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[61]. InP on GaP液相成長
日本結晶成長学会誌 20/2 131 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[62]. 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 14 73-81 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[63]. Si-LPE成長に及ぼす重力の影響
日本結晶成長学会誌 19/1 116 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[64]. Effects of the doping profile on current characteristics in BSIT's
IEEE Electron Device Letters 13/2 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[65]. Effects of shielded-gate structure on on-resistance of the SIT with a high-purity channel region
IEEE Transactions on Electron Devices 39/5 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[66]. Gravity Effect on LPE Growth of Semiconductors by yo-yo Solute Feeding Method
9/2 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[67]. Lattice Compensation Effect in GaAs n+-n-Junctions using Liquid Phase Epitaxy
10th International Conference on Crystal Growth, San Diego, Abstracts 122 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[68]. Lattice Compensation Effect in LPE-Grown GaAs
11th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 295-299 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[69]. 遮へいゲートSIT:その特性と設計
電子情報通信学会論文誌C-II J75-C-2/4 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[70]. ヨーヨー法を用いた半導体結晶の溶液成長における重力効果
日本マイクログラビティ応用学会誌 9/2 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[71]. Application of a new fabrication technique to GaAs SIThy using LPE
ISPSD'92 Proceedings （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[72]. Improvement in on-resistance of a high-purity channel SIT by a shielded gate structure
ISPSD'92 Proceedings （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[73]. A Shielded Gate SIT : Its Characteristics and Design
J75-C-2/4 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[74]. 高純度領域を用いた新しい光パワーデパイスの開発-GaAs SIサイリスタの実現をめざじて-
静岡大学電子工学研究所研究報告 26/1 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[75]. Dissolution Process on Silicon in an Indium Solution
Applied Surface Science 48-49 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[76]. Numerical Analysis of Current Transport in BSIT
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 12 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[77]. Development of New Semiconductor Photo Devices with an Intrinsic Region -For Realization of GaAs SI Thyristors-
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 26/1 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[78]. Growth of GeSi Thick Alloy Layer on a Si Substrate by Liquid Phase Epitaxy
Journal of Crystal Growth 109/1-4 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[79]. Convection Phenomenon during the Dissolution of Silicon in an Indium Solution
Journal of Crystal Growth 109/1-4 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[80]. A New Fabrication Technique of GaAs Power Devices Using Liquid Phase Epitaxy
MADEP Proceedings （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[81]. Growth of GaSi Thick Alloy Layer by the yo-yo solute Feeding Method
Journal of crystal Growth 99 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[82]. Growth of GeSi Alloy by Liquid Phase Epitaxy
9th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 161-166 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[83]. Bipolar-mode Static Induction transistor : Experiment and Two-demensional Analysis
IEEE Transactions on Electron Devices 37/9 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[84]. Faburication Technique of Silicon Power Devices by Liquid Phase Epitaxy
ISPSD'90 Proceedings （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[85]. Gravity Effect on Solute Transport in Dissolution and Growth of Silicon
Journal of Grystal Growth 99 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[86]. Si液相成長における重力効果
静岡大学電子工学研究所研究報告 24/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[87]. Analysis of Dissolution Process of Silicon in an Indium Solution
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 25/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[88]. Gravity Effect on growth and dissolution of silicon in LPE system
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 24/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[89]. Liquid Phase Epitaxy of Silicon by yo-yo Solute Feeding Method
10th American Conference on Crystal Growth, Abstracts 58a （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[90]. Numerical Simulation of Static Induction Transistor : Indium Solution
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 25/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[91]. 静電誘導トランジスタの数値解析-チャネル不純物濃度の低下による諸効果の検討
静岡大学電子工学研究所研究報告 25/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[92]. In溶液中のSi溶解過程の解析
静岡大学電子工学研究所研究報告 25/2 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[93]. Gompensation effect of lattice constant in silicon N+-n-junctions by liquid phase epitaxy
Journal of Crystal Growth 96/3 （1989年）
[責任著者・共著者の別]
[94]. LPE Growth of Perfect Crystal of Silicon for Application to High Power Devices
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 24/1 （1989年）
[責任著者・共著者の別]
[95]. Fabrication of p-i-n photodiodes on LPE-grown substrates
IEEE Electron Devices Letters 10/1 （1989年）
[責任著者・共著者の別]
[96]. LPE法によるシリコン完全結晶の成長と応用
静岡大学電子工学研究所研究報告 24/1 （1989年）
[責任著者・共著者の別]
[97]. yo-yo Solute Feeding法による高感度Si pinフォトダイオード
静岡大学電子工学研究所研究報告 22/2 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[98]. yo-yo溶質供給法による静電誘導トランジスタの試作
静岡大学電子工学研究所研究報告 23/1 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[99]. Fabrication of Static Induction Transistors by yo-yo Solute Feeding Method
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 23/1 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[100]. Highly Sensitive si pin Photodiode Fabricated by yo-yo Solute Feeding Method
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 22/2 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[101]. Gravity effect on Dissolution and growth of silicon in the In-Si system
Journal of Crystal Growth 92/1/2 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[102]. Liquid Phase Epitaxy of GaInAs Thick Layer by YO-YO Solute Feeding Method
The Electrochemical Society, 173rd Meeting, Atlanta 590SOA （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[103]. Growth of Semiconductor Crystals by YO-YO solute Feeding Method
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 21/2 （1987年）
[責任著者・共著者の別]
[104]. YO-YO Solute Feeding法による半導体結晶の成長
静岡大学電子工学研究所研究報告 21/2 （1987年）
[責任著者・共著者の別]
[105]. Fabrication Process of Silicon PIN Photodiode by YO-YO Solute Feeding Method
4th International Conference on Solid Films and Surfaces, Hamamatsu 163 （1987年）
[責任著者・共著者の別]
[106]. Growth of GeSi and GaInSb Alloy Semiconductors by YO-Yo Solute Feeding Method
6th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 199-206 （1987年）
[責任著者・共著者の別]
[107]. The Al-Ga-In-Sb Quaternary Phase Diagram and Its Aplication to Liquid Phase Epitaxial Growth
5th Symposium Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics 149-158 （1986年）
[責任著者・共著者の別]
[108]. Layer Growth in GaAs Epitaxy
Journal of Crystal Growth 74 331-337 （1986年）
[責任著者・共著者の別]
|