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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 川人 祥二 （KAWAHITO Shoji）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. 光子・電子両相制御原理に基づく革新的時間分解撮像デバイスの創製 （ 2024年4月 ～ 2028年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[2]. 超高速ハイブリッドカスケード光電荷変調による極限時間分解撮像デバイスの研究 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[3]. 超高速ハイブリッドカスケード光電荷変調による極限時間分解撮像デバイスの研究 （ 2021年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[4]. 超高速ハイブリッドカスケード光電荷変調による極限時間分解撮像デバイスの研究 （ 2020年4月 ～ 2021年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[5]. 超高速ハイブリッドカスケード光電荷変調による極限時間分解撮像デバイスの研究 （ 2019年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[6]. 超高速ハイブリッドカスケード光電荷変調による極限時間分解撮像デバイスの研究 （ 2018年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[7]. ラテラル電界制御電荷変調素子による超高時間分解撮像デバイスと応用開発 （ 2017年4月 ～ 2018年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[8]. SOI技術を用いた極低ノイズ・高速イメージングデバイスの研究 （ 2017年4月 ～ 2018年3月 ） 新学術領域研究(研究領域提案型) 代表

[9]. ラテラル電界制御電荷変調素子による超高時間分解撮像デバイスと応用開発 （ 2016年4月 ～ 2017年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[10]. SOI技術を用いた極低ノイズ・高速イメージングデバイスの研究 （ 2016年4月 ～ 2017年3月 ） 新学術領域研究(研究領域提案型) 代表

[11]. ラテラル電界制御電荷変調素子による超高時間分解撮像デバイスと応用開発 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[12]. SOI技術を用いた極低ノイズ・高速イメージングデバイスの研究 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 新学術領域研究(研究領域提案型) 代表

[13]. 極めて高い時間分解能と振幅分解能を有する撮像デバイスに関する研究 （ 2014年4月 ～ 2014年10月 ） 特別研究員奨励費 代表

[14]. ラテラル電界制御電荷変調素子による超高時間分解撮像デバイスと応用開発 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[15]. SOI技術を用いた極低ノイズ・高速イメージングデバイスの研究 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 新学術領域研究(研究領域提案型) 代表

[16]. 極めて高い時間分解能と振幅分解能を有する撮像デバイスに関する研究 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 特別研究員奨励費 代表

[17]. ラテラル電界制御電荷変調素子による超高時間分解撮像デバイスと応用開発 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[18]. SOI技術を用いた極低ノイズ・高速イメージングデバイスの研究 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 新学術領域研究(研究領域提案型) 代表

[19]. CMOSイメージセンサ用カラム並列型シングルスコープ方式読み出し回路に関する研究 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 特別研究員奨励費 代表

[20]. 極めて高い時間分解能と振幅分解能を有する撮像デバイスに関する研究 （ 2012年10月 ～ 2013年3月 ） 特別研究員奨励費 代表

[21]. サブ10ピコ秒時間分解能をもつ超高速電荷変調型撮像デバイスに関する研究 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[22]. マルチタップ光電荷変調素子による蛍光相関分光を用いた糖鎖チップの基礎研究 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[23]. サブ10ピコ秒時間分解能をもつ超高速電荷変調型撮像デバイスに関する研究 （ 2011年4月 ～ 2012年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[24]. サブ10ピコ秒時間分解能をもつ超高速電荷変調型撮像デバイスに関する研究 （ 2010年4月 ～ 2011年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[25]. 極端明暗撮像を可能にするフォトンカウンティング撮像デバイスに関する研究 （ 2009年4月 ～ 2010年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[26]. 極端明暗撮像を可能にするフォトンカウンティング撮像デバイスに関する研究 （ 2008年4月 ～ 2009年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[27]. 極端明暗撮像を可能にするフォトンカウンティング撮像デバイスに関する研究 （ 2007年4月 ～ 2008年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[28]. 適応量子化相関多重サンプリングに基づくフォトンカウンティング超高感度撮像 （ 2006年4月 ～ 2007年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[29]. 適応量子化相関多重サンプリングに基づくフォトンカウンティング超高感度撮像 （ 2005年4月 ～ 2006年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[30]. 適応量子化相関多重サンプリングに基づくフォトンカウンティング超高感度撮像 （ 2004年4月 ～ 2005年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[31]. ノイズシェーピング能動センシングに基づく超高感度イメージセンサに関する研究 （ 2003年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[32]. ノイズシェーピング能動センシングに基づく超高感度イメージセンサに関する研究 （ 2002年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[33]. サイクリックパイプラインA/D変換に基づく超高速ディジタルイメージセンサの研究 （ 2002年4月 ） 特定領域研究 代表

[34]. 多値技術に基づく高速データ転送とそのマルチメディアVLSIプロセッサへの応用 （ 2002年4月 ） 基盤研究(C) 分担
[備考] 本研究課題では、米国等で先行している高速データ転送技術を、この分野で著名な国際会議への参加や著名な研究者を交えた国際研究討論会を自ら開催することで習得すると共に、この技術を活用したより高性能な高速データ転送技術の開発を目的としている。

[35]. サイクリックパイプラインA/D変換に基づく超高速ディジタルイメージセンサの研究 （ 2001年4月 ） 特定領域研究 代表

[36]. ノイズシェーピング能動センシングに基づく超高感度イメージセンサに関する研究 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[37]. 超低電力動きベクトル検出機能をもつ動画像圧縮イメージセンサの研究 （ 2000年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[38]. 超低消費電力動画像圧縮を実現する機能集積イメージセンサに関する研究 （ 2000年4月 ） 特定領域研究(A) 代表

[39]. ビジョンシステムLSIのための超高速動画像A/D変換器に関する研究 （ 2000年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[40]. ビジョンシステムLSIのための超高速動画像A/D変換器に関する研究 （ 1999年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[41]. 超低電力動きベクトル検出機能をもつ動画像圧縮イメージセンサの研究 （ 1999年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[42]. 超低電力動きベクトル検出機能をもつ動画像圧縮イメージセンサの研究 （ 1998年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[43]. 超高分解能集積化マイクロフラックスゲ-ト磁気センサに関する研究 （ 1998年4月 ） 奨励研究(A) 代表

[44]. 高専におけるLSI設計教育高度化に向けた調査研究 （ 1998年4月 ） 基盤研究(C) 代表

[45]. 超高速撮像用圧縮ディジタル出力イメ-ジセンサの研究 （ 1997年4月 ） 重点領域研究 代表

[46]. 超高分解能集積化マイクロフラックスゲ-ト磁気センサに関する研究 （ 1997年4月 ） 奨励研究(A) 代表

[47]. アナログ並列型画像圧縮回路を集積化した超高速ディジタル伝送イメ-ジセンサの研究 （ 1995年4月 ） 重点領域研究 代表

[48]. 半導体回路と薄膜磁気デバイスを集積化した超高感度マイクロ磁気センサの研究 （ 1995年4月 ） 奨励研究(A) 代表

[49]. 極微弱磁界検出用マイクロフラックスゲ-ト磁気センサの試作研究 （ 1995年4月 ） 試験研究(B) 代表

[50]. 半導体素子と薄膜磁気デバイスの集積化と超高分解能集積化磁気センサへの応用 （ 1994年4月 ） 奨励研究(A) 代表

[51]. シリコンのマイクロ立体加工による超高感度磁気検出素子 （ 1994年4月 ） 一般研究(C) 分担

[52]. シリコン集積化技術による超高感度フラックスゲ-ト磁気センサの研究 （ 1994年4月 ） 試験研究(B) 代表

[53]. シリコンのマイクロ立体加工による超高感度磁気検出素子 （ 1993年4月 ） 一般研究(C) 代表

[54]. アナログ並列処理に基づく離散フ-リエ変換VLSIに関する研究 （ 1993年4月 ） 奨励研究(A) 代表

[55]. 電子ビ-ム描画法を用いたin-Situシリコン選択エピタキシャルSOI構造の研究 （ 1992年4月 ） 一般研究(B) 分担

[56]. 電子ビ-ム描画法を用いたin-Situシリコン選択エピタキシャルSOI構造の研究 （ 1991年4月 ） 一般研究(B) 分担

[57]. 紫外光励起ガスソ-スMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の超低温形成に関する研究 （ 1991年4月 ） 重点領域研究 分担