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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中野 貴之 (Nakano Takayuki)

中野 貴之 (Nakano Takayuki)
教授
学術院工学領域 - 電子物質科学系列
工学部 - 電子物質科学科 大学院総合科学技術研究科工学専攻 - 電子物質科学コース
電子工学研究所 - ナノビジョン研究部門 創造科学技術研究部 - ナノビジョンサイエンス部門


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最終更新日:2024/05/15 2:05:03

教員基本情報

【取得学位】
博士(工学)  東京大学   2006年3月
【研究分野】
ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) - 電気電子材料工学
自然科学一般 - 半導体、光物性、原子物理
ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) - 反応工学、プロセスシステム工学
ナノテク・材料 - 結晶工学
【相談に応じられる教育・研究・社会連携分野】
結晶工学
化合物半導体
半導体プロセス
中性子検出
【現在の研究テーマ】
Ⅲ族窒化物両極性同時成長を用いた新規光機能デバイスの開発
BGaNを用いた新規半導体中性子検出器の開発
【研究キーワード】
III族窒化物半導体, 結晶成長, GaN, 放射線検出
【所属学会】
・応用物理学会
・日本結晶成長学会
・日本原子力学会
【個人ホームページ】
https://wwp.shizuoka.ac.jp/nakano/
 

研究業績情報

【論文 等】
[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity
Carbon 218/ - 118749 (2024年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI]
[2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector
Sensors and Materials 36/1 169-176 (2024年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
信学技報 LQE2023/67 60-63 (2023年) [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹
[4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites
ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI]
[5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure
Diamond and Related Materials 136/ - 109985 (2023年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI]
【学会発表・研究発表】
[1]. Fc 及び AIP 添加による長尺かつ高密度 CNT フォレストの合成
第71回応用物理学会春季学術講演会 (2024年3月23日) 招待講演以外
[発表者]後藤聡汰、中野貴之、杉目恒志、井上翼
[備考] 23p-32A-12、東京都市大学 世田谷キャンパス
[2]. 長波長中性子ビームを用いた BGaN 検出器の中性子検出特性評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 (2024年3月23日) 招待講演以外
[発表者]櫻井辰大、安藤光佑、工藤涼兵、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、日野正裕、本田善央、天野浩、井上翼、 青木徹、中野貴之
[備考] 23p-P01-7, 東京都市大学 世田谷キャンパス
[3]. 耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 (2024年3月23日) 招待講演以外
[発表者]工藤涼兵、櫻井辰大、小久保瑛斗、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
[備考] 23p-P01-6, 東京都市大学 世田谷キャンパス
[4]. mist-CVD 法によるカーボンナノチューブフォレストへの均質シリカ誘電膜形成
電気学会 誘電・絶縁材料研究会 (2024年1月19日) 招待講演以外
[発表者]西田和生、中野貴之、井上翼
[備考] 湯布郷館およびWeb開催、DEI-24-004/ EPP-24-004/ HV-24-004, 2024年1月19-20日(口頭)
[5]. III族窒化物半導体を用いた新奇デバイスの創生~BGaN中性子半導体検出器に向けた開発~
応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会 (2023年12月20日) 招待講演
[発表者]中野貴之
[備考] 応物九州地区若手チャプター 2023年12月研究会、産業技術総合研究所九州センター、2023年12月20日
【共同・受託研究】
[1]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 ( 2023年4月 ~ 2024年3月 )
[備考] 代表:山口智広教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
[2]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 ( 2023年4月 ~ 2024年3月 )
[備考] 代表:岡田成仁准教授(山口大学大学院創世科学研究科)
[3]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
[4]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:山口智広教授(工学院大学先進工学部応用物理学科)
[5]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製技術の開発
分担 ( 2022年4月 ~ 2023年3月 )
[備考] 代表:岡田成仁准教授(山口大学大学院創世科学研究科)
【科学研究費助成事業】
[1]. 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張 ( 2023年10月 ~ 2027年3月 ) 国際共同研究加速基金 分担

[2]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 ( 2023年4月 ~ 2027年3月 ) 基盤研究(A) 代表

[3]. ダイヤモンド放射線検出器による高感度中性子検出の原理解明 ( 2023年4月 ~ 2026年3月 ) 基盤研究(C) 分担

[4]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 ( 2019年4月 ~ 2022年3月 ) 基盤研究(B) 代表

[5]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 ( 2016年4月 ~ 2019年3月 ) 基盤研究(B) 代表

【外部資金(科研費以外)】
[1]. 過酷環境下で動作可能な新規BGaN中性子半導体検出器に向けた高品質結晶成長技術の開発 (2023年11月 - 2024年10月 ) [提供機関] 公益財団法人天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成 [担当区分] 研究代表者
[2]. Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors (2023年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者海外派遣助成 [担当区分] 研究代表者
[3]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 (2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
[4]. BGaN中性子半導体検出にむけた高品質BGaN/GaNヘテロ構造形成プロセスの検討 (2022年1月 - 2023年3月 ) [提供機関] 般社団法人材料科学技術振興財団 [制度名] 材料科学技術振興財団共同研究 [担当区分] 研究代表者
[5]. 高温ガス炉の出力分布測定のための核計装システムの開発 (2021年7月 - 2024年3月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 国家課題対応型研究開発推進事業「原子力システム研究開発事業(基盤チーム型(若手))」 [担当区分] 研究分担者
【受賞】
[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor (2022年8月)
[受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名:有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) (2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
【特許 等】
[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. CNTフォレスト、CNTフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
【学会・研究会等の開催】
[1]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) (2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[2]. The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[3]. The 24th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2022年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[4]. The 26th Microoptics Conference(MOC2021) (2021年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 浜松市
[備考] Local Arrangement committee member
[5]. The 22th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (2020年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University

教育関連情報

【今年度担当授業科目】
[1]. 学部専門科目 電子デバイスⅠ (2023年度 - 前期 )
[2]. 学部専門科目 量子エレクトロニクス (2023年度 - 後期 )
[3]. 学部専門科目 電子物理デバイス工学実験Ⅲ (2023年度 - 後期 )
[4]. 大学院科目(修士) 結晶工学 (2023年度 - 後期 )
[5]. 大学院科目(修士) 電子物質科学セミナー第一 (2023年度 - 通年 )
【指導学生数】
2023年度
卒研指導学生数(4年) 3 人
修士指導学生数 5 人
2022年度
卒研指導学生数(4年) 3 人
修士指導学生数 6 人
2021年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 6 人
2020年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
2019年度
卒研指導学生数(4年) 4 人
修士指導学生数 5 人
博士指導学生数(主指導) 0 人
【指導学生の受賞】
[1]. 日本原子力学会2022年秋の大会 原子力安全部会講演賞 (2023年3月)
[受賞学生氏名] 中村 大輔 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 日本原子力学会
[備考] 発表タイトル:新規核計装システムにむけた高温中性子半導体検出器の開発 中村 大輔、林 幸佑、川崎 晟也、若林 源一郎、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之 日本原子力学会2022年秋の大会、1-14、茨城大学日立キャンパス、2022年9月7-9日
[2]. 第83回応用物理学会秋季学術講演会ポスターアワード (2022年9月)
[受賞学生氏名] 夏目 朋幸 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会
[備考] 発表タイトル:新規核計装システムにむけた高耐圧BGaN中性子検出器の開発
[3]. 2021年春季学術講演会 放射線分科会学生優秀講演賞 (2021年9月)
[受賞学生氏名] 宮澤 篤也 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2) 所属:総合科学技術研究科
[4]. 2018年秋季学術講演会 学生ポスター賞 (2018年9月)
[受賞学生氏名] 高橋 祐吏 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価 所属:総合科学技術研究科
[5]. 2018年春季学術講演会 学生ポスター賞 (2018年3月)
[受賞学生氏名] 丸山 貴之 (総合科学技術研究科)
[授与団体名] 応用物理学会放射線分科会
[備考] 発表タイトル:厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価 所属:総合科学技術研究科

社会活動

【講師・イベント等】
[1]. シンポジウム ちゅうでんサイエンスフォーラム2019 (2019年9月 - 2019年9月 )
[内容] 研究成果について市民に向けて発表
[備考] 御前崎市民会館 2019/9/7
【報道】
[1]. 新聞 中部電力公募研究10件採択の研究者として名を連ねた (2022年4月7日)
[備考] 静岡新聞朝刊23面
[2]. 新聞 静大の研究など採択 中電募集 原発の安全技術 (2015年4月28日)
[備考] 中日新聞朝刊16面
[3]. 新聞 GaNを用いた紫外域の透過型光電面の実用化に成功 (2010年7月29日)
[備考] 日本経済新聞、その他
【学外の審議会・委員会等】
[1]. レーザー学会第43回年次大会プログラム委員 (2022年7月 - 2023年3月 ) [団体名] 一般社団法人レーザー学会
[活動内容]プログラム編成にかかる業務
[2]. 先進フォトニクス技術研究会委員 (2018年11月 ) [団体名] 特定非営利活動法人日本フォトニクス協議会
[活動内容]セミナーの企画立案
[3]. 放射線分科会幹事 (2018年4月 - 2020年3月 ) [団体名] 応用物理学会
【その他社会活動】
[1]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2019年7月 - 2019年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[2]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2017年6月 - 2017年6月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[3]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2015年7月 - 2015年7月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[4]. リフレッシュ理科教室会場委員 (2012年4月 - 2012年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)
[5]. リフレッシュ理科教室 (2011年4月 - 2011年8月 )
[備考] 活動内容(小学生への理科教室を応用物理学会にて主催)

国際貢献実績

【国際協力事業】
[1]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成 (2020年2月 - 2023年1月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] BGaN中性子イメージングセンサーに共同研究
[2]. 村川二郎基金国際共同研究プロジェクト助成 (2017年10月 - 2018年9月 )
[相手方機関名] Freiburg University (Germany)
[活動内容] 中性子イメージングセンサーに向けたIII族窒化物半導体に関する共同研究

管理運営・その他