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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 小野 行徳 （ONO Yukinori）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022年6月 ～ 2027年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表

[2]. 電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[3]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[4]. 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立 （ 2017年6月 ～ 2022年3月 ） 挑戦的研究（開拓） 代表

[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 （ 2016年4月 ～ 2020年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[6]. 高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御 （ 2015年4月 ～ 2017年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[7]. 単一トラップの分離検出･電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開 （ 2014年4月 ～ 2017年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[8]. シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究 （ 2013年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(B) 代表

[9]. 単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究 （ 2013年4月 ～ 2015年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[10]. ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究 （ 2013年4月 ～ 2016年3月 ） 若手研究(A) 分担

[11]. 多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究 （ 2012年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[12]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2011年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(S) 分担

[13]. IV族半導体ナノ構造化による誘電関数制御 （ 2010年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[14]. シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス （ 2008年4月 ～ 2012年3月 ） 基盤研究(A) 代表

[15]. ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究 （ 2006年4月 ～ 2010年3月 ） 特定領域研究 分担

[16]. シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発 （ 2004年4月 ～ 2008年3月 ） 基盤研究(S) 分担

[17]. シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作 （ 2004年4月 ～ 2008年3月 ） 基盤研究(A) 代表