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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中村篤志（Nakamura Atsushi）

論文　等

【論文　等】
[1]. The Emergence of Chalcogenides: A New Era for Thin Film Solar Absorbers Progress in Solid State Chemistry / - 100490 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Devika Rajan Sajitha, Beauno Stephen, Atsushi Nakamura, Manickam Selvaraj, Shyju Thankaraj Salammal, Shamima Hussain [備考] カルコゲナイド系材料におけるテルル化化合物（CdTe, ZnTe）に関するパートを担当した。 [DOI] [2]. Development of a localized surface plasmon-enhanced electron beam-pumped nanoscale light source for electron beam excitation-assisted optical microscopy Microscopy / - （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Atsushi Nakamura, Shunpei Shiba, Kei Hosomi, Atsushi Ono, Yoshimasa Kawata, Wataru Inami [備考] 責任著者 [DOI] [3]. Investigation of 2D-layered photocatalytic semiconductors with enhanced heterojunction region for photocatalytic degradation Journal of Materials Science: Materials in Electronics 35/ - 1236 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] B. Malathi, Y. Mori, S. Harish & A. Nakamura [備考] 責任著者 [DOI] [4]. Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor / - 113023 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, P. Bharathi, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] 原稿校正 [DOI] [5]. Ultrathin layered MoS2/N-doped graphene quantum dots (NGQDs) heterostructures for highly sensitive room temperature NO2 gas sensor Sensors and Actuators B: Chemical / 403- 135083 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] Supervisor, Editing, Graph correction [DOI] [6]. Ellipticity enhancement of a terahertz wave circular polarizer made of 3D chiral metamaterial IEEE Photonics Technology Letters / - DOI: 10.1109/LPT.2024.3367979 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Kotaro Yamamura; Gemma Otake; Atsushi Ouchi; Daniel Moraru; Atsushi Nakamura; Saroj R. Tripathi [備考] Editing [DOI] [7]. An extended gate field-effect transistor (EG-FET) type non-enzymatic glucose sensor with inkjet-printed copper oxide nanoparticles SN Applied Sciences 4/10 253- 10.1007/s42452-022-05133-6 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Shibata Kohei, Nakamura Atsushi [備考] 責任著者 [URL] [DOI] [8]. Improvement of in-plane uniformity of cathodoluminescence from ZnO luminescent layers for electron beam excitation assisted optical microscope Japanese Journal of Applied Physics 60/ 065502- 065502 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Atsushi Nakamura, Wataru Inami, Ryo Yamamoto, Yuma Imai, Shun Kobayashi, Yoshimasa Kawata [備考] 責任著者 [DOI] [9]. An actuator-sensor hybrid device of carbon-based polymer composite for self-sensing systems AIP Advances / - （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Atsushi Nakamura, Shotaro Kawakami [備考] 責任著者 [DOI] [10]. Growth of glassy carbon thin films and its pH sensor applications SN Applied Sciences 1/171 1-10 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Ryosuke Shinzawa, Ayaka Otsuka, Atsushi Nakamura [備考] 責任著者 [DOI] [11]. Phosphorous doped p-type MoS2 polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film AIP Advances 8/(num) 025009- (zzz) （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]百瀬友博,ダニエル・モラル,下村勝 [DOI] [12]. Investigation of microstructural and electrical properties of composition dependent co-sputtered Hf1−x Ta x O2 thin films Materials Research Express 4/11 129501- (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K C Das [共著者]中村篤志,N Tripathy,S P Ghosh,S K Mohanta,J P Kar [備考] 薄膜の組成分析、表面観察、電気的特性を評価した [13]. A piezo-resistive graphene strain sensor with a hollow cylindrical geometry Materials Science & Engineering B 219/(num) 20-27 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]濱西敏貴,川上翔太郎,武田正典 [14]. Strong Quantum Confinement Effects in Nanometer Devices with Graphene Directly Grown on Insulator by Catalyst-free Chemical Vapor Deposition Current Graphene Science (1)/(num) (xxx) - (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]猪川洋 [共著者]中村篤志,佐藤弘明 [備考] 試料作製とグラフェン膜の評価に関して測定評価を行った。 [DOI] [15]. Wurtzite Zn(Mg,Cd)O quaternary systems for photodiodes in visible spectral range Journal of Crystal Growth (vol)449/(num) (27) - (34) （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]Yoshiaki Nieda,Mari Suzuki,Jiro Temmyo,Gema Tabares,Alejandro Kurtz [16]. Development of a scanning nanopipette probe microscope for fine processing using atmospheric pressure plasma jet Japanese Journal of Applied Physics (55)/(8S1) - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]岩田　太 [共著者]中村篤志,荻野明久,永津雅章 [備考] 試料提供と加工結果に関しての議論 [17]. Direct growth of nanocrystalline graphitic carbon films on BaF 2 by alcohol CVD Japanese Journal of Applied Physics (vol)55/(num)3S2 - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Yan Tan [共著者]中村篤志,久保野　敦史 [18]. Nematic liquid crystalline alignment on graphitic carbon film surfaces and its electrooptical characteristics Japanese Journal of Applied Physics (vol)54/(num)9 - （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]久保野敦史 [19]. VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion 25/25 - （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M Lopez-Ponce [共著者]中村篤志 [備考] 試料結晶成長　サンプル提供 [20]. Acceptor levels probed by DLOS in ZnMgO:N Applied Physics Letters 104/(num) 081105-0811053 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Kurtz [共著者]中村篤志 [21]. Electricalcharacterization of Schottky contacts to n-MgZnO films Thin Solid Films 548/(num) 539-545 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村篤志,J. Temmyo [22]. Synthesis and characterization of N, In co-doped MgZnO films using remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition Journal of Crystal Growth 375/(num) 1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村篤志,J. Temmyo [23]. Optical properties and microstructre of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: effect of thermal Applied Physics Letters 102/(num) - （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Ponse [共著者]中村篤志,J. Temmyo,A. Hierro,E. Munoz [24]. Single cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature for PV application OPTICS EXPRESS 21/9 11448-11456 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村篤志,J. Temmyo [25]. Nitrogen doping in cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature Materials Letters 92/(num) 188-191 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村篤志,J. Temmyo [26]. Direct Growth Properties of Graphene Layers on Sapphire Substrate by Alcohol-Chemical Vapor Deposition Japanese Journal of Applied Physics 51/4 04DN031- 04DN035 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]天明　二郎 [27]. Green Electroluminescence from ZnCdO Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition IEEE Photon. Tech. Lett., (vol)23/(num) 1052-1054 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]山本兼司 [共著者]中村篤志,天明二郎 [28]. Nitrogen and Copper doping in MgxZn1-xO films and their impact on p-type conductivity J. Appl. Phys. (vol)110/(num) 0135241-0135248 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S. K. Mohanta [共著者]中村篤志,天明二郎 [29]. Schottky contact on ZnO nanocolumnar film with H2O2 treatment Japanese Journal of Applied Physics 109/(num) 0935171-0935177 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]天明　二郎 [30]. Graphene Layers on Sapphire Substrates Grown by Alcohol Chemical Vapor Deposition Japanese Journal of Applied Physics 50/(num) 04DH12- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Miyasaka [共著者]中村篤志,天明二郎 [31]. Schottky barrier contacts formed on polar and nonpolar MgxZn1-xO films grown by remote plasma enhanced MOCVD PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 247/ 1472-1475 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 中村篤志 [32]. Dot-height dependence of Photoluminescence from ZnO quantum dots Japanease Journal of Applied Physics 4B/ 3007-3009 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志,A. Nakamura [共著者]K. Okamatsu,K. Tawara,H. Gotoh,J. Temmyo,Y. Matsui [33]. Full-color electroluminescence from ZnO-based heterojunction diodes APPLIED PHYSICS LETTERS 90/ 093512-093514 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]T. Ohashi,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo,H. Gotoh [34]. P-type nitrogen-doped ZnO thin films on sapphire (11-20) substrates by remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition J. Cryst. Growth 298/ 486-490 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,A. Nakamura,Y. Ichikawa,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo [35]. MgxZn1-xO films grown by remote-plasma-enhanced MOCVD with EtCp2Mg J. Cryst. Growth 298/ 468-471 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Yamamoto [共著者]K. Enomoto,A. Nakamura,T. Aoki,J. Temmyo [36]. Optical Properties of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 46/ 2516-2518 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Toshiya Ohashi [共著者]Kenji Yamamoto,Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo [37]. Vertically Aligned Single-Crystal ZnO Nanotubes Grown on γ-LiAlO2(100) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 46/ L730-L732 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Masahiko Adachi,S,ip Ganjil,Atsushi Nakamura,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui [38]. Nonpolar (11-20) p-Type Nitrogen-Doped ZnO by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 46/ L549-L551 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,Atsushi Nakamura,Masaru Shimomura,Jiro Temmyo [39]. Very Thin Single-Walled Carbon Nanotubes Self-Assembled on 6H-SiC(000-1) Substrate by Surface Decomposition Method Jpn. J. Appl. Phys. 46/ L53-L56 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Yoshitaka Hashimoto,Atsushi Nakamura,Akira Tanaka,Jiro Temmyo [40]. Growth and characterization of ZnO nanostructures by remote plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition phys. stat. sol. (c) 4/ 722-735 （2006年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]G. Zhang [共著者]A. Nakamura,S. Nakagawa,T. Aoki,,J. Temmyo [41]. Au-assisted growth approach for vertically aligned ZnO nanowires on Si substrate Appl. Phys. Lett. 89/ 113112-113114 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui [42]. ZnCdO systems with visible band gaps Appl. Phys. Lett. 89/ 091914-090915 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Junji Ishihara,Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo [43]. Photoluminescence properties of ZnCdO/MgZnO heterostructures Physica Status Solidi 4/ 946-967 （2006年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo [44]. Characterization of MgZnO films grown by remote-plasma-enhanced Metalorganic chemical vapor deposition using bis-ethylcyclopendadienyl magnesium Jpn. J. Appl.Phys. 44/ 7267-7270 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo [45]. Growth of MgZnO films using remote plasma MOCVD Appl. Surf. Sci. 244/ 385-388 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo [46]. ZnCdO/ZnO heterostructures for visible light emitting devices Jpn. J. Appl. Phys. 44/ L4-L6 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志,A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,H. Gotoh,J. Temmyo [47]. Growth and characterization of Zn1-xCdxO films using remote plasma MOCVD Appl. Surf. Sci. 244/ 381-384 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Junji Ishihara [共著者]Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo [48]. Sb excimer-laser doping in ZnO films prepared by oxidation of sulfide on Si Appl. Surf. Sci. 244/ 369-372 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K. Ohara [共著者]T. Seino,A. Nakamura,T. Aoki,H. Kominami,Y. Nakanishi,Y. Hatanaka [49]. Zn1-xCdxO Film Growth Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1088-L1090 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Atsushi Nakamura,Junji Ishihara,Toru Aoki,Jiro Temmyo [50]. Hydroxyl-Radical-Assisted Growth of ZnO Films by Remote Plasma Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 43/ 7672-7676 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Jiro Temmyo [51]. Characterization of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1452-L1454 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]Junji Ishihara,Satoshi Shigemori,Kenji Yamamoto,Toru Aoki,Hideki Gotoh,Jiro Temmyo [52]. ZnO growth using remote plasma metalorganic chemical vapor deposition phys. stat. sol. 1/ pp. 880-883 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,Y. Shimizu,T. Aoki,,J. Temmyo [53]. 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評ソ静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 52/ 83-89 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]重盛聡,青木徹,天明二郎 [54]. OH Radical Activation of ZnO Growth in Remote Plasma Metalorganic Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys. 42/ L775-L777 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]中村篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Akira Tanaka,Jiro Temmyo [55]. Stability issues of high-energy resolution diode type CdTe nuclear radiation detectors in a long-term operation Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. A. 491/ 168-175 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Niraula [共著者]A. Nakamura,T. Aoki,Y. Tomita,Y. Hatanaka [56]. Excimer laser doping techniques for II-VI semiconductors Appl. Surf. Sci 175-176/ 462-467 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Hatanaka [共著者]M. Niraula,A. Nakamura,T. Aoki

[1]. The Emergence of Chalcogenides: A New Era for Thin Film Solar Absorbers
Progress in Solid State Chemistry / - 100490 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Devika Rajan Sajitha, Beauno Stephen, Atsushi Nakamura, Manickam Selvaraj, Shyju Thankaraj Salammal, Shamima Hussain [備考] カルコゲナイド系材料におけるテルル化化合物（CdTe, ZnTe）に関するパートを担当した。
[DOI]
[2]. Development of a localized surface plasmon-enhanced electron beam-pumped nanoscale light source for electron beam excitation-assisted optical microscopy
Microscopy / - （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Shunpei Shiba, Kei Hosomi, Atsushi Ono, Yoshimasa Kawata, Wataru Inami [備考] 責任著者
[DOI]
[3]. Investigation of 2D-layered photocatalytic semiconductors with enhanced heterojunction region for photocatalytic degradation
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 35/ - 1236 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] B. Malathi, Y. Mori, S. Harish & A. Nakamura [備考] 責任著者
[DOI]
[4]. Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor
Interface engineering of 2D/2D MoS2/In2S3 heterostructure for highly sensitive NO2 detection at room temperature gas sensor / - 113023 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, P. Bharathi, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] 原稿校正
[DOI]
[5]. Ultrathin layered MoS2/N-doped graphene quantum dots (NGQDs) heterostructures for highly sensitive room temperature NO2 gas sensor
Sensors and Actuators B: Chemical / 403- 135083 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] B. Malathi, R. Aysha Parveen, A. Nakamura, J. Archana, M. Navaneethan, S. Harish [備考] Supervisor, Editing, Graph correction
[DOI]
[6]. Ellipticity enhancement of a terahertz wave circular polarizer made of 3D chiral metamaterial
IEEE Photonics Technology Letters / - DOI: 10.1109/LPT.2024.3367979 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kotaro Yamamura; Gemma Otake; Atsushi Ouchi; Daniel Moraru; Atsushi Nakamura; Saroj R. Tripathi [備考] Editing
[DOI]
[7]. An extended gate field-effect transistor (EG-FET) type non-enzymatic glucose sensor with inkjet-printed copper oxide nanoparticles
SN Applied Sciences 4/10 253- 10.1007/s42452-022-05133-6 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Shibata Kohei, Nakamura Atsushi [備考] 責任著者
[URL] [DOI]
[8]. Improvement of in-plane uniformity of cathodoluminescence from ZnO luminescent layers for electron beam excitation assisted optical microscope
Japanese Journal of Applied Physics 60/ 065502- 065502 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Wataru Inami, Ryo Yamamoto, Yuma Imai, Shun Kobayashi, Yoshimasa Kawata [備考] 責任著者
[DOI]
[9]. An actuator-sensor hybrid device of carbon-based polymer composite for self-sensing systems
AIP Advances / - （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Atsushi Nakamura, Shotaro Kawakami [備考] 責任著者
[DOI]
[10]. Growth of glassy carbon thin films and its pH sensor applications
SN Applied Sciences 1/171 1-10 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Ryosuke Shinzawa, Ayaka Otsuka, Atsushi Nakamura [備考] 責任著者
[DOI]
[11]. Phosphorous doped p-type MoS2 polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film
AIP Advances 8/(num) 025009- (zzz) （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]百瀬友博,ダニエル・モラル,下村勝 [DOI]
[12]. Investigation of microstructural and electrical properties of composition dependent co-sputtered Hf1−x Ta x O2 thin films
Materials Research Express 4/11 129501- (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K C Das [共著者]中村篤志,N Tripathy,S P Ghosh,S K Mohanta,J P Kar [備考] 薄膜の組成分析、表面観察、電気的特性を評価した
[13]. A piezo-resistive graphene strain sensor with a hollow cylindrical geometry
Materials Science & Engineering B 219/(num) 20-27 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]濱西敏貴,川上翔太郎,武田正典
[14]. Strong Quantum Confinement Effects in Nanometer Devices with Graphene Directly Grown on Insulator by Catalyst-free Chemical Vapor Deposition
Current Graphene Science (1)/(num) (xxx) - (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]猪川洋 [共著者]中村篤志,佐藤弘明 [備考] 試料作製とグラフェン膜の評価に関して測定評価を行った。
[DOI]
[15]. Wurtzite Zn(Mg,Cd)O quaternary systems for photodiodes in visible spectral range
Journal of Crystal Growth (vol)449/(num) (27) - (34) （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]Yoshiaki Nieda,Mari Suzuki,Jiro Temmyo,Gema Tabares,Alejandro Kurtz
[16]. Development of a scanning nanopipette probe microscope for fine processing using atmospheric pressure plasma jet
Japanese Journal of Applied Physics (55)/(8S1) - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]岩田　太 [共著者]中村篤志,荻野明久,永津雅章 [備考] 試料提供と加工結果に関しての議論
[17]. Direct growth of nanocrystalline graphitic carbon films on BaF 2 by alcohol CVD
Japanese Journal of Applied Physics (vol)55/(num)3S2 - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yan Tan [共著者]中村篤志,久保野　敦史
[18]. Nematic liquid crystalline alignment on graphitic carbon film surfaces and its electrooptical characteristics
Japanese Journal of Applied Physics (vol)54/(num)9 - （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]久保野敦史
[19]. VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion
VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion 25/25 - （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M Lopez-Ponce [共著者]中村篤志 [備考] 試料結晶成長　サンプル提供
[20]. Acceptor levels probed by DLOS in ZnMgO:N
Applied Physics Letters 104/(num) 081105-0811053 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Kurtz [共著者]中村篤志
[21]. Electricalcharacterization of Schottky contacts to n-MgZnO films
Thin Solid Films 548/(num) 539-545 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村篤志,J. Temmyo
[22]. Synthesis and characterization of N, In co-doped MgZnO films using remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
Journal of Crystal Growth 375/(num) 1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Mohanta [共著者]中村篤志,J. Temmyo
[23]. Optical properties and microstructre of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: effect of thermal
Applied Physics Letters 102/(num) - （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ponse [共著者]中村篤志,J. Temmyo,A. Hierro,E. Munoz
[24]. Single cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature for PV application
OPTICS EXPRESS 21/9 11448-11456 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村篤志,J. Temmyo
[25]. Nitrogen doping in cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature
Materials Letters 92/(num) 188-191 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. Zang [共著者]中村篤志,J. Temmyo
[26]. Direct Growth Properties of Graphene Layers on Sapphire Substrate by Alcohol-Chemical Vapor Deposition
Japanese Journal of Applied Physics 51/4 04DN031- 04DN035 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]天明　二郎
[27]. Green Electroluminescence from ZnCdO Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
IEEE Photon. Tech. Lett., (vol)23/(num) 1052-1054 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]山本兼司 [共著者]中村篤志,天明二郎
[28]. Nitrogen and Copper doping in MgxZn1-xO films and their impact on p-type conductivity
J. Appl. Phys. (vol)110/(num) 0135241-0135248 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. K. Mohanta [共著者]中村篤志,天明二郎
[29]. Schottky contact on ZnO nanocolumnar film with H2O2 treatment
Japanese Journal of Applied Physics 109/(num) 0935171-0935177 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]天明　二郎
[30]. Graphene Layers on Sapphire Substrates Grown by Alcohol Chemical Vapor Deposition
Japanese Journal of Applied Physics 50/(num) 04DH12- （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Miyasaka [共著者]中村篤志,天明二郎
[31]. Schottky barrier contacts formed on polar and nonpolar MgxZn1-xO films grown by remote plasma enhanced MOCVD
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 247/ 1472-1475 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中村篤志
[32]. Dot-height dependence of Photoluminescence from ZnO quantum dots
Japanease Journal of Applied Physics 4B/ 3007-3009 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志,A. Nakamura [共著者]K. Okamatsu,K. Tawara,H. Gotoh,J. Temmyo,Y. Matsui
[33]. Full-color electroluminescence from ZnO-based heterojunction diodes
APPLIED PHYSICS LETTERS 90/ 093512-093514 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]T. Ohashi,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo,H. Gotoh
[34]. P-type nitrogen-doped ZnO thin films on sapphire (11-20) substrates by remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
J. Cryst. Growth 298/ 486-490 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,A. Nakamura,Y. Ichikawa,K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo
[35]. MgxZn1-xO films grown by remote-plasma-enhanced MOCVD with EtCp2Mg
J. Cryst. Growth 298/ 468-471 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Yamamoto [共著者]K. Enomoto,A. Nakamura,T. Aoki,J. Temmyo
[36]. Optical Properties of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Grown by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ 2516-2518 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Toshiya Ohashi [共著者]Kenji Yamamoto,Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[37]. Vertically Aligned Single-Crystal ZnO Nanotubes Grown on γ-LiAlO2(100) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ L730-L732 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Masahiko Adachi,S,ip Ganjil,Atsushi Nakamura,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui
[38]. Nonpolar (11-20) p-Type Nitrogen-Doped ZnO by Remote-Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 46/ L549-L551 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S [共著者]ip Gangil,Atsushi Nakamura,Masaru Shimomura,Jiro Temmyo
[39]. Very Thin Single-Walled Carbon Nanotubes Self-Assembled on 6H-SiC(000-1) Substrate by Surface Decomposition Method
Jpn. J. Appl. Phys. 46/ L53-L56 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Yoshitaka Hashimoto,Atsushi Nakamura,Akira Tanaka,Jiro Temmyo
[40]. Growth and characterization of ZnO nanostructures by remote plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition
phys. stat. sol. (c) 4/ 722-735 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]G. Zhang [共著者]A. Nakamura,S. Nakagawa,T. Aoki,,J. Temmyo
[41]. Au-assisted growth approach for vertically aligned ZnO nanowires on Si substrate
Appl. Phys. Lett. 89/ 113112-113114 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Guoqiang Zhang [共著者]Atsushi Nakamura,Toru Aoki,Jiro Temmyo,Yoshio Matsui
[42]. ZnCdO systems with visible band gaps
Appl. Phys. Lett. 89/ 091914-090915 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Junji Ishihara,Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[43]. Photoluminescence properties of ZnCdO/MgZnO heterostructures
Physica Status Solidi 4/ 946-967 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo
[44]. Characterization of MgZnO films grown by remote-plasma-enhanced Metalorganic chemical vapor deposition using bis-ethylcyclopendadienyl magnesium
Jpn. J. Appl.Phys. 44/ 7267-7270 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]K. Yamamoto,J. Ishihara,T. Aoki,J. Temmyo
[45]. Growth of MgZnO films using remote plasma MOCVD
Appl. Surf. Sci. 244/ 385-388 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]J. Ishihara,S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,J. Temmyo
[46]. ZnCdO/ZnO heterostructures for visible light emitting devices
Jpn. J. Appl. Phys. 44/ L4-L6 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志,A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,K. Yamamoto,T. Aoki,H. Gotoh,J. Temmyo
[47]. Growth and characterization of Zn1-xCdxO films using remote plasma MOCVD
Appl. Surf. Sci. 244/ 381-384 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Junji Ishihara [共著者]Atsushi Nakamura,Satoshi Shigemori,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[48]. Sb excimer-laser doping in ZnO films prepared by oxidation of sulfide on Si
Appl. Surf. Sci. 244/ 369-372 （2005年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Ohara [共著者]T. Seino,A. Nakamura,T. Aoki,H. Kominami,Y. Nakanishi,Y. Hatanaka
[49]. Zn1-xCdxO Film Growth Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1088-L1090 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Atsushi Nakamura,Junji Ishihara,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[50]. Hydroxyl-Radical-Assisted Growth of ZnO Films by Remote Plasma Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ 7672-7676 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Jiro Temmyo
[51]. Characterization of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys 43/ L1452-L1454 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]Junji Ishihara,Satoshi Shigemori,Kenji Yamamoto,Toru Aoki,Hideki Gotoh,Jiro Temmyo
[52]. ZnO growth using remote plasma metalorganic chemical vapor deposition
phys. stat. sol. 1/ pp. 880-883 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Nakamura [共著者]S. Shigemori,Y. Shimizu,T. Aoki,,J. Temmyo
[53]. 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評ソ
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 52/ 83-89 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]中村篤志 [共著者]重盛聡,青木徹,天明二郎
[54]. OH Radical Activation of ZnO Growth in Remote Plasma Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys. 42/ L775-L777 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]中村篤志,Atsushi Nakamura [共著者]Satoshi Shigemori,Yoshimi Shimizu,Toru Aoki,Akira Tanaka,Jiro Temmyo
[55]. Stability issues of high-energy resolution diode type CdTe nuclear radiation detectors in a long-term operation
Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. A. 491/ 168-175 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Niraula [共著者]A. Nakamura,T. Aoki,Y. Tomita,Y. Hatanaka
[56]. Excimer laser doping techniques for II-VI semiconductors
Appl. Surf. Sci 175-176/ 462-467 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Hatanaka [共著者]M. Niraula,A. Nakamura,T. Aoki

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中村 篤志 （Nakamura Atsushi）

論文 等

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 中村篤志（Nakamura Atsushi）

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