[1]. Al/Al2O3/Cu2Se/Au構造素子の非対称ヒステリシスI-V特性
電子情報通信学会論文誌 C J101-C/2 119-123 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]江間 義則 [共著者]小川 満太郎,高橋 崇宏
[2]. TiO2/TiN混合ターゲットを用いたRFスパッタリングで作製したN添加TiO2多結晶薄膜の配向性の変化
電子情報通信学会論文誌 C J100-C/12 619-622 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]江間 義則 [共著者]高山 明大,高橋 崇宏
[3]. S雰囲気中フラッシュ蒸着によるSi(001)上CuInS2薄膜のエピタキシャル成長
電子情報通信学会論文誌 C J100-C/11 545-548 （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]江間 義則 [共著者]増田 悠人,高橋 崇宏
[4]. The automatic experimental design for modeling the reaction mechanisms of chemical vapor deposition processes
physica status solidi (c) 12/7 904-907 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Yoshinori Ema [DOI]
[5]. A calculation method of deposition profiles in chemical vapor deposition reactors using bio-inspired algorithms
physica status solidi (c) 12/7 908-911 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Taeka Inagaki,Shingo Nariai,Junichi Kodama,Masamoto Arakawa,Yoshinori Ema [DOI]
[6]. A Calculation Method of Deposition Profiles in CVD Reactors Using Genetic Algorithms
Physics Procedia 46/ 219-229 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Ken Kawamura,Kazuya Takahashi,Yoshinori Ema [DOI]
[7]. Development of the Automatic Modeling System for Reaction Mechanisms Using REX+JGG
Physics Procedia 46/ 239-247 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Kohei Kawai,Hiroyuki Nakai,Yoshinori Ema [DOI]
[8]. An Automatic System Using Mobile-Agent Software to Model the Calculation Process of a Chemical Vapor Deposition Film Deposition Simulator
Journal of Nanoscience and Nanotechnology 11/9 8004-8008 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Noriyuki Fukui,Masamoto Arakawa,Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[9]. An Automatic Modeling System of the Reaction Mechanisms for Chemical Vapor Deposition Processes Using Real-Coded Genetic Algorithms
Journal for Nanoscience and Nanotechnology 11/9 8044-8048 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Hiroyuki Nakai,Hiroki Kinpara,Yoshinori Ema
[10]. An Automatic Modeling System of the Calculation Process of a CVD Film Deposition Simulator
JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING OF JAPAN 43/11 977-982 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Noriyuki Fukui,Masamoto Arakawa,Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[11]. Development of an Automatic Modeling System for Reaction Mechanisms in CVD Processes
ECS Transactions 25/8 483-489 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Yoshinori Ema
[12]. A Calculation Method of the Deposition Profiles in Chemical Vapor Deposition Reactors Using Basis Functions
Material Research Society Symposium Proceedings 1024E/ 1024-A06-13 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Ken Kawamura,Yoshinori Ema
[13]. An Autonomous and Intelligent System Using Mobile-Agent Software to Model the Calculation Processes of Film Deposition Simulators
Material Research Society Symposium Proceedings 1024E/ 1024-A06-05 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Noriyuki Fukui,Masamoto Arakawa,Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[14]. AN AUTONOMOUS MODELING SYSTEM OF THE CALCULATION PROCESSES OF FILM DEPOSITION SIMULATORS
16th European Conference on Chemical Vapor Deposition - Book of Extended Abstracts / 49-51 （2007年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Noriyuki Fukui,Masamoto Arakawa,Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[15]. A Calculation Method of Deposition Profiles in Chemical Vapor Deposition Reactors Using Genetic Algorithms for the Automatic Modeling System of Reaction Mechanisms
Materials Research Society Symposium Proceedings Combinatorial Methods and Informatics in Material Science 894/ 345-350 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Yoshinori Ema
[16]. Automatic Modelling of Calculation Processes of Simulators for Film Depositions Using Software Agent
Proceedings of inter-academia 2005 1/ 143-148 （2005年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]M. Arakawa,K. Funatsu,Y. Ema
[17]. Automatic modelling of reaction systems using genetic algorithms and its application to chemical vapour deposition processes: advanced utilizations of simulators for chemical systems
MEASUREMENT SCIENCE & TECHNOLOGY 16/ 278-284 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[18]. Automatic Modelling System for Reaction Mechanisms Using a Novel Calculation Method Based on Evolutionary Computing
Proceedings of inter-academia 2005 1/ 171-178 （2005年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]Y. Ema
[19]. ELABORATION ON THE AUTOMATIC MODELING SYSTEM FOR REACTION MECHANISMS USING A NOVEL CALCULATION METHOD
EUROCVD-15Fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition / 21-28 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Kazuya Takahashi,Yoshinori Ema
[20]. Automatic Reaction Modeling in Chemical Vapor Depositions Using Multiple Process Simulators
Materials Research Society Symposium Proceedings Combinatorial and Artificial Intelligence Methods in Materials Science II 804/ 57-62 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[21]. STUDY OF THE AUTOMATIC MODELING OF REACTION SYSTEMS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES USING GENETIC ALGORITHMS
Chemical Vapor Deposition XVI and EUROCVD 14 1/ 272-278 （2003年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takahiro Takahashi [共著者]Kimito Funatsu,Yoshinori Ema
[22]. Ge Doping Effect on Properties of AgInSe2 Thin Films
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 41/ 1527-1531 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Ema [共著者]H. Kato,T. Takahashi
[23]. The Effect of Gas-Phase Additives NH3, NO, and NO2 on SiH4/O2 Chemical Vapor Deposition
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 145/3 1070-1075 （1998年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]K. Hagiwara,Y. Egashira,H. Komiyama
[24]. Effect of plasma treatment on the growth process of blanket aluminum chemical vapor deposition
Advanced metallization and interconnect systems for ULSI applications / 257-262 （1997年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]Y. Shimogaki,T. Yoshimi,H. Itoh,J. Aoyama,J. Ueda,H. Komiyama
[25]. The Effect of Gas-Phase Additives C2H4, C2H6, and C2H2 on SiH4/O2 Chemical Vapor Deposition
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 143/4 1355-1361 （1996年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]K. Hagiwara,Y. Egashira,H. Komiyama
[26]. Computer Aided Reaction Designを用いたCVDにおける問題解決へのアプローチ(解説)
化学工学 59/9 642-643 （1995年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]高橋崇宏 [共著者]萩原和典,江頭靖幸,小宮山宏
[27]. Control of SiH4/O2 chemical vapor deposition using the gas-phase additive C2H4
APPLIED PHYSICS LETTERS 66/12 2858-2860 （1995年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T. Takahashi [共著者]Y. Egashira,H. Komiyama |