[1]. Impact of dynamic density decay of growing carbon nanotube forests on electrical resistivity
Carbon 218/ - 118749 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kazuki Nishita, Takayuki Nakano, Yasuhiro Shimizu, Masaki Nagata, Sota Yanai, Nobuaki Shirai, Terumasa Omatsu, and Yoku Inoue [DOI]
[2]. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector
Sensors and Materials 36/1 169-176 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, Takayuki Nakano [DOI]
[3]. BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
信学技報 LQE2023/67 60-63 （2023年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 中野貴之、高橋祐吏、太田悠斗、清水勇希、井上翼、青木徹
[4]. Synergistic mixing effects on electrical and mechanical properties in homogeneous CNT/Cu composites
ACS Applied Engineering Materials 1/9 2359-2367 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kosuke Tanaka, Takayuki Nakano, Yoshinobu Shimamura, and Yoku Inoue [DOI]
[5]. Characterization of diamond radiation detector with B-doped/undoped stacked structure
Diamond and Related Materials 136/ - 109985 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Hisaya Nakagawa, Takayuki Nakano, Katsuyuki Takagi, Toru Aoki, Hidenori Mimura, and Takatoshi Yamada [DOI]
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[1]. Evaluation of radiation tolerance on BGaN detectors at KUR
The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) （2025年7月8日） 招待講演以外
[発表者]Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Eito Kokubo, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
[備考] GR-Tue-P5, Malmo, Sweden, July 6-11, 2025
[2]. Evaluation of growth temperature dependency in BGaN growth using AlGaN template on QST substrate
The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) （2025年7月8日） 招待講演以外
[発表者]A. Hayashi, S. Nishikawa, E. Kokubo, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Matsumoto, N. Ito, T. Tanaka, K. Nakahara, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
[備考] GR-Tue-P4, Malmo, Sweden, July 6-11, 2025
[3]. Development of BGaN neutron semiconductor detector with high temperature tolerance for HTGRs
The 22nd IGORR (International Group on Research Reactor) Conference, （2025年6月17日） 招待講演以外
[発表者]Toru Oikawa, Ryohei Kudo, Ryota Saito, Eito Kokubo, Genichiro Wakabayashi, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki1, and Takayuki Nakano
[備考] June 15-19,2025, Mito, Japan
[4]. Evaluation of high temperature tolerance of BGaN detectors for in-core nuclear instrumentation systems for high temperature gas-cooled reactors
The 9th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications (ANIMMA2025) （2025年6月11日） 招待講演以外
[発表者]Takayuki Nakano
[備考] Valencia, Spain, June 9–13, 2025
[5]. Mass density effects on thermal resistance of CNT forests
The 25th International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-Dimensional Materials (NT’25) （2025年6月） 招待講演以外
[発表者]Yamato Watanabe, Takayuki Nakano, and Yoku Inoue
[備考] 16psa-08, Kyoto University Clock Tower Centennial Hall, Kyoto, Japan, June 15-20, 2025
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[1]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 （ 2024年4月 ～ 2025年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[2]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2024年4月 ～ 2025年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[3]. 国内共同研究 Ⅲ族窒化物およびⅢ族酸化物半導体の結晶成長と放射線検出器への応用展開
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：山口智広教授（工学院大学先進工学部応用物理学科）
[4]. 国内共同研究 MOVPE両極性同時成長によるAlN疑似位相整合結晶作製と第二次高調波デバイス動作実証
分担 （ 2023年4月 ～ 2024年3月 ）
[備考] 代表：岡田成仁准教授（山口大学大学院創世科学研究科）
[5]. 国内共同研究 化合物半導体デバイスの放射線環境下における特性評価
分担 （ 2022年4月 ～ 2023年3月 ）
[備考] 代表：小島一信教授 大阪大学 大学院工学研究科
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[1]. 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張 （ 2023年10月 ～ 2027年3月 ） 国際共同研究加速基金 分担
[2]. BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発 （ 2023年4月 ～ 2027年3月 ） 基盤研究(A) 代表
[3]. ダイヤモンド放射線検出器による高感度中性子検出の原理解明 （ 2023年4月 ～ 2026年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[4]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[5]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(B) 代表
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[1]. 過酷環境下における中性子検出に向けたBGaN高温中性子検出器の開発 （2025年4月 - 2028年3月 ) [提供機関] 公益財団法人 岩谷直治記念財団 [制度名] 第2階岩谷科学技術特別研究助成 [担当区分] 研究代表者
[2]. 次世代原子炉用核計装を目指した高温中性子検出半導体の開発 （2025年4月 - 2027年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
[3]. 過酷環境下で動作可能な新規BGaN中性子半導体検出器に向けた高品質結晶成長技術の開発 （2023年11月 - 2024年10月 ) [提供機関] 公益財団法人天野工業技術研究所 [制度名] 天野工業技術研究所研究助成 [担当区分] 研究代表者
[4]. Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors （2023年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 公益財団法人池谷科学技術振興財団 [制度名] 研究者海外派遣助成 [担当区分] 研究代表者
[5]. 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発 （2022年4月 - 2024年3月 ) [提供機関] 中部電力 原子力安全研究所 [制度名] 中部電力原子力安全研究所公募研究 [担当区分] 研究代表者
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[1]. Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor （2022年8月)
[受賞者] 中野貴之 [授与機関] International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022)
[備考] SSM-OR06, Holiday Inn, Pattaya, THAILAND, August 4-6, 2022
[2]. 高柳研究奨励賞 (課題名：有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究) （2008年11月)
[備考] 授与・助成団体名(財団法人浜松電工学奨励会)
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[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [出願番号] 特願2017-068686 (2017年3月30日) [特許番号] 第6856214号 (2021年3月22日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [出願番号] 特願2017-037321 (2017年2月28日) [特許番号] 第6948668号 (2021年9月24日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524908 (2016年6月21日) [特許番号] 第6600891号 (2019年10月18日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [出願番号] 特願2017-524907 (2016年6月21日) [特許番号] 第6667849号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. ＣＮＴフォレスト、ＣＮＴフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [出願番号] 特願2016-570492 (2015年10月26日) [特許番号] 第6667848号 (2020年2月28日)
[備考] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
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[1]. The 11th International Symposium toward the Future of Advanced Research at Shizuoka University (ISFAR-SU2025) （2025年3月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Zoom Distribution
[2]. The 9th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2024) （2024年12月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] ACT CITY Hamamatsu Congress Center, Hamamatsu, Japan
[3]. The 26th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2024年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
[4]. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡市
[備考] Local Arrangement committee member
[5]. The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2023年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] Hamamatsu Campus, Shizuoka University
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