[1]. MoS2/p-Si Emitter for Photon Enhanced Thermionic Energy Converter Proc. of ISPlasma 2026/IC-PLANTS2026 18/ 1-1 (2026年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Rikiya Matsushima, Akihisa Ogino [2]. Hydrogenation of sodium metaborate using low-pressure hydrogen mixed gas plasma Jpn. J. Appl. Phys. 65/ 1-7 02SP11 (2026年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Akihisa Ogino, Takuya Takahashi [URL] [DOI] [3]. Photon-enhanced thermionic emission characteristics of Cs deposited Mg-doped InGaN Jpn. J. Appl. Phys. 65/ 1-9 03SP02 (2026年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Jotaro Tashiro, Kaisei Suzuki, Shigeya Kimura, Hisao Miyazaki and Akihisa Ogino [URL] [DOI] [4]. Uniform Monolayer MoS2 Continuous Film Growth by Low-Pressure CVD for Energy Harvesting Proc. of The 46th International Symposium on Dry Process (DPS2025) 46/ 1-1 (2025年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Rikiya Matsushima, Akihisa Ogino [5]. The Role of Fluorine in MoS2 Synthesis on Fluorine terminated substrate Proc. of The 46th International Symposium on Dry Process (DPS2025) 46/ 1-1 (2025年) [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Ryotaro Kito, Akihisa Ogino
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[1]. p-Si上のMoS2表面層からの光支援熱電子放出におけるキャリアダイナミクス 第73回応用物理学会春季学術講演会 (2026年3月16日) 招待講演以外 [発表者]松嶋 力哉、荻野 明久 [備考] 東京科学大 大岡山キャンパス, 2026.3.15-18, 16p-PA7-24. [2]. CsフリーInGaNエミッタの光支援熱電子放出特性 第73回応用物理学会春季学術講演会 (2026年3月15日) 招待講演以外 [発表者]鈴木 開晴、木村 重哉、宮崎 久生、荻野 明久 [備考] 東京科学大 大岡山キャンパス, 2026.3.15-18, 15a-PB2-13. [3]. MoS2/p-Si Emitter for Photon Enhanced Thermionic Energy Converter ISPlasma 2026/IC-PLANTS2026 (2026年3月4日) 招待講演以外 [発表者]Rikiya Matsushima, Akihisa Ogino [備考] 2-6 March, 2026, Meijo University, Aichi, Japan, 04P-50. [4]. Uniform Monolayer MoS2 Continuous Film Growth by Low-Pressure CVD for Energy Harvesting The 46th International Symposium on Dry Process (DPS2025) (2025年11月14日) 招待講演以外 [発表者]Rikiya Matsushima, Akihisa Ogino [備考] The Shiki Museum (Matsuyama), P2-36. [5]. The Role of Fluorine in MoS2 Synthesis on Fluorine terminated substrate The 46th International Symposium on Dry Process (DPS2025) (2025年11月14日) 招待講演以外 [発表者]Ryotaro Kito, Akihisa Ogino [備考] The Shiki Museum (Matsuyama), P2-41.
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[1]. フッ素終端表面における原子層二次元半導体の選択的成長 ( 2025年4月 ~ 2028年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [2]. マイクロ波プラズマによる循環利用型水素キャリア合成と高効率化に関する研究 ( 2022年4月 ~ 2025年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [3]. 層状半導体材料を用いた新規薄型光支援熱電子エミッタの開発 ( 2018年4月 ~ 2021年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [4]. 半導体エミッタの活性化による高効率熱電子放出と光熱併用熱電子発電への応用 ( 2014年4月 ~ 2017年3月 ) 基盤研究(C) 代表 [5]. ナノスケールプラズマジェット照射可能なプローブ顕微鏡微細加工システムの開発 ( 2014年4月 ~ 2017年3月 ) 基盤研究(B) 分担
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[1]. (2014年4月 - 2015年3月 ) [提供機関] 一般財団法人東海産業技術振興財団 [制度名] 助成研究 「研究育成型」 [担当区分] 研究代表者 [2]. (2013年10月 - 2014年3月 ) [提供機関] 公益財団法人 谷川熱技術振興基金 [制度名] 研究助成 [担当区分] 研究代表者 [3]. (2013年1月 - 2014年3月 ) [提供機関] 公益財団法人東電記念財団 [制度名] 研究助成(一般研究) [担当区分] 研究代表者 [4]. 風力発電その他未利用エネルギー (2012年7月 - 2013年3月 ) [提供機関] 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) [制度名] 新エネルギーベンチャー技術革新事業 [5]. (2010年6月 - 2010年6月 ) [提供機関] 財団法人村田学術振興財団 [制度名] 第25回研究者海外派遣援助 [担当区分] 研究代表者 [備考] 派遣先:アメリカ、ノーフォーク
37th IEEE International Conference on Plasma Science
海外派遣: Protein Grafting onto Chitosan Surface Using Low Temperature Microwave Pl
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[1]. 応用物理学会 Poster Award フッ素終端Si基板によるMoS2合成の核形成抑制 (2024年11月) [受賞者] 鬼頭 怜太郎、荻野 明久 [授与機関] 公益社団法人 応用物理学会 [備考] 2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会にて受賞 [2]. 応用物理学会優秀論文賞 Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H–SiC substrates (2021年7月) [受賞者] 木村 重哉, 吉田 学史, 内田 翔太, 荻野 明久 [授与機関] 応用物理学会 [備考] Shigeya Kimura, Hisashi Yoshida, Shota Uchida, and Akihisa Ogino; Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SGGF01.
[3]. BEST POSTER AWARD (OUTSTANDING POSTER AWARD) Surface Electronic Properties of Si-doped AlGaN and the Thermionic Emission Characteristics with Adsorption of Alkali Metal Atoms (2019年7月) [受賞者] 木村 重哉, 吉田 学史, 内田 翔太, 荻野 明久 [授与機関] 第13回窒化物半導体国際会議組織委員会 [4]. 第10回プラズマエレクトロニクス賞 Effects of N2-O2 Gas Mixture Ratio on Microorganism Inactivation in Low- Pressure Surface Wave Plasma (2012年3月) [受賞者] 趙穎,荻野明久,永津雅章 [授与機関] 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 [備考] 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 [5]. 平成23年度プラズマ・核融合学会学会賞、第16回技術進歩賞 (2011年11月) [備考] プラズマ・核融合学会学
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[1]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 202010862324.1 (2020年8月25日) [特許番号] CN 112441558B (2024年5月7日) [備考] 中国出願 [2]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 16/999621 (2020年8月21日) [特許番号] 11542160 (2023年1月3日) [備考] 米国特許
発明の名称:水素化マグネシウムの製造方法及びテトラヒドロほう酸塩の製造方法
公開日:2021年3月4日
公開番号:US-2021-0061658-A1 [3]. METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM HYDRIDE AND METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDROBORATE [出願番号] 102020210583.9 (2020年8月20日) [備考] ドイツ出願 [4]. テトラヒドロほう酸塩の製造方法 [出願番号] 特願2020-113022 (2020年6月30日) [特許番号] 特許第7345788号 (2023年9月8日) [5]. 水素化マグネシウムの製造方法及びテトラヒドロほう酸塩の製造方法 [出願番号] 特願2020-103132 (2020年6月15日) [特許番号] 特許第7286110号 (2023年5月26日)
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[1]. ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 (2025年3月) [役割] 責任者以外 [開催場所] 春日井市 [備考] 中部大学, 2025.3.3-7 [2]. APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 (2024年3月) [役割] 責任者以外 [開催場所] 名古屋市 [備考] 名古屋大学, 2024.3.3-7 [3]. ISPlasma2023/IC-PLANTS2023 (2023年3月) [役割] 責任者以外 [開催場所] 岐阜市 [備考] 岐阜大学, 2023.3.5-9 [4]. ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 (2022年3月) [役割] 責任者以外 [開催場所] ONLINE [備考] Held by ONLINE
2022.3.6-10 [5]. ISPlasma2021/IC-PLANTS2021 (2021年3月) [役割] 責任者以外 [開催場所] ONLINE [備考] Held by ONLINE
2021.3.7-11
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