[1]. Photon Confinement in a Silicon Cavity of an Image Sensor by Plasmonic Diffraction for Near-Infrared Absorption Enhancement
Optics Express 30/20 35516-35526 （2022年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Takahito Yoshinaga, Kazuma Hashimoto, Nobukazu Teranishi, Atsushi Ono [DOI]
[2]. Near-infrared sensitivity improvement by plasmonic diffraction for a silicon image sensor with deep trench isolation filled with highly reflective metal
Optics Express 29/ 21313-21319 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Atushi Ono, Kazuma Hashimoto, Nobukazu Teranishi [DOI]
[3]. High-exposure-durability, high-quantum-efficiency (>90%) backside-illuminated soft-X-ray CMOS sensor
Applied Physics Express 13/1 016502-1-016502-4 016502 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tetsuo Harada, Nobukazu Teranishi, Takeo Watanabe, Quan Zhou, Jan Bogaerts, Xinyang Wang [DOI]
[4]. Energy- and spatial-resolved detection using a backside-illuminated CMOS sensor in the soft X-ray region
Applied Physics Express 12/8 082012-1-082012-5 082012 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Tetsuo Harada, Nobukazu Teranishi, Takeo Watanabe, Quan Zhou, Xiao Yang, Jan Bogaerts, Xinyang Wang [DOI]
[5]. A Time-resolved NIR Lock-In Pixel CMOS Image Sensor with Background Cancelling Capability for Remote Heart Rate Detection
IEEE Journal of Solid-State Circuits vol.54/issue 4 978-991 （2019年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] C. Cao, Y. Shirakawa, L. Tan, M-W. Seo, K. Kagawa, K. Yasutomi, S-W Jun, T. Kosugi, S. Aoyama, N. Teranishi, N. Tsumura and S. Kawahito [DOI]
[6]. Advancement of X-ray radiography using microfocus X-ray source in conjunction with amplitude grating and SOI pixel detector, SOPHIAS
Optics Express vol.26/issue 16 21044-21053 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] R. Hosono, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, N. Teranishi, T. Hatsui, T. Hosoi, H. Watanabe, T.Shimura, [DOI]
[7]. A Review of Ion Implantation Technology for Image Sensors
Sensors vol.18/ 2358- （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, G. fuse, M. Sugitani [DOI]
[8]. A 10 ps Time-Resolution CMOS Image Sensor With Two-Tap True-CDS Lock-In Pixels for Fluorescence Lifetime Imaging
IEEE Journal of Solid-State Circuits vol.51/issue 1 141-154 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M-W. Seo, K. Kagawa, K. Yasutomi, Y. Kawata, N. Teranishi, Z. Li, I. A. Halin, S. Kawahito [DOI]
[9]. Effect and Limitation of Pinned Photodiode
IEEE Transactions on Electron Devices vol.63/issue 1 10-15 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi [DOI]
[10]. High-Sensitivity Image Sensors Overlaid With Thin-Film Gallium Oxide/Crystalline Selenium Heterojunction Photodiodes
IEEE Transactions on Electron Devices vol.63/issue 1 86-91 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] S. Imura, K. Kikuchi, K. Miyakawa, H. Ohtake, M. Kubota, T. Okino, Y. Hirose, Y. Kato, N. Teranishi [DOI]
[11]. A Low Dark Leakage Current High-Sensitivity CMOS Image Sensor With STI-Less Shared Pixel Design
IEEE Transactions on Electron Devices vol.61/issue 6 2093 -2097 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Min-Wong Seo, Shoji Kawahito, Keita Yasutomi, Keiichiro Kagawa, Nobukazu Teranishi [DOI]
[12]. Required Conditions for Photon-Counting Image Sensors
IEEE Transactions on Electron Devices vol.59 /issue 8 2199-2205 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi [DOI]
[13]. A 30 frames/s 2/3-in 1.3 M-pixel progressive scan IT-CCD image sensor
IEEE Transactions on Electron Devices vol.48/issue 9 1922-1928 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Furumiya, S. Suwazono, M. Morimoto, Y. Nakashiba, Y. Kawakami, T. Nakano, T. Satoh, S. Katoh, D. Shohji, H. Utsumi, Y. Taniji, N. Mutoh, K. Orihara, N. Teranishi, Y. Hokari [DOI]
[14]. A 1/2-in 1.3 M-pixel progressive-scan IT-CCD for digital still camera applications
IEEE Transactions on Electron Devices vol.48/issue 2 222-230 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Yamada, K. Hatano, M. Morimoto, F. Furumiya, Y. Nakashiba, S. Uchiya, A. Tanabe, Y. Kawakami, T. Nakano, S. Kawai, S. Suwazono, H. Utsumi, S. Katoh, D. Shoji, Y. Taniji, N. Mutoh, K. Orihara, N. Teranishi, Y. Hokari [DOI]
[15]. Dynamic range improvement by narrow-channel effect suppression and smear reduction technologies in small pixel IT-CCD image sensors
IEEE Transactions on Electron Devices vol.47/issue 9 1700-1706 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] A. Tanabe, Y. Kudoh, Y. Kawakami, K. Masubuchi, S. Kawai, T. Yamada, M. Morimoto, K. Arai, K. Hatano, M. Furumiya, Y. Nakashiba, N. Mutoh, K. Orihara, N. Teranishi [DOI]
[16]. Technologies to improve photo-sensitivity and reduce VOD shutter voltage for CCD image sensors
IEEE Transactions on Electron Devices vol.47/issue 8 1566-1572 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] > I. Murakami, T. Nakano, K. Hatano, Y. Nakashiba, M. Furumiya, T. Nagata, H. Ustumi, S. Uchiya, K. Arai, N. Mutoh, A. Kohno, N. Teranishi, Y. Hokari [DOI]
[17]. Optical Limitations to Cell Size Reduction in IT-CCD Image Sensors
IEEE Transaction on Electron Devices vol.44/No.10 1599-1603 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Satoh, N. Mutoh, M. Furumiya, I. Murakami, S. Suwazono, C. Ogawa, K. Hatano, H. Utsumi, S. Kawai, K. Arai, M. Morimoto, K. Orihara, T. Tamura, N. Teranishi, and Y. Hokari [DOI]
[18]. Driving voltage reduction in a two-phase CCD by suppression of potential pockets in inter-electrode gaps
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 44 /Issue 10 1580-1587 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T. Yamada, Y. Kawakami, T. Nakano, N. Mutoh, K. Orihara, N. Teranishi [DOI]
[19]. Thermionic-emission-based barrier height analysis for precise estimation of charge handling capacity in CCD registers
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 44/ Issue 10 1588-1592 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] S. Kawai, N. Mutoh, N. Teranishi [DOI]
[20]. An infrared-bi-color Schottky-barrier CCD image sensor for precise thermal images
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 43 /Issue 2 282-286 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] K. Konuma, Y. Asano, K. Masubuchi H. Utsumi, S. Tohyama, T. Endoh, H. Azuma, N. Teranishi [DOI]
[21]. An Infrared-Bi-Color Image Sensor for Precise Thermal Images
The Journal of the Institute of Television Engineers of Japan vol.50/issue 2 302-307 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] K. Konuma, Y. Asano, K. Masubuchi, H. Utsumi, S. Tohyama, T. Eundo, H. Azuma, N. Teranishi [DOI]
[22]. A 1/4-inch 380 k pixel IT-CCD image sensor employing gate-assisted punchthrough read-out mode
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 42 /Issue 10 1783-1788 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Mutoh, K. Orihara, Y. Kawakami, T. Nakano, S. Kawai, I. Murakami, A. Tanabe, S. Suwazono, K. Arai, N. Teranishi [DOI]
[23]. A high fill factor and progressive scan PtSi Schottky-barrier IR-CCD image sensor using new wiring technology
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 42 /Issue 8 1433-1440 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] S. Tohyama, K. Masubuchi, K. Konuma, H. Azuma, A. Tanabe, H. Utsumi, N. Teranishi, E. Takano, S. Yamagata, M. Hijikawa, H. Sahara; T. Muramatsu; T. Seki; T. Ono; H. Goto [DOI]
[24]. Photo response analysis in CCD image sensors with a VOD structure
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 42 /Issue 4 652-655 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] S. Kawai, M. Morimoto, N. Mutoh, N. Teranishi [DOI]
[25]. A 1- inch 2M Pixel HDTV CCD Image Sensor with Tungsten Photo-Shield and H-CCD Shunt Wiring.
IEEE Transactions on Electron Devices Volume 42/Issue 1 50-57 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] M. Morimoto, K. Orihara, N. Mutoh, A. Toyoda, M. Ohbo, Y. Kawakami, T. Nakano, K. Chiba, S. Kawai, K. Hatano, K. Arai, M. Nishimura, Y. Nakashiba, A. Kohno, I. Akiyama, N. Teranishi, Y. Hokari [DOI]
[26]. A silicon homojunction infrared detector having an active metal film on an n++ layer
IEEE Transaction on Electron Devices vol. 41/issue 9 1535-1540 （1994年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] S. Tohyama, A. Tanabe, N. Teranishi [DOI]
[27]. A Standard-Television Compatible 648x487 Pixel Schottky-Barrier Infrared CCD Image Sensor
IEEE Transactions on Electron Devices Volume39/Issue7 1633-1637 （1992年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] K. Konuma, S. Tohyama, A. Tanabe, N. Teranishi, K. Masubuchi, T. Saito, T. Muramatsu [DOI]
[28]. New Low Noise Output Amplifier for High Definition CCD Image Sensor
IEEE Transactions on Electron Devices Volume38/Issue5 1048-1051 （1991年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] N. Mutoh M. Morimoto, M. Nishimura, N. Teranishi, E. Oda [DOI]
[29]. A New Concept Silicon Homojunction Infrared Sensor
IEEE Transactions on Electron Devices Volume38/Issue5 1136-1140 （1991年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] S. Tohyama, N. Teranishi, K. Konuma, M. Nishimura, K. Arai, E. Oda [DOI]
[30]. Influence of Fermi-Level Pinning on Barrier Height Inhomogeneity in PtSi / p-Si Schottky Contacts
Journal of Applied Physics Volume 69/Issue2 850-853 （1991年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] A. Tanabe, K. Konuma, N. Teranishi, S. Tohyama, K. Masubuchi [DOI]
[31]. HDTV Single-Chip CCD Color Camera
IEEE Transactions on Consumer Electronics Volume36/Issue3 479-485 （1990年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] N. Tanaka, S. Katoh, I. Akiyama, N. Teranishi, K. Orihara, E. Oda [DOI]
[32]. HDTV Single-Chip CCD Color Camera
IEEE 1990 International Conference on Consumer Electronics / 284-285 （1990年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] S. Katoh, T. Tanaka, I. Akiyama, N. Teranishi, K. Orihara, E. Oda [DOI]
[33]. 324×487 Schottky-Barrier Infrared Image
IEEE Transactions on Electron Devices Volume37/Issue3 629-635 （1990年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] K. Konuma, N. Teranishi, S. Tohyama, K. Masubuchi, S. Yamagata, T. Tanaka, E. Oda, Y. Moriyama, N. Takada, N. Yoshioka [DOI]
[34]. New Empirical relation for MOSFET 1/f Noise Unified over Linear and Saturation Regions
Solid-State Electronics Vol.31/Issue12 1675-1680 （1988年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Mutoh, N. Teranishi [DOI]
[35]. Tunneling by an Electron Packet with an Initially Sharp Wavefront
Superlattices and Microstructures Volume 3/ Issue 5 509-514 （1987年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, A .M. Kriman, D. K. Ferry [DOI]
[36]. Smear Reduction in the Interline CCD Image Sensor
IEEE Transactions on Electron Devices Volume34 /Issue5 1052-1056 （1987年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, Y. Ishihara [DOI]
[37]. Partition Noise in CCD Signal Detection
IEEE Transactions on Electron Devices Volume33 /Issue11 1696-1701 （1986年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, N. Mutoh [DOI]
[38]. A High Resolution Linear IRCCD Image Sensor with 1024 Pixels
Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan, Transactions vol. E69/no.4 274-276 （1986年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, H. Harada, T. Tanaka, K. Arai,
[39]. Design Consideration of p-Well Structure for Solid-State Image Sensors
IEEE Transactions on Electron Devices Vol.32/Issue8 1462-1468 （1985年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, A. Kohno , Y. Ishihara [DOI]
[40]. An Interline CCD Image Sensor with Reduced Image Lag
IEEE Transactions on Electron Devices Vol.31/Issue12 1829-1833 （1984年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, A. Kohno, Y. Ishihara, E. Oda, K. Arai [DOI]
[41]. Interline CCD Image Sensor with an Antiblooming Structure
IEEE Transactions on Electron Devices vol.31/issue1 83-88 （1984年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Y. Ishihara, E. Oda, H. Tanigawa, A. Kohno, N. Teranishi, E. Takeuchi, I. Akiyama, T. Kamata [DOI]
[42]. On Impurity Pinning of One-Dimensional Charge Density Waves
Journal of the Physical Society of Japan vol.47/No.3 720-728 （1979年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] N. Teranishi, R. Kubo [DOI] |