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Researcher DataBase - Personal Information : HORI Masahiro

Grants-in-aid for Scientific Research

【Grants-in-aid for Scientific Research 】
[1]. 高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析 （ 2024/4 ～ 2027/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) leader

[2]. シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生 （ 2024/4 ～ 2028/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (A) member

[3]. MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導 （ 2022/6 ～ 2027/3 ） Challenging Research(Pioneering) member

[4]. シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現 （ 2020/4 ～ 2024/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) leader

[5]. シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御 研究課題 （ 2016/4 ～ 2020/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (A) member

[6]. 単一界面欠陥のチャージポンピング過程を用いた２電子スピン相関の室温観測 研究課題 （ 2016/4 ～ 2020/3 ） Grant-in-Aid for Young Scientists (A) leader

[7]. 高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御 （ 2015/4 ～ 2017/3 ） Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research member

[8]. ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究 （ 2013/4 ～ 2016/3 ） Grant-in-Aid for Young Scientists (A) leader

[9]. 単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究 （ 2013/4 ～ 2015/3 ） Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research member

[10]. シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究 （ 2013/4 ～ 2016/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member

[11]. シングルイオン注入法を用いたシングルドーパントデバイス創製に関する研究 （ 2011/4 ～ 2013/3 ） Grant-in-Aid for JSPS Fellows leader