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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 増澤 智昭 (Masuzawa Tomoaki)

学会発表・研究発表

【学会発表・研究発表】
[1]. 多結晶ダイヤモンド薄膜を用いた放射線測定
第81回応用物理学会秋季学術講演会 (2020年9月8日) 招待講演以外
[発表者]三宅拓
[URL]
[備考] 著者: 〇三宅 拓、中川 央也、増澤 智昭、中野 貴之、青木 徹、三村 秀典 題目:多結晶ダイヤモンド薄膜を用いた放射線測定 (8p-Z05-1~20) 会議:第81回応用物理学会秋季学術講演会、2020年9月8日〜11日、オンライン開催
[2]. リン添加ダイヤモンド酸素終端表面からの放出電子のエ ネルギー分析
第66回応用物理学会春季学術講演会 (2019年3月9日) 招待講演以外
[発表者]増澤智昭
[備考] 詳細: 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡野健, 山田貴壽, 「リン添加ダイヤモンド酸素終端表面からの放出電子のエ ネルギー分析」第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京[9a-S223-9]
[3]. A feasibility study of thermal neutron detector made of boron-doped diamond
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) (2018年10月23日) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 会期:2018/10/21-25 会場:Sendai International Center, Sendai, Japan 著者一覧:Tomoaki Masuzawa, Taku Miyake, Takatoshi Yamada, Hidenori Mimura, and Toru Aoki
[4]. Radiation tolerance of a compact image sensor made of CdTe based photoconductive film and field emitter array
10th Korea-Japan Vacuum Nanoelectronics Symposium (2018年10月13日) 招待講演
[発表者]増澤 智昭
[備考] 会期:2018/10/12-14 会場:Hachinohe, Japan 著者一覧:T. Masuzawa, Y. Neo, H. Mimura, T. Okamoto, M. Nagao, M. Akiyoshi, N. Sato, I. Takagi, and Y. Gotoh
[5]. Feasibility study of a neutron detector made of boron-doped diamond using Monte Carlo simulation
17th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2018) (2018年9月25日) 招待講演以外
[発表者]Taku Miyake
[備考] 会期:2018/09/24-27 会場:Kaunas, Lithuania 著者一覧:T. Miyake, T. Masuzawa, H. Nakagawa, T. Aoki, and H. Mimura
[6]. Recent progress in development of radiation tolerant image sensor with field emitter array
31st International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC2018) (2018年7月13日) 招待講演
[発表者]増澤 智昭
[備考] 会期:2018/07/09-13 会場:Kyoto Research Park, Kyoto, japan 著者一覧:T. Masuzawa, Y. Neo, H. Mimura, T. Okamoto, M. Nagao, M. Akiyoshi, N. Sato, I. Takagi, H.
[7]. レーザー照射された焦電結晶の電子放出のシミュレーション
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]若家冨士男
[備考] 詳細: 小松天太, 若家冨士男, 阿保智, 高井幹夫, 増澤智昭, 三村秀典, 「レーザー照射された焦電結晶の電子放出のシミュレーション」第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京[20a-B303-6]
[8]. フィールドエミッタアレイと光電変換膜を用いた撮像素子の耐放射線性能
第65回応用物理学会春季学術講演会 (2018年3月) 招待講演以外
[発表者]後藤康仁
[備考] 詳細: 後藤康仁, 森藤瑛之, 長尾昌善, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡本保, 猪狩 朋也, 秋吉優史, 佐藤信浩, 高木郁二, 「フィールドエミッタアレイと光電変換膜を用いた撮像素子の耐放射線性能」第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学西早稲田
[9]. Development of Amorphous Selenium Based Photoconductor for High Sensitivity Photodetector
The 9th Japan-Korea Vacuum Nanoelectronics Symposium (2017年11月) 招待講演
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 詳細: Tomoaki Masuzawa, Joshua D. John, Takatoshi Yamada, Hidenori Mimura, Ken Okano, "Development of Amorphous Selenium Based Photoconductor for High
[10]. CdTe検出器のキャリア移動時間の時間依存性
中川央也,寺尾剛,増澤智昭,伊藤哲,森井久史,小池昭史,青木徹 (2017年11月) 招待講演以外
[発表者]中川央也
[備考] 詳細: 中川央也,寺尾剛,増澤智昭,伊藤哲,森井久史,小池昭史,青木徹,「CdTe検出器のキャリア移動時間の時間依存性」 第12回次世代先端光科学研究会,11/13, 静岡県浜松市 (2017)
[11]. リン添加ダイヤモンド表面からの電子放出のエネルギー分析
電子情報通信学会電子デバイス研究会 (2017年10月) 招待講演以外
[発表者]増澤智昭
[備考] 詳細: 増澤智昭, 岡野健, 根尾陽一郎, 三村秀典, 山田貴壽,「リン添加ダイヤモンド表面からの電子放出のエネルギー分析」, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 10/26-27, 宮城県仙台市 (2017)
[12]. Characterisation and device fabrication of ultra-high sensitive photoconductors using nano-layer a-Se and N-doped diamond
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (2017年10月) 招待講演
[発表者]Ken Okano
[備考] 詳細: Ken Okano, Joshua D. John, Ichitaro Saito, Tomoaki Masuzawa, Takatoshi Yamada, Daniel H. C. Chua, “Characterisation and device fabrication of ult
[13]. Development of a CdTe-based photoconductor for a radiation tolerant compact image sensor
16th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia 2017 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 詳細: Tomoaki Masuzawa, Yoichiro Neo, Tamotsu Okamoto, Masayoshi Nagao, Yasuhito Gotoh, Masafumi Akiyoshi, Nobuhiro Sato, Ikuji Takagi, Hidenori Mimura
[14]. 耐放射線性FEA撮像素子用CdZnTe光電変換膜の作製
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]猪狩朋也
[備考] 詳細: 猪狩朋也, 岡本保, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 「耐放射線性FEA撮像素子用CdZnTe光電変換膜の作製」第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日, 福岡国際会議場, 福岡[5p-A411-9]
[15]. レーザー裏面照射によるCdTeのドーピングコントロール
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (2017年9月) 招待講演以外
[発表者]西澤潤一
[備考] 詳細: 西澤潤一, 田端健人, 寺尾剛, 増澤智昭, 青木徹, ゼレンスカ カテリーナ, 小池昭史, 都木克之, 「レーザー裏面照射によるCdTeのドーピングコントロール」第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日, 福岡国際会議場, 福岡[7p-PA8-18]
[16]. Characterisation of amorphous selenium based photoconductor for high-sensitivity photodetector driven by diamond cold cathode
30th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2017年7月) 招待講演以外
[発表者]Takatoshi Yamada
[備考] 詳細: Tomoaki Masuzawa, Akinori Ohata, Jun Ochiai, Joshua D. John, Ichitaro Saito, Takatoshi Yamada, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura, Ken Okano,: “Charac
[17]. Field emission from n-type diamond NEA surface and graphene/n-type diamond junction
Takatoshi Yamada, Tomoaki Masuzawa, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa, Ken Okano (2017年7月) 招待講演以外
[発表者]山田 貴壽
[備考] 詳細: Takatoshi Yamada, Tomoaki Masuzawa, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa, Ken Okano, “Field emission from n-type diamond N
[18]. ダイヤモンド冷陰極を用いた X 線検出機試作に向けた課題
第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム (2017年3月) 招待講演
[発表者]岡野 健
[備考] 岡野健, 遠山諒, 増澤智昭, 斎藤市太郎, Joshua D John, 山田貴壽, 第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム, 2017年3月2日-3日, 静岡県浜松市, No. 2-6, 主催団体:真空ナノエレクトロニクス第158委員会
[19]. n型ダイヤモンドNEA表面からの放出電子のエネルギー分析
第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム (2017年3月) 招待講演
[発表者]山田 貴壽
[備考] 山田貴壽, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡野健, 第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム, 2017年3月2日-3日, 静岡県浜松市, No. 2-8, 主催団体:真空ナノエレクトロニクス第158委員会
[20]. フィールドエミッタアレイと CdTe 系光電変換膜を用いた小型撮像素子の耐放射線性能
第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム (2017年3月) 招待講演
[発表者]後藤 康仁
[備考] 後藤康仁, 辻博司, 長尾昌善, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 猪狩明也, 岡本保, 秋吉優史, 佐藤信浩, 高木郁二, 第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム, 2017年3月2日-3日, 静岡県浜松市, No. 3-13, 主催団体:真空ナノエレクトロニクス第158委員会
[21]. 耐放射線撮像素子のための光電変換膜作成と評価
第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム (2017年3月) 招待講演
[発表者]増澤 智昭
[備考] 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 猪狩明也, 岡本保, 長尾昌善, 秋吉優史, 佐藤信浩, 高木郁二, 後藤康仁, 第14回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム, 2017年3月2日-3日, 静岡県浜松市, No. 3-14, 主催団体:真空ナノエレクトロニクス第158委員会
[22]. Fundamental study of a neutron detector made of boron-doped diamond
4th international Conference on Nanoscience and Nanotechnology (2017年1月) 招待講演以外
[発表者]青島 育男
[備考] 詳細: Ikuo Aoshima, Hisaya Nakagawa, Toru Aoki, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura and Tomoaki Masuzawa, "Fundamental study of a neutron detector made of bo
[23]. 視覚特性を利用したスペクトラル CT のデータ圧縮
2016 年映像情報メディア学会冬季大会 (2016年12月) 招待講演以外
[発表者]木村 洸介
[備考] 1)主催団体名:映像情報メディア学会 2)行事名:2016 年映像情報メディア学会冬季大会  3)開催日時: 2016年12月21-22日 4)開催地・会場:東京理科大学 森戸記念館   5)発表番号・形式:11C-3(口頭発表) 6)著者一覧:〇木村洸介・増澤智昭・井村ゆき乃(静岡大),小池昭史(
[24]. Synthesis and characterization of ZnO nanorods by hydrothermal method
5th Thailand International Nanotechnology Conference (NanoThailand) (2016年11月29日) 招待講演以外
[発表者]Suchada Worasawat
[備考] 著者一覧:Suchada Worasawat, Tomoaki Masuzawa, Yoshinori Hatanaka, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura, Wisanu Pecharapa
[25]. Evaluation of radiation tolerant compact image sensor using CdTe photodiode and field emitter array
8th Japan-Korea Vacuum Nanoelectronics Symposium (2016年10月) 招待講演
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名:真空ナノエレクトロニクス第158委員会 2)行事名: The 8th Japan-Korea Vacuum Nanoelectronics Symposium 3)開催日時: 2016/10/7(Fri.)-9(Sun.) 4)開催地・会場: Research Institute o
[26]. NEA-GaAsホトカソードからの パルスビーム診断
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]吉武 亮
[備考] 1)主催団体名:電子情報通信学会 2)行事名: 電子デバイス研究会 3)開催日時:2016年10月25-26日  4)開催地・会場: 三重大学 新産業創成研究拠点  5)発表番号・形式:口頭発表 6)著者一覧: ○吉武 亮・光野圭悟・増澤智昭・畑中義式・細田 誠・根尾陽一郎・三村秀典
[27]. CdTe/CdS光電変換膜の耐放射 線性評価
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (2016年10月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 1)主催団体名:電子情報通信学会 2)行事名: 電子デバイス研究会 3)開催日時:2016年10月25-26日  4)開催地・会場: 三重大学 新産業創成研究拠点  5)発表番号・形式:口頭発表 6)著者一覧: ○増澤智昭・根尾陽一郎・後藤康仁・岡本 保・長尾昌善・佐藤信浩・秋吉優史・高木郁二・三村
[28]. エネルギー情報を用いたフォトンカウンティングによるハイブリッ ド CT
平成28年度 電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]木村 洸介
[備考] 1)主催団体名:電気学会東海支部・電子情報通信学会東海支部・情報処理学会東海支部・照明学会東海支部・映像情報メディア学会東海支部・日本音響学会東海支部・IEEE名古屋支部 2)行事名:平成28年度 電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会  3)開催日時:平成28年9月12-13日  4)開催地・
[29]. スペクトラルCTに向けたフォトンカウンティングイメージング
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]木村 洸介
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:朱鷺メッセ 開催期間:2016年9月13日〜16日 著者一覧:〇木村 洸介、増澤 智昭、井村 ゆき乃、小池 昭史、青木 徹 発表番号・発表形式:15p-P14-59(ポスター発表)
[30]. GaAs負性電子親和力カソードの応答速度についてⅡ
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]光野 圭悟
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:朱鷺メッセ 開催期間:2016年9月13日〜16日 著者一覧:〇光野 圭悟、増澤 智昭、畑中 義式、細田 誠、根尾 陽一郎、三村 秀典 発表番号・発表形式:15p-B5-13(口頭発表)
[31]. ガンマ線照射前後でのCdTe/CdSダイオードの光電変換特性比較
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:朱鷺メッセ 開催期間:2016年9月13日〜16日 著者一覧:〇増澤 智昭、根尾 陽一郎、後藤 康仁、岡本 保、長尾 昌善、佐藤 信浩、秋吉 優史、高木 郁二、三村 秀典 発表番号・発表形式:15p-B5-17(口頭発表)
[32]. レーザー裏面照射によるCdTe内部へのダイオード形成
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016年9月) 招待講演以外
[発表者]西澤 潤一
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:朱鷺メッセ 開催期間:2016年9月13日〜16日 著者一覧:〇西澤 潤一、青木 徹、増澤 智昭、GNATYUK Dmytro、中川 央也、ZELENSKA Kareryna、小池 昭史、寺尾 剛、都木 克之 発表番号・発表形式:15p-P14-57(ポ
[33]. Radiation tolerant compact image sensor using CdTe photodiode and field emitter array
SPIE Optics+Photonics (2016年8月) 招待講演
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名:The International Society for Optical Engineering (SPIE) 2)行事名: SPIE Optical Engineering + Applications in SPIE Optics+Photonics 3)開催日時: 28 Au
[34]. Compact image sensors using CdTe and field emitter arrays
SPIE Optics+Photonics (2016年8月) 招待講演
[発表者]Hidenori Mimura
[備考] 1)主催団体名:The International Society for Optical Engineering (SPIE) 2)行事名: SPIE Optical Engineering + Applications in SPIE Optics+Photonics 3)開催日時: 28 Au
[35]. Development of an amorphous selenium based photoconductor and its application in a high-sensitivity photodetector
SPIE Optics+Photonics (2016年8月) 招待講演
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名:The International Society for Optical Engineering (SPIE) 2)行事名: SPIE Optical Engineering + Applications in SPIE Optics+Photonics 3)開催日時: 28 Au
[36]. Radiation tolerance of compact image sensor with field emitter array and cadmium telluride- based photoconductor
29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2016年7月) 招待講演以外
[発表者]Yasuhito Gotoh
[備考] 1)主催団体名:IVNC committee 2)行事名:29th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3)開催日時:11-15 July 2016 4)開催地:University of British Columbia, Vancouv
[37]. Development of CdTe based photoconductive target for radiation tolerant compact image sensors
29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2016年7月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名:IVNC committee 2)行事名:29th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3)開催日時:11-15 July 2016 4)開催地:University of British Columbia, Vancouv
[38]. Permeation of electron beam through graphene
29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2016年7月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名:IVNC committee 2)行事名:29th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3)開催日時:11-15 July 2016 4)開催地:University of British Columbia, Vancouv
[39]. シリコングリッドを用いた画像検出器用シンチレータの開発
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]田端健人
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:田端健人, 西澤潤一, 増澤智昭, 青木徹
[40]. フィールドエミッタアレイを用いた耐放射線小型軽量撮像素子の開発
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]後藤 康仁
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大学 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:〇後藤 康仁、辻 博司、長尾 昌善、増澤 智昭、根尾 陽一郎、三村 秀典、岡本 保、佐藤 信浩、秋吉 優史、高木 郁二 発表番号・発表形式:21p-H137-15(口頭発表
[41]. GaAs負性電子親和力カソードの応答速度について
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]光野 圭悟
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大学 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:〇光野 圭悟、増澤 智昭、畑中 義式、根尾 陽一郎、三村 秀典 発表番号・発表形式:21p-H137-21(口頭発表)
[42]. 耐放射線性FEA撮像素子のための光電変換膜評価
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大学 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:〇増澤 智昭、根尾 陽一郎、岡本 保、長尾 昌善、後藤 康仁、三村 秀典 発表番号・発表形式:21p-H137-17(口頭発表)
[43]. シリコングリッドを用いた画像検出器用シンチレータの開発
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]田端 健人
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大学 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:〇田端 健人、西澤 潤一、増澤 智昭、青木 徹 発表番号・発表形式:21p-P12-1(ポスター発表)
[44]. 耐放射線性FEA撮像素子のための光電変換膜評価
第63回応用物理学会春季学術講演会 (2016年3月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東京工業大 大岡山キャンパス 開催期間:2016年3月19日〜22日 著者一覧:増澤智昭, 根尾陽一郎, 岡本保, 長尾昌善, 後藤康仁, 三村秀典
[45]. 10MGyの耐放射線性を目指した微小冷陰極撮像素子の開発
京都大学原子炉実験所第50回学術講演会 (2016年1月) 招待講演以外
[発表者]後藤 康仁
[備考] 主催団体:京都大学原子炉実験所 開催場所:京都大学原子炉実験所 開催期間:2016年1月27日〜28日 著者一覧:後藤康仁, 辻 博司, 長尾昌善, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡本 保, 佐藤信浩, 秋吉優史, 高木郁二
[46]. Surface activation of GaAs photocathode and its photoemission characteristics
22nd International Display Workshops (2015年12月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: 映像情報メディア学会(ITE),The Society for Information Display(SID) 2)行事名: 第22回ディスプレイ国際ワークショップ(IDW ’15) 3)開催日時: 2015年12月9日~11日 4)開催地・会場: Otsu Prince
[47]. Carrier Transportation in CdTe Schottky Detector for Polarization
IEEE 2015 22nd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma-ray Detectors (2015年11月) 招待講演以外
[発表者]Hisaya Nakagawa
[備考] 1)主催団体名: IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society 2)行事名: 2015 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference / Symposium on Room-Tempe
[48]. Time dependence of carrier transportation properties in CdTe radiation detector with Ohmic contact
The 16th International Young Scientists Conference Optics and High Technology Material Science (2015年10月) 招待講演以外
[発表者]Daisuke Isogai
[備考] 1)主催団体名: SPO_ Organizing Committee, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13 Volodymyrska Str., Faculty of Physics, Chair of Optics, Kyiv 0
[49]. Carrier Transportation Properties of CdTe Radiation Detector with Schottky Junction by Time-dependence
The 16th International Young Scientists Conference Optics and High Technology Material Science (2015年10月) 招待講演以外
[発表者]Hisaya Nakagawa
[備考] 1)主催団体名: SPO_ Organizing Committee, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13 Volodymyrska Str., Faculty of Physics, Chair of Optics, Kyiv 0
[50]. 3D measurement by photon counting type X-ray CT
The 16th International Young Scientists Conference Optics and High Technology Material Science (2015年10月) 招待講演以外
[発表者]Kiryu Sugiyama
[備考] 1)主催団体名: SPO_ Organizing Committee, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 64/13 Volodymyrska Str., Faculty of Physics, Chair of Optics, Kyiv 0
[51]. GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性
電子情報通信学会電子デバイス研究会 (2015年10月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:電子情報通信学会電子デバイス研究会 著者:増澤 智昭,光野 圭悟,畑中 義式,根尾 陽一郎,三村 秀典 開催場所:名城大学名駅サテライト 開催期間:2015年10月22日〜23日
[52]. 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作
電子情報通信学会電子デバイス研究会 (2015年10月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:電子情報通信学会電子デバイス研究会 開催場所:名城大学名駅サテライト 開催期間:2015年10月22日〜23日 著者一覧:胡谷大志, 増澤智昭, 山田貴壽, 落合潤, 斎藤市太郎, 岡野健
[53]. GaAs負性電子親和力カソードの活性化過程における放出電子エネルギー分布
第76会応用物理学会秋期学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]光野 圭悟
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:名古屋国際会議場 開催期間:2015年9月13日〜16日 著者一覧:光野圭悟, 増澤智昭, 畑中義式, 根尾陽一郎, 三村秀典
[54]. ボルケーノ構造ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイのビーム集束特性
第76会応用物理学会秋期学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]長尾 昌善
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:名古屋国際会議場 開催期間:2015年9月13日〜16日 著者一覧:長尾昌善, 後藤康仁, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典
[55]. パルス波高値と立ち上がり時間同時計測による半導体放射線検出器のキャリア輸送特性の解析
第76会応用物理学会秋期学術講演会 (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]中川 央也
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:名古屋国際会議場 開催期間:2015年9月13日〜16日 著者一覧:中川央也, 寺尾剛, 増澤智昭, 伊藤哲, 森井久史, 小池昭史, 青木徹
[56]. Activation Process of GaAs NEA Photocathode and Its Spectral Sensitivity
3rd International Conference on Nanotechnologies and Biomedical Engineering (ICNBME) (2015年9月) 招待講演以外
[発表者]Keigo Mitsuno
[URL]
[備考] 1)主催団体名:ICNBME committee 2)行事名: 3rd International Conference on Nanotechnologies and Biomedical Engineering (ICNBME) 3)開催日時:SEP 23-26, 2015  4)開催地・会場
[57]. Characterization of graphite field emitter inflamed at high temperature
28th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: Sun Yat-sen University, 135 Xingang West Road, Guangzhou, 510275, P. R. China 2)行事名: 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3
[58]. Activation process of GaAs NEA Photocathode and its spectral sensitivity
28th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]Keigo Mitsuno
[備考] 1)主催団体名: Sun Yat-sen University, 135 Xingang West Road, Guangzhou, 510275, P. R. China 2)行事名: 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3
[59]. Development of arrayed diamond emitter for photo imaging application
28th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2015年7月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: Sun Yat-sen University, 135 Xingang West Road, Guangzhou, 510275, P. R. China 2)行事名: 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3
[60]. Sensitivity enhancement of a-Se based photodetector driven by diamond cold cathode
9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (2015年5月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: Japan New Diamond Forum, Jingumae 5-47-11,Shibuya-ku,Tokyo ,150-0001, Japan 2)行事名: 9th International Conference on New Diamond and Nano Carb
[61]. Work function modulations of h-BN using graphene for field emitters
9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (2015年5月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: Japan New Diamond Forum, Jingumae 5-47-11,Shibuya-ku,Tokyo ,150-0001, Japan 2)行事名: 9th International Conference on New Diamond and Nano Carb
[62]. 不純物添加による a-Se 光検出器の高感度化
第12回 真空ナノエレクトロニクスシンポジウム (2015年3月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:真空ナノエレクトロニクス第158委員会 開催場所:アクトシティ浜松コングレスセンター 開催期間:2015年3月2日〜3日 著者一覧:大畑慧訓, 落合潤, 増澤智昭, 胡谷太志, 大西正徳, 斉藤市太郎, W.Hongyu, T.A.J.Loh, D.H.C.Chua, 山田貴壽, 根
[63]. 負性電子親和力を利用したGaAsカソードの表面活性化過程とその分光感度特性
第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月) 招待講演以外
[発表者]光野 圭悟
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:東海大学 湘南キャンパス 開催期間:2015年3月11日〜14日 著者一覧:光野圭悟, 畑中義式, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典
[64]. A high-sensitivity photodetector made of amorphous selenium and nitrogen-doped diamond cold cathode
21st International Display Workshops (2014年12月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: 映像情報メディア学会(ITE),The Society for Information Display(SID) 2)行事名: 第21回ディスプレイ国際ワークショップ(IDW ’14) 3)開催日時: 2014年12月3日(水)~5日(金) 4)開催地・会場: 朱鷺メッセ 新
[65]. a-Seのキャリア増倍を利用した光検出器の高感度化
電子情報通信学会電子デバイス研究会 (2014年10月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:電子情報通信学会電子デバイス研究会 開催場所:北海道大学
[66]. ブロッキング接合を組込んだ a-Se 光検出器ターゲットの開発
第75会応用物理学会秋期学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:北海道大学
[67]. 六方晶窒化ホウ素上に転写されたグラフェンからの電子放出
第75会応用物理学会秋期学術講演会 (2014年9月) 招待講演以外
[発表者]増澤 智昭
[備考] 主催団体:日本応用物理学会 開催場所:北海道大学
[68]. “a-Se junction” based photodetector driven by diamond cold cathode
27th International Vacuum Nanoelectronics Conference (2014年7月) 招待講演以外
[発表者]Tomoaki Masuzawa
[備考] 1)主催団体名: Paul Scherrer Institut, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland 2)行事名: 27th International Vacuum Nanoelectronics Conference 3)開催日時: 2014年7月6日(日)~