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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 田部 道晴 （TABE Michiharu）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[2]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[3]. Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[4]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[5]. Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[6]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(S) 代表

[7]. 単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(B) 分担

[8]. シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発 （ 2011年5月 ） 基盤研究(S) 代表

[9]. 単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製 （ 2011年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[10]. PとBの同時ドーピングによるSiシングルドーパントデバイスの室温動作化 （ 2011年4月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[11]. PとBの同時ドーピングによるSiシングルドーパントデバイスの室温動作化 （ 2010年4月 ） 挑戦的萌芽研究 代表

[12]. 単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製 （ 2010年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[13]. 少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス （ 2010年4月 ） 基盤研究(A) 代表

[14]. ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究 （ 2009年4月 ） 特定領域研究 代表

[15]. 少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス （ 2009年4月 ） 基盤研究(A) 代表

[16]. 少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス （ 2008年4月 ） 基盤研究(A) 代表

[17]. ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究 （ 2008年4月 ） 特定領域研究 代表

[18]. シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発 （ 2007年4月 ） 基盤研究(S) 代表

[19]. ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究 （ 2007年4月 ） 特定領域研究 代表

[20]. ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究 （ 2006年4月 ） 特定領域研究 代表

[21]. シリコン単電子デバイスによる単一イオンの動き検出 （ 2006年4月 ） 萌芽研究 代表

[22]. シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発 （ 2006年4月 ） 基盤研究(S) 代表

[23]. 一次元トンネル接合列をもつSi単電子トランジスタの形成と電子輸送の制御 （ 2006年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[24]. シリコンナノエレクトロニクスの新展開―ポストスケーリングテクノロジー （ 2005年4月 ） 基盤研究(C) 分担

[25]. ナノドットオートマトン用シリコン連結ドット構造における単電子トンネル特性制御 （ 2005年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[26]. 一次元トンネル接合列をもつSi単電子トランジスタの形成と電子輸送の制御 （ 2005年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[27]. シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発 （ 2005年4月 ） 基盤研究(S) 代表

[28]. シリコン単電子デバイスによる単一イオンの動き検出 （ 2005年4月 ） 萌芽研究 代表

[29]. シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発 （ 2004年4月 ） 基盤研究(S) 代表

[30]. シリコン単電子デバイスによる単一イオンの動き検出 （ 2004年4月 ） 萌芽研究 代表

[31]. 一次元トンネル接合列をもつSi単電子トランジスタの形成と電子輸送の制御 （ 2004年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[32]. 連結ドットをもつシリコン単電子トランジスタ （ 2004年4月 ） 特別研究員奨励費 代表

[33]. ナノドットオートマトン用シリコン連結ドット構造における単電子トンネル特性制御 （ 2004年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[34]. ナノドットオートマトン用シリコン連結ドット構造における単電子トンネル特性制御 （ 2003年4月 ） 基盤研究(B) 分担

[35]. 連結ドットをもつシリコン単電子トランジスタ （ 2003年4月 ） 特別研究員奨励費 代表

[36]. SOI層の熱凝集現象を利用したSiアイランドの選択形成と光学素子応用 （ 2003年4月 ） 基盤研究(C) 分担

[37]. SOI層の熱凝集現象を利用したSiアイランドの選択形成と光学素子応用 （ 2002年4月 ） 基盤研究(C) 分担

[38]. 2次元連結型単結晶シリコンドットの作製と電子輸送過程の研究 （ 2002年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[39]. 薄いSOI活性層の熱安定化構造の開発 （ 2002年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[40]. 2次元連結型単結晶シリコンドットの作製と電子輸送過程の研究 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[41]. 薄いSOI活性層の熱安定化構造の開発 （ 2001年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[42]. SOI層の熱凝集現象を利用したSiアイランドの選択形成と光学素子応用 （ 2001年4月 ） 基盤研究(C) 分担

[43]. 2次元連結型単結晶シリコンドットの作製と電子輸送過程の研究 （ 2000年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[44]. 薄いSOI活性層の熱安定化構造の開発 （ 2000年4月 ） 基盤研究(B) 代表

[45]. Si/SiO 2系高密度量子ドット形成法に関する研究 （ 1998年1月 ） 特定領域研究(A) 代表

[46]. Si/SiO 2系高密度量子ドット形成法に関する研究 （ 1997年4月 ） 特定領域研究(A) 代表

[47]. Si量子ドット形成のための超微細LOCOSプロセスに関する研究 （ 1996年1月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 一般研究(B)→基盤研究(B)

[48]. Si/SiO 2系高密度量子ドット形成法に関する研究 （ 1996年1月 ） 特定領域研究(A) 代表

[49]. Si量子ドット形成のための超微細LOCOSプロセスに関する研究 （ 1995年4月 ） 一般研究(B) 代表
[備考] 一般研究(B)→基盤研究(B)