静岡大学：教員データベース - 田部道晴（TABE Michiharu）

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 田部道晴（TABE Michiharu）

学会発表・研究発表

【学会発表・研究発表】
[1]. Si中の個別ドーパントの物理と利用：FETとエサキダイオードナノデバイステクノロジーワークショップ2016 （2016年3月）招待講演 [発表者]田部道晴,モラル　ダニエル,サマンタ　アルプ,水野　武志 [備考] 開催場所：広島大学主催団体：広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 [2]. ドーパントを介したトンネル電流の評価とデバイス応用電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門委員会「トンネル現象を利用したデバイスとその物理」（2016年3月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会 [3]. Dynamical modification of the equivalent circuit with the bias voltage in a multiple-dopant system The 17th Takayanagi Memorials Symposium （2015年11月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Yuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：静岡大学　浜松キャンパス主催団体：静岡大学 [4]. Atomic and Molecular Effects based on Dopants in Silicon Nanodevices Inernational Conference on Small Science (ICSS Meeting）（2015年11月）招待講演 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Krzysztof Tyszka,Manoharan Muruganathan,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Phuket,THAILAND 主催団体：University of Electronics and Technology of China他 [5]. 個別ドーパントの物理と利用：FETとエサキダイオード The2nd De Novo Si Workshop～現役シニアからの発信（2015年10月）招待講演以外 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス　主催団体：応用物理学会東海支部 [6]. Effect of Individual Dopants in Nano-SOI-MOSFETs and Nano-pn-Diodes 228th　ECS　Meeting （2015年10月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Krysztof Tyszka,Hoang Nhat Tan,Yuuki Takasu,Ryszard Jablonski,Le The Anh,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：Phoenix Convention Center, Phoenix, USA 主催団体：ECS [7]. Impact of dopant atoms on electron tunneling into nanoscale-transistor channels Inter-Academia 2015 （2015年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Krysztof Tyszka,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松主催団体：静岡大学他 [8]. ドーパント原子を用いたシリコンナノデバイスの研究豊田工業大学グリーン電子素子・材料研究センター第１回シンポジウム（2015年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：名古屋市主催団体：豊田工業大学 [9]. Dopant-cluster-assisted tunnelling in Si nanodevices Silicon Quantum Electronics Workshop 2015 （2015年8月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Hoang Nhat Tan,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：高松市主催団体：日本学術振興会 [10]. Recent Progress In Single-Dopant Atom Devices The14th International Conference on Quality in Research（QiR) （2015年8月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：Lombok, INDONESIA 主催団体：インドネシア大学 [11]. Physics of Strongly-Coupled Dopant-Atoms In Nanodevices The 14th International Conference on Quality in Research (QiR) （2015年8月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Yuki Takasu,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Lombok, INDONESIA 主催団体：インドネシア大学 [12]. Position and Number Control of Donor-QD Potential by Patttern-doping in SOI-FET Channels 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE [13]. The impact of single donor and donor-acceptor pair on electronic and transport properities of silicon nanostructures 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Le The Anh,Daniel Moraru,Muruganathan Manoharan,Michiharu Tabe,Hiroshi Mizuta [備考] 開催場所：京都市主催団体名：応用物理学会、IEEE [14]. Impact of Diffused Donor-Clusters near Lead/Channel Boundary on High-Temperature Single-Electron Tunneling in Narrow SOI-FETs 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Krzysztof Tyszka,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE [15]. Dopant-Assisted Tunnel-Current Enhancement in Two-Dimensional Esaki Diodes 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外 [発表者]Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,AnaK Agung Ngurah Gde Sapteka,Sri Purwiyanti Surya,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE [16]. Tunneling Transport through Single-and Clustered -Dopants ⅢBilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Hoang Nhat Tan,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：京都市主催団体：東北大学、イタリア大使館 [17]. Tunneling via Single and Couple Dopant Atoms in Si Nanodevices EMN Meeting on Quantum Technology(EMN) （2015年4月）招待講演 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Krzytof Tyszka,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Beijing Xijiao Hotel,Beijing, China 主催団体：University of Electronic Science and Technology of China [18]. 低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET 2015年（第62回）応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]Yuuki Takasu,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会 [19]. Effect of Individual Dopants in Esaki Tunneling Diodes 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Ryosuke Unno,Anak Agung Ngurah Gde Sapteka ,Sri Purwiyanti,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会 [20]. Surface potential observation of heavily-doped Si by KPFM 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]Krzystof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会 [21]. Electric-field-assisted formation of an interfacial double-donor molecule in Si nano-transistors 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta ,Daniel Moraru ,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会 [22]. Interactions of individual dopants and macroscopic quantum dots in weakly-doped nanoscale SOI-FETs 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru ,Yuuki Takasu,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会 [23]. 小数個のドーパントを利用したSiナノデバイスードーパントのパラダイムシフト「システムナノ技術に関する時限研究専門委員会」第１回研究会（2015年2月）招待講演 [発表者]田部道晴,ダニエルモラル [備考] 開催場所：東京大学主催団体：電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ [24]. Interaction between Dopant Atoms and Interface in Nanoscale Transistors 3rd International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2015) （2015年2月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Chennai　INDIA　主催団体：SRM大学 [25]. Tunneling Transport via Dopant-induced Quantum Dots in Silicon Nano-devices 3rd International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2015) （2015年2月）招待講演 [発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Chennai INDIA 主催団体：SRM大学 [26]. KPFM Observation of Donors in Transistor Channels Doped with Different Concentrations 2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学 [27]. Atomic and Molecular Behavior in Tunneling Transport via Dopants in Nano-Transistors 2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学 [28]. Interface-Assisted Merging of Two Donor Potential Wells in Ultrathin Si-Transistors 2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学 [29]. KPFM observation of donors in field effect transistor channel The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [30]. Single Electron Transport in Double-Donor System at Si/SiO2 Interface in Ultrathin SOI-FETs The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [31]. Low-temperature spectroscopy of donor states in silicon nano-channels The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [32]. Silicon Nanoscale Transistors with Dopant-Induced Quantum Dots The 2nd International Conference on Nano Electronics Research and Education(ICNERE2014) （2014年11月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Takahiro Tsutaya,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学、インドネシア大学 [33]. Transport Phenomena in Nanoscale Silicon Tunneling pn Diodes The 2nd International Conference on Nano Electronics Research and Education (ICNERE2014) （2014年11月）招待講演以外 [発表者]Anak Agung Ngurah Gde Sapteka,Sri Purwiyanti,Hoang Nhat Tan,Ryosuke Unno,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Arief Udhiarto,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学、インドネシア大学 [34]. シリコン中の少数個不純物の電子状態とデバイス応用電子情報通信学会東北支部学術講演会（2014年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：秋田市主催団体：電子情報通信学会東北支部 [35]. Interband Tunncling through Individual Dopants in Nanoscale pn Junctions 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外 [発表者]Hoang Nhat Tan,Purwiyanti Sri,Daiel Moraru,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Hartanto Djoko,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会 [36]. KPFM Imaging of Donor Clusters in Selectively-Doped SOI-FET 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外 [発表者]Krzystof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会 [37]. Effect of Dopants in Tunnel Barriers of Selectively Doped SOI-FETs 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takahiro Tsutaya,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会 [38]. Impact of Doping Concentration Regimes on Low-Temperature Tunneling in Nanoscale SOI-FETs 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Yuuki Takasu,Takahiro Tsutaya,Arup Samanta,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会 [39]. Study of interband tunneling in nanoscale Si pn junctions Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti Surya,Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他 [40]. Tunneling Transport in Quantum Dots Formed by Coupled Dopant Atoms Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Yuuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他 [41]. Kelvin Probe Force Microscope Observation of Donors’ Arrangement in Si Transistor Channel Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他 [42]. Impact of Dopant Induced States on Interband Tunneling in Nanoscale pn Junctions 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) （2014年9月）招待講演以外 [発表者]Hoang Nhat Tan,Arup Samanta,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：つくば市主催団体：The Japan Society of Applied Physics [43]. KPFM Observation of Quantum Dots Induced by Clustered Donors in Selectively-Doped SOI-FETs 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) （2014年9月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：つくば市主催団体：The Japan Society of Applied Physics [44]. Impact of Individual Atoms on Si Nano Electronic and Photonic Devices 3rd International Conference on Advanced Material and Practical Nanotecnology(ICAMPN) （2014年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：Jakarta,Indonesia 主催団体：Indonesian Institute of Sciences (インドネシア科学庁） [45]. Study of Quantized-Energy Effects in Si Nanoscale Lateral pn Junction Diodes 2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体名：IEEE,応用物理学会 [46]. Electron Transport in Double-Donor Systems at Si/SiO2 Interface in SOI-FETs 2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体：IEEE,応用物理学会 [47]. Control of Electron Transport Regimes via Single- and Multiple-Donors in Nano-Channel SOI-FETs 2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Yuuki Takasu,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体：IEEE,応用物理学会 [48]. 個別ドーパント原子のSiデバイスへの応用将来デバイスに向けたシリコン系基盤研究の集い（2014年4月）招待講演以外 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：松江市主催団体：応用物理学会中国四国支部 [49]. ドナー原子トランジスタにおける電子トンネリングの高温動作 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会、シリコンテクノロジー分科会論文賞および奨励賞記念講演（2014年3月）招待講演 [発表者]エルファンハミッド,ダニエル　モラル,葛屋陽平,水野武志,レテアン,水田博,田部道晴 [備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会 [50]. Tunneling transport spectroscopy of interacting donors in silicon nano-transistors 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,高須友貴,蔦屋貴大,Le The Anh,水野武志,水田博,田部道晴 [備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会 [51]. Effect of electric field on single-electron tunneling transport in dopant-atom transistors 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会 [52]. Interband Tunneling in Si Lateral Nano-pn Junctionstransistors 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti ,Hoang Nhat Tan,Gde Sapteka,Daniel Moraru,水野武志、田部道晴 [備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会 [53]. Dopant atom devices based on Si nanostructures 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics （2014年1月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta [備考] 開催場所：仙台市主催団体：東北大学 [54]. 電子工学の研究における国際的な経験サイエンスカフェin浜松（2014年1月）招待講演 [発表者]モラルダニエル [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [55]. Electric Field Effect on Single-dopant-atom Si FETs The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [56]. Single Dopant Nature of Nano-pn Junctions The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [57]. Transport Spectroscopy of Selectively-doped Interacting Donors in Silicon Nano-transistors The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [58]. Transport spectroscopy of selectively doped dopant-bases SOI-transistors Directionds of Interdisciplinary Domain Research in Japan-Europe Partner ship （2013年11月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：静岡市主催団体：静岡大学 [59]. Surface Potential Measurement of Selectively-doped FETs by KPFM The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [60]. Dopant-Atom-Based Tunnel SOI-MOSFETs 224th ECS Meeting （2013年10月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta [備考] 開催場所：San Francisco, USA 主催団体：ECS [61]. KFM Measurement of Nano-Scale Selectively Doped Silicon Channel 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外 [発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Morarl,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会 [62]. Transport Spectroscopy of Dopant States in Randomly-Doped Single-Electron Transistors 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Earfan Hamid,葛屋陽平,Le The Anh,水野武志,水田博,田部道晴 [備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会 [63]. Transport via dopant-quantum-dots fabricated by thermal diffusion through nano-masks 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Morarl,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会 [64]. Observation of Individual Dopants in the Electrical Characteristics of Nanoscale pn Junctions 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,水野武志,ジョコハルタント,田部道晴 [備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会 [65]. Detection of Dopant Potential in Silicon Nano-Channel by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscopy Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Roland Nowak,Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski [備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他 [66]. Fabrication of controlled dopant-induced quantum dots by thermal diffusion through nano-masks Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他 [67]. Individual Dopants SIgnature in I-V Characteristics of Nanoscale SOI pn Junctions Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他 [68]. Dopant-Atom-based SOI-Transistors by Selective Nanoscale Doping 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) （2013年9月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：福岡市主催団体：The Japan Society of Applied Physics [69]. Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions 15th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (15-UFPS) （2013年8月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto [備考] 開催場所：Vilnius, Lithuania 主催団体：CENTER FOR PHYSICAL SCIENCES AND TECHNOLOGY [70]. Potential Profile and Photovoltaic Effect in Nanoscale Lateral pn Junction Observed by Kelvin Probe Force Microscopy the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) （2013年6月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：福岡市 [71]. Electrical characteristics of donor-induced quantum dots formed in nanoscale selectively-doped SOI-FETs 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop （2013年6月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Tatsuya Nagasaka,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市主催団体名：IEEE、応用物理学会 [72]. Dopant-Induced Random Telegraph Signal in Nanoscale pn and pin Junctions 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop （2013年6月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市主催団体名：IEEE、応用物理学会 [73]. Single‐dopant Atom Devices for The Future of Nanoelectronics the 13th International Conference on Quality in Research (QiR) （2013年6月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：Yogyakarta, Indonesia 主催団体名：インドネシア大学, IEEE [74]. Observation of Negative Differential Conductance in Nanoscale p‐n Junctions the 13th International Conference on Quality in Research (QiR) （2013年6月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Yogyakarta, Indonesia 主催団体名：インドネシア大学, IEEE [75]. Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature –Toward room temperature operation – 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM合同研究会（2013年5月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス主催団体：電子情報通信学会 [76]. Single-dopant-atom devices: dopant observation and tunneling operation at high temperatures II Bilateral Italy-Japan Seminar （2013年4月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：Riva del Garda, Italy [77]. Multiple-donor systems and interaction with photons for diversity of applications II Bilateral Italy-Japan Seminar （2013年4月）招待講演 [発表者]Daniel Moraru [備考] 開催場所：Riva del Garda, Italy [78]. 究極の小型スイッチ「原子トランジスタ」サイエンスカフェin静岡（2013年3月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：静岡市主催団体：静岡大学 [79]. Influence of deep energy dopants on the electronic potential distribution of two-dimensional pn junctions measured by Kelvin probe force microscope 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,ダニエルモラル,水野武志,Ryszard Jablonski,田部道晴 [備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会 [80]. Trapping and Detrapping of Carriers by Individual Dopants in Lateral Nanoscale p-n Junctions 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,ダニエルモラル,水野武志,ジョコハルタント,田部道晴 [備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会 [81]. Persistence of single-donor effect up to room temperature in SOI-MOSFETs 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外 [発表者]Arup Samanta,エルファンハミッド,ダニエルモラル,水野　武志,田部　道晴 [備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会 [82]. Single-electron switching in a triple-donor-atom system in nanoscale SOI-FETs 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Juli Cha Tarido,Earfan Hamid,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会 [83]. ドーパント原子トランジスタの研究文部科学省「テニュアトラック普及・定着事業（若手研究者の自立的研究環境整備促進）」　若手グローバル研究リーダー育成プログラム成果報告会（2013年2月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所：浜松市 [84]. シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性電子情報通信学会SDM／ED合同研究会（2013年2月）招待講演以外 [発表者]スリ・プルウィヤンティ,アリエフ・ウディアルト,ローランド・ノヴァック,ダニエル・モラル,水野武志、ジョコ・ハルタント、リシャード・ヤブロンスキー、田部道晴 [備考] 開催場所：札幌市主催団体：電子情報通信学会 [85]. Effects of deep level dopants on the　potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope 2013 International Workshop on Advanced Nanovision Science （2013年1月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市 [86]. Single dopant transistor - Toward room temperature operation ITRS Emerging Research Materials Workshop on Deterministic, conformal doping & monolayer doping （2013年1月）招待講演 [発表者]Daniel Moraru,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Berkeley, USA [87]. シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイス日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第83回研究会（2012年12月）招待講演 [発表者]田部道晴,ダニエル・モラル,エルファン・ハミッド,水野武志 [備考] 開催場所：東京都港区主催団体：日本学術振興会 [88]. First-principlecalculationsof energystatesof asingle phosphorus donoratom in silicon stub transistors 2012年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会（2012年11月）招待講演以外 [発表者]Le The Anh,Yohei Kuzuya,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Manoharan Muruganathan, Michiharu Tabe, Hiroshi Mizuta [備考] 開催場所：金沢市主催団体：日本物理学会 [89]. Donor Ionization Energy and Electronic States in Si nano-FETs 2012 Korean-Japanese Students Workshop （2012年11月）招待講演以外 [発表者]Yohei Kuzuya,Le The Anh,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：Busan, Korea 主催団体：Shizuoka University, Pusan National University [90]. Dopant Atom Devices Based on Si Nanostructures The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [91]. Observation of Charging and Discharging Effects of Dopant Atoms in Nanoscale Lateral p-n Junction by Kelvin Probe Force Microscope The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [92]. Dopant-Based Single-Photon Detection in Lateral Nanowire p-n Junctions The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学 [93]. Photoexcited-Electron Trapping by Individual Donor in Lateral Nanowire pn junction 2012 International Conforence on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) （2012年9月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市 [94]. Observation of Charging and Discharging Effects of Dopant Atoms in Nanoscale Lateral pn Junction by Kelvin Probe Force Microscopy 2012 International Conforence on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) （2012年9月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：京都市 [95]. Experimental and ab initio Study of Donor State Deepening in Nanoscale SOI-MOSFETs International Union of Materials Research Societies ? International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) （2012年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Yohei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：横浜市 [96]. Kelvin probe force microscope observation of nanoscale pn junction depletion layer 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会 [97]. シリコンナノpn接合の電子状態 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]葛屋陽平,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博 [備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会 [98]. Photon detection by individual donor in lateral nanowire pn junction 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会 [99]. Ionization energy enhancement and high temperature operation of single-dopant transistors 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]Earfan Hamid,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会 [100]. Kelvin probe force microscope observation of nanoscale pn junction depletion layer 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe [備考] 開催地：松山市主催団体：応用物理学会 [101]. Single dopant atom transistors: New era of electronics Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー） [102]. Deep-energy phosphorus donor atoms in ultrathin-channel silicon transistors Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー） [103]. Characterization of nanoscale lateral pn junction by Kelvin probe force microscope Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演以外 [発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe [備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー） [104]. シングルドーパントエレクトロニクス島根大学招待講演（2012年7月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地：松江市主催団体：島根大学 [105]. Observation of photovoltaic effect and single-photon detection in nanowire silicon pn-junction The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012) （2012年7月）招待講演以外 [発表者]Arief Udhiarto,Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催地：Bali, Indonesia 主催団体：静岡大学、インドネシア大学 [106]. Observation of Tunneling Effects in Lateral Nanowire pn Junctions The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012) （2012年7月）招待講演以外 [発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto, Michiharu Tabe [備考] 開催地：Bali, Indonesia 主催団体：静岡大学、インドネシア大学 [107]. Single-electron transport through a single donor at elevated temperatures 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2012年6月）招待講演以外 [発表者]Earfan Hamid,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催地：Honolulu, HI USA 主催団体：IEEE [108]. Ab initio analysis of donor state deepening in Si nano-channels 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2012年6月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe, Hiroshi Mizuta [備考] 開催地：Honolulu, HI USA 主催団体：IEEE [109]. Dopant atoms in silicon nanodevices 2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting (2012 EMN Meeting) （2012年4月）招待講演 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Miftahul Anwar,Roland Nowak, Arief Udhiarto, Ryszard Jablonski, Takeshi Mizuno [備考] 開催地：Florida, USA 主催団体：OAHOST [110]. Single Dopant Electronics 会議名(JAIST Int. Seminar on Emerging Nanotechnologies for `More-than-Moore' and `Beyond CMOS' era (ISEN2012)) （2012年3月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(Japan Advanced Institute of Science and Technology)　開催地（Kanazawa） [111]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M.Tabe [備考] 開催場所（Nomi） [112]. Single-Dopant Based Silicon Photonic Devices JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Nomi） [113]. Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,D. Moraru,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Nomi） [114]. Single-dopant transistors and dopant-based turnstiles JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Nomi） [115]. シリコンナノ構造におけるリンドナー電子状態の空間分布 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]葛屋陽平,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博 [備考] 開催場所（早稲田大） [116]. Electronic potential of lateral nanoscale Si pn junctions observed by KFM technique 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,M. Takeshi,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（早稲田大） [117]. Observation of the photovoltaic effect in pn-junction silicon-on-insulator nanowires 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,S. Purwiyanti,D. Moraru,M. Takeshi,T. Michiharu [備考] 開催場所（早稲田大） [118]. Transport through single donors at elevated temperatures in nanoscale Si transistors 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（早稲田大） [119]. 第一原理計算によるシリコンナノロッドトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析電子情報通信学会SDM/ED合同研究会（2012年2月）招待講演以外 [発表者]葛屋陽平,モラルダニエル,水野武志,田部道晴,水田　博 [備考] 開催場所（北大） [120]. KFM observation of individual dopant potentials and electron charging 電子情報通信学会SDM/ED合同研究会（2012年2月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（北大） [121]. Single Dopant Electronics 会議名(4th Int. Lecture with Alexandru Loan Cuza Univ.(Romania)) （2012年2月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（浜松市） [122]. Single-dopant/interface interaction effects on transport characteristics of silicon nano-transistors 2012 Int. Workshop on Advanced Nanovision Science （2012年1月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [123]. シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイスとフォトン検出会議名(東北大学電気通信研究所組織連携型共同プロジェクト研究研究会) （2011年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(東北大学)　開催地（浜松市） [124]. Single dopant devices: Toward diversity and high temperature operation 会議名(Italia week at Waseda, Int. Workshop (Nanoelectronics Workshop)) （2011年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(早稲田大学、イタリア大使館)　開催地（Tokyo） [125]. KFM measurements of surface potential induced by donor and acceptor dopants in hydrogen-passivated SOI-FETs The 13th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2011年11月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [126]. Single-dopant Based Silicon Photonic Devices The 13th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2011年11月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [127]. Theoretical Analysis of Single Dopants in Silicon Nanowire Transistors 2011 Korean-Japanese-Student Workshop (KJS Workshop) （2011年11月）招待講演以外 [発表者]Y. Kuzuya,H. Mizuta,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [128]. シリコン系シングルドーパントデバイスとフォトン検出会議名(日本学術振興会光電相互変換第125委員会第214回研究会) （2011年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（浜松） [129]. Effect of donor-level deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs 会議名(Inter-Academia 2011) （2011年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（Sucevita,Romania） [130]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique Inter-Academia 2011 （2011年9月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,,M. Tabe [備考] 開催場所（Sucevita, Romania） [131]. Temperature evolution of electron transport in single-donor transistors Inter-Academia 2011 （2011年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,A. Udhiarto,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Sucevita, Romania） [132]. Effect of Free Carriers on Dopant-induced Surface Potential in SOI-FETs 2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) （2011年9月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,R. Nowak,D. Moraru,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Nagoya） [133]. Donor-location-dependent RTS Observed by Trapping and Detrapping of a Photoexcited Electron by a Single Donor 2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) （2011年9月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T . Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Nagoya） [134]. 少数ドーパントを有するシリコンナノロッドの状態解析 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]葛屋陽平,ダニエル,モラル,水野武志,田部道晴,水田　博 [備考] 開催場所（山形大） [135]. Probing donor location by assistance of photons in nano-scale SOI-FETs 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（山形大） [136]. H₂ annealing effects on surface potential of As-implanted Si measured by KFM 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,R. Nowak,Y. Ono,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（山形大） [137]. 単一イオン注入プロセス:1nm精度への挑戦 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]品田賢宏,堀　匡寛,小野行徳,田部道晴 [備考] 開催場所（山形大） [138]. Role of interface potential well in transport in single-donor transistors 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,J. C. Tarido,E. Hamid,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（山形大） [139]. 単一ドーパントデバイス:多様性と高温動作に向けて会議名(2011年秋季第73回応用物理学会学術講演会シンポジウム講演) （2011年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（山形） [140]. 単一ドーパントシミュレーション -ナノ構造内ドーパント原子の状態と電子輸送- 会議名(2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会シンポジウム講演) （2011年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（山形） [141]. シリコン系シングルドーパントデバイスとKFMによる局所電位評価会議名(国際高等研究所研究会『単分子エレクトロニクスの現状認識と近未来実現へ向けての中核体制構築』) （2011年7月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(財団法人国際高等研究所)　開催地（京都） [142]. Dopant Atom Devices and Photonic Devices 会議名(Int. Seminar on the Future of Nanotechnology) （2011年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(インドネシア大)　開催地（Jakarta,Indonesia） [143]. Single-electron transfer between two donors via an interface dot 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外 [発表者]J. C. Tarido,D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [144]. Photon-induced electron trapping by a single donor 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [145]. Role of Channel Pattern on the Formation of Single-Dopant Transistors Villa Conf. on Interactions Among Nanostructures (VCIAN 2011) （2011年4月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,J. C. Tarido,A. Udhiarto,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Las Vegas, USA） [146]. Atom devices based on single-dopants in silicon nanostructures 会議名(Villa Conf. on Interactions Among Nanostructures (VCIAN 2011)) （2011年4月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(Oanano)　開催地（Las Vegas,USA） [147]. Single-Electron Memory Effects in Double-Donor and Triple-Donor Systems 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,三木早樹人,水野武志,D. Moraru,田部道晴 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [148]. Topography and Electronic Potential Correlation in Phosphorus-Doped FET Channel Measured by LT-KFM 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]R. Nowak,M. Anwar,川合雄也,D. Moraru,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [149]. Siナノワイヤp-n ダイオードにおけるランダムテレグラフシグナルの観察 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,三木早樹人,小林　稔,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [150]. Photon-Induced RTS due to Single Donor Charging and Discharging in Phosphorus-Doped SOI-FETs 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,中村竜輔,V. Mizeikis,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [151]. Possibility of Electron Transfer between Two Donors via Interface in Doped Nanoscale Si FETs 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]J. C. Tarido,E. Hamid,D. Moraru,中村竜輔,三木早樹人,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [152]. 単一不純物を有するシリコンナノロッドトランジスタの第一原理解析 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外 [発表者]葛屋陽平,三木早樹人,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博 [備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ） [153]. Single-electron transfer between two donors in thin nanoscale silicon transistors 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2011年2月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（北海道大学） [154]. Current Intermittency in SOI-FETs under Continuous Light Illumination 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2011年2月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（北海道大学） [155]. Si Single Dopant Devices 会議名(2011 The Int. Symp. on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)) （2011年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(NTT)　開催地（Atsugi） [156]. Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM 会議名(2010 18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)) （2010年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（Atagawa） [157]. Single dopant devices: Single-electron transport through single-dopants 会議名(2010 ITRS Deterministic Doping Workshop 2) （2010年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Berkeley,USA） [158]. SOIを利用した新たな輸送制御による新機能デバイスの研究について会議名(2010 島根大学招待講演) （2010年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(島根大学)　開催地（島根大学） [159]. Fabrication and Characterization of Si Nanowire p-n Diodes 2010 Korean-Japanese-Student Workshop(KJS Workshop) （2010年11月）招待講演以外 [発表者]S. Miki,M. Kobayashi,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Korea） [160]. Single-electron transport via single and multiple donors in Si-FETs The 12th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2010年11月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,R. Nakamura,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [161]. 低温KFMによるリンをドープしたSOI表面の電位観察応用物理学会東海支部第17回基礎セミナー（2010年10月）招待講演以外 [発表者]川合雄也,ミフタフルアンワル,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（静大浜松キャンパス） [162]. Siナノワイヤp-nダイオードの作製と評価 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]三木早樹人,小林　稔,モラルダニエル,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（長崎大学） [163]. Single-, Double-, and Triple-Dot Arrays in Patterned Phosphorus-Doped Nano-FETs 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,中村竜輔,J. C. Tarido,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（長崎大学） [164]. Single-Electron Charging by Extension of Dopant-Induced Quantum Dot at Interfaces under Electric Field 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,三木早樹人,水野武志,D. Moraru,田部道晴 [備考] 開催場所（長崎大学） [165]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,川合雄也,水野武志,J. Rizard,小野行徳,田部道晴 [備考] 開催場所（長崎大学） [166]. Sensitivity Enhancement of Single-Photon Detection by Channel Patterning in Phosphorus-Doped SOI-FETs 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,三木早樹人,中村竜輔,V. Mizeikis,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（長崎大学） [167]. Single-Photon Detection by Individual Dopants and the Effect of Channel Shape in SOI-FET 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) （2010年9月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,V. Mizeikis,M. Tabe [備考] 開催場所（Tokyo） [168]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Isolated and Clustered Dopants 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) （2010年9月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,T. Mizuno,R. Jablonski,Y. Ono,M. Tabe [備考] 開催場所（Tokyo） [169]. Kelvin Probe Force Microscope measurement uncertainty Inter-Academia 2010 （2010年8月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,D. Moraru,T. Mizuno M. Tabe,R. Jablonski [備考] 開催場所（Latvia） [170]. Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs Inter-Academia 2010 （2010年8月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Latvia） [171]. Tunable single-electron turnstile using discrete dopants in nanoscale SOI-FETs Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE) （2010年6月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,K. Yokoi,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Tokyo） [172]. KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE) （2010年6月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,Y. Kawai,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Tokyo） [173]. Control of dopant-induced quantum dots by channel geometry 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop （2010年6月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（USA） [174]. Single-dopant memory effect in P-doped Si SOI-MOSFETs 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop （2010年6月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe [備考] 開催場所（USA） [175]. Si single-dopant devices and their characterization 会議名(2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)) （2010年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(IEICE)　開催地（Tokyo） [176]. Single-photon detection by Si single-electron FETs 会議名(2010 European MRS (E-MRS) Symp. J: Silicon-based nanophotonics) （2010年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(European Materials Research Society)　開催地（Strasbourg,France） [177]. Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs 電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会（2010年5月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe [備考] 開催場所（静大浜松キャンパス） [178]. Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET 電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会（2010年5月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（静大浜松キャンパス） [179]. Si中に低加速イオン注入したAs の低温KFM観察 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]川合雄也,アンワルミフタフル,三木早樹人,小野行徳,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（平塚） [180]. ディスク状チャネルをもつ単電子トランジスタの特性 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]中村竜輔,横井清人,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（平塚） [181]. Interaction of Single Photon and Single Electron Transport in Phosphorus-Doped SOI-FET 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（平塚） [182]. Observation of Si Channel Potential by LT-KFM 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,Y. kawai,S. Miki,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（平塚） [183]. Simulation and experimental study of single electron trapping in doped nanoscale FETs 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe [備考] 開催場所（平塚） [184]. Single-Dopant Control in Single-Electron Transport through Arrays of Dopants 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,三木早樹人,Juli Cha Tarido,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（平塚） [185]. Towards Silicon-based Single Dopant Technology 会議名(2010 JST Int. Symp. on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies for 'More-than-Moore' and 'Beyond-CMOS' Era) （2010年3月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(JST)　開催地（Southampton,UK） [186]. シングルドーパントデバイスの現状と課題会議名(2010 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117回研究集会接合技術研究集会) （2010年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（東京） [187]. Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential by LT-KFM 会議名(2010 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics) （2010年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Sendai） [188]. シリコンドーパント原子デバイス会議名(2009 日本表面科学会中部支部研究会) （2009年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本表面科学会)　開催地（名古屋） [189]. シリコンドーパント原子デバイス会議名(2009 電子情報通信学会北海道支部およびIEEE札幌支部共催講演会) （2009年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（北海道） [190]. Single Dopant Memory Effect in Ultra-Thin Silicon Field Effect Transistors 第9回日本表面科学会中部支部学術講演会（2009年12月）招待講演以外 [発表者]J. C. Tarido [備考] 開催場所（名古屋） [191]. 低温Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察第9回日本表面科学会中部支部学術講演会（2009年12月）招待講演以外 [発表者]川合雄也 [備考] 開催場所（名古屋） [192]. Calibration and inaccuracy estimation of Kelvin Probe Force Microscopy technique Mechatronics 2009 （2009年11月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Tabe,R. Jablonski [備考] 開催場所（Luhacovice, Czech Republic） [193]. Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices 会議名(2009 インドネシア大学特別講義) （2009年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(インドネシア大学)　開催地（Depok,Indonesia） [194]. Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices 会議名(2009 2nd Int. Conf. on Advanced Material and Practice of Nanotechnology (ICAMPN)) （2009年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(Indonesia Nano Society, Ministry of National Education and Ministry of Research and Technology.)　開催地（Jakarta,Indonesia） [195]. Single Dopant Electronics 会議名(2009 The 6th Korean-Japanese Student Workshop) （2009年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学・釜山大学)　開催地（浜松） [196]. Si Single Electron Devices Using Individual Dopants The 6th Korean-Japanese Student Workshop (KJS Workshop) （2009年10月）招待講演以外 [発表者]S. Miki,D. Moraru,R. Nakamura,M. Ligowski,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [197]. Single- Electron Transport through Discrete Dopants SSDM 2009 （2009年10月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,M. Anwar,M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（仙台） [198]. シリコン単電子・単原子デバイス/極微細MOSFETにおける新しい展開と光・電子応用への道 JST Innovation Bridge 静岡大学研究シーズ発表会～光・電子・ナノテク～（2009年10月）招待講演以外 [発表者]田部道晴 [備考] 開催場所（東京） [199]. Detection of individual dopants in single-electron devices- A study by KFM observation and simulation Inter-Academia 2009 （2009年9月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Anwar,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe,R. Jablonski [備考] 開催場所（Kazimierz Dolny, Poland） [200]. Single-electron transport through individual dopants in heavily-doped nanoscale FETs 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（富山） [201]. ゲート容量と接合容量の不均一性が単電子転送動作に与える効果 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]横井清人,ダニエルモラル,田部道晴 [備考] 開催場所（富山） [202]. Possibility of single-electron trapping by a single dopant in doped nanoscale FETs 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,M. Anwar,M. Ligowski,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe [備考] 開催場所（富山） [203]. Observation of Single-Electron Charging in Dopant Potential by Kelvin Probe Force Microscope 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,Y. Kawai,S. Miki,T. Mizuno M. Tabe [備考] 開催場所（富山） [204]. Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants Inter-Academia 2009 （2009年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,M. Ligowski,J. C. Tarido,S. Miki,R. Nakamura,K. Yokoi,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Kazimierz Dolny, Poland） [205]. Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants 会議名(2009 第5回阪大ナノサイエンステクノロジー国際シンポジウム) （2009年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（大阪） [206]. Inter-Dopant Coupling Tuning for Single-Electron Transfer 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop （2009年6月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,M. Ligowski,K.Yokoi,T. Mizuno,,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [207]. Single-Dopant Resolved Characteristics in Doped Nanowire Field-Effect Transistors 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop （2009年6月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,D. Moraru,R. Jablonski,,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [208]. Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices 会議名(2009 6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)) （2009年5月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Los Angeles,USA） [209]. Inter-dopant coupling modulation in double-gated doped-nanowire FETs 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外 [発表者]モラル,ダニエル,リゴフスキ,マチェイ,横井清人,田部道晴 [備考] 開催場所（筑波大学） [210]. 多重トンネル接合によるランダムな接合容量下での単電子転送シミュレーション 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外 [発表者]横井清人,モラル,ダニエル,田部道晴 [備考] 開催場所（筑波大学） [211]. Surface Potential of Thin Si Channel Measured by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (LT-KFM) 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外 [発表者]M. Anwar,M. Ligowski,D. Moraru,J.C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（筑波大学） [212]. PとBを同時ドープした SOI-MOSFETの単電子輸送特性 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外 [発表者]三木早樹人,笠井勇希,海老澤一仁,水野武志,モラル,ダニエル,田部道晴 [備考] 開催場所（筑波大学） [213]. KFMによる半導体不純物分析の最前線会議名(2009 日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会/第53回研究会) （2009年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（京都） [214]. シリコンナノデバイスの新展開-少数個の電子とイオンの利用に向けて- 会議名(2009 静岡大学創造科学技術大学院シンポジウム) （2009年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（浜松） [215]. シリコン単電子デバイス:単一フォトンおよび単一ドーパントとの相互作用会議名(2008 平成20年度電子情報通信学会東北支部専門講習会) （2008年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（秋田） [216]. Surface potential profile of doped Si channel measured bu low temperature Kelvin probe microscope (LT-KFM) 第8回日本表面科学会中部支部学術講演会（2008年12月）招待講演以外 [発表者]ミフタフル,アンワル [備考] 開催場所（名古屋） [217]. Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-Electron Devices 会議名(2008 IUMRS Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)) （2008年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Nagoya） [218]. Si Single-Electron SOI-MOSFETs: Interplay with Individual Dopants and Photons 会議名(2008 MRS fall meeting) （2008年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Boston,USA） [219]. Single-Electron Transfer Operation in Inhomogeneous Arrays of Quantum Dots Introduced by Dopants The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外 [発表者]K. Yokoi,D. Moraru,M. Ligowski,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [220]. Detection of Individual Dopants by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [221]. Atomic-level tuning of few-dopants arrays for single-electron transfer The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Maciej Ligowski,Kazuhito Ebisawa,Kiyohito Yokoi,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [222]. Measurement of Dopant- Induced Surface Potential in a Thin Silicon Layer by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope The First Circular of The 4th Korean-Japanese-Chinese Students Workshop （2008年10月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Anwar,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe [備考] 開催場所（Korea） [223]. Dopant Freeze-out and Potential Fluctuations Observed by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials （2008年9月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Tsukuba） [224]. Single-Electron Transfer by Controlling the Dopant-Induced Quantum Dot Landscape 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials （2008年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Tsukuba） [225]. Detection of dopant induced potential fluctuations in silicon nanodevice channel by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Hungary） [226]. Electrical manipulation of individual dopants and electrons in silicon nanowire field-effect transistors Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Hungary） [227]. Silicon Single-Electron Devices: Device Physics, Fabrication and Measurements Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Maciej Ligowski,Ryszard Jablonski,Kiyohito Yokoi,Kazuhito Ebisawa,Yuuki Kasai,Miftahul Anwar,Hiroya Ikeda,Takeshi Mizuno [備考] 開催場所（Hungary） [228]. 単電子特性におけるドーパントイオン化ノイズ 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外 [発表者]海老澤一仁,ダニエルモラル,笠井勇希,水野武志,田部道晴 [備考] 開催場所（春日井） [229]. 低温KFMによるSOI-FETチャネル中のドーパントポテンシャル揺らぎの観察 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外 [発表者]マチェイリゴフスキ,ダニエルモラル,アンワルミフタフル,リシャードヤブロンスキ,田部道晴 [備考] 開催場所（春日井） [230]. Gate tuning of doped-nanowire FETs for single-electron transfer 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外 [発表者]ダニエルモラル,横井清人,海老澤一仁,笠井勇希,マチェイリゴフスキ,田部道晴 [備考] 開催場所（春日井） [231]. ランダム系多重ドットトランジスタによる単電子転送のシミュレーション解析 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外 [発表者]横井清人,ダニエルモラル,田部道晴 [備考] 開催場所（春日井） [232]. シリコン単電子デバイス-ランダムドット系での単電子操作と光応用- 会議名(2008 第20回放射線夏の学校) （2008年7月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（浜松） [233]. Si Bicrystal Single-Electron FETs 2008 Silicon Nanoelectronics Workshop （2008年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Kasai,T. Ishino,D. Moraru,R. Nuryadi,H.Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [234]. Control of single dopants in the electron conduction path in SOI doped nanowire FETs 2008 Silicon Nanoelectronics Workshop （2008年6月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,D. Nagata,K. Yokoi,K. Ebisawa,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [235]. Si single-electron devices: manipulation of individual dopants 会議名(2008 Nanoscale Semiconductor Devices (IWNSD)) （2008年5月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Seoul,Korea） [236]. SiナノワイヤSET-個別ドーパントの利用に向けて- 会議名(2008 東北大学大学院特別講義) （2008年5月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(東北大学)　開催地（東北大学） [237]. 人工転位網を内包したSOI-MOSFET の単電子輸送特性 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外 [発表者]笠井勇希,石野敏也,田部道晴,木村滋,田尻寛男,坂田修身 [備考] 開催場所（船橋） [238]. 均一系多重ドットMOS-FET の作製と評価 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外 [発表者]海老澤一仁,モラル,ダニエル,ラトノ,ヌルヤディ,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（船橋） [239]. Boron-ionization in Si observed by LT-KFM 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M. Anwar,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（船橋） [240]. Effects of assistant electrons on single-electron transfer in random multidot arrays 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（船橋） [241]. Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2008年1月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Daisuke Nagata,Kiyohito Yokoi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（北海道） [242]. Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2008年1月）招待講演以外 [発表者]Maciej Ligowski,Ratno Nuryadi,Akihiro Ichiraku,Miftahul Anwar,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（北海道） [243]. Si Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants and Photons 会議名(2007 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)) （2007年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Tokyo） [244]. Si Bicrystal Structures for Multijunction Single-Electron Devices 会議名(2007 3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics) （2007年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Sendai） [245]. シリコンナノ構造を利用した新機能単電子デバイス会議名(2007 第97回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会) （2007年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会シリコンテクノロジー分科会)　開催地（東京） [246]. Numerical Investigation of 1D and 2D Quantum Dot Arrays with Design Optimized for Single-Electron Transfer Operation The 3rd Korean-Japanese Student Workshop （2007年10月）招待講演以外 [発表者]D.Moraru,K.Yokoi,H.Ikeda,M.Tab [備考] 開催場所（Hamamatsu） [247]. Numerical study on single-electron transfer operation in non-homogeneous quantum-dot arrays The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外 [発表者]K.Yokoi,D.Moraru,H.Ikeda,M.Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [248]. Ionization of dopant atoms in Si invested by Kelvin Probe Force Microscope The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外 [発表者]M.Ligowski,R.Nuryadi,A.Ichiraku,M.Anwar,R.Jablonski,M.Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [249]. Manipulation of Individual Electrons in Doped Silicon Nanostructures The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外 [発表者]D.Moraru,D.Nagata,K.Ebisawa,K.Yokoi,H.Ikeda,M.Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [250]. Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Ratno Nuryadi,Daniel Moraru,Zainal A. Burhanudin,Hiroya Ikeda [備考] 開催場所（Hamamatsu） [251]. Low temperature Si surface potential investigation by Kelvin Probe Force Microscope iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外 [発表者]M.Ligowski,R.Nuryadi,A.Ichiraku,M.Anwar,R.Jablonski,M.Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [252]. Nanodevice Patternig by Electron-Beam lithography iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外 [発表者]Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [253]. Single photon detection using silicon multidots single-hole-tunneling transistor iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外 [発表者]R.Nuryadi,Z.A.Burhanudin,M.Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [254]. Development of New Functional Devices using Si Nanostructures -Single-Electron Turnstile Device and Thermoelectric Device- iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外 [発表者]Hiroya Ikeda,Kiyosumi Asai,Naomi Yamashita,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [255]. KFM measurements of an ultrathin SOI-FET channel surface Mechatronics 2007 （2007年9月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M.Anwar,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Warsaw） [256]. Design Control of Random Dopantinduced Multiple-Tunnel-Junction Arrays for Turnstile Operation SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Tsukuba） [257]. Direct Observation of Freeze-out Effect in Si by Kelvin Probe Force Microscope SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M. Anwar,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Tsukuba） [258]. 単電子振動子ネットワークによるフォトン位置検出センサ 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]キコンボ　アンドリュー　キリンガ,雨宮好仁,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [259]. シリコン多重ドットトランジスタ動作時のチャネル表面電位観察 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]浅井清涼,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [260]. 横方向に周期的応力を導入したSOI-MOSFETの単電子輸送特性 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]笠井勇希,石野敏也,ラトノヌルヤディ,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [261]. KFMによるSOI-FET表面電位の観察とキャリアフリーズ・アウト効果 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]リゴフスキマチェイ,ラトノヌルヤディ,一楽明宏,ミフタフルアンワル,池田浩也,ヤブロンスキリシャード,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [262]. 一次元不均一量子ドットアレイにおける単電子転送メカニズム 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]モラルダニエル,横井清人,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [263]. Photon Position Detector Consisting of Single-Electron Devices SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外 [発表者]Andrew Kilinga KIKOMBO,Michiharu TABE,Yoshihito AMEMIYA [備考] 開催場所（Tsukuba） [264]. Photon-induced single-hole-tunneling current modulation in Si multiple-tunneljunction field-effect transistor SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外 [発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Tsukuba） [265]. Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [266]. 基板中光誘起電荷の単正孔SOI-FETに与える効果 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外 [発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴 [備考] 開催場所（札幌） [267]. Manipulation of single-electrons in Si nanodevices -Interplay with photons and ions- 会議名(2007 7th Int. Conf. Mechatronics) （2007年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Warsaw,Poland） [268]. Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection 会議名(2007 13th Int. Symp. on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (13-UFPS)) （2007年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Vilnius,Lithuania） [269]. Si single-electron FETs for single-photon detection 会議名(2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2007)) （2007年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（慶州,韓国） [270]. Ionization of single-acceptors in p-Si epilayer observed using single-hole-tunneling transistor 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop （2007年6月）招待講演以外 [発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [271]. Effects of Parameter Randomness on Quantized-electron transfer in 1D Multiple-Tunnel-Junction Arrays 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop （2007年6月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [272]. Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性電子情報通信学会SDM, ED, CPM合同研究会（2007年5月）招待講演以外 [発表者]永田大輔,海老沢一仁,モラルダニエル,田部道晴 [備考] 開催場所（浜松） [273]. 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション電子情報通信学会SDM, ED, CPM合同研究会（2007年5月）招待講演以外 [発表者]池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（浜松） [274]. 低温KFMによる極薄SOI- MOSFETチャネル表面電位観察第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外 [発表者]ラトノ,ヌルヤディ,リゴフスキ,マチェ,一楽明宏,ミフタフル,アンワル,田部道晴 [備考] 開催場所（名古屋） [275]. 多重ドットトランジスタ交流動作時のチャネル表面電位の観察第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外 [発表者]浅井清涼,山本隆太,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（名古屋） [276]. Pをカウンタドープした極薄SOI- MOSFETにおける単電子特性第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外 [発表者]海老澤一仁,永田大輔,Daniel Moraru,田部道晴 [備考] 開催場所（名古屋） [277]. 単正孔トランジスタに単一アクセプタイオンの検出 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [278]. 多重ドットトランジスタ交流動作時のチャネル表面電位応答 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]池田浩也,山本隆太,浅井清涼,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [279]. 薄いSOI層の熱凝集に対するシミュレーション 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]樊　友軍,ザイナルブルハヌディン,マチェイリゴフスキ,ラトノヌルヤディ,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [280]. 人工転位網を内包したSOI-MOSFETの温度依存性 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]笠井勇希,石野敏也,加藤直人,山野竜一,Nuryadi Ratno,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [281]. 極薄SOI-FETチャネル表面の低温KFM測定 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]リゴフスキマチェイ,一楽明宏,樊　友軍,ラトノヌルヤディ,池田浩也,ヤブロンスキリシャード,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [282]. 薄層SOI-MOSFETにおけるPのフリーズアウト効果 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]永田大輔,海老澤一仁,モラルダニエル,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [283]. ランダム多重接合における単一ゲート単電子転送 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外 [発表者]モラルダニエル,小野行徳,猪川　洋,横井清人,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（相模原） [284]. Thermal agglomeration of ultrathin (110) silicon-on-insulator layer in ultrahigh vacuum iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外 [発表者]Y. J. Fan,Z. A. Burhanudin,M. Ligowski,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [285]. Single-electron transfer in Coulomb blockade devices based on asymmetry-induced ratchet mechanism iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [286]. Detection of single acceptor ionization in p-Si epilayer using single-hole-tunneling SOIFET iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外 [発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [287]. Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2007年2月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Kiyohito Yokoi,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（北海道） [288]. KFM measurements of potential distribution on the SOI-MOSFET channel iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外 [発表者]M. Ligowski,A. Ichiraku,Y. J. Fan,R. Nuryadi,R. Jablonski,M. Tabe [備考] 開催場所（Hamamatsu） [289]. An analytic calculation of single-electron pump operation in MTJ arrays iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外 [発表者]K. Yokoi,D. Moraru,M. Tabe [備考] 開催場所（hamamatsu） [290]. Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors-Sensing the presence of a single-charge in the substrate- 電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2007年2月）招待講演以外 [発表者]Zainal Burhanudin,Ratno Nuryadi,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（北海道） [291]. シリコン単電子デバイス　―ランダムドット系での単電子操作と光応用― 会議名(2007 第20回上田記念講演会および東海支部40周年記念会) （2007年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（名古屋） [292]. Si単電子デバイスとフォトン検出会議名(2007 第151委員会/平成19年1月研究会「シリコン系デバイス・材料の新展開」) （2007年1月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（熱海） [293]. 多重接合型シリコン単電子デバイス -フォトン検出と単電子規則転送への展開- 会議名(2006 第299回物性談話会) （2006年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(豊田理化学研究所)　開催地（名古屋） [294]. シリコン多重接合型単電子デバイスと光応用会議名(2006 産学官連携フォーラム) （2006年11月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（浜松） [295]. Thermal Agglomeration of Ultrathin (110) Silicon-on-Insulator Layer in Ulltrahigh Vacuum MNC 2006 （2006年10月）招待講演以外 [発表者]Y.J.Fan,Z.A.Burhanudin,D.Moraru,R.Nuryadi,M.Tabe [備考] 開催場所（Kamakura） [296]. Effect of photon absorption in Si single-electron devices Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外 [発表者]M. Tabe,R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,Y. Ishikawa [備考] 開催場所（Romania） [297]. Control of single electron tunneling in two-dimensional Si multidot channel field-effect transistors Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外 [発表者]Hiroya Ikeda,Ryuta Yamamoto,Kiyohito Yokoi,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Romania） [298]. Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires Solid State Devices and Materials (SSDM 2006) （2006年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,R. Nuryadi,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Yokohama） [299]. Towards single-electron pump operation using one AC gate bias in doped Si nanowires Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外 [発表者]D.Moraru,Y.Ono,H.Inokawa,K.Yokoi. R.Nuryadi,H.Ikeda,M.Tabe [備考] 開催場所（Romania） [300]. Photo Illumination Effect on Single-Electron-Tunneling Current Through a Thin Bicrystal SOI FET Solid State Devices and Materials (SSDM 2006) （2006年9月）招待講演以外 [発表者]R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,R. Yamano,T. Ishino,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（Yokohama） [301]. Nanoelectronic Devices: Silicon Single Electron Device 会議名(2006 1st Int. Conf. on Advanced Material and Practical Nanotechnology) （2006年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(Indonesian Polymer Association(HPI), Indonesian Society for Nanotechnology(MNI))　開催地（Tangerang,Indonesia） [302]. シリコンマルチドット型単電子デバイスとフォトン検出への応用会議名(2006 E準部門フィジカルセンサ技術委員会) （2006年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(電気学会)　開催地（豊橋） [303]. 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外 [発表者]池田浩也,増田　匠,横井清人,田部道晴 [備考] 開催場所（滋賀） [304]. 転位網を内包したSOI-MOSFETにおける光照射の効果 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外 [発表者]ヌルヤディラトノ,石野敏也,山野竜一,石川靖彦,田部道晴 [備考] 開催場所（滋賀） [305]. 高い光感受性を有する単正孔トンネルSOI-FET 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外 [発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴 [備考] 開催場所（滋賀） [306]. PドープSiナノワイヤにおける単電子転送 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外 [発表者]モラルダニエル,小野行徳,猪川　洋,横井清人,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（滋賀） [307]. 熱処理による極薄SOI(110)基板上へのSiドット列の形成 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外 [発表者]樊　友軍,ザイナルブルハヌディン,ダニエルモラル,ラトノヌルヤディ,田部道晴 [備考] 開催場所（滋賀） [308]. シリコン単電子デバイスの新展開会議名(2006 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会) （2006年7月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（仙台） [309]. Single-Electron Tunneling in a SOI-MOSFET Embedding Artificial Dislocation Network 2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu （2006年6月）招待講演以外 [発表者]R. Nuryadi,C. Yamamoto,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [310]. Single-Charge Pump Operation by Random-Multidot-Channel FET 2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2006年6月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,K. Yokoi,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [311]. Effect of Foto-Induced Charges on Single-Hole-Tunneling Current of an SOI-FET 2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2006年6月）招待講演以外 [発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [312]. Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures 電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会（2006年5月）招待講演以外 [発表者]Daniel Moraru,永田大輔,堀口誠二,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴 [備考] 開催場所（豊橋技術科学大学） [313]. Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET 電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会（2006年5月）招待講演以外 [発表者]Zainal A. Burhanudin,ラトノヌルヤディ,田部道晴 [備考] 開催場所（豊橋技術科学大学） [314]. Single-Photon Detection by Silicon Multidots Single-Charge-Tunneling Transistor 2005 Asian Physics Symposium （2005年12月）招待講演以外 [発表者]Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Indonesia） [315]. Fabrication and Characteristics of Si Nanostructure Devices 会議名(2005 Asian Physics Symposium) （2005年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Bandung,Indonesia） [316]. SOI-based Silicon Nanodevices 会議名(2005 13th Int. Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)) （2005年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（New Delhi,India） [317]. Artificial dislocation network for Si Nanodevices 会議名(2005 Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2005)) （2005年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Tokyo） [318]. Artificial dislocation network in SOI nanodevices and its transport characteristics 会議名(2005 2nd Int. Symp. on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2)) （2005年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Kaohsiung,Taiwan） [319]. Single-charge-tunneling behaviors in two-dimensional random multidot channel FET 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2) （2005年10月）招待講演以外 [発表者]Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（Taiwan） [320]. Si multidot single-charge-tunneling devices and their photoresponse 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2) （2005年10月）招待講演以外 [発表者]Michiharu Tabe,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Yasuhiko Ishikawa [備考] 開催場所（Taiwan） [321]. Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/twisted-Si(111) tunneling structures 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外 [発表者]D. Moraru,H. Kato,S. Horiguchi,Y. Ishikawa,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Kobe） [322]. Artificial Dislocation Network in Silicon-on-Insulator Layer for Single-Electron Devices 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,C. Yamamoto,M. Tabe [備考] 開催場所（Kobe） [323]. Single-charge-tunneling behaviors in two-dimensional random multidot channel field-effect transistors 4th International Conference on Global Research and Education (Inter-academia 2005) （2005年9月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Germany） [324]. Single-photon detection by Si single-charge-tunneling devices 4th International Conference on Global Research and Education (Inter-academia 2005) （2005年9月）招待講演以外 [発表者]M. Tabe,Ratno Nuryadi,Y. Ishikawa,H. Ikeda,Z.A. Burhanudin,D. Moraru [備考] 開催場所（Germany） [325]. Multi-Charge Turnstile Operation in Random-Multidot Channel FET 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Kobe） [326]. Imaging of Nano-Scale Embedded Dislocation Network in Si Bicrystal 2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外 [発表者]M. Nagase,Y. Ishikawa,Y. Ono,,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [327]. Photo Irradiation Effect on Random-Telegraph-Signal in a Two-Dimensional Si Multidot FET 2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外 [発表者]R. Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [328]. Single-Charge Transfer by Random-Multidot-Channel FET 2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,,M. Tabe [備考] 開催場所（Kyoto） [329]. Direct Observation of Current Path on Si Mulidot-Chanel FET 4th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) （2005年5月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,R. Yamamoto,M. Watanabe,R. Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（Awaji） [330]. Formation of Si Wires by Thermal Agglomeration of Ultrathin (111) SOI Layer Fourth Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) （2005年5月）招待講演以外 [発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,Y. Ishikawa,Y. Ono,M. Tabe [備考] 開催場所（Awaji） [331]. Conductivity Enhancement In Thin Silicon-on-Insulator Layer Embedding Artificial Dislocation Network Materials Research Society Symposium Spring Meeting （2005年3月）招待講演以外 [発表者]Yasuhiko Ishikawa,Kazuaki Yamauchi,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe [備考] 開催場所（San Francisco） [332]. Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices 会議名(2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004)) （2004年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(CIE,IEEE)　開催地（北京、中国） [333]. Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices 会議名(2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004)) （2004年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Beijing,China） [334]. Si Single-Electron and Single-Hole Tunneling Devices 会議名(2004 3rd Inter Academia) （2004年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー） [335]. Transition of a Single-Charge-Tunneling Mode in Two-Dimensional Multidot Structures from Quasi-Crystal to Quasi-Amorphous System Inter-Academia 2004 3rd International Conference on Global Research and Education in Intelligent Systems （2004年9月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,R. Nuryade,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（ブダペスト、ハンガリー） [336]. Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials （2004年9月）招待講演以外 [発表者]R. Nuryade,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [337]. Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials （2004年9月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,K. Yamauchi,H. Ikeda,Y. Ono,M. Nagase,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [338]. Self assembly of nanostructures and carbon-nanotube interconnection 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Homma,M. Tabe,T. Ogino [備考] 開催場所（Hamamatsu） [339]. Transition from Resonant Tunneling to Single Electron Tunneling Due to Lateral Size Shrinkage of Si/SiO2 Double Barrier Structure 2004 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,K. Osada,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [340]. Change of Single-Electron-Tunneling Percolation-Path Due to Light Illumination 2004 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Ratno-Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [341]. Effect of Transverse momentum on direct tunneling of electrons through Si/SiO2/Si single barrier structure 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,Y. Mori,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [342]. Thermal agglomeration of line-patterned SOI layer 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Imai,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [343]. Evaluation of surface potential for alkaline-metal ion doped insulating films 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外 [発表者]T. Watanabe,M. Maeda,Y. Imai,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [344]. Multi-gate control of single-electron-tunneling in Si multidot field-effect transistors 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外 [発表者]Ratno-Nuryadi,J. Kinomoto,H. Kato,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [345]. Self assembly of nanostructures and carbon-nanotube interconnection 会議名(2004 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12)) （2004年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Hamamatsu） [346]. Si/Si02 Resonant Tunneling Diodes Based on Silicon-on-Insulator Structure Structure 会議名(2004 6th European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6)) （2004年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（オランダ） [347]. Circuit modeling of photo-induced effects on single-charge-tunneling system New Phenomena in Mesoscopic Structures 6 (NPMS-6)/Surfaces and Interfaces in Mesoscopic Devices 4(SIMD-4) （2003年11月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,R. Nuryadi,M. Ito,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [348]. In-situ observation of formation process of self-assembled Si islands on buried SiO2 and their crystallographic structures 2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2003) （2003年11月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,Y. Ishikawa Y. Homma,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [349]. Formation of one-dimensionally-aligned Si islands on buried oxide layer of silicon-on-insulator structure New Phenomena in Mesoscopic Structures 6(NPMS-6)/Surface and Interfaces in Mesoscopic Devices 4(SIMD-4) （2003年11月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,Y. Imai,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（Hawaii） [350]. Photon-induced effect on single-charge-tunneling in a Si multidot Schottky FET 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2003) （2003年9月）招待講演以外 [発表者]Ratno-Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [351]. Single-Electron and Single-Hole Tunneling in Si Coupled-Dot FETs Fabricated from Ultrathin SOI 会議名(2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE 2003)) （2003年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 開催地（Gangneung,Korea） [352]. Single charge tunneling in two-dimensional coupled dot Si devices 2003 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2003年6月）招待講演以外 [発表者]Ratno Nuryadi,Y. Ishikawa,H,Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（京都） [353]. Hot-Electron-Induced Charge Storage in Si/SiO2 Double Barrier Diodes 2003 IEE Si Nanoelectronics Workshop （2003年6月）招待講演以外 [発表者]Hiroya Ikeda,Kazuaki Yamauchi,Yasuhiko Ishikawa ans Michiharu Tabe [備考] 開催場所（京都） [354]. Effect of Structural Imperfection on Resonant Tunneling in SiO2/Si Diodes 2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2002) （2002年11月）招待講演以外 [発表者]H. Ikeda,M. Iwasaki,Y. Ishikawa,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [355]. Electrical Characteristics of Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology(JICAST2002) （2002年10月）招待講演以外 [発表者]M. Iwasaki,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [356]. Single-Electron Transistor with Coupled Dots 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology （2002年10月）招待講演以外 [発表者]Ratno-Nuryadi,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（浜松） [357]. Tunneling Mode Dependence of Current-Voltage Characteristics in Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2002) （2002年9月）招待講演以外 [発表者]M. Iwasaki,Y. Ishikawa,H. Ikeda,M. Tabe [備考] 開催場所（名古屋） [358]. Ordered Arrangement of Thermally-Agglomerated Si Islands on Buried SiO2 Layer 11th International Conference on Solid Films and Surfaces （2002年7月）招待講演以外 [発表者]M. Tabe,R. Nuryadi,Y. Homma,Y. Hirakawa,Y. Ishikawa [備考] 開催場所（フランス） [359]. Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Ultrathin SOI Structure 会議名(2002 Silicon Nanoelectronics Workshop) （2002年6月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(IEEE、応用物理学会)　開催地（Hawaii,USA） [360]. Silicon Nanostructured Tunneling Devices Proceedings of The Third Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2001年12月）招待講演以外 [発表者]M. Tabe,Y. Ishikawa,T. Mizuno [備考] 開催場所（浜松） [361]. Field Electron Emission Device Using Silicon Nano-Protrusions Proc. 21th International Display research Conference(Asia display /IDW'01) （2001年10月）招待講演以外 [発表者]K. Sawada,M. Tabe,Y. Ishikawa,M. Ishida [備考] 開催場所（名古屋） [362]. Electron Field Emission from Silicon Nano-Protrusions 会議名(2001 The 6th Int. Conf. on Solid State and IC Technology (ICSICT'01)) （2001年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(IEEE)　開催地（上海、中国） [363]. Resonant Tunneling Effect in Si/SiO2 Double Barrier Structure 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2001) （2001年9月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,T. Ishihara,M. Iwasaki,M. Tabe [備考] 開催場所（東京） [364]. SOI-based Si nanostructures and their applications 会議名(2001 Frontier Science Research Conf.) （2001年8月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(The Institute of Advanced Physics Studies)　開催地（La Jolla,USA） [365]. Effect of Patterning on Thermal Agglomeration of Ultrathin SOI Layer 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-8) （2001年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,Ratono Nuryadi,M. Tabe [備考] 開催場所（札幌） [366]. Field Electron Emission from Si Nano-Protrusions 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop （2001年6月）招待講演以外 [発表者]Ratono Nuryadi,M. Iwatsuki,K. Sawada,Y. Ishikawa,M. Tabe. [備考] 開催場所（京都） [367]. XPS and I-V Studies on Quantum Mechanical Effects in Ultrathin Si Layer of SOI Structure 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop,Abstracts pp.14-15 （2001年6月）招待講演以外 [発表者]Y. Ishikawa,T. Tsuchiya,M. Tabe [備考] 開催場所（京都） [368]. What impact will nano-scale surface processes produce on future devices? 会議名(1999 Int. Symp. on Surf. Sci. for Micro- and Nano-Device Fabrication) （1999年12月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(日本表面科学会)　開催地（東京） [369]. Controling crystal defects in hetero-interfaces; is it still a dream? 会議名(1999 3rd Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces) （1999年10月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（軽井沢） [370]. Silicon Nanostructures -how to control and what to expect- 会議名(1999 Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures) （1999年9月）招待講演 [発表者]田部道晴 [備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（蔵王）

[1]. Si中の個別ドーパントの物理と利用：FETとエサキダイオード
ナノデバイステクノロジーワークショップ2016 （2016年3月）招待講演
[発表者]田部道晴,モラル　ダニエル,サマンタ　アルプ,水野　武志
[備考] 開催場所：広島大学主催団体：広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
[2]. ドーパントを介したトンネル電流の評価とデバイス応用
電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門委員会「トンネル現象を利用したデバイスとその物理」（2016年3月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：早稲田大学主催団体：電気学会
[3]. Dynamical modification of the equivalent circuit with the bias voltage in a multiple-dopant system
The 17th Takayanagi Memorials Symposium （2015年11月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Yuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：静岡大学　浜松キャンパス主催団体：静岡大学
[4]. Atomic and Molecular Effects based on Dopants in Silicon Nanodevices
Inernational Conference on Small Science (ICSS Meeting）（2015年11月）招待講演
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Krzysztof Tyszka,Manoharan Muruganathan,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Phuket,THAILAND 主催団体：University of Electronics and Technology of China他
[5]. 個別ドーパントの物理と利用：FETとエサキダイオード
The2nd De Novo Si Workshop～現役シニアからの発信（2015年10月）招待講演以外
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス　主催団体：応用物理学会東海支部
[6]. Effect of Individual Dopants in Nano-SOI-MOSFETs and Nano-pn-Diodes
228th　ECS　Meeting （2015年10月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Krysztof Tyszka,Hoang Nhat Tan,Yuuki Takasu,Ryszard Jablonski,Le The Anh,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：Phoenix Convention Center, Phoenix, USA 主催団体：ECS
[7]. Impact of dopant atoms on electron tunneling into nanoscale-transistor channels
Inter-Academia 2015 （2015年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Krysztof Tyszka,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松主催団体：静岡大学他
[8]. ドーパント原子を用いたシリコンナノデバイスの研究
豊田工業大学グリーン電子素子・材料研究センター第１回シンポジウム（2015年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：名古屋市主催団体：豊田工業大学
[9]. Dopant-cluster-assisted tunnelling in Si nanodevices
Silicon Quantum Electronics Workshop 2015 （2015年8月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Hoang Nhat Tan,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：高松市主催団体：日本学術振興会
[10]. Recent Progress In Single-Dopant Atom Devices
The14th International Conference on Quality in Research（QiR) （2015年8月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：Lombok, INDONESIA 主催団体：インドネシア大学
[11]. Physics of Strongly-Coupled Dopant-Atoms In Nanodevices
The 14th International Conference on Quality in Research (QiR) （2015年8月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Yuki Takasu,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Lombok, INDONESIA 主催団体：インドネシア大学
[12]. Position and Number Control of Donor-QD Potential by Patttern-doping in SOI-FET Channels
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE
[13]. The impact of single donor and donor-acceptor pair on electronic and transport properities of silicon nanostructures
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Le The Anh,Daniel Moraru,Muruganathan Manoharan,Michiharu Tabe,Hiroshi Mizuta
[備考] 開催場所：京都市主催団体名：応用物理学会、IEEE
[14]. Impact of Diffused Donor-Clusters near Lead/Channel Boundary on High-Temperature Single-Electron Tunneling in Narrow SOI-FETs
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Krzysztof Tyszka,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE
[15]. Dopant-Assisted Tunnel-Current Enhancement in Two-Dimensional Esaki Diodes
2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW) （2015年6月）招待講演以外
[発表者]Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,AnaK Agung Ngurah Gde Sapteka,Sri Purwiyanti Surya,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市主催団体：応用物理学会、IEEE
[16]. Tunneling Transport through Single-and Clustered -Dopants
ⅢBilateral Italy-Japan Seminar （2015年6月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Arup Samanta,Hoang Nhat Tan,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Hiroshi Mizuta,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：京都市主催団体：東北大学、イタリア大使館
[17]. Tunneling via Single and Couple Dopant Atoms in Si Nanodevices
EMN Meeting on Quantum Technology(EMN) （2015年4月）招待講演
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Krzytof Tyszka,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Beijing Xijiao Hotel,Beijing, China 主催団体：University of Electronic Science and Technology of China
[18]. 低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET
2015年（第62回）応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]Yuuki Takasu,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会
[19]. Effect of Individual Dopants in Esaki Tunneling Diodes
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Ryosuke Unno,Anak Agung Ngurah Gde Sapteka ,Sri Purwiyanti,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会
[20]. Surface potential observation of heavily-doped Si by KPFM
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]Krzystof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会
[21]. Electric-field-assisted formation of an interfacial double-donor molecule in Si nano-transistors
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta ,Daniel Moraru ,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会
[22]. Interactions of individual dopants and macroscopic quantum dots in weakly-doped nanoscale SOI-FETs
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru ,Yuuki Takasu,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：平塚市　主催団体：応用物理学会
[23]. 小数個のドーパントを利用したSiナノデバイスードーパントのパラダイムシフト
「システムナノ技術に関する時限研究専門委員会」第１回研究会（2015年2月）招待講演
[発表者]田部道晴,ダニエルモラル
[備考] 開催場所：東京大学主催団体：電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
[24]. Interaction between Dopant Atoms and Interface in Nanoscale Transistors
3rd International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2015) （2015年2月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Chennai　INDIA　主催団体：SRM大学
[25]. Tunneling Transport via Dopant-induced Quantum Dots in Silicon Nano-devices
3rd International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2015) （2015年2月）招待講演
[発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Chennai INDIA 主催団体：SRM大学
[26]. KPFM Observation of Donors in Transistor Channels Doped with Different Concentrations
2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学
[27]. Atomic and Molecular Behavior in Tunneling Transport via Dopants in Nano-Transistors
2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学
[28]. Interface-Assisted Merging of Two Donor Potential Wells in Ultrathin Si-Transistors
2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University （2015年1月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市　主催団体：静岡大学
[29]. KPFM observation of donors in field effect transistor channel
The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[30]. Single Electron Transport in Double-Donor System at Si/SiO2 Interface in Ultrathin SOI-FETs
The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[31]. Low-temperature spectroscopy of donor states in silicon nano-channels
The 16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2014年11月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[32]. Silicon Nanoscale Transistors with Dopant-Induced Quantum Dots
The 2nd International Conference on Nano Electronics Research and Education(ICNERE2014) （2014年11月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Krzysztof Tyszka,Arup Samanta,Yuuki Takasu,Takahiro Tsutaya,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学、インドネシア大学
[33]. Transport Phenomena in Nanoscale Silicon Tunneling pn Diodes
The 2nd International Conference on Nano Electronics Research and Education (ICNERE2014) （2014年11月）招待講演以外
[発表者]Anak Agung Ngurah Gde Sapteka,Sri Purwiyanti,Hoang Nhat Tan,Ryosuke Unno,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Arief Udhiarto,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学、インドネシア大学
[34]. シリコン中の少数個不純物の電子状態とデバイス応用
電子情報通信学会東北支部学術講演会（2014年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：秋田市主催団体：電子情報通信学会東北支部
[35]. Interband Tunncling through Individual Dopants in Nanoscale pn Junctions
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外
[発表者]Hoang Nhat Tan,Purwiyanti Sri,Daiel Moraru,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Hartanto Djoko,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会
[36]. KPFM Imaging of Donor Clusters in Selectively-Doped SOI-FET
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外
[発表者]Krzystof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会
[37]. Effect of Dopants in Tunnel Barriers of Selectively Doped SOI-FETs
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takahiro Tsutaya,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会
[38]. Impact of Doping Concentration Regimes on Low-Temperature Tunneling in Nanoscale SOI-FETs
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Yuuki Takasu,Takahiro Tsutaya,Arup Samanta,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：札幌市主催団体：応用物理学会
[39]. Study of interband tunneling in nanoscale Si pn junctions
Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti Surya,Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他
[40]. Tunneling Transport in Quantum Dots Formed by Coupled Dopant Atoms
Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Yuuki Takasu,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他
[41]. Kelvin Probe Force Microscope Observation of Donors’ Arrangement in Si Transistor Channel
Inter-Academia 2014 （2014年9月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Riga LATVIA 主催団体：静岡大学他
[42]. Impact of Dopant Induced States on Interband Tunneling in Nanoscale pn Junctions
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) （2014年9月）招待講演以外
[発表者]Hoang Nhat Tan,Arup Samanta,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：つくば市主催団体：The Japan Society of Applied Physics
[43]. KPFM Observation of Quantum Dots Induced by Clustered Donors in Selectively-Doped SOI-FETs
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014) （2014年9月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：つくば市主催団体：The Japan Society of Applied Physics
[44]. Impact of Individual Atoms on Si Nano Electronic and Photonic Devices
3rd International Conference on Advanced Material and Practical Nanotecnology(ICAMPN) （2014年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：Jakarta,Indonesia 主催団体：Indonesian Institute of Sciences (インドネシア科学庁）
[45]. Study of Quantized-Energy Effects in Si Nanoscale Lateral pn Junction Diodes
2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Hoang Nhat Tan,Daniel Moraru,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体名：IEEE,応用物理学会
[46]. Electron Transport in Double-Donor Systems at Si/SiO2 Interface in SOI-FETs
2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体：IEEE,応用物理学会
[47]. Control of Electron Transport Regimes via Single- and Multiple-Donors in Nano-Channel SOI-FETs
2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2014年6月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Yuuki Takasu,Le The Anh,Muruganathan Manoharan,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Honolulu,USA 主催団体：IEEE,応用物理学会
[48]. 個別ドーパント原子のSiデバイスへの応用
将来デバイスに向けたシリコン系基盤研究の集い（2014年4月）招待講演以外
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：松江市主催団体：応用物理学会中国四国支部
[49]. ドナー原子トランジスタにおける電子トンネリングの高温動作
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会、シリコンテクノロジー分科会論文賞および奨励賞記念講演（2014年3月）招待講演
[発表者]エルファンハミッド,ダニエル　モラル,葛屋陽平,水野武志,レテアン,水田博,田部道晴
[備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会
[50]. Tunneling transport spectroscopy of interacting donors in silicon nano-transistors
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,高須友貴,蔦屋貴大,Le The Anh,水野武志,水田博,田部道晴
[備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会
[51]. Effect of electric field on single-electron tunneling transport in dopant-atom transistors
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会
[52]. Interband Tunneling in Si Lateral Nano-pn Junctionstransistors
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti ,Hoang Nhat Tan,Gde Sapteka,Daniel Moraru,水野武志、田部道晴
[備考] 開催場所：相模原市主催団体：応用物理学会
[53]. Dopant atom devices based on Si nanostructures
7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics （2014年1月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta
[備考] 開催場所：仙台市主催団体：東北大学
[54]. 電子工学の研究における国際的な経験
サイエンスカフェin浜松（2014年1月）招待講演
[発表者]モラルダニエル
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[55]. Electric Field Effect on Single-dopant-atom Si FETs
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[56]. Single Dopant Nature of Nano-pn Junctions
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[57]. Transport Spectroscopy of Selectively-doped Interacting Donors in Silicon Nano-transistors
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[58]. Transport spectroscopy of selectively doped dopant-bases SOI-transistors
Directionds of Interdisciplinary Domain Research in Japan-Europe Partner ship （2013年11月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：静岡市主催団体：静岡大学
[59]. Surface Potential Measurement of Selectively-doped FETs by KPFM
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2013年11月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[60]. Dopant-Atom-Based Tunnel SOI-MOSFETs
224th ECS Meeting （2013年10月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta
[備考] 開催場所：San Francisco, USA 主催団体：ECS
[61]. KFM Measurement of Nano-Scale Selectively Doped Silicon Channel
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外
[発表者]Krzysztof Tyszka,Daniel Morarl,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会
[62]. Transport Spectroscopy of Dopant States in Randomly-Doped Single-Electron Transistors
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Earfan Hamid,葛屋陽平,Le The Anh,水野武志,水田博,田部道晴
[備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会
[63]. Transport via dopant-quantum-dots fabricated by thermal diffusion through nano-masks
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Morarl,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会
[64]. Observation of Individual Dopants in the Electrical Characteristics of Nanoscale pn Junctions
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,水野武志,ジョコハルタント,田部道晴
[備考] 開催場所：京田辺市主催団体：応用物理学会
[65]. Detection of Dopant Potential in Silicon Nano-Channel by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscopy
Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Roland Nowak,Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski
[備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他
[66]. Fabrication of controlled dopant-induced quantum dots by thermal diffusion through nano-masks
Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他
[67]. Individual Dopants SIgnature in I-V Characteristics of Nanoscale SOI pn Junctions
Inter-Academia 2013 （2013年9月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Sofia, Bulgaria 主催団体：静岡大学他
[68]. Dopant-Atom-based SOI-Transistors by Selective Nanoscale Doping
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) （2013年9月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：福岡市主催団体：The Japan Society of Applied Physics
[69]. Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
15th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (15-UFPS) （2013年8月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto
[備考] 開催場所：Vilnius, Lithuania 主催団体：CENTER FOR PHYSICAL SCIENCES AND TECHNOLOGY
[70]. Potential Profile and Photovoltaic Effect in Nanoscale Lateral pn Junction Observed by Kelvin Probe Force Microscopy
the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) （2013年6月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski ,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：福岡市
[71]. Electrical characteristics of donor-induced quantum dots formed in nanoscale selectively-doped SOI-FETs
2013 Silicon Nanoelectronics Workshop （2013年6月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Tatsuya Nagasaka,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市主催団体名：IEEE、応用物理学会
[72]. Dopant-Induced Random Telegraph Signal in Nanoscale pn and pin Junctions
2013 Silicon Nanoelectronics Workshop （2013年6月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市主催団体名：IEEE、応用物理学会
[73]. Single‐dopant Atom Devices for The Future of Nanoelectronics
the 13th International Conference on Quality in Research (QiR) （2013年6月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：Yogyakarta, Indonesia 主催団体名：インドネシア大学, IEEE
[74]. Observation of Negative Differential Conductance in Nanoscale p‐n Junctions
the 13th International Conference on Quality in Research (QiR) （2013年6月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Yogyakarta, Indonesia 主催団体名：インドネシア大学, IEEE
[75]. Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature –Toward room temperature operation –
電子情報通信学会 CPM/ED/SDM合同研究会（2013年5月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：静岡大学浜松キャンパス主催団体：電子情報通信学会
[76]. Single-dopant-atom devices: dopant observation and tunneling operation at high temperatures
II Bilateral Italy-Japan Seminar （2013年4月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：Riva del Garda, Italy
[77]. Multiple-donor systems and interaction with photons for diversity of applications
II Bilateral Italy-Japan Seminar （2013年4月）招待講演
[発表者]Daniel Moraru
[備考] 開催場所：Riva del Garda, Italy
[78]. 究極の小型スイッチ「原子トランジスタ」
サイエンスカフェin静岡（2013年3月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：静岡市主催団体：静岡大学
[79]. Influence of deep energy dopants on the electronic potential distribution of two-dimensional pn junctions measured by Kelvin probe force microscope
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,ダニエルモラル,水野武志,Ryszard Jablonski,田部道晴
[備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会
[80]. Trapping and Detrapping of Carriers by Individual Dopants in Lateral Nanoscale p-n Junctions
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,ダニエルモラル,水野武志,ジョコハルタント,田部道晴
[備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会
[81]. Persistence of single-donor effect up to room temperature in SOI-MOSFETs
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外
[発表者]Arup Samanta,エルファンハミッド,ダニエルモラル,水野　武志,田部　道晴
[備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会
[82]. Single-electron switching in a triple-donor-atom system in nanoscale SOI-FETs
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Juli Cha Tarido,Earfan Hamid,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所：厚木市主催団体：応用物理学会
[83]. ドーパント原子トランジスタの研究
文部科学省「テニュアトラック普及・定着事業（若手研究者の自立的研究環境整備促進）」　若手グローバル研究リーダー育成プログラム成果報告会（2013年2月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所：浜松市
[84]. シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性
電子情報通信学会SDM／ED合同研究会（2013年2月）招待講演以外
[発表者]スリ・プルウィヤンティ,アリエフ・ウディアルト,ローランド・ノヴァック,ダニエル・モラル,水野武志、ジョコ・ハルタント、リシャード・ヤブロンスキー、田部道晴
[備考] 開催場所：札幌市主催団体：電子情報通信学会
[85]. Effects of deep level dopants on the　potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope
2013 International Workshop on Advanced Nanovision Science （2013年1月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市
[86]. Single dopant transistor - Toward room temperature operation
ITRS Emerging Research Materials Workshop on Deterministic, conformal doping & monolayer doping （2013年1月）招待講演
[発表者]Daniel Moraru,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Berkeley, USA
[87]. シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイス
日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第83回研究会（2012年12月）招待講演
[発表者]田部道晴,ダニエル・モラル,エルファン・ハミッド,水野武志
[備考] 開催場所：東京都港区主催団体：日本学術振興会
[88]. First-principlecalculationsof energystatesof asingle phosphorus donoratom in silicon stub transistors
2012年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会（2012年11月）招待講演以外
[発表者]Le The Anh,Yohei Kuzuya,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Manoharan Muruganathan, Michiharu Tabe, Hiroshi Mizuta
[備考] 開催場所：金沢市主催団体：日本物理学会
[89]. Donor Ionization Energy and Electronic States in Si nano-FETs
2012 Korean-Japanese Students Workshop （2012年11月）招待講演以外
[発表者]Yohei Kuzuya,Le The Anh,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：Busan, Korea 主催団体：Shizuoka University, Pusan National University
[90]. Dopant Atom Devices Based on Si Nanostructures
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[91]. Observation of Charging and Discharging Effects of Dopant Atoms in Nanoscale Lateral p-n Junction by Kelvin Probe Force Microscope
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[92]. Dopant-Based Single-Photon Detection in Lateral Nanowire p-n Junctions
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2012年11月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：浜松市主催団体：静岡大学
[93]. Photoexcited-Electron Trapping by Individual Donor in Lateral Nanowire pn junction
2012 International Conforence on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) （2012年9月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市
[94]. Observation of Charging and Discharging Effects of Dopant Atoms in Nanoscale Lateral pn Junction by Kelvin Probe Force Microscopy
2012 International Conforence on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) （2012年9月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：京都市
[95]. Experimental and ab initio Study of Donor State Deepening in Nanoscale SOI-MOSFETs
International Union of Materials Research Societies ? International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012) （2012年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Yohei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：横浜市
[96]. Kelvin probe force microscope observation of nanoscale pn junction depletion layer
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会
[97]. シリコンナノpn接合の電子状態
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]葛屋陽平,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博
[備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会
[98]. Photon detection by individual donor in lateral nanowire pn junction
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会
[99]. Ionization energy enhancement and high temperature operation of single-dopant transistors
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]Earfan Hamid,Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe
[備考] 開催場所：松山市主催団体：応用物理学会
[100]. Kelvin probe force microscope observation of nanoscale pn junction depletion layer
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe
[備考] 開催地：松山市主催団体：応用物理学会
[101]. Single dopant atom transistors: New era of electronics
Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー）
[102]. Deep-energy phosphorus donor atoms in ultrathin-channel silicon transistors
Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー）
[103]. Characterization of nanoscale lateral pn junction by Kelvin probe force microscope
Inter-Academia 2012 （2012年8月）招待講演以外
[発表者]Roland Nowak,Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski, Michiharu Tabe
[備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー）
[104]. シングルドーパントエレクトロニクス
島根大学招待講演（2012年7月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地：松江市主催団体：島根大学
[105]. Observation of photovoltaic effect and single-photon detection in nanowire silicon pn-junction
The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012) （2012年7月）招待講演以外
[発表者]Arief Udhiarto,Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催地：Bali, Indonesia 主催団体：静岡大学、インドネシア大学
[106]. Observation of Tunneling Effects in Lateral Nanowire pn Junctions
The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012) （2012年7月）招待講演以外
[発表者]Sri Purwiyanti,Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto, Michiharu Tabe
[備考] 開催地：Bali, Indonesia 主催団体：静岡大学、インドネシア大学
[107]. Single-electron transport through a single donor at elevated temperatures
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2012年6月）招待講演以外
[発表者]Earfan Hamid,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催地：Honolulu, HI USA 主催団体：IEEE
[108]. Ab initio analysis of donor state deepening in Si nano-channels
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2012年6月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe, Hiroshi Mizuta
[備考] 開催地：Honolulu, HI USA 主催団体：IEEE
[109]. Dopant atoms in silicon nanodevices
2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting (2012 EMN Meeting) （2012年4月）招待講演
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Earfan Hamid,Miftahul Anwar,Roland Nowak, Arief Udhiarto, Ryszard Jablonski, Takeshi Mizuno
[備考] 開催地：Florida, USA 主催団体：OAHOST
[110]. Single Dopant Electronics
会議名(JAIST Int. Seminar on Emerging Nanotechnologies for `More-than-Moore' and `Beyond CMOS' era (ISEN2012)) （2012年3月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(Japan Advanced Institute of Science and Technology)　開催地（Kanazawa）
[111]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique
JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M.Tabe
[備考] 開催場所（Nomi）
[112]. Single-Dopant Based Silicon Photonic Devices
JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Nomi）
[113]. Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,D. Moraru,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Nomi）
[114]. Single-dopant transistors and dopant-based turnstiles
JAIST Poster Session （2012年3月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Nomi）
[115]. シリコンナノ構造におけるリンドナー電子状態の空間分布
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]葛屋陽平,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博
[備考] 開催場所（早稲田大）
[116]. Electronic potential of lateral nanoscale Si pn junctions observed by KFM technique
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,M. Takeshi,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（早稲田大）
[117]. Observation of the photovoltaic effect in pn-junction silicon-on-insulator nanowires
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,S. Purwiyanti,D. Moraru,M. Takeshi,T. Michiharu
[備考] 開催場所（早稲田大）
[118]. Transport through single donors at elevated temperatures in nanoscale Si transistors
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（早稲田大）
[119]. 第一原理計算によるシリコンナノロッドトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
電子情報通信学会SDM/ED合同研究会（2012年2月）招待講演以外
[発表者]葛屋陽平,モラルダニエル,水野武志,田部道晴,水田　博
[備考] 開催場所（北大）
[120]. KFM observation of individual dopant potentials and electron charging
電子情報通信学会SDM/ED合同研究会（2012年2月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（北大）
[121]. Single Dopant Electronics
会議名(4th Int. Lecture with Alexandru Loan Cuza Univ.(Romania)) （2012年2月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（浜松市）
[122]. Single-dopant/interface interaction effects on transport characteristics of silicon nano-transistors
2012 Int. Workshop on Advanced Nanovision Science （2012年1月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[123]. シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイスとフォトン検出
会議名(東北大学電気通信研究所組織連携型共同プロジェクト研究研究会) （2011年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(東北大学)　開催地（浜松市）
[124]. Single dopant devices: Toward diversity and high temperature operation
会議名(Italia week at Waseda, Int. Workshop (Nanoelectronics Workshop)) （2011年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(早稲田大学、イタリア大使館)　開催地（Tokyo）
[125]. KFM measurements of surface potential induced by donor and acceptor dopants in hydrogen-passivated SOI-FETs
The 13th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2011年11月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[126]. Single-dopant Based Silicon Photonic Devices
The 13th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2011年11月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[127]. Theoretical Analysis of Single Dopants in Silicon Nanowire Transistors
2011 Korean-Japanese-Student Workshop (KJS Workshop) （2011年11月）招待講演以外
[発表者]Y. Kuzuya,H. Mizuta,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[128]. シリコン系シングルドーパントデバイスとフォトン検出
会議名(日本学術振興会光電相互変換第125委員会第214回研究会) （2011年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（浜松）
[129]. Effect of donor-level deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs
会議名(Inter-Academia 2011) （2011年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（Sucevita,Romania）
[130]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique
Inter-Academia 2011 （2011年9月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Sucevita, Romania）
[131]. Temperature evolution of electron transport in single-donor transistors
Inter-Academia 2011 （2011年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,A. Udhiarto,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Sucevita, Romania）
[132]. Effect of Free Carriers on Dopant-induced Surface Potential in SOI-FETs
2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) （2011年9月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,R. Nowak,D. Moraru,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Nagoya）
[133]. Donor-location-dependent RTS Observed by Trapping and Detrapping of a Photoexcited Electron by a Single Donor
2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) （2011年9月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T . Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Nagoya）
[134]. 少数ドーパントを有するシリコンナノロッドの状態解析
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]葛屋陽平,ダニエル,モラル,水野武志,田部道晴,水田　博
[備考] 開催場所（山形大）
[135]. Probing donor location by assistance of photons in nano-scale SOI-FETs
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（山形大）
[136]. H₂ annealing effects on surface potential of As-implanted Si measured by KFM
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,R. Nowak,Y. Ono,D. Moraru,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（山形大）
[137]. 単一イオン注入プロセス:1nm精度への挑戦
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]品田賢宏,堀　匡寛,小野行徳,田部道晴
[備考] 開催場所（山形大）
[138]. Role of interface potential well in transport in single-donor transistors
2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,J. C. Tarido,E. Hamid,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（山形大）
[139]. 単一ドーパントデバイス:多様性と高温動作に向けて
会議名(2011年秋季第73回応用物理学会学術講演会シンポジウム講演) （2011年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（山形）
[140]. 単一ドーパントシミュレーション -ナノ構造内ドーパント原子の状態と電子輸送-
会議名(2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会シンポジウム講演) （2011年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（山形）
[141]. シリコン系シングルドーパントデバイスとKFMによる局所電位評価
会議名(国際高等研究所研究会『単分子エレクトロニクスの現状認識と近未来実現へ向けての中核体制構築』) （2011年7月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(財団法人国際高等研究所)　開催地（京都）
[142]. Dopant Atom Devices and Photonic Devices
会議名(Int. Seminar on the Future of Nanotechnology) （2011年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(インドネシア大)　開催地（Jakarta,Indonesia）
[143]. Single-electron transfer between two donors via an interface dot
2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外
[発表者]J. C. Tarido,D. Moraru,E. Hamid,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[144]. Photon-induced electron trapping by a single donor
2011 Silicon Nanoelectronics Workshop （2011年6月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[145]. Role of Channel Pattern on the Formation of Single-Dopant Transistors
Villa Conf. on Interactions Among Nanostructures (VCIAN 2011) （2011年4月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,J. C. Tarido,A. Udhiarto,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Las Vegas, USA）
[146]. Atom devices based on single-dopants in silicon nanostructures
会議名(Villa Conf. on Interactions Among Nanostructures (VCIAN 2011)) （2011年4月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(Oanano)　開催地（Las Vegas,USA）
[147]. Single-Electron Memory Effects in Double-Donor and Triple-Donor Systems
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,三木早樹人,水野武志,D. Moraru,田部道晴
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[148]. Topography and Electronic Potential Correlation in Phosphorus-Doped FET Channel Measured by LT-KFM
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]R. Nowak,M. Anwar,川合雄也,D. Moraru,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[149]. Siナノワイヤp-n ダイオードにおけるランダムテレグラフシグナルの観察
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,三木早樹人,小林　稔,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[150]. Photon-Induced RTS due to Single Donor Charging and Discharging in Phosphorus-Doped SOI-FETs
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,中村竜輔,V. Mizeikis,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[151]. Possibility of Electron Transfer between Two Donors via Interface in Doped Nanoscale Si FETs
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]J. C. Tarido,E. Hamid,D. Moraru,中村竜輔,三木早樹人,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[152]. 単一不純物を有するシリコンナノロッドトランジスタの第一原理解析
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月）招待講演以外
[発表者]葛屋陽平,三木早樹人,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴,水田　博
[備考] 開催場所（東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ）
[153]. Single-electron transfer between two donors in thin nanoscale silicon transistors
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2011年2月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（北海道大学）
[154]. Current Intermittency in SOI-FETs under Continuous Light Illumination
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2011年2月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（北海道大学）
[155]. Si Single Dopant Devices
会議名(2011 The Int. Symp. on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)) （2011年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(NTT)　開催地（Atsugi）
[156]. Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM
会議名(2010 18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)) （2010年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（Atagawa）
[157]. Single dopant devices: Single-electron transport through single-dopants
会議名(2010 ITRS Deterministic Doping Workshop 2) （2010年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Berkeley,USA）
[158]. SOIを利用した新たな輸送制御による新機能デバイスの研究について
会議名(2010 島根大学招待講演) （2010年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(島根大学)　開催地（島根大学）
[159]. Fabrication and Characterization of Si Nanowire p-n Diodes
2010 Korean-Japanese-Student Workshop(KJS Workshop) （2010年11月）招待講演以外
[発表者]S. Miki,M. Kobayashi,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Korea）
[160]. Single-electron transport via single and multiple donors in Si-FETs
The 12th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp. （2010年11月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,R. Nakamura,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[161]. 低温KFMによるリンをドープしたSOI表面の電位観察
応用物理学会東海支部第17回基礎セミナー（2010年10月）招待講演以外
[発表者]川合雄也,ミフタフルアンワル,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（静大浜松キャンパス）
[162]. Siナノワイヤp-nダイオードの作製と評価
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]三木早樹人,小林　稔,モラルダニエル,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（長崎大学）
[163]. Single-, Double-, and Triple-Dot Arrays in Patterned Phosphorus-Doped Nano-FETs
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,中村竜輔,J. C. Tarido,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（長崎大学）
[164]. Single-Electron Charging by Extension of Dopant-Induced Quantum Dot at Interfaces under Electric Field
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,三木早樹人,水野武志,D. Moraru,田部道晴
[備考] 開催場所（長崎大学）
[165]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,川合雄也,水野武志,J. Rizard,小野行徳,田部道晴
[備考] 開催場所（長崎大学）
[166]. Sensitivity Enhancement of Single-Photon Detection by Channel Patterning in Phosphorus-Doped SOI-FETs
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,三木早樹人,中村竜輔,V. Mizeikis,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（長崎大学）
[167]. Single-Photon Detection by Individual Dopants and the Effect of Channel Shape in SOI-FET
2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) （2010年9月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,V. Mizeikis,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tokyo）
[168]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Isolated and Clustered Dopants
2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010) （2010年9月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,T. Mizuno,R. Jablonski,Y. Ono,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tokyo）
[169]. Kelvin Probe Force Microscope measurement uncertainty
Inter-Academia 2010 （2010年8月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,D. Moraru,T. Mizuno M. Tabe,R. Jablonski
[備考] 開催場所（Latvia）
[170]. Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs
Inter-Academia 2010 （2010年8月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Latvia）
[171]. Tunable single-electron turnstile using discrete dopants in nanoscale SOI-FETs
Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE) （2010年6月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,K. Yokoi,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tokyo）
[172]. KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel
Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE) （2010年6月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,Y. Kawai,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tokyo）
[173]. Control of dopant-induced quantum dots by channel geometry
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop （2010年6月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（USA）
[174]. Single-dopant memory effect in P-doped Si SOI-MOSFETs
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop （2010年6月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe
[備考] 開催場所（USA）
[175]. Si single-dopant devices and their characterization
会議名(2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)) （2010年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(IEICE)　開催地（Tokyo）
[176]. Single-photon detection by Si single-electron FETs
会議名(2010 European MRS (E-MRS) Symp. J: Silicon-based nanophotonics) （2010年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(European Materials Research Society)　開催地（Strasbourg,France）
[177]. Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs
電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会（2010年5月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe
[備考] 開催場所（静大浜松キャンパス）
[178]. Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET
電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会（2010年5月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（静大浜松キャンパス）
[179]. Si中に低加速イオン注入したAs の低温KFM観察
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]川合雄也,アンワルミフタフル,三木早樹人,小野行徳,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（平塚）
[180]. ディスク状チャネルをもつ単電子トランジスタの特性
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]中村竜輔,横井清人,ダニエルモラル,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（平塚）
[181]. Interaction of Single Photon and Single Electron Transport in Phosphorus-Doped SOI-FET
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]A. Udhiarto,D. Moraru,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（平塚）
[182]. Observation of Si Channel Potential by LT-KFM
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,Y. kawai,S. Miki,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（平塚）
[183]. Simulation and experimental study of single electron trapping in doped nanoscale FETs
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe
[備考] 開催場所（平塚）
[184]. Single-Dopant Control in Single-Electron Transport through Arrays of Dopants
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,三木早樹人,Juli Cha Tarido,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（平塚）
[185]. Towards Silicon-based Single Dopant Technology
会議名(2010 JST Int. Symp. on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies for 'More-than-Moore' and 'Beyond-CMOS' Era) （2010年3月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(JST)　開催地（Southampton,UK）
[186]. シングルドーパントデバイスの現状と課題
会議名(2010 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117回研究集会接合技術研究集会) （2010年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（東京）
[187]. Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential by LT-KFM
会議名(2010 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics) （2010年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Sendai）
[188]. シリコンドーパント原子デバイス
会議名(2009 日本表面科学会中部支部研究会) （2009年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本表面科学会)　開催地（名古屋）
[189]. シリコンドーパント原子デバイス
会議名(2009 電子情報通信学会北海道支部およびIEEE札幌支部共催講演会) （2009年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（北海道）
[190]. Single Dopant Memory Effect in Ultra-Thin Silicon Field Effect Transistors
第9回日本表面科学会中部支部学術講演会（2009年12月）招待講演以外
[発表者]J. C. Tarido
[備考] 開催場所（名古屋）
[191]. 低温Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察
第9回日本表面科学会中部支部学術講演会（2009年12月）招待講演以外
[発表者]川合雄也
[備考] 開催場所（名古屋）
[192]. Calibration and inaccuracy estimation of Kelvin Probe Force Microscopy technique
Mechatronics 2009 （2009年11月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Tabe,R. Jablonski
[備考] 開催場所（Luhacovice, Czech Republic）
[193]. Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices
会議名(2009 インドネシア大学特別講義) （2009年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(インドネシア大学)　開催地（Depok,Indonesia）
[194]. Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices
会議名(2009 2nd Int. Conf. on Advanced Material and Practice of Nanotechnology (ICAMPN)) （2009年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(Indonesia Nano Society, Ministry of National Education and Ministry of Research and Technology.)　開催地（Jakarta,Indonesia）
[195]. Single Dopant Electronics
会議名(2009 The 6th Korean-Japanese Student Workshop) （2009年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学・釜山大学)　開催地（浜松）
[196]. Si Single Electron Devices Using Individual Dopants
The 6th Korean-Japanese Student Workshop (KJS Workshop) （2009年10月）招待講演以外
[発表者]S. Miki,D. Moraru,R. Nakamura,M. Ligowski,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[197]. Single- Electron Transport through Discrete Dopants
SSDM 2009 （2009年10月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,M. Anwar,M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（仙台）
[198]. シリコン単電子・単原子デバイス/極微細MOSFETにおける新しい展開と光・電子応用への道
JST Innovation Bridge 静岡大学研究シーズ発表会～光・電子・ナノテク～（2009年10月）招待講演以外
[発表者]田部道晴
[備考] 開催場所（東京）
[199]. Detection of individual dopants in single-electron devices- A study by KFM observation and simulation
Inter-Academia 2009 （2009年9月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Anwar,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe,R. Jablonski
[備考] 開催場所（Kazimierz Dolny, Poland）
[200]. Single-electron transport through individual dopants in heavily-doped nanoscale FETs
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（富山）
[201]. ゲート容量と接合容量の不均一性が単電子転送動作に与える効果
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]横井清人,ダニエルモラル,田部道晴
[備考] 開催場所（富山）
[202]. Possibility of single-electron trapping by a single dopant in doped nanoscale FETs
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]E. Hamid,J. C. Tarido,S. Miki,M. Anwar,M. Ligowski,T. Mizuno,D. Moraru,M. Tabe
[備考] 開催場所（富山）
[203]. Observation of Single-Electron Charging in Dopant Potential by Kelvin Probe Force Microscope
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,D. Moraru,M. Ligowski,Y. Kawai,S. Miki,T. Mizuno M. Tabe
[備考] 開催場所（富山）
[204]. Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants
Inter-Academia 2009 （2009年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,M. Ligowski,J. C. Tarido,S. Miki,R. Nakamura,K. Yokoi,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kazimierz Dolny, Poland）
[205]. Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants
会議名(2009 第5回阪大ナノサイエンステクノロジー国際シンポジウム) （2009年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（大阪）
[206]. Inter-Dopant Coupling Tuning for Single-Electron Transfer
2009 Silicon Nanoelectronics Workshop （2009年6月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,M. Ligowski,K.Yokoi,T. Mizuno,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[207]. Single-Dopant Resolved Characteristics in Doped Nanowire Field-Effect Transistors
2009 Silicon Nanoelectronics Workshop （2009年6月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,D. Moraru,R. Jablonski,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[208]. Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
会議名(2009 6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)) （2009年5月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Los Angeles,USA）
[209]. Inter-dopant coupling modulation in double-gated doped-nanowire FETs
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外
[発表者]モラル,ダニエル,リゴフスキ,マチェイ,横井清人,田部道晴
[備考] 開催場所（筑波大学）
[210]. 多重トンネル接合によるランダムな接合容量下での単電子転送シミュレーション
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外
[発表者]横井清人,モラル,ダニエル,田部道晴
[備考] 開催場所（筑波大学）
[211]. Surface Potential of Thin Si Channel Measured by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (LT-KFM)
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外
[発表者]M. Anwar,M. Ligowski,D. Moraru,J.C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（筑波大学）
[212]. PとBを同時ドープした SOI-MOSFETの単電子輸送特性
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月）招待講演以外
[発表者]三木早樹人,笠井勇希,海老澤一仁,水野武志,モラル,ダニエル,田部道晴
[備考] 開催場所（筑波大学）
[213]. KFMによる半導体不純物分析の最前線
会議名(2009 日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会/第53回研究会) （2009年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（京都）
[214]. シリコンナノデバイスの新展開-少数個の電子とイオンの利用に向けて-
会議名(2009 静岡大学創造科学技術大学院シンポジウム) （2009年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学)　開催地（浜松）
[215]. シリコン単電子デバイス:単一フォトンおよび単一ドーパントとの相互作用
会議名(2008 平成20年度電子情報通信学会東北支部専門講習会) （2008年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（秋田）
[216]. Surface potential profile of doped Si channel measured bu low temperature Kelvin probe microscope (LT-KFM)
第8回日本表面科学会中部支部学術講演会（2008年12月）招待講演以外
[発表者]ミフタフル,アンワル
[備考] 開催場所（名古屋）
[217]. Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-Electron Devices
会議名(2008 IUMRS Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)) （2008年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Nagoya）
[218]. Si Single-Electron SOI-MOSFETs: Interplay with Individual Dopants and Photons
会議名(2008 MRS fall meeting) （2008年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Boston,USA）
[219]. Single-Electron Transfer Operation in Inhomogeneous Arrays of Quantum Dots Introduced by Dopants
The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外
[発表者]K. Yokoi,D. Moraru,M. Ligowski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[220]. Detection of Individual Dopants by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[221]. Atomic-level tuning of few-dopants arrays for single-electron transfer
The 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5th International Symposium on Nanovision Science （2008年11月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Maciej Ligowski,Kazuhito Ebisawa,Kiyohito Yokoi,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[222]. Measurement of Dopant- Induced Surface Potential in a Thin Silicon Layer by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
The First Circular of The 4th Korean-Japanese-Chinese Students Workshop （2008年10月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,D. Moraru,M. Anwar,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe
[備考] 開催場所（Korea）
[223]. Dopant Freeze-out and Potential Fluctuations Observed by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials （2008年9月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[224]. Single-Electron Transfer by Controlling the Dopant-Induced Quantum Dot Landscape
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials （2008年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[225]. Detection of dopant induced potential fluctuations in silicon nanodevice channel by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hungary）
[226]. Electrical manipulation of individual dopants and electrons in silicon nanowire field-effect transistors
Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Hungary）
[227]. Silicon Single-Electron Devices: Device Physics, Fabrication and Measurements
Inter-Academia 2008 （2008年9月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Daniel Moraru,Maciej Ligowski,Ryszard Jablonski,Kiyohito Yokoi,Kazuhito Ebisawa,Yuuki Kasai,Miftahul Anwar,Hiroya Ikeda,Takeshi Mizuno
[備考] 開催場所（Hungary）
[228]. 単電子特性におけるドーパントイオン化ノイズ
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外
[発表者]海老澤一仁,ダニエルモラル,笠井勇希,水野武志,田部道晴
[備考] 開催場所（春日井）
[229]. 低温KFMによるSOI-FETチャネル中のドーパントポテンシャル揺らぎの観察
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外
[発表者]マチェイリゴフスキ,ダニエルモラル,アンワルミフタフル,リシャードヤブロンスキ,田部道晴
[備考] 開催場所（春日井）
[230]. Gate tuning of doped-nanowire FETs for single-electron transfer
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外
[発表者]ダニエルモラル,横井清人,海老澤一仁,笠井勇希,マチェイリゴフスキ,田部道晴
[備考] 開催場所（春日井）
[231]. ランダム系多重ドットトランジスタによる単電子転送のシミュレーション解析
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月）招待講演以外
[発表者]横井清人,ダニエルモラル,田部道晴
[備考] 開催場所（春日井）
[232]. シリコン単電子デバイス-ランダムドット系での単電子操作と光応用-
会議名(2008 第20回放射線夏の学校) （2008年7月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（浜松）
[233]. Si Bicrystal Single-Electron FETs
2008 Silicon Nanoelectronics Workshop （2008年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Kasai,T. Ishino,D. Moraru,R. Nuryadi,H.Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[234]. Control of single dopants in the electron conduction path in SOI doped nanowire FETs
2008 Silicon Nanoelectronics Workshop （2008年6月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,D. Nagata,K. Yokoi,K. Ebisawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[235]. Si single-electron devices: manipulation of individual dopants
会議名(2008 Nanoscale Semiconductor Devices (IWNSD)) （2008年5月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Seoul,Korea）
[236]. SiナノワイヤSET-個別ドーパントの利用に向けて-
会議名(2008 東北大学大学院特別講義) （2008年5月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(東北大学)　開催地（東北大学）
[237]. 人工転位網を内包したSOI-MOSFET の単電子輸送特性
2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外
[発表者]笠井勇希,石野敏也,田部道晴,木村滋,田尻寛男,坂田修身
[備考] 開催場所（船橋）
[238]. 均一系多重ドットMOS-FET の作製と評価
2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外
[発表者]海老澤一仁,モラル,ダニエル,ラトノ,ヌルヤディ,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（船橋）
[239]. Boron-ionization in Si observed by LT-KFM
2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M. Anwar,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（船橋）
[240]. Effects of assistant electrons on single-electron transfer in random multidot arrays
2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（船橋）
[241]. Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2008年1月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Daisuke Nagata,Kiyohito Yokoi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（北海道）
[242]. Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2008年1月）招待講演以外
[発表者]Maciej Ligowski,Ratno Nuryadi,Akihiro Ichiraku,Miftahul Anwar,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（北海道）
[243]. Si Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants and Photons
会議名(2007 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)) （2007年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Tokyo）
[244]. Si Bicrystal Structures for Multijunction Single-Electron Devices
会議名(2007 3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics) （2007年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Sendai）
[245]. シリコンナノ構造を利用した新機能単電子デバイス
会議名(2007 第97回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会) （2007年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会シリコンテクノロジー分科会)　開催地（東京）
[246]. Numerical Investigation of 1D and 2D Quantum Dot Arrays with Design Optimized for Single-Electron Transfer Operation
The 3rd Korean-Japanese Student Workshop （2007年10月）招待講演以外
[発表者]D.Moraru,K.Yokoi,H.Ikeda,M.Tab
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[247]. Numerical study on single-electron transfer operation in non-homogeneous quantum-dot arrays
The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外
[発表者]K.Yokoi,D.Moraru,H.Ikeda,M.Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[248]. Ionization of dopant atoms in Si invested by Kelvin Probe Force Microscope
The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外
[発表者]M.Ligowski,R.Nuryadi,A.Ichiraku,M.Anwar,R.Jablonski,M.Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[249]. Manipulation of Individual Electrons in Doped Silicon Nanostructures
The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外
[発表者]D.Moraru,D.Nagata,K.Ebisawa,K.Yokoi,H.Ikeda,M.Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[250]. Single-Electron Devices: Interaction with Individual Dopants
The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 4th International Symposium on Nanovision Science （2007年10月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Ratno Nuryadi,Daniel Moraru,Zainal A. Burhanudin,Hiroya Ikeda
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[251]. Low temperature Si surface potential investigation by Kelvin Probe Force Microscope
iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外
[発表者]M.Ligowski,R.Nuryadi,A.Ichiraku,M.Anwar,R.Jablonski,M.Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[252]. Nanodevice Patternig by Electron-Beam lithography
iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外
[発表者]Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[253]. Single photon detection using silicon multidots single-hole-tunneling transistor
iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外
[発表者]R.Nuryadi,Z.A.Burhanudin,M.Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[254]. Development of New Functional Devices using Si Nanostructures -Single-Electron Turnstile Device and Thermoelectric Device-
iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外
[発表者]Hiroya Ikeda,Kiyosumi Asai,Naomi Yamashita,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[255]. KFM measurements of an ultrathin SOI-FET channel surface
Mechatronics 2007 （2007年9月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M.Anwar,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Warsaw）
[256]. Design Control of Random Dopantinduced Multiple-Tunnel-Junction Arrays for Turnstile Operation
SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[257]. Direct Observation of Freeze-out Effect in Si by Kelvin Probe Force Microscope
SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,R. Nuryadi,A. Ichiraku,M. Anwar,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[258]. 単電子振動子ネットワークによるフォトン位置検出センサ
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]キコンボ　アンドリュー　キリンガ,雨宮好仁,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[259]. シリコン多重ドットトランジスタ動作時のチャネル表面電位観察
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]浅井清涼,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[260]. 横方向に周期的応力を導入したSOI-MOSFETの単電子輸送特性
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]笠井勇希,石野敏也,ラトノヌルヤディ,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[261]. KFMによるSOI-FET表面電位の観察とキャリアフリーズ・アウト効果
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]リゴフスキマチェイ,ラトノヌルヤディ,一楽明宏,ミフタフルアンワル,池田浩也,ヤブロンスキリシャード,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[262]. 一次元不均一量子ドットアレイにおける単電子転送メカニズム
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]モラルダニエル,横井清人,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[263]. Photon Position Detector Consisting of Single-Electron Devices
SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外
[発表者]Andrew Kilinga KIKOMBO,Michiharu TABE,Yoshihito AMEMIYA
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[264]. Photon-induced single-hole-tunneling current modulation in Si multiple-tunneljunction field-effect transistor
SSDM 2007 （2007年9月）招待講演以外
[発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Tsukuba）
[265]. Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon
iA 2007 and iAY （2007年9月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Kiyohito Yokoi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[266]. 基板中光誘起電荷の単正孔SOI-FETに与える効果
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月）招待講演以外
[発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴
[備考] 開催場所（札幌）
[267]. Manipulation of single-electrons in Si nanodevices -Interplay with photons and ions-
会議名(2007 7th Int. Conf. Mechatronics) （2007年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Warsaw,Poland）
[268]. Si multidot FETs for single-electron transfer and single-photon detection
会議名(2007 13th Int. Symp. on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (13-UFPS)) （2007年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Vilnius,Lithuania）
[269]. Si single-electron FETs for single-photon detection
会議名(2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2007)) （2007年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(電子情報通信学会)　開催地（慶州,韓国）
[270]. Ionization of single-acceptors in p-Si epilayer observed using single-hole-tunneling transistor
2007 Silicon Nanoelectronics Workshop （2007年6月）招待講演以外
[発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[271]. Effects of Parameter Randomness on Quantized-electron transfer in 1D Multiple-Tunnel-Junction Arrays
2007 Silicon Nanoelectronics Workshop （2007年6月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[272]. Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性
電子情報通信学会SDM, ED, CPM合同研究会（2007年5月）招待講演以外
[発表者]永田大輔,海老沢一仁,モラルダニエル,田部道晴
[備考] 開催場所（浜松）
[273]. 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
電子情報通信学会SDM, ED, CPM合同研究会（2007年5月）招待講演以外
[発表者]池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（浜松）
[274]. 低温KFMによる極薄SOI- MOSFETチャネル表面電位観察
第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外
[発表者]ラトノ,ヌルヤディ,リゴフスキ,マチェ,一楽明宏,ミフタフル,アンワル,田部道晴
[備考] 開催場所（名古屋）
[275]. 多重ドットトランジスタ交流動作時のチャネル表面電位の観察
第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外
[発表者]浅井清涼,山本隆太,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（名古屋）
[276]. Pをカウンタドープした極薄SOI- MOSFETにおける単電子特性
第6回日本表面科学会中部支部・学術講演会（2007年4月）招待講演以外
[発表者]海老澤一仁,永田大輔,Daniel Moraru,田部道晴
[備考] 開催場所（名古屋）
[277]. 単正孔トランジスタに単一アクセプタイオンの検出
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[278]. 多重ドットトランジスタ交流動作時のチャネル表面電位応答
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]池田浩也,山本隆太,浅井清涼,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[279]. 薄いSOI層の熱凝集に対するシミュレーション
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]樊　友軍,ザイナルブルハヌディン,マチェイリゴフスキ,ラトノヌルヤディ,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[280]. 人工転位網を内包したSOI-MOSFETの温度依存性
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]笠井勇希,石野敏也,加藤直人,山野竜一,Nuryadi Ratno,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[281]. 極薄SOI-FETチャネル表面の低温KFM測定
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]リゴフスキマチェイ,一楽明宏,樊　友軍,ラトノヌルヤディ,池田浩也,ヤブロンスキリシャード,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[282]. 薄層SOI-MOSFETにおけるPのフリーズアウト効果
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]永田大輔,海老澤一仁,モラルダニエル,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[283]. ランダム多重接合における単一ゲート単電子転送
2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月）招待講演以外
[発表者]モラルダニエル,小野行徳,猪川　洋,横井清人,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（相模原）
[284]. Thermal agglomeration of ultrathin (110) silicon-on-insulator layer in ultrahigh vacuum
iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外
[発表者]Y. J. Fan,Z. A. Burhanudin,M. Ligowski,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[285]. Single-electron transfer in Coulomb blockade devices based on asymmetry-induced ratchet mechanism
iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[286]. Detection of single acceptor ionization in p-Si epilayer using single-hole-tunneling SOIFET
iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外
[発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[287]. Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2007年2月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Kiyohito Yokoi,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（北海道）
[288]. KFM measurements of potential distribution on the SOI-MOSFET channel
iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外
[発表者]M. Ligowski,A. Ichiraku,Y. J. Fan,R. Nuryadi,R. Jablonski,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[289]. An analytic calculation of single-electron pump operation in MTJ arrays
iAY-2007 & COEY-2007 （2007年2月）招待講演以外
[発表者]K. Yokoi,D. Moraru,M. Tabe
[備考] 開催場所（hamamatsu）
[290]. Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors-Sensing the presence of a single-charge in the substrate-
電子情報通信学会 SDM/ED合同研究会（2007年2月）招待講演以外
[発表者]Zainal Burhanudin,Ratno Nuryadi,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（北海道）
[291]. シリコン単電子デバイス　―ランダムドット系での単電子操作と光応用―
会議名(2007 第20回上田記念講演会および東海支部40周年記念会) （2007年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（名古屋）
[292]. Si単電子デバイスとフォトン検出
会議名(2007 第151委員会/平成19年1月研究会「シリコン系デバイス・材料の新展開」) （2007年1月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（熱海）
[293]. 多重接合型シリコン単電子デバイス -フォトン検出と単電子規則転送への展開-
会議名(2006 第299回物性談話会) （2006年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(豊田理化学研究所)　開催地（名古屋）
[294]. シリコン多重接合型単電子デバイスと光応用
会議名(2006 産学官連携フォーラム) （2006年11月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（浜松）
[295]. Thermal Agglomeration of Ultrathin (110) Silicon-on-Insulator Layer in Ulltrahigh Vacuum
MNC 2006 （2006年10月）招待講演以外
[発表者]Y.J.Fan,Z.A.Burhanudin,D.Moraru,R.Nuryadi,M.Tabe
[備考] 開催場所（Kamakura）
[296]. Effect of photon absorption in Si single-electron devices
Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外
[発表者]M. Tabe,R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,Y. Ishikawa
[備考] 開催場所（Romania）
[297]. Control of single electron tunneling in two-dimensional Si multidot channel field-effect transistors
Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外
[発表者]Hiroya Ikeda,Ryuta Yamamoto,Kiyohito Yokoi,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Romania）
[298]. Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires
Solid State Devices and Materials (SSDM 2006) （2006年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,R. Nuryadi,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Yokohama）
[299]. Towards single-electron pump operation using one AC gate bias in doped Si nanowires
Inter-Academia 2006 （2006年9月）招待講演以外
[発表者]D.Moraru,Y.Ono,H.Inokawa,K.Yokoi. R.Nuryadi,H.Ikeda,M.Tabe
[備考] 開催場所（Romania）
[300]. Photo Illumination Effect on Single-Electron-Tunneling Current Through a Thin Bicrystal SOI FET
Solid State Devices and Materials (SSDM 2006) （2006年9月）招待講演以外
[発表者]R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,R. Yamano,T. Ishino,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（Yokohama）
[301]. Nanoelectronic Devices: Silicon Single Electron Device
会議名(2006 1st Int. Conf. on Advanced Material and Practical Nanotechnology) （2006年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(Indonesian Polymer Association(HPI), Indonesian Society for Nanotechnology(MNI))　開催地（Tangerang,Indonesia）
[302]. シリコンマルチドット型単電子デバイスとフォトン検出への応用
会議名(2006 E準部門フィジカルセンサ技術委員会) （2006年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(電気学会)　開催地（豊橋）
[303]. 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外
[発表者]池田浩也,増田　匠,横井清人,田部道晴
[備考] 開催場所（滋賀）
[304]. 転位網を内包したSOI-MOSFETにおける光照射の効果
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外
[発表者]ヌルヤディラトノ,石野敏也,山野竜一,石川靖彦,田部道晴
[備考] 開催場所（滋賀）
[305]. 高い光感受性を有する単正孔トンネルSOI-FET
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外
[発表者]ブルハヌディンザイナル,ヌルヤディラトノ,田部道晴
[備考] 開催場所（滋賀）
[306]. PドープSiナノワイヤにおける単電子転送
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外
[発表者]モラルダニエル,小野行徳,猪川　洋,横井清人,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（滋賀）
[307]. 熱処理による極薄SOI(110)基板上へのSiドット列の形成
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月）招待講演以外
[発表者]樊　友軍,ザイナルブルハヌディン,ダニエルモラル,ラトノヌルヤディ,田部道晴
[備考] 開催場所（滋賀）
[308]. シリコン単電子デバイスの新展開
会議名(2006 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会) （2006年7月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本学術振興会)　開催地（仙台）
[309]. Single-Electron Tunneling in a SOI-MOSFET Embedding Artificial Dislocation Network
2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu （2006年6月）招待講演以外
[発表者]R. Nuryadi,C. Yamamoto,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[310]. Single-Charge Pump Operation by Random-Multidot-Channel FET
2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2006年6月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,K. Yokoi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[311]. Effect of Foto-Induced Charges on Single-Hole-Tunneling Current of an SOI-FET
2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop （2006年6月）招待講演以外
[発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[312]. Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures
電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会（2006年5月）招待講演以外
[発表者]Daniel Moraru,永田大輔,堀口誠二,ラトノヌルヤディ,池田浩也,田部道晴
[備考] 開催場所（豊橋技術科学大学）
[313]. Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET
電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会（2006年5月）招待講演以外
[発表者]Zainal A. Burhanudin,ラトノヌルヤディ,田部道晴
[備考] 開催場所（豊橋技術科学大学）
[314]. Single-Photon Detection by Silicon Multidots Single-Charge-Tunneling Transistor
2005 Asian Physics Symposium （2005年12月）招待講演以外
[発表者]Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Indonesia）
[315]. Fabrication and Characteristics of Si Nanostructure Devices
会議名(2005 Asian Physics Symposium) （2005年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Bandung,Indonesia）
[316]. SOI-based Silicon Nanodevices
会議名(2005 13th Int. Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)) （2005年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（New Delhi,India）
[317]. Artificial dislocation network for Si Nanodevices
会議名(2005 Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2005)) （2005年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Tokyo）
[318]. Artificial dislocation network in SOI nanodevices and its transport characteristics
会議名(2005 2nd Int. Symp. on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2)) （2005年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Kaohsiung,Taiwan）
[319]. Single-charge-tunneling behaviors in two-dimensional random multidot channel FET
2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2) （2005年10月）招待講演以外
[発表者]Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（Taiwan）
[320]. Si multidot single-charge-tunneling devices and their photoresponse
2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2) （2005年10月）招待講演以外
[発表者]Michiharu Tabe,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Yasuhiko Ishikawa
[備考] 開催場所（Taiwan）
[321]. Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/twisted-Si(111) tunneling structures
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外
[発表者]D. Moraru,H. Kato,S. Horiguchi,Y. Ishikawa,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kobe）
[322]. Artificial Dislocation Network in Silicon-on-Insulator Layer for Single-Electron Devices
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,C. Yamamoto,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kobe）
[323]. Single-charge-tunneling behaviors in two-dimensional random multidot channel field-effect transistors
4th International Conference on Global Research and Education (Inter-academia 2005) （2005年9月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Germany）
[324]. Single-photon detection by Si single-charge-tunneling devices
4th International Conference on Global Research and Education (Inter-academia 2005) （2005年9月）招待講演以外
[発表者]M. Tabe,Ratno Nuryadi,Y. Ishikawa,H. Ikeda,Z.A. Burhanudin,D. Moraru
[備考] 開催場所（Germany）
[325]. Multi-Charge Turnstile Operation in Random-Multidot Channel FET
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005) （2005年9月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kobe）
[326]. Imaging of Nano-Scale Embedded Dislocation Network in Si Bicrystal
2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外
[発表者]M. Nagase,Y. Ishikawa,Y. Ono,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[327]. Photo Irradiation Effect on Random-Telegraph-Signal in a Two-Dimensional Si Multidot FET
2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外
[発表者]R. Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[328]. Single-Charge Transfer by Random-Multidot-Channel FET
2005 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2005年6月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,,M. Tabe
[備考] 開催場所（Kyoto）
[329]. Direct Observation of Current Path on Si Mulidot-Chanel FET
4th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) （2005年5月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,R. Yamamoto,M. Watanabe,R. Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（Awaji）
[330]. Formation of Si Wires by Thermal Agglomeration of Ultrathin (111) SOI Layer
Fourth Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) （2005年5月）招待講演以外
[発表者]Z. A. Burhanudin,R. Nuryadi,Y. Ishikawa,Y. Ono,M. Tabe
[備考] 開催場所（Awaji）
[331]. Conductivity Enhancement In Thin Silicon-on-Insulator Layer Embedding Artificial Dislocation Network
Materials Research Society Symposium Spring Meeting （2005年3月）招待講演以外
[発表者]Yasuhiko Ishikawa,Kazuaki Yamauchi,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（San Francisco）
[332]. Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices
会議名(2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004)) （2004年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(CIE,IEEE)　開催地（北京、中国）
[333]. Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices
会議名(2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004)) （2004年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Beijing,China）
[334]. Si Single-Electron and Single-Hole Tunneling Devices
会議名(2004 3rd Inter Academia) （2004年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(静岡大学他)　開催地（ブダペスト、ハンガリー）
[335]. Transition of a Single-Charge-Tunneling Mode in Two-Dimensional Multidot Structures from Quasi-Crystal to Quasi-Amorphous System
Inter-Academia 2004 3rd International Conference on Global Research and Education in Intelligent Systems （2004年9月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,R. Nuryade,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（ブダペスト、ハンガリー）
[336]. Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
2004 International Conference on Solid State Devices and Materials （2004年9月）招待講演以外
[発表者]R. Nuryade,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[337]. Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
2004 International Conference on Solid State Devices and Materials （2004年9月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,K. Yamauchi,H. Ikeda,Y. Ono,M. Nagase,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[338]. Self assembly of nanostructures and carbon-nanotube interconnection
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Homma,M. Tabe,T. Ogino
[備考] 開催場所（Hamamatsu）
[339]. Transition from Resonant Tunneling to Single Electron Tunneling Due to Lateral Size Shrinkage of Si/SiO2 Double Barrier Structure
2004 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,K. Osada,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[340]. Change of Single-Electron-Tunneling Percolation-Path Due to Light Illumination
2004 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Ratno-Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[341]. Effect of Transverse momentum on direct tunneling of electrons through Si/SiO2/Si single barrier structure
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,Y. Mori,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[342]. Thermal agglomeration of line-patterned SOI layer
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Imai,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[343]. Evaluation of surface potential for alkaline-metal ion doped insulating films
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外
[発表者]T. Watanabe,M. Maeda,Y. Imai,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[344]. Multi-gate control of single-electron-tunneling in Si multidot field-effect transistors
12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) （2004年6月）招待講演以外
[発表者]Ratno-Nuryadi,J. Kinomoto,H. Kato,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[345]. Self assembly of nanostructures and carbon-nanotube interconnection
会議名(2004 12th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS-12)) （2004年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Hamamatsu）
[346]. Si/Si02 Resonant Tunneling Diodes Based on Silicon-on-Insulator Structure Structure
会議名(2004 6th European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6)) （2004年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（オランダ）
[347]. Circuit modeling of photo-induced effects on single-charge-tunneling system
New Phenomena in Mesoscopic Structures 6 (NPMS-6)/Surfaces and Interfaces in Mesoscopic Devices 4(SIMD-4) （2003年11月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,R. Nuryadi,M. Ito,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[348]. In-situ observation of formation process of self-assembled Si islands on buried SiO2 and their crystallographic structures
2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2003) （2003年11月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,Y. Ishikawa Y. Homma,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[349]. Formation of one-dimensionally-aligned Si islands on buried oxide layer of silicon-on-insulator structure
New Phenomena in Mesoscopic Structures 6(NPMS-6)/Surface and Interfaces in Mesoscopic Devices 4(SIMD-4) （2003年11月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,Y. Imai,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（Hawaii）
[350]. Photon-induced effect on single-charge-tunneling in a Si multidot Schottky FET
2003 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2003) （2003年9月）招待講演以外
[発表者]Ratno-Nuryadi,H. Ikeda,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[351]. Single-Electron and Single-Hole Tunneling in Si Coupled-Dot FETs Fabricated from Ultrathin SOI
会議名(2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE 2003)) （2003年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 開催地（Gangneung,Korea）
[352]. Single charge tunneling in two-dimensional coupled dot Si devices
2003 IEEE Si Nanoelectronics Workshop （2003年6月）招待講演以外
[発表者]Ratno Nuryadi,Y. Ishikawa,H,Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（京都）
[353]. Hot-Electron-Induced Charge Storage in Si/SiO2 Double Barrier Diodes
2003 IEE Si Nanoelectronics Workshop （2003年6月）招待講演以外
[発表者]Hiroya Ikeda,Kazuaki Yamauchi,Yasuhiko Ishikawa ans Michiharu Tabe
[備考] 開催場所（京都）
[354]. Effect of Structural Imperfection on Resonant Tunneling in SiO2/Si Diodes
2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2002) （2002年11月）招待講演以外
[発表者]H. Ikeda,M. Iwasaki,Y. Ishikawa,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[355]. Electrical Characteristics of Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes
7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology(JICAST2002) （2002年10月）招待講演以外
[発表者]M. Iwasaki,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[356]. Single-Electron Transistor with Coupled Dots
7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology （2002年10月）招待講演以外
[発表者]Ratno-Nuryadi,Y. Ishikawa,T. Mizuno,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（浜松）
[357]. Tunneling Mode Dependence of Current-Voltage Characteristics in Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes
2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2002) （2002年9月）招待講演以外
[発表者]M. Iwasaki,Y. Ishikawa,H. Ikeda,M. Tabe
[備考] 開催場所（名古屋）
[358]. Ordered Arrangement of Thermally-Agglomerated Si Islands on Buried SiO2 Layer
11th International Conference on Solid Films and Surfaces （2002年7月）招待講演以外
[発表者]M. Tabe,R. Nuryadi,Y. Homma,Y. Hirakawa,Y. Ishikawa
[備考] 開催場所（フランス）
[359]. Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Ultrathin SOI Structure
会議名(2002 Silicon Nanoelectronics Workshop) （2002年6月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(IEEE、応用物理学会)　開催地（Hawaii,USA）
[360]. Silicon Nanostructured Tunneling Devices
Proceedings of The Third Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium （2001年12月）招待講演以外
[発表者]M. Tabe,Y. Ishikawa,T. Mizuno
[備考] 開催場所（浜松）
[361]. Field Electron Emission Device Using Silicon Nano-Protrusions
Proc. 21th International Display research Conference(Asia display /IDW'01) （2001年10月）招待講演以外
[発表者]K. Sawada,M. Tabe,Y. Ishikawa,M. Ishida
[備考] 開催場所（名古屋）
[362]. Electron Field Emission from Silicon Nano-Protrusions
会議名(2001 The 6th Int. Conf. on Solid State and IC Technology (ICSICT'01)) （2001年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(IEEE)　開催地（上海、中国）
[363]. Resonant Tunneling Effect in Si/SiO2 Double Barrier Structure
2001 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2001) （2001年9月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,T. Ishihara,M. Iwasaki,M. Tabe
[備考] 開催場所（東京）
[364]. SOI-based Si nanostructures and their applications
会議名(2001 Frontier Science Research Conf.) （2001年8月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(The Institute of Advanced Physics Studies)　開催地（La Jolla,USA）
[365]. Effect of Patterning on Thermal Agglomeration of Ultrathin SOI Layer
8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-8) （2001年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,Ratono Nuryadi,M. Tabe
[備考] 開催場所（札幌）
[366]. Field Electron Emission from Si Nano-Protrusions
2001 Silicon Nanoelectronics Workshop （2001年6月）招待講演以外
[発表者]Ratono Nuryadi,M. Iwatsuki,K. Sawada,Y. Ishikawa,M. Tabe.
[備考] 開催場所（京都）
[367]. XPS and I-V Studies on Quantum Mechanical Effects in Ultrathin Si Layer of SOI Structure
2001 Silicon Nanoelectronics Workshop,Abstracts pp.14-15 （2001年6月）招待講演以外
[発表者]Y. Ishikawa,T. Tsuchiya,M. Tabe
[備考] 開催場所（京都）
[368]. What impact will nano-scale surface processes produce on future devices?
会議名(1999 Int. Symp. on Surf. Sci. for Micro- and Nano-Device Fabrication) （1999年12月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(日本表面科学会)　開催地（東京）
[369]. Controling crystal defects in hetero-interfaces; is it still a dream?
会議名(1999 3rd Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces) （1999年10月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（軽井沢）
[370]. Silicon Nanostructures -how to control and what to expect-
会議名(1999 Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures) （1999年9月）招待講演
[発表者]田部道晴
[備考] 主催団体名(応用物理学会)　開催地（蔵王）

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 田部 道晴 （TABE Michiharu）

学会発表・研究発表

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 田部道晴（TABE Michiharu）