[1]. Atomistic nature in band-to-band tunneling in two-dimensional silicon pn tunnel diodes
Applied Physics Letters 108/9 093502-1-093502-5 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Michiharu Tabe,Hoang Nhat Tan,Takeshi Mizuno,Manoharan Muruganathan,Le The Anh,Hiroshi Mizuta,Ratno Nuryadi,Daniel Moraru [備考] IF=3.302(2014/2015)
[2]. Electric-Field-Assisted Formation of an Interfacial Double-Donor Molecule in Silicon
Scientific Reports 5/ 17377-1-17377-10 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arup Samanta [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] IF=5.578
[URL]
[3]. Effect of individual dopants in nano-SOI-MOSFETs and nano-pn-diodes
ECS Transactions 169/10 189-195 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,A. Samanta,K. Tyszka,H. N. Tan,Y. Takasu,R. Jablonski,L. T. Anh,H. Mizuta,T. Mizuno
[4]. Physics of strongly-coupled dopant-atoms in nanodevices
International Journal of Technology 6/6 1057-1064 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Krzysztof Tyszka,Yuki Takasu,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[5]. Tunneling in Systems of Coupled Dopant-Atoms in Silicon Nanodevices
Nanoscale Research Letters 10/ - （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Arup Samanta,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Manoharan Muruganathan,Takeshi Mixuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuno,Michiharu Tabe [備考] IF=2.78
[6]. Effect of selective doping on the spatial dispersion of donor-induced quantum dots in Si nanoscale transistors
Applied Physics Expess 8/ 094202-1-904202-4 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Krzysztof Tyszka [共著者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=2.365(2014/2015)
[7]. Linear I-V characteristics of highly-doped SOI p-i-n diode for low temperature measurement
International Journal of Technology 16/3 318-326 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.A.N.G. Sapteka [共著者]H. N. Tan,R. Unno,D. Moraru,A. Udhiarto,S. Purwiyanti,M. Tabe, D.Hartanto,H. Sudibyo
[8]. Comparative study of donor-induced quantum dots in Si nano-channels by single-electron transport
Journal of Applied Physics 117/ - （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Krzysztof Tyszka [共著者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=2.183
[9]. Kelvin Probe Force Microscope Observation of Donors' Arrangement in Si Transistor Channel
Advanced Materials Research 1117/ 82-85 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski [備考] IF＝不明
[10]. Tunneling transport in quantum dots formed by coupled dopant atoms
Advanced Materials Research 1117/ 78-81 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Arup Samanta,Takahiro Tsutaya,Yuki Takasu,Takeshi Mizuno [備考] IF=不明
[11]. Observation of Tunneling Effects in Lateral Nanowire pn Junctions
Makara Journal of Technology 18/2 91- 95 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Arief Udhiarto,Daniel Moraru , Takeshi Mizuno ,Djoko Hartanto ,Michiharu Tabe [備考] IF不明
[12]. The impacts of electronic states hybridization on the binding energy of single phosphorus donor electrons in extremely downscaled silicon nanostructures
Journal of Applied Physics 116/6 063705-1- 9 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Le The Anh [共著者]Daniel Moraru,Muruganathan Manoharan,Michiharu Tabe,Hiroshi Mizuta [備考] IF=2.185(2013/2014)
[13]. Transport spectroscopy of coupled donors in silicon nano-transistors
Scientific Reports 4/ 6219-1-6219-6 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe [備考] IF=5.078(2014)
[14]. Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
MATERIALS SCIENCE 20/2 129-131 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Sri Purwiyanti,Roland Nowak,Takeshi Mizuno,Arief Udhiarto,Djoko Hartanto,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=0.336(2013/2014)
[15]. Potential profile and photovoltaic effect in nanoscale lateral pn junction observed by Kelvin probe force microscopy
Thin Solid Films 557/ 249-253 （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=1.867(2013/2014)
[16]. Ovservation of Photovoltaic Effect and Single-photon Detection in Nanowire Silicon pn-junction
Makara Journal of Technology 17/2 64-68 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Arief Udhiarto,Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno
[17]. Dopant-induced random telegraph signal in nanoscale lateral silicon pn diodes at low temperatures
Applied Physics Letters 103/24 - （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=3.515(2013/2014)
[18]. Electric Field Effect on Single-dopant-atom Si FETs
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, proceedings / S4-11-1-5 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arup Samanta [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[19]. Single Dopant Nature of Nano-pn Junctions
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, proceedings / S4-12-1-5 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[20]. Surface Potential Measurement of Selectively-doped FETs by KPFM
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, proceedings / S4-13-1-5 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Krzysztof Tyszka [共著者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[21]. Transport Spectroscopy of Selectively-doped Interacting Donors in Silicon Nano-transistors
The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, proceedings / S7-8-1-5 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[22]. Transport spectroscopy of selectively doped dopant-bases SOI-transistors
Directionds of Interdisciplinary Domain Research in Japan-Europe Partner ship, proceedings / 54-54 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arup Samanta [共著者]Daniel Moraru,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[23]. Detection of Dopant Potential in Silicon Nano-Channel by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscopy
Inter-Academia 2013, proceedings / 13-13 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Roland Nowak,Krzysztof Tyszka,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski
[24]. Fabrication of controlled dopant-induced quantum dots by thermal diffusion through nano-masks
Inter-Academia 2013, proceedings / 14-14 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Arup Samanta,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[25]. Individual Dopants SIgnature in I-V Characteristics of Nanoscale SOI pn Junctions
Inter-Academia 2013, proceedings / 44-44 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[26]. Dopant-Atom-based SOI-Transistors by Selective Nanoscale Doping
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Proceedings / 788-788 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arup Samanta [共著者]Daniel Moraru,Yohei Kuzuya,Krzysztof Tyszka,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[27]. Dopant-Atom-Based Tunnel SOI-MOSFETs
ECS Transactions 58/9 89-95 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Arup Samanta,Le The Anh,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta [備考] IF=不明
[28]. Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
15th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (15-UFPS), proceedings / 80- （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[29]. Single-dopant Atom Devices for The Future of Nanoelectronics
13th International Conference on Quality in Research (QiR) 2013, proceedings / 68-68 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[30]. Observation of Negative Differential Conductance in Nanoscale p-n Junctions
13th International Conference on Quality in Research (QiR) 2013, proceedings / 77-77 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[31]. Electrical characteristics of donor-induced quantum dots formed in nanoscale selectively-doped SOI-FETs
the 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2013), Proceedings / 101-102 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Arup Samanta,Yohei Kuzuya,Tatsuya Nagasaka,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[32]. Dopant-Induced Random Telegraph Signal in Nanoscale pn and pin Junctions
the 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2013), Proceedings / 103-104 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Roland Nowak,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[33]. Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs
Transactions of the Materials Research Society of Japan 38/2 261-264 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Earfan Hamid,Youhei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Le The Anh,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] IF=不明
[34]. Effects of deep-level dopants on the electronic potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope
Applied Physics Letters 102/ 083109-1-4 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=3.515
[35]. Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures
PHYSICAL REVIEW B 87/8 085420-1-5 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Earfan Hamid [共著者]Daniel Moraru,Youhei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Le The Anh,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] IF=3.664
[36]. Effects of deep level dopants on the potential of thin Si pn junctions observed by Kelvin probe force microscope
2013 International Workshop on Advanced Nanovision Science, Proceedings / 13-17 （2013年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[37]. Donor Ionization Energy and Electronic States in Si nano-FETs
2012 Korean-Japanese Students Workshop, Poceedings / 38-41 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yohei Kuzuya [共著者]Le The Anh,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[38]. Dopant Atom Devices Based on Si Nanostructures
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Proceedings / S1-1-3 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[39]. Observation of Charging and Discharging Effects of Dopant Atoms in Nanoscale Lateral p-n Junction by Kelvin Probe Force Microscope
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Proceedings / S3-2-1 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[40]. Dopant-Based Single-Photon Detection in Lateral Nanowire p-n Junctions
The 14th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Proceedings / S3-3-3 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[41]. Photon-Induced Random Telegraph Signal Due to Potential Fluctuation of a Single Donor?Acceptor Pair in Nanoscale Si p-n Junctions
Applied physics express : APEX. 5/11 112201-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arief Udhiarto [共著者]Daniel Moraru,Sri Purwiyanti,Youhei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe [備考] IF=2.731
[42]. Electron filling in phosphorus donors embedded in silicon nanostructures observed by KFM technique
Journal of Advance Research in Physics 3/2 021202-1-3 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe [備考] IF=不明
[43]. Photoexcited-Electron Trapping by Individual Donor in Lateral Nanowire pn Junction
the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Proceedings / 945-946 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[44]. Observation of charging and discharging effects of dopant atoms in nanoscale lateral pn junction by Kelvin probe force microscope
the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Proceedings / 949-950 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[45]. Experimental and ab initio Study of Donor State Deepening in Nanoscale SOI-MOSFETs
International Union of Materials Research Societies-Internstional Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012), Proceedings / B-1-O27-004 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Earfan Hamid,Yohei Kuzuya,Takeshi Mizuno,Hiroshi Mizuta,Michiharu Tabe
[46]. Single dopant atom transistors: New era of electronics
Inter-Academia 2012 Proceedings / 17- （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Michiharu Tabe
[47]. Deep-energy phosphorus donor atoms in ultrathin-channel silicon transistors
Inter-Academia 2012 Proceedings / 289-298 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[48]. Characterization of nanoscale lateral pn junction by Kelvin probe force microscope
Inter-Academia 2012 Proceedings / 371-375 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Roland Nowak [共著者]Miftahul Anwar,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[49]. Observation of photovoltaic effect and single-photon detection in nanowire silicon pn-junction
The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012), Proceedings / 13-13 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Arief Udhiarto [共著者]Sri Purwiyanti,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[50]. Observation of Tunneling Effects in Lateral Nanowire pn Junctions
The International Conference on Nano Electronics Research Education (ICNERE 2012), Proceedings / 36-36 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Sri Purwiyanti [共著者]Arief Udhiarto,Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Djoko Hartanto,Michiharu Tabe
[51]. Single-electron transport through a single donor at elevated temperatures
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Proceedings / 139-140 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Earfan Hamid [共著者]Daniel Moraru,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe
[52]. Ab initio analysis of donor state deepening in Si nano-channels
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Proceedings / 151-152 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Yohei Kuzuya,Earfan Hamid,Takeshi Mizuno,Michiharu Tabe,Hiroshi Mizuta
[53]. Dopant atoms in silicon nanodevices
2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting (2012 EMN Meeting), Proceedings / 47- （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Miftahul Anwar,Roland Nowak,Arief Udhiarto, Ryszard Jablonski, Takeshi Mizuno
[54]. 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス-デバイス特性とフォトンセンシング機能-(解説)
応用物理 81/2 147-150 （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]田部道晴 [共著者]モラル ダニエル,アリエフ ウディアルト,水野武志
[55]. ナノビジョンサイエンス書評(書評)
日本光学会 41/45 - （2012年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 田部道晴
[56]. Effect of Donor-level Deepening in nm-scale Si SOI-MOSFETs
Journal of Advanced Research in Physics 2/ 011111-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,E. Hamid,M. Anwar,R. Nowak,Y. Kuzuya,T. Mizuno [備考] IF=不明
[57]. Temperature evolution of electron transport in single-donor transistors
Journal of Advanced Research in Physics 2/ 011112-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]E. Hamid,A. Udhiarto,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=不明
[58]. Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscope
APPLIED PHYSICS LETTERS 99/ 213101-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]R. Nowak,D. Moraru,A. Udhiarto,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe [備考] IF=3.844
[59]. Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors
APPLIED PHYSICS LETTERS 99/ 113108-1-3 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=3.844
[60]. Single-electron charging in phosphorous donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope
Japanese Journal of Applied Physics 50/8 08LB10-1-4 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]Y. Kawai,D. Moraru,R. Nowak,R. Jablonski,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=不明
[61]. Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures
Nanoscale Research Letters 6/ 479-1-9 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]A. Udhiarto,M. Anwar,R. Nowak,R. Jablonski,E. Hamid,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=2.726
[62]. Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs
Advanced Materials Research 222/ 122-125 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Earfan Hamid,Juli Cha Tarido,Sakito Miki,Takeshi Mizuno [備考] IF=不明
[63]. Si-based single-dopant atom devices
Advanced Materials Research 222/ 205-208 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Arief Udhiarto,Sakito Miki,Miftaful Anwar,Yuya Kawai,Takeshi Mizuno [備考] IF=不明
[64]. Single-photon detection by Si single-electron FETs
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 208/3 646-651 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]A. Udhiarto,D. Moraru,T. Mizuno [備考] IF=不明
[65]. Kelvin Probe Force Microscope measurement uncertainty
Advanced Materials Research 222/ 114-117 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]M. Tabe,R. Jablonski [備考] IF=不明
[66]. Tunable Single-Electron Turnstile using Discrete Dopants in Nanoscale SOI-FETs
Key Engineering Materials 470/ 27-32 （2011年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]K. Yokoi,R. Nakamura,T. Mizuno,M. Tabe
[67]. KFM Observation of Electron Charging and Discharging in Phosphorus-Doped SOI Channel
Key Engineering Materials 470/ 33-38 （2011年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]D. Moraru,Y. Kawai,M. Ligowski,R. Jablonski,M. Tabe
[68]. Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
APPLIED PHYSICS LETTERS 97/ 262101-1-3 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]E. Hamid [共著者]D. Moraru,J. C. Tarido,S. Miki,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=3.82
[69]. Fabrication and Characterization of Si Nanowire p-n Diodes
2010 Korean-Japanese-Student Workshop Proceedings / 52-55 （2010年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Miki [共著者]M. Kobayashi,D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe
[70]. KFM Observation of Single-Electron Filling in Isolated and Clustered Dopants
SSDM 2010 Proceedings / 97-98 （2010年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Anwar [共著者]D. Moraru,M. Ligowski,T. Mizuno,R. Jablonski,Y. Ono,M. Tabe
[71]. Single-Photon Detection by Individual Dopants and the Effect of Channel Shape in SOI-FET
SSDM 2010 Proceedings / 774-775 （2010年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Udhiarto [共著者]D. Moraru,R. Nakamura,S. Miki,T. Mizuno,V. Mizeikis,M. Tabe
[72]. Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junction arrays
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108/ 053710-1-5 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]K. Yokoi [共著者]D. Moraru,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=2.064
[73]. Single-Electron Transport through Single Dopants in a Dopant-Rich Environment
PHYSICAL REVIEW LETTERS 105/1 016803-1-4 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,M. Ligowski,M. Anwar,R. Jablonski,Y. Ono,T. Mizuno [備考] IF=7.621
[74]. Observation of Discrete Dopant Potential and Its Application to Si Single-Electron Devices
THIN SOLID FILMS 518/ S38-S43 （2010年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,M. Ligowski,M. Anwar,K. Yokoi,R. Jablonski,T. Mizuno [備考] IF=1.909
[75]. Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices
Indonesian Nanoletter 3/ 1 17-21 （2010年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]D. Moraru,M. Anwar,K. Yokoi,R. Nakamura,M. Ligowski,S. Miki,T. Mizuno
[76]. Single Dopant Electronics
The 6th Korean-Japanese Student Workshop / 18-19 （2009年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] M. Tabe
[77]. Si Single Electron Devices Using Individual Dopants
The 6th Korean-Japanese Student Workshop / 29-32 （2009年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Miki [共著者]D. Moraru,R. Nakamura,M. Ligowski,T. Mizuno,M. Tabe
[78]. A photon position sensor consisting of single-electron circuits
NANOTECHNOLOGY 20/ 405209-1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. K. Kikombo [共著者]M. Tabe,Y. Amemiya [備考] IF=3.137
[79]. Single- Electron Transport through Discrete Dopants
SSDM 2009 Proceedings / 260-261 （2009年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]M. Anwar,M. Ligowski,S. Miki,R. Nakamura,T. Mizuno,R. Jablonski,M. Tabe
[80]. Detection of individual dopants in single-electron devices- A study by KFM observation and simulation
Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 130-133 （2009年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]D. Moraru,M. Anwar,J. C. Tarido,T. Mizuno,M. Tabe,R. Jablonski
[81]. Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants
Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3/4 52-54 （2009年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]M. Ligowski,J. C. Tarido,S. Miki,R. Nakamura,K. Yokoi,T. Mizuno,M. Tabe
[82]. Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-On-Insulator Field-Effect Transistors
Applied Physics Express 2/ 071201-1-3 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]M. Ligowski,K. Yokoi,T. Mizuno,M. Tabe [備考] IF=2.223
[83]. Single-Gated Single-Electron Transfer in Non-Uniform Arrays of Quantum Dots
Japanese Journal of Applied Physics 48/ 024503-1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Yokoi [共著者]D.Moraru,M.Ligowski,M.Tabe [備考] IF=2.072
[84]. Si Single-Electron SOI-MOSFETs: Interplay with Individual Dopants and Photons
MRS fall meeting 2008, Proceedings 1145/MM10-01 1-7 （2009年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M.Tabe [共著者]Z.A.Burhanudin,R.Nuryadi,D.Moraru,M.Ligowski,R.Jablonski,T.Mizuno
[85]. Observation of individual dopants in a thin silicon layer by low temperture Kelvin Prove Force Microscope
Applied Physics Letters 93/14 142101-1-3 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Maciej Ligowski [共著者]Daniel Moraru,Miftahul Anwar,Takeshi Mizuno,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[86]. Dopant Freezeout and Potential Fluctuations Observed by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
SSDM 2008, Proceedings / 1084-1085 （2008年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe
[87]. Detection of dopant induced potential fluctuations in silicon nanodevice channel by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope
Inter-Academia 2008, Proceedings / 196-201 （2008年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]M. Anwar,D. Moraru,R. Jablonski,M. Tabe
[88]. Electrical manipulation of individual dopants and electrons in silicon nanowire field-effect transistors
Inter-Academia 2008, Proceedings / 52-58 （2008年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[89]. Silicon Single-Electron Devices: Device Physics, Fabrication and Measurements
Inter-Academia 2008, Proceedings / 59-61 （2008年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Daniel Moraru,Maciej Ligowski,Ryszard Jablonski,Kiyohito Yokoi,Kazuhito Ebisawa,Yuuki Kasai,Miftahul Anwar,Hiroya Ikeda,Takeshi Mizuno
[90]. Transfer by Controlling the Dopant-Induced Quantum Dot Landscape
SSDM 2008, Proceedings / 1078-1079 （2008年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Kiyohito Yokoi,Maciej Ligowski,Michiharu Tabe
[91]. Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
Reports of The Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 29/ 53-58 （2008年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Ligowski [共著者]Ratno Nuryadi,Akihiro Ichiraku,Miftahul Anwar,Ryszard Jablonski,Michiharu Tabe
[92]. Thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layers: crystalline orientation dependence
Japanese Journal of Applied Physics 47/3 1461-1464 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Youjun Fan [共著者]Ratno Nuryadi,Zainal A. Burhanudin,Michiharu Tabe
[93]. Si Multidot FETs for Single-Electron Transfer and Single-Photon Detection
ACTA PHYSICA POLONICA A 113/3 811-814 （2008年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]R. Nuryadi,D.Moraru,Z. A. Burhanudin,K. Yokoi,H. Ikeda
[94]. Low temperature Si surface potential investigation by Kelvin Probe Force Microscope
iA 2007 and iAY Proceedings / 651-656 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Ligowski [共著者]R.Nuryadi,A.Ichiraku,M.Anwar,R.Jablonski,M.Tabe
[95]. Nanodevice Patternig by Electron-Beam lithography (Technical Report)
iA 2007 and iAY Proceedings / 109-112 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Takeshi Mizuno [共著者]Michiharu Tabe
[96]. Design Control of Random Dopantinduced Multiple-Tunnel-Junction Arrays for Turnstile Operation
SSDM 2007 Proceedings / 1138-1139 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[97]. Direct Observation of Freeze-out Effect in Si by Kelvin Probe Force Microscope
SSDM 2007 Proceedings / 218-219 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]R. Nuryadi,A. Ichiraku,M. Anwar,R. Jablonski,M. Tabe
[98]. Development of New Functional Devices using Si Nanostructures -Single-Electron Turnstile Device and Thermoelectric Device-
iA 2007 and iAY Proceedings / 113-118 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hiroya Ikeda [共著者]Kiyosumi Asai,Naomi Yamashita,Michiharu Tabe
[99]. Single photon detection using silicon multidots single-hole-tunneling transistor
iA 2007 and iAY Proceedings / 1037-1045 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R.Nuryadi [共著者]Z.A.Burhanudin,M.Tabe
[100]. Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon
iA 2007 and iAY Proceedings / 1056-1065 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Kiyohito Yokoi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[101]. Photon Position Detector Consisting of Single-Electron Devices
SSDM 2007 Proceedings / 1114-1115 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Andrew Kilinga KIKOMBO [共著者]Michiharu TABE,Yoshihito AMEMIYA
[102]. Manipulation of single-electrons in Si nanodevices -Interplay with photons and ions-
Recent Advances in Mechatronics-The Proceedings of Mechatronics 2007 / 500-504 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,D. Moraru,K. Yokoi,H. Ikeda
[103]. KFM measurements of an ultrathin SOI-FET channel surface
Recent Advances in Mechatronics-The Proceedings of Mechatronics 2007 / 556-560 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]R. Nuryadi,A. Ichiraku,M.Anwar,R. Jablonski,M. Tabe
[104]. Photon-induced single-hole-tunneling current modulation in Si multiple-tunneljunction field-effect transistor
SSDM 2007 Proceedings / 212-213 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. A. Burhanudin [共著者]R. Nuryadi,M. Tabe
[105]. Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires
PHYSICAL REVIEW B 76/7 075332-1-5 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Michiharu Tabe
[106]. Detection of field-induced single-acceptor ionization in Si by single-hole-tunneling transistor
APPLIED PHYSICS LETTERS 91/4 042103-1-3 （2007年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Zainal A. Burhanudin [共著者]Ratno Nuryadi,Michiharu Tabe
[107]. Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
Reports of The Graduate School of Electronic Science and Technology 28/ 15-20 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Yukinori Ono,Hiroshi Inokawa,Kiyohito Yokoi,Ratno Nuryadi,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[108]. Photo-illumination effects on the Si multiple-tunnel-junction single-hole devices
Reports of The Graduate School of Electronic Science and Technology 28/ 11-14 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Zainal Arif Burhanudin [共著者]Ratno Nuryadi,Michiharu Tabe
[109]. Detection of single acceptor ionization in p-Si epilayer using single-hole-tunneling SOIFET
iAY-2007 & COEY-2007 Proceedings / 15-16 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Z. A. Burhanudin [共著者]R. Nuryadi,M. Tabe
[110]. Single-electron transfer in Coulomb blockade devices based on asymmetry-induced ratchet mechanism
iAY-2007 & COEY-2007 Proceedings / 37-38 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,H. Ikeda,M. Tabe
[111]. Thermal agglomeration of ultrathin (110) silicon-on-insulator layer in ultrahigh vacuum
iAY-2007 & COEY-2007 Proceedings / 59-60 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. J. Fan [共著者]Z. A. Burhanudin,M. Ligowski,R. Nuryadi,M. Tabe
[112]. KFM measurements of potential distribution on the SOI-MOSFET channel
iAY-2007 & COEY-2007 Proceedings / 67-68 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Ligowski [共著者]A. Ichiraku,Y. J. Fan,R. Nuryadi,R. Jablonski,M. Tabe
[113]. An analytic calculation of single-electron pump operation in MTJ arrays
iAY-2007 & COEY-2007 Proceedings / 71-72 （2007年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K. Yokoi [共著者]D. Moraru,M. Tabe
[114]. Towards single-electron pump operation using one AC gate bias in doped Si nanowires
Inter-Academia 2006 Proceedings / 373-380 （2006年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D.Moraru [共著者]Y.Ono,H.Inokawa,K.Yokoi. R.Nuryadi,H.Ikeda,M.Tabe
[115]. Control of single electron tunneling in two-dimensional Si multidot channel field-effect transistors
Inter-Academia 2006 Proceedings / 345-352 （2006年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hiroya Ikeda [共著者]Ryuta Yamamoto,Kiyohito Yokoi,Michiharu Tabe
[116]. Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires
SSDM 2006 Proceedings / 820-821 （2006年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D. Moraru [共著者]Y. Ono,H. Inokawa,K. Yokoi,R. Nuryadi,H. Ikeda,M. Tabe
[117]. Photo Illumination Effect on Single-Electron-Tunneling Current Through a Thin Bicrystal SOI FET
SSDM 2006 Proceedings / 816-817 （2006年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]R. Nuryadi [共著者]Z. A. Burhanudin,R. Yamano,T. Ishino,Y. Ishikawa,M. Tabe
[118]. Effect of photon absorption in Si single-electron devices
Inter-Academia 2006 Proceedings / 317-325 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]R. Nuryadi,Z. A. Burhanudin,Y. Ishikawa
[119]. Fowler-nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/twisted-Si(111) tunneling structures
Japanese Journal of Applied Physics 45/11 L316-L318 （2006年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Daniel Moraru [共著者]Hiroshi Kato,Seiji Horiguchi,Yasuhiko Ishikawa,Hiroya Ikeda,Michiharu Tabe
[120]. Single-electron tunneling in a silicon-on-insulator layer embedding an artificial dislocation network
APPLIED PHYSICS LETTERS 88/ 073112-1-3 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yasuhiko Ishikawa [共著者]Chihiro Yamamoto,Michiharu Tabe
[121]. Transition from wire formation to island formation in thermal agglomeration of a (111) silicon-on-insulator layer
THIN SOLID FILMS 508/ 235-238 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Zainal A. Burhanudin [共著者]Ratno Nuryadi,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe
[122]. Numerical study of turnstile operation in random-multidot-channel field-effect transistor
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 99/ 073705-1-6 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hiroya Ikeda [共著者]Michiharu Tabe
[123]. Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
PHYSICAL REVIEW B 73/ 045310-1-7 （2006年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Ratno Nuryadi [共著者]Y. Ishikawa,M. Tabe
[124]. Thermally-induced formation of Si wire array on an ultrathin (111)silicon-on-insulator substrate
APPLIED PHYSICS LETTERS 87/ 121905-1-3 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Zainal A. Burhanudin [共著者]Ratno Nuryadi,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe,Yukinori Ono
[125]. 2005シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告(解説)
応用物理 74/ 1247 （2005年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 田部道晴
[126]. Conductivity Enhancement in Thin Silicon-on-Insulator Layer Embedding Artificial Dislocation Network
Materials Research Society Symposium Proceedings 864/ E6.5.1-E6.5.6 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Ishikawa [共著者]K.Yamauchi,C.Yamamoto,M.Tabe
[127]. Diffusion of Li in the silicon oxide films and evaluation of Li-induced surface potential
APPLIED SURFACE SCIENCE 244/ 61-64 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Masahiko Maeda [共著者]Teruyoshi Watanabe,Yasuhiro Imai,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe
[128]. Current fluctuation in single-hole transport through a two-dimensional Si multidot
APPLIED PHYSICS LETTERS 86/ 133106-1-3 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Ratno Nuryadi [共著者]H.Ikeda,Y.Ishikawa,M.Tabe
[129]. Potential-well-roughness-induced transition from resonant tunneling to single-electron tunneling in Si/SiO2 double-barrier structure
APPLIED PHYSICS LETTERS 86/ 013508-1-3 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Ishikawa [共著者]H.Ikeda,M.Tabe
[130]. Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices
Proceedings of 2004 International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology / 630-633 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Tabe [共著者]Ratno Nuryadi,H.Ikeda,Y.Ishikawa
[131]. Photoinduced effects on single-charge tunneling in a Si two-dimensional multi-dot FET
Japanese Journal of Applied Physics 43/6B L759-L761 （2004年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H.Ikeda [共著者]Ratno Nuryadi,Y.Ishikawa,M.Tabe
[132]. Ambipolar Coulomb blockade characteristics in a two-dimensional Si multi-dot device
IEEE Transactions on Nanotechnology 2/ 231-235 （2003年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Ratno Nuryadi [共著者]Hiroya Ikeda,Yasuhiko Ishikawa,Michiharu Tabe
[133]. 2003シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告(解説)
応用物理 72/ 1193- （2003年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 田部道晴
[134]. Fabrication of CoSi2-Buried-Metal-Layer Si Substrates for Infrared Reflection Absorption Spectroscopy by Wafer-Bonding
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 42/ 3942-3945 （2003年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S. Yamamura [共著者]S. Yamauchi,S. Watanabe,M. Tabe,T. Kasai,Y. Nonogaki,T. Urisu
[135]. Resonant tunneling characteristics in SiO2/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
APPLIED PHYSICS LETTERS 83/ 1456-1458 （2003年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H. Ikeda [共著者]M. Iwasaki,Y. Ishikawa,M. Tabe
[136]. Pattern-induced alignment of silicon islands on buried oxide layer of silicon-on-insulator structure
APPLIED PHYSICS LETTERS 83/ 3162-3164 （2003年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Ishikawa [共著者]Y. Imai,H. Ikeda,M. Tabe
[137]. シリコンナノ構造からの電子の電界放出(解説)
電子情報通信学会和文論文誌C J85-C/ 803-809 （2002年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]田部道晴 [共著者]澤田和明,ラトノ・ヌルヤディ,杉木幹生,石川靖彦,石田誠
[138]. Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer
APPLIED SURFACE SCIENCE 190/ 11-15 （2002年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Ishikawa [共著者]M. Kumezawa,Ratno Nuryadi,M.Tabe
[139]. Field Electron Emission Device Using Silicon Nano-Protrusions
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 20/ 787-790 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Sawada [共著者]M.Tabe,Y.Ishikawa,M.Ishida
[140]. 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
応用物理 71/2 209-213 （2002年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]田部道晴 [共著者]石川靖彦,水野武志
[141]. 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス(解説)
応用物理 71/2 209-213 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]田部道晴 [共著者]石川靖彦,水野武志
[142]. Thermal agglomeration of single-crystalline Si Layer on buried SiO2 in ultrahigh vacuum
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 20/ 167-172 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Ratno Nuryadi [共著者]Y. Ishikawa,Y. Ono,M. Tabe
[143]. Negative differential conductance due to resonant tunnelling through SiO2/single-crystalline-Si double barrier structure
Electronics Letters 37/ 1200-1201 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ishikawa [共著者]T. Ishihara,M. Iwasaki,M.Tabe
[144]. シリコンナノ構造のKFMによる電位測定(解説)
表面科学 22/5 301-308 （2001年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]田部道晴 [共著者]川崎隆弘,上村崇史,石川靖彦,水野武志
[145]. Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO2 Interface(共著)
Jpn. J. Appl. Phys. 40/ 1866-1869 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yasuhiko Ishikawa [共著者]Masaaki Kosugi,Toshiaki Tsuchiya,Michiharu Tabe
[146]. Quantum-Confinement Effect in Ultrathin Si Layer of Silicon-on-Insulator Substrate
Japanese Journal of Applied Physics 40/2B L131-L133 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Minoru Kumezawa,Yasuhiko Ishikawa
[147]. Effect of nanometer-scale corrugation on densities of gap states and fixed charges at the thermally-grown SiO2/Si Interface (共著)
Journal of Applied Physics 89/2 1256-1261 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yasuhiko Ishikawa [共著者]Masaaki Kosugi,Michiharu Tabe
[148]. Quantum confinemnt effect in Si quantum well and dot structures fabricated from ultrathin silicon-on-Insulator wafers (共著)
Applied Surface Science 175/176/ 614-619 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Minoru Kumezawa,Yasuhiko Ishikawa,Takeshi Mizuno
[149]. Field Electron Emission from Si Nano Protrusions(共著)
Japanese Journal of Applied Physics 40/8A L832-L834 （2001年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Kazuaki Sawada,Michiharu Tabe [共著者]Yasuhiko Ishikawa,Makoto Iwatsuki,Makoto Ishida
[150]. Formation and ordering of self-assembled Si islands by ultrahigh vacuum annealing of ultrathin bonded silicon-on-insulator structure (共著)
Applied Surface Science 159-160/ 121-126 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]R. Nuryadi,M. Tabe [共著者]Y. Ishikawa
[151]. Capacitance-voltage study of single-crystalline Si dots on ultrathin buried SiO2 formed by nanometer-scale local oxidation (共著)
Thin Solid Films 369/ 69-72 （2000年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y. Ishikawa [共著者]M. Kosugi,T. Tsuchiya,M. Tabe
[152]. Reply to "Comment on 'Initial stages of nitridation of Si(111)surfaces : X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy studies' by M. Tabe and T. Yamamoto"(共著)
SURFACE SCIENCE 431/ 281- （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]T. Yamamoto
[153]. Capacitance-voltage study of silicon-on insulator sturcture with an ultrathin buried SiO2 layer fabricated by wafer boning. (共著)
Japanese Journal of Applied Physics 38/ L789-L791 （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yasuhiko Ishikawa [共著者]Shigenori Makita,Jianhua Zhang,Toshiaki Tsuchiya,Michiharu Tabe
[154]. Formation of high-density silicon dots on a silicon-on-insulator substrate(共著)
Applied Surface Science 142/ 553-557 （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]M. Kumezawa,T. Yamamoto,S. Makita,T. Yamaguchi,Y. Ishikawa
[155]. Simulation of Visible Light Induced Effects in a Tunnel Junction Array for Photonic Device Applications(共著)
Japanese Journal of Applied Physics 38/ 593-596 （1999年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Yoichi Terao,RatnoNuryadi,Yasuhiko Ishikawa,Noboru Asahi,Yoshihito Amemiya
[156]. Si pillar formation and height control by furnace oxidation of the Si(111)surface with ultra-small SiN nuclei(共著)
Japanese Journal of Applied Physics 37/3B 1576-1579 （1998年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]MichiharuTabe [共著者]Takeshi Yamamoto,Tadashi Nagasawa,Kenji Murakami
[157]. Photoirradiation Effects in a single-electron tunnel junction array(共著)
IEICE Transactions on Electronics E81-C/1 36-41 （1998年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Yoichi Terao,Noboru Asahi,Yoshihito Amemiya
[158]. Spectroellipsometric characterization of SIMOX with nanometre-thick top Si layers
THIN SOLID FILMS 313-314/(num) 264-269 （1998年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]T. Yamaguchi [共著者]M. Nasu,Z-T Jiang,M. Tabe,Y. Kanda
[159]. Simulations of relaxation process for non-equilibrium electron distributions in two-dimensional tunnel junction arrays(共著)
Japanese Journal of Applied Physics 36/6B 4176-4180 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Noboru Asahi,Yoshihito Amemiya,Yoichi Terao
[160]. Initial stages of nitridation of Si(111)surfaces : X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy studies(共著)
Surface Science 376/ 99-112 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Takeshi Yamamoto
[161]. 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望(共著)
応用物理 66/2 99-108 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]田部 道晴 [共著者]小田俊理,平本俊郎,中里和郎,雨宮好仁
[162]. Nitridation and subsequent oxidation process of Si(111)and(100)surfaces for high density Si pillar formation(共著)
Applied Surface Science 117-118/ 131-135 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]M. Tabe [共著者]T. Yamamoto,Y. Terao,M. Tabe
[163]. Determination of optical properties of amorphous and crystalline thin films by spectroellipsometry
Applied Surface Science 113/114/ 493-498 （1997年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]T. Yamaguchi [共著者]A. H. Jayatissa,M. Aoyama,M. Tabe
[164]. Nanometer-scale local oxidation of silicon using silicon nitride islands formed in the early stages of nitridation(共著)
Applied Physics Letters 69/15 2222-2224 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Michiharu Tabe [共著者]Takeshi Yamamoto
[165]. Electron Tunneling from the edge of thin single-crystal Si layers through SiO2 film(共著)
Journal of Applied Physics 80/8 4450-4457 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yukinori Ono [共著者]Yasuo Takahashi,Seiji Horiguchi,Katsumi Murase,Michiharu Tabe
[166]. Theoretical calculation of core level shifts for O/Si(111) surfaces(共著)
Surface Science 351/ 53-63 （1996年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hiroyuki Kageshima [共著者]Michiharu Tabe
[167]. Energy eigenvalues and quantized conductance Values of electrons in Si quantum wires on {100} plane(共著)
Japanese Journal of Applied Physics 34/ 5489-5498 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Seiji Horiguchi [共著者]Yasuyuki Nakajima,Yasuo Takahashi,Michiharu Tabe
[168]. Thermal Agglomeration of Thin Single Crystal Si on SiO2 in Vacuum
Japanese Journal of Applied Physics 34/4A 1728-1735 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yukinori Ono [共著者]Masao Nagase,Michiharu Tabe,Yasuo Takahashi
[169]. Photoluminescence from Silicon Quantum Well Formed on SIMOX Substrate
Japanese Journal of Applied Physics 34/2B 950-954 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yasuo Takahashi [共著者]Tomofumi Furuta,Yukinori Ono,Toshihiko Ishiyama,Michiharu Tabe
[170]. Fabrication technique for Si single-electron transistor operating at room temperature (共著)
Electronics Letters 31/2 136-137 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Y.Takahashi,M.Tabe [共著者]N.Nagase,H.Namatsu,K.Kurihara,K.Iwadate,Y.Nakajima, S.Horiguchi, K.Murase
[171]. Thermal nitridation of Si(111) surfaces with N22 molecules studied by X-ray phtoelection
Japanese Journal of Applied Phsic 34/10B L1375-L1378 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 田部 道晴
[172]. Time-resolved mesurement of single-electron tunneling in a Si single-electron transistor with satellite Si island(共著)
Applied Physics Letters 67/20 2957-2959 （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Fujiwara [共著者]Y. Takahashi,K. Murase,M. Tabe
[173]. Photoluminescence from a silicon quantum well formed on SIMOX substrate
Japanese Journal of Applied Physics 34/2B 950- （1995年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Yasuo Takahashi,Michiharu Tabe [共著者]Tomofumi Furuta,Yukinori Ono,Toshihiko Ishiyama
[174]. Origin of dark regions in scanning tunneling microscopy images formed by thermal oxidation of Si(111) surface (共著)
Japanese Journal of Applied Physics 33/7A 4070- （1994年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Hiroyuki Kageshima [共著者]Yukinori Ono,Michiharu Tabe,Takahisa Ohno
[175]. Counter-oxidation of superficial Si in single-crystalline Si on SiO2 structure (共著)
Applied Physics Letters 65/23 2987-2989 （1994年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yasuo Takahashi [共著者]Toshihiko Ishiyama,Michiharu Tabe
[176]. Quantum-mechanical effects on the threshold voltage of ultra-thin-SOI nMOSFET's(共著)
IEEE Electron Devicce Letters 14/12 569-571 （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Omura [共著者]S.Horiguchi,M.Tabe,K.Kishi
[177]. Segration and defect termination of fluorine at SiO2/Si interfaces (共著)
Applied Physics Letters 351/ 53- （1993年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Ono [共著者]M.Tabe,Y.Sakakibara |