[1]. Field Electron-Emission from a-CNx:H Films Formed on Al Films Using Supermagnetron Plasma CVD
J. Mod. Phys. 6/11 1602-1608 （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]S. Suzuki,R. Taguchi,H. Takeuchi
[2]. Chemical Vapor Deposition of a-CNx:H Films for Electron Field Emission Using Band Supermagnetron Plasma
J. Phys.: Conf. Ser. 518/ 012004- (6 pages) （2014年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]S. Yagi
[3]. N2 or H2/Isobutane Supermagnetron Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous CNx Films for Application to Elementary Amorphous CNx:H/p-Si Photovoltaic Cell
Jpn. J. Appl. Phys. 52/11 116201-(6 pages) （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]Y. Ninomiya,T. Kato
[4]. Deposition of a-CNx:H Films Using Uniform Supermagnetron Plasma under a Stationary Magnet Field
J. Mod. Phys. 4/5 587-590 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]S. Yagi,M. Sakurai
[5]. Pulsed RF Supermagnetron Plasma CVD of a-CNx:H Films for a-CNx:H/p-Si Photovoltaic Cell Application
Proceedings of Symposium on Plasma Processing 30/ 251-252 （2013年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]H. Suzuki
[6]. Deposition of Amorphous Carbon Films Using Ar and/or N2 Magnetron Sputter with Ring Permanent Magnet
Thin Solid Films 523/ 52-54 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]M. Kubota,G. Ohno
[7]. N2 or H2/Isobutane Supermagnetron Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous CNx Films for Amorphous CNx:H/p-Si Photovoltaic Cell Application
Proceedings of International Symposium on Dry Process 34/ 99-100 （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]Y. Ninomiya,T. Kato
[8]. Deposition of a-CNx:H films using Uniform Supermagnetron Plasma under Stationary Magnet Field
Abstracts of Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology 11/ 294- （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]S. Yagi,M. Sakurai
[9]. Isobutane/N2 Pulsed Radio Frequency Magnetron Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride Films for Field Emission Applications
Jpn. J. Appl. Phys 51/8 08HF04-(4 pages) （2012年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]H. Kinoshita [共著者]S. Tanaka
[10]. Growth and Field Emission Characterization of Electrically Conductive Diamond-Like Amorphous Carbon Films
Proceedings of Symposium on Plasma Processing 20/ 77-78 （2003年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[11]. Deposition and Field-Emission Characterization of Electrically Conductive Diamond-Like Amorphous Carbon Films
Proceedings of Joint International Conference on Advanced Science and Technology 7/ 233-236 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[12]. Physical Properties of Nitrogen-Doped Diamond-Like Amorphous Carbon Films Deposited by Supermagnetron Plasma CVD
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 20/4 1481-1485 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[13]. Intermittent Chemical Vapor Deposition of Thick Electrically Conductive Diamond-Like Amorphous Carbon Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 20/2 403-407 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[14]. フィールドエミッタに適応する導電性ダイヤモンド状アモルファス炭素膜の作製
表面科学 23/1 51-55 （2002年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[15]. Supermagnetron Plasma Chemical Vapor Deposition and Qualitative Analysis of Electrically Conductive Diamond-Like Amorphous Carbon Films
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 19/4 1577-1581 （2001年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[16]. Preparation of Electrical Conductive Diamond-Like Carbon Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 89/ 2737-2741 （2001年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]T.H,o,M.Yoshida
[17]. Formation of SiO2 Films by TEOS/O2 Supermagnetron Plasma CVD
Proceedings of Plasma Science Symposium 1/ 445-446 （2001年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]T.Murakami,N.Otaka,F.Fukushima,H.Nakano
[18]. パルス放電スーパーマグネトロンプラズマのシングルプローブ測定
静岡大学電子工学研究所研究報告 35/ 67-72 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]大鷹直樹 [共著者]福島史彦,石川直之,村上東市,太田貴之,木下治久,江藤昭弘,神藤正士
[19]. Electrical Conductive Hard-Carbon (DLC) Films Formed by i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma Chemical Vapor Deposition Method
THIN SOLID FILMS 373/ 251-254 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]J.Takahashi,T.H,o
[20]. Probe Diagnostics of Supermagnetron Plasma with Applications of Continuous and Pulse-Modulated Rf Electric Fields
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 88/ 2263-2267 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]F.Fukushima,M.K,o,Y.Nakagawa,T.Tsukada
[21]. Noise Characteristics of Emission Current from Conductive Diamond-Like Carbon Thin Films Coating on Cone Shaped Silicon Field Emitters
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 18/2 1044 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Sawada [共著者]H.Kinoshita,T.Masuda,M.Ishida
[22]. Thickness-Distribution of Large-Area DLC Films Formed by CH4/H2 Supermagnetron Plasma CVD with Application of a Stationary Magnetic Field
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 18/2 367 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]S.Nomura,M.Honda
[23]. Formation of Electrical Conductive Diamond-Like Carbon Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
Proceedings of Symposium on Plasma Processing 17/ 235-238 （2000年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]T.H,o,M.Yoshida
[24]. Single Probe Measurement of Pulse-Discharge Supermagnetron Plasma
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 35/ 67-72 （2000年）
[責任著者・共著者の別]
[25]. パルス放電スーパーマグネトロンプラズマのシングルプローブ測定
静岡大学電子工学研究所研究報告 35/ 67-72 （2000年）
[責任著者・共著者の別]
[26]. Formation of Electrical Conductive Hard-Carbon (DLC) Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
Superficies y Vacio 9/ 108-110 （1999年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]J.Takahashi,T.H,o
[27]. Analysis of the Negative Ion Characteristics of O2 Supermagnetron Plasma for Submicron Etching Use
VACUUM 55/3-4 219 （1999年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]M.Honda,T.Tatsuta,F.Sakiya
[28]. 導電性硬質カーボン(DLC)膜のスーパーマグネトロンプラズマCVD及び膜質分析
静岡大学電子工学研究所研究報告 34/ 99-105 （1999年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]大鷹直樹 [共著者]吉田雅裕,村上東市,木下治久
[29]. Sub-Half Micron Etching of Resist below Room Temperature Using O2 Supermagnetron Plasma
VACUUM 55/1 77 （1999年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] H.Kinoshita
[30]. High-Resolution Resist Etching for Quartermicron Lithography Using O2/N2 Supermagnetron Plasma
J. Vac. Sci. Technol. B 17/1 109 （1999年）
[責任著者・共著者の別]
[31]. Evaluation of Self-Bias Distribution on a Powered Electrode of Sapermagnetron Plasma Apparatus
J. Appl. Phys. 86/3 1208 （1999年）
[責任著者・共著者の別]
[32]. Supermagnetron Plasma CVD and Qualitative Analysis of Electrical Conductive Hard Carbon (DLC) Films
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 34/ 99-105 （1999年）
[責任著者・共著者の別]
[33]. 導電性硬質カーボン(DLC)膜のスーパーマグネトロンプラズマCVD及び膜質分析
静岡大学電子工学研究所研究報告 34/ 99-105 （1999年）
[責任著者・共著者の別]
[34]. Diagnostics of Supermagnetron Plasma Using Probe Method
Proceedings of 15th Symposium on Plasma Processing 15/ 230 （1998年）
[責任著者・共著者の別]
[35]. Spectroscopic Ellipsometric Characterization of Diamondlike Carbon Films
J. Vac. Sci. Technol. B 16/2 746 （1998年）
[責任著者・共著者の別]
[36]. Formation of Electrical Conductive Diamond-Like Carbon Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 33/ 103-108 （1998年）
[責任著者・共著者の別]
[37]. i-C4H10/N2スーパーマグネトロンプラズマによる導電性DLC膜の作製
静岡大学電子工学研究所研究報告 33/ 103-108 （1998年）
[責任著者・共著者の別]
[38]. 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
電子情報通信学会技術研究報告 ED97/173 45 （1997年）
[責任著者・共著者の別]
[39]. Emission Characteristics of DLC Coated Field Emitters
Technical Report of IEICE ED97/173 45 （1997年）
[責任著者・共著者の別]
[40]. Control of Large-Area DLC Film Thickness-Distribution by CH4/H2 Supermagnetron Plasma CVD Method
Proceedings of 13th Symposium on Plasma Processing 13/ 65 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[41]. i-C4H10/N2 スーパーマグネトロンプラズマを用いた導電性硬質カーボン(DLC)膜の形成
電子情報通信学会技術研究報告 SDM96/117 73 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[42]. Formation of Electrically Conductive Nitrogen-Doped Amorphous Hydrogenated Carbon (Diamond-Like Carbon) Films by the Supermagnetron Plasma Chemical Vapor Deposition Method
J. Vac. Sci. Technol. A 14/3 1933 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[43]. Formation of Electrical Conductive Hard-Carbon (DLC) Films Using i-C4H10/N2 Supermagnetron Plasma
Technical Report of IEICE SDM96/117 73 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[44]. Analysis of Electrical and Optical Characteristics of Ar and O2 Supermagnetron Plasma for Submicron Etching Use
Special Issue of the Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 30/ 185-188 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[45]. Measurement of Self-Bias Potential Distribution on a Cathode of Supermagnetron Plasma Apparatus
Proceedings of 12th Symposium on Plasma Processing 12/ 135 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[46]. Control of Self-Bias Potential Distribution on a Cathode of Supermagnetron Plasma Apparatus
Proceedings of Symposium on Plasma Science for Materials 8/ 87 （1995年）
[責任著者・共著者の別]
[47]. Generation of High-Density O2 Supermagnetron Plasma over Lower Cathode by Radio Frequency Power Supply to Upper Cathode
J. Appl. Phys. 75/3 1354 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[48]. Application of O2/N2 Supermagnetron Plasma to Quarter-Micron Resist Etching
Proceedings of 2nd International Conference on Reactive Plasmas / 459 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[49]. High-Resolution Resist Etching for Sub-Quartermicron Lithography Using O2/N2 Supermagnetron Plasma
Proceedings of 2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Science & Technology / 419 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[50]. Etch-Profile Control of Quarter-Micron Resist Pattern Using O2 Supermagnetron Plasma Added with N2 Gas
Technical Report of IEICE SDM94/114 21 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[51]. N2添加O2スーパーマグネトロンプラズマによるクォーターミクロンレジストパターンのエッチング形状制御
電子情報通信学会技術研究報告 SDM94/114 21 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[52]. Application of CH4/H2 Supermagnetron Plasma to DLC Film Formation
Proceedings of Symposium on Plasma Science for Materials 7/ 95 （1994年）
[責任著者・共著者の別]
[53]. スーパーマグネトロンプラズマを用いた低温でのレジスト微細エッチング
電子情報通信学会技術研究報告 SDM92/160 15 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[54]. 高密度プラズマ応用プロセス技術(共著)
31 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[55]. スーパーマグネトロンプラズマCVD法作製DLC膜の物性評価
電子情報通信学会技術研究報告 SDM93/121 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[56]. Low Temperature Etching of Resist Using O2 Supermagnetron Plasma
Proceedings of 10th Symposium on Plasma Processing 10 61 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[57]. Fine Pattern Etching of Resist at Low Temperature Using O2 Supermagnetron Plasma
Technical Report of IEICE SDM92/160 15 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[58]. Optical Emission Measurement of High-Uniformity and High-Density O2 Supermagnetron Plasma
Journal of Nuclear Materials 200 296 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[59]. Etch Shape Control of Resist in O2 Supermagnetron Plasma Etching by N2 Addition
Proceedings of Symposium on Plasma Science for Materials 6 95 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[60]. Applied Process Technology of High-Density Plasma
31 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[61]. Measurement of Physical Properties of DLC Films Synthesized by Supermagnetron Plasma CVD Method
Technical Report of IEICE SDM93/121 （1993年）
[責任著者・共著者の別]
[62]. プラズマ材料科学ハンドブック(共著)
（1992年）
[責任著者・共著者の別]
[63]. 実用ドライエッチング技術(共著)
（1992年）
[責任著者・共著者の別]
[64]. 高均一・高密度O2スーパーマグネトロンプラズマの発生とレジストの超微細エッチング
静岡大学電子工学研究所研究報告 27/1 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[65]. Etching Uniformity Control and Fine Pattern Etching Using O2 Supermagnetron Plasma
Proceedings of Japanese Symposium on Plasma Chemistry 5 71 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[66]. Investigation of O2 Supermagnetron Plasma Characteristics vs RF Phase Difference for Resist Etching
Proceedings of 9th Symposium on Plasma Processing 9 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[67]. Generation of High-density O2 Supermagnetron Plasma for Highly Uniform Plasma Etching
J. Vac. Sci. Technol. A 10/4 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[68]. Generation of High-Density and High-Uniformity O2 Supermagnetron Plasma and Its Application to Photoresist Fine Pattern Etching
Bulletin of the Research Institute of Electronics 27/1 （1992年）
[責任著者・共著者の別]
[69]. Etching Characteristics of Photoresist in O2 Supermagnetron Plasma Etching
Proceedings of 8th Symposium on Plasma Processing 8 5 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[70]. Spectroscopic Study of Optical Emissive Species in O2 Supermagnetron Plasma
Proceedings of Japanese Symposium on Plasma Chemistry 4 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[71]. Measurement of the Spatial Distribution of O2 Supermagnetron Plasma by Optical Emission Spectroscopy
Proceedings of the International Seminar on Reactive Plasmas （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[72]. A New Supermagnetron Plasma Etcher Remarkably Suited for High Performance Etching
J. Vac. Sci. Technol. B 9/2 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[73]. Modulation-Doped Field-Effect Transistors : Applications and Circuits (共著)
338 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[74]. Modulation-Doped Field-Effect Transistors : Principles, Design, and Technology (共著)
122 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[75]. Development of a New Supermagnetron Plasma Etcher and Its Application to High Rate Etching of SiO2 Film
Bulletin of the Research Institute of Electronics 25/2 123 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[76]. 変調ドープ電界効果トランジスタ:原理,設計,技術(共著)
122 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[77]. 変調ドープ電界効果トランジスタ:応用と回路(共著)
338 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[78]. スーパーマグネトロンプラズマエッチング装置の開発とSiO2膜の高速エッチングへの応用
静岡大学電子工学研究所研究報告 25/2 123 （1991年）
[責任著者・共著者の別]
[79]. Generation of Supermagnetron Plasma and Its Application to Plasma Etching
Proceedings of Symposium on Plasma Processing 7/ 65-68 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[80]. Etching Uniformity Improvement under a Stationary Magnetic Field in Supermagnetron Plasma Etching
Proceedings of Symposium on Dry Process 12 （1990年）
[責任著者・共著者の別]
[81]. Development of a New Supermagnetron Plasma Etcher and Its Application to SiO2 Etching
Proceedings of Symposium on Dry Process 11 （1989年）
[責任著者・共著者の別]
[82]. Low-Energy Ion Etching and Oxidation of Si in O2 Magnetron Plasma
Applied Surface Science. 33/34/9 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[83]. Magnetron Etching of Quarter Micron n+-Poly Si Gates
Proceedings of Symposium on Dry Process 10/ 27-32 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[84]. Development of Magnetron Etching System with an Annular Permanent Magnet
Bulletin of the Research Institute of Electronics 23/2 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[85]. リング状永久磁石を用いたマグネトロンエッチング装置の開発
静岡大学電子工学研究所研究報告 23/2 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[86]. Advanced Magnetron Etching System with An Annular Permanent Magnet
Proceedings of MicroProcess Conference 1/ 94-95 （1988年）
[責任著者・共著者の別]
[87]. Plasma Characteristics and Etch Uniformity in CF4 Magnetron Etching Using an Anular Permanet Magnet
J. Appl. Phys. 62/10 （1987年）
[責任著者・共著者の別]
[88]. Surface Oxidation of GaAs and AlGaAs in Low-Energy Ar/O2 Reactive Ion Beam Etching
Appl. Phys. Lett. 49/4 （1986年）
[責任著者・共著者の別]
[89]. Highly Uniform Magnetron Etching System Using an Annular Permanent Magnet
Proceedings of Symposium on Dry Process 8/ 36-41 （1986年）
[責任著者・共著者の別]
[90]. Submicrometer Insulated-Gate Inverted-Structure HEMT for High-Spped Large-Logic-Swing DCFL Gate
IEEE Trans. Electron Devices ED-33/5 （1986年）
[責任著者・共著者の別]
[91]. High-Performance AlGaAs/GaAs/N-AlGaAs Insulated-Gate Inverted-Structure HEMT Ring Oscillator
IEEE Trans. Electron Devices ED-32/ 2529-2530 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]Y.sano,S.Nishi,T.Ishida,N.Akiyama,K.Kaminishi
[92]. Persistent Channel Depletion Caused by Hot Electron Trapping Effect in Selectively Doped n-AlGaAs/GaAs Structures
Jpn. J. Appl. Phys. 24/3 （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[93]. Analysis of Electron Trapping Location in Gated and Ungated Inverted-Structure MEMT's
IEEE Electron Device Lett. EDL-6/9 （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[94]. High-Speed Low-Power Ring Oscillator Using Inverted-Structure Modulation-Doped GaAs/n-AlGaAs Field-Effect Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. 24/8 （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[95]. Very Small Short-Channel Effects in Insulated-Gate Inverted-Structure HEMT
Proceedings of the International symposium on GaAs and Related Compounds （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[96]. New Insulated-Gate Inverted-Structure AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs HEMT Ring Oscillator
Electron. Lett. 21/23 （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[97]. 絶縁ゲート逆構造HEMT
電子材料 24/12 （1985年）
[責任著者・共著者の別]
[98]. A New Insulated-Gate Inverted-Structure Modulation-Doped AlGaAs/GaAs/N-AlGaAs Field-Effect Transistor
Jpn. J. Appl. Phys. 23/11 （1984年）
[責任著者・共著者の別]
[99]. Cleaning of GaAs Surfaces by Ion Beam Etching
Proceedings of Symposium on Ion Implantation and Submicron Fabrication 14/ 45-48 （1983年）
[責任著者・共著者の別]
[100]. Ion Beam Etching for GaAs Application
Proceedings of International Ion Engineering Congress-ISIAT and IPAT / 1629-1634 （1983年）
[責任著者・共著者の別]
[101]. Shubnikov-de Haas Effect of PbTe-Pb1-xSnxTe Superlattices Preapred by a Hot Wall Technique
Collected Paper of International Symposium on MBE-CST-2 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[102]. Interband Optical Absorption of PbTe-Pb1-xSnxTe Superlattice Prepared by a Hot Wall Technique
25/3 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[103]. Optical Properties of PbTe-Pb1-XSnxTe Superlattices Prepared by a Hot Wall Technique
Lecture Notes in Physics 152/8 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[104]. ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
静岡大学大学院電子科学研究科報告 3/ 1-8 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[105]. (p/n) PbTe Multiple-Layer Films Prepared by a Hot Wall Technique
Annual Report of Graduate School of Electronic Science and Technology, Zhizuoka University 3/ 1-8 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[106]. HWE法成表PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
真空 25/3 （1982年）
[責任著者・共著者の別]
[107]. PbTe-Pb1-xSnxTe Superlattices Prepared by a Hot Wall Technique
Annual Report of Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University 2/ 9-13 （1981年）
[責任著者・共著者の別]
[108]. (p/n)PbTe Multiple-Layer Films Prepared by a Hot Wall Technique
J. Appl. Phys. 52/4 （1981年）
[責任著者・共著者の別]
[109]. ホットウォール法によって製作したPbTe1-xSnxTe超格子
静岡大学大学院電子科学研究科研究報告 2/ 9-13 （1981年）
[責任著者・共著者の別]
[110]. Magnetoresistance in Cubic Semiconductors with <110> Ellipsoidal Valleys
J. Phys. Soc. Japan 48/5 （1980年）
[責任著者・共著者の別]
[111]. PbTe-Pb1-xSnxTe Superlattices Prepared by a Hot Wall Technique
J. Appl. Phys. 51/11 （1980年）
[責任著者・共著者の別]
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