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Researcher DataBase - Personal Information : AOKI Toru

Grants-in-aid for Scientific Research

【Grants-in-aid for Scientific Research 】
[1]. フォトン・カウンティング機能を搭載した新しい組織分析型歯科用ＣＴの開発 （ 2020/4 ～ 2024/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member
[2]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019/4 ～ 2021/3 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member
[3]. 超高解像度CdTe放射線デバイスを目指した新エネルギー弁別手法の研究 （ 2008/4 ～ 2009/3 ） Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research leader
[4]. 高エネルギー放射線集積化画像検出器の開発 （ 2001/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member

[5]. ワイドギャップ化合物半導体へのレーザードーピングプロセスの研究 （ 2001/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) leader

[6]. Si基板上ZnO薄膜のエピタキシャル成長と近紫外レーザ発光デバイス形成の研究 （ 2001/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member

[7]. ゾルーゲル法による超微粒子高性能蛍光体の合成 （ 1999/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (C) member

[8]. 高エネルギー放射線用集積化画像検出器の開発 （ 1999/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (A) member

[9]. ワイドギャップ半導体へのエキシマレーザードーピングの研究 （ 1999/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member
[Notes] エキシマレーザーを用いて,レーザードーピングという方法を提案した.シリコンにおいてエキシマレーザーを用いて結晶化及び高濃度ドーピングの実施例はすでにある.しかし,化合物半導体において成功した例は今までなかった.

[10]. 高エネルギ-放射線用固体画像検出器 （ 1997/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (A) member

[11]. 有機シリコンからの高品質ワイドギャップ半導体の創成 （ 1997/4 ） Grant-in-Aid for Scientific Research (B) member