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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 早川 泰弘 （HAYAKAWA Yasuhiro）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. 熱と振動を利用して発電する低コスト・大面積フレキシブルコジェネレータの開発 （ 2018年4月 ～ 2019年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[2]. 硫化ニッケル電極とコアーシェル構造光半導体電極を用いた新規色素増感太陽電池開発 （ 2018年4月 ～ 2019年3月 ） 挑戦的研究（萌芽） 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[3]. 熱と振動を利用して発電する低コスト・大面積フレキシブルコジェネレータの開発 （ 2017年4月 ～ 2018年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[4]. 硫化ニッケル電極とコアーシェル構造光半導体電極を用いた新規色素増感太陽電池開発 （ 2017年4月 ～ 2018年3月 ） 挑戦的研究（萌芽） 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[5]. 硫化ニッケル電極とコアーシェル構造光半導体電極を用いた新規色素増感太陽電池開発 （ 2016年4月 ～ 2017年3月 ） 挑戦的萌芽研究 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[6]. 熱と振動を利用して発電する低コスト・大面積フレキシブルコジェネレータの開発 （ 2016年4月 ～ 2017年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[7]. タンデム型熱電セル作製のための高品質混晶半導体結晶成長と溶質輸送効果の解明 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[8]. 半導体ナノ粒子合成技術の開発と色増感太陽電池への応用 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員（Jayaram Archana）

[9]. バイオ応用のためのコアーシェル型ナノ構造の作製 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員 (Dheivasigamani Thangaraju)

[10]. 対流制御による高品質InGaSb結晶の合成 （ 2015年4月 ～ 2016年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[11]. タンデム型熱電セル作製のための高品質混晶半導体結晶成長と溶質輸送効果の解明 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[12]. 有機皮膜剤を用いた酸化亜鉛ナノ結晶合成と高効率色素増感太陽電池作製 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員 (Mani Navaneethan)

[13]. 半導体ナノ粒子合成技術の開発と色増感太陽電池への応用 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員（Jayaram Archana）

[14]. バイオ応用のためのコアーシェル型ナノ構造の作製 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員 (Dheivasigamani Thangaraju)

[15]. 高効率太陽電池作製のためのGe添加によるn型Si欠陥制御 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[備考] 研究代表者： ムカンナン　アリバナンドハン（電子工学研究所）

[16]. 単電子・スピンデバイスの高温動作を可能にするためのナノフリーザ基板の開発 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[17]. 対流制御による高品質InGaSb結晶の合成 （ 2014年4月 ～ 2015年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[18]. 単電子・スピンデバイスの高温動作を可能にするためのナノフリーザ基板の開発 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[19]. 有機皮膜剤を用いた酸化亜鉛ナノ結晶合成と高効率色素増感太陽電池作製 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 外国人特別研究員(Mani Navaneethan)

[20]. タンデム型熱電セル作製のための高品質混晶半導体結晶成長と溶質輸送効果の解明 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[21]. 対流制御による高品質InGaSb結晶の合成 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[22]. 外力印加による均質合金半導体結晶の作製と固液界面不安定性制御に関する基礎的研究 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者：岡野泰則 (大阪大学)

[23]. 有機皮膜剤を用いた酸化亜鉛ナノ結晶合成と高効率色素増感太陽電池作製 （ 2012年10月 ～ 2013年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 特別研究員(Mani Navaneethan)

[24]. InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[25]. 単電子・スピンデバイスの高温動作を可能にするためのナノフリーザ基板の開発 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者：池田浩也（電子工学研究所）　

[26]. 外力印加による均質合金半導体結晶の作製と固液界面不安定性制御に関する基礎的研究 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者：岡野泰則 (大阪大学)

[27]. 外力印加による均質合金半導体結晶の作製と固液界面不安定性制御に関する基礎的研究 （ 2011年4月 ～ 2012年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者：岡野泰則 (大阪大学)

[28]. InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明 （ 2011年4月 ～ 2012年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[29]. InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明 （ 2010年4月 ～ 2011年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者： 稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構)

[30]. 熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製 （ 2004年4月 ～ 2005年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[31]. 熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製 （ 2003年4月 ～ 2004年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[32]. 熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製 （ 2002年4月 ～ 2003年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[33]. 超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法 （ 2002年4月 ～ 2003年3月 ） 萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[34]. 超音波を利用した均一組成混晶半導体バルク単結晶の新しい成長法 （ 2001年4月 ～ 2002年3月 ） 萌芽研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[35]. 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究 （ 2001年4月 ～ 2002年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[36]. 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究 （ 2000年4月 ～ 2001年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[37]. 宇宙などの微小重力環境に於けるInGaSb化合物半導体の溶解と結晶化に関する研究 （ 1999年4月 ～ 2000年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[38]. ReBa2Cu3Ox (Re=Y,Nd,Sm) 系高温超伝導体の単結晶成長 （ 1999年4月 ～ 1999年9月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘 （電子工学研究所）　

[39]. ReBa2Cu3Ox (Re=Y,Nd,Sm) 系高温超伝導体の単結晶成長 （ 1998年4月 ～ 1999年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[40]. ReBa2Cu3Ox (Re=Y,Nd,Sm) 系高温超伝導体の単結晶成長 （ 1997年10月 ～ 1998年3月 ） 特別研究員奨励費 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）　

[41]. 微小重力下でのInGaSb半導体の結晶成長の研究 （ 1997年4月 ～ 1998年3月 ） 国際学術研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[42]. 中国回収衛星による化合物半導体の単結晶成長に関する研究 （ 1997年4月 ～ 1998年3月 ） 国際学術研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[43]. 赤外光デバイス用InGaAsSb化合物半導体の結晶成長 （ 1996年4月 ～ 1997年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[44]. 微小重力下でのInGaSb半導体の結晶成長の研究 （ 1996年4月 ～ 1997年3月 ） 国際学術研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[45]. 中国回収衛星による化合物半導体の単結晶成長に関する研究 （ 1996年4月 ～ 1997年3月 ） 国際学術研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[46]. 赤外光デバイス用InGaAsSb化合物半導体の結晶成長 （ 1995年4月 ～ 1996年3月 ） 基盤研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[47]. 動的環境下にある融液からのIII-V族化合物混晶半導体の結晶成長機構の研究 （ 1993年4月 ～ 1994年3月 ） 重点領域研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）
[48]. 動的環境下にある融液からのIII-V族化合物混晶半導体の結晶成長機構の研究 （ 1992年4月 ～ 1993年3月 ） 重点領域研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）
[49]. III-V族三元混晶半導体の大型バルク単結晶成長に関する研究 （ 1992年4月 ～ 1993年3月 ） 一般研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[50]. 動的環境下にある融液からのIII-V族化合物混晶半導体の結晶成長機構の研究 （ 1991年4月 ～ 1992年3月 ） 重点領域研究 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）
[51]. III-V族三元混晶半導体の大型バルク単結晶成長に関する研究 （ 1991年4月 ～ 1992年3月 ） 一般研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[52]. 三元半導体混晶の大型単結晶成長に関する研究 （ 1987年4月 ～ 1988年3月 ） 一般研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[53]. 三元半導体混晶の大型単結晶成長に関する研究 （ 1986年4月 ～ 1987年3月 ） 一般研究(C) 分担
[備考] 研究代表者:熊川征司（電子工学研究所）

[54]. 均一な不純物濃度を持つ大型引上げ単結晶の成長法 (超音波振動導入の効果) （ 1981年4月 ～ 1982年3月 ） 奨励研究(A) 代表
[備考] 研究代表者：早川泰弘（電子工学研究所）