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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 鈴木 久男 (SUZUKI Hisao)

共同・受託研究

【共同・受託研究】
[1]. 国際共同研究 先進ナノ酸化物の創製と構造・機能性の関係解明による次世代蓄電デバイスの開発
代表 ( 2015年11月 ~ 2019年3月 )
[相手先] 名工大、核融合研、スロバキア・Slovak Academy of Sciences,チェコ・J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry,ポーランド・Warsaw University of Technology
[2]. 国際共同研究 CMOS技術と機能性強誘電体薄膜を用いた新規フォトニックデバイスの開発
分担 ( 2014年10月 ~ 2016年9月 )
[相手先] 東京工業大学、名古屋大学、ETH Zurich、Politécnico di Milano Italy
[3]. 学内共同研究 固相法による高活性前駆体からの立方晶Li7La3Zr2O12ナノ粒子の合成
代表 ( 2014年9月 )
[相手先] Professor Dr. Wolfgang Bensch, Institut für Anorganische Chemie, Christian-Albrechts-Universität zu Kiel
[4]. 国内共同研究 イメージングデバイス応用に向けたサーモクロミック機能を有するナノ粒子及び薄膜に関する研究
代表 ( 2014年4月 ~ 2015年3月 )
[相手先] 島根大学総合理工学部
[5]. 国内共同研究 イメージングデバイス応用に向けた巨大圧電性を有するSi基板上の圧電体薄膜作製に関する研究
代表 ( 2014年4月 ~ 2015年3月 )
[相手先] 北見工業大学マテリアル工学科
[6]. 国際共同研究 KNN系非鉛圧電体厚膜の作製
代表 ( 2014年4月 )
[相手先] Prof. Barbara Malič, Jožef Stefan Institute, Electronic Ceramics Department, Slovenia
[7]. 国際共同研究 CSD法によるSi基板上圧電体薄膜のストレスエンジニアリング
代表 ( 2013年8月 )
[相手先] Prof. Barbara Malič, Jožef Stefan Institute, Electronic Ceramics Department, Slovenia
[8]. 国内共同研究 CSD法による圧電体薄膜の作成
( 2011年6月 ~ 2012年5月 )
[9]. 国内共同研究 CSD法による誘電体薄膜の作成
( 2007年10月 ~ 2008年9月 )
[10]. 国内共同研究 CSD法による圧電体薄膜の作成
( 2007年4月 ~ 2008年3月 )
[11]. 国内共同研究 CSD法による圧電体薄膜の作成
( 2006年4月 ~ 2007年3月 )
[12]. 国内共同研究 有機-無機ハイブリッド化によるポリ乳酸の高強度化
( 2002年4月 ~ 2003年3月 )
[13]. 企業等からの受託研究 ゾルゲル法による機能性薄膜の合成
( 2001年4月 ~ 2003年3月 )