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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 井上 翼 （INOUE Yoku）

科学研究費助成事業

【科学研究費助成事業】
[1]. 均質緻密CNT/銅複合材料の創製と熱伝導材料開発に向けた電気伝導・熱伝導物性解明 （ 2022年4月 ～ 2025年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] 配向カーボンナノチューブ（CNT）と銅の均質緻密複合材料を創製し、電気伝導および熱伝導メカニズムを解明する。両材料とも電気伝導率、熱伝導率ともに高い材料であるが、その伝導メカニズムは大きく異なるため、それらの複合材料における電子輸送と熱輸送現象を理解することは、学術的および応用的観点から重要であり大

[2]. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発 （ 2019年4月 ～ 2022年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 本研究では、BGaN中性子イメージングセンサー実現に向けて、トリメチルボロン(TMB)を用いた低温成長技術の検討などの「BGaN結晶成長技術の開発」、厚膜ダイオード作製に向けた高段差リフトオフ技術などの「デバイスプロセス開発」、中性子検出で最も重要となるn/弁別処理技術などの「信号処理技術の開発」

[3]. 長尺配向カーボンナノチューブと熱可塑性樹脂による高電気・熱伝導材料の基礎研究 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[備考] 本研究は、高配向カーボンナノチューブ（CNT）と樹脂の複合材料による高電気伝導・高熱伝導プラスティック材料開発の基盤技術を確立することが目的である。一方向配向CNTシートと樹脂を複合化させて電気伝導特性および熱伝導特性がともに優れるCNT複合材料を新規に創出するための研究を実施したい。まず、CNTシ

[4]. 中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発 （ 2016年4月 ～ 2019年3月 ） 基盤研究(B) 分担
[備考] 本研究では、中性子捕獲断面積が大きいB原子を半導体材料として利用するために、B原子と同じⅢ族原子を利用した半導体であるGaNにB原子を置換したBGaN半導体を作製し、中性子半導体検出器の実現を目指す。検出器として重要な中性子検出の高性能化を実現するためには、中性子捕獲率を向上させることが必要であり高

[5]. 紡績性ＣＮＴを用いた革新的ＣＮＴ構造体による新奇ナノカーボン素材の開発 （ 2013年4月 ～ 2014年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] カーボンナノチューブ(CNT)は機械的、電気的、熱的特性に大変優れたナノ材料であり、申請者は特に機械特性に着目して研究を進めてきた。独自に開発した塩化鉄を用いる高速・高密度・垂直配向多層CNT(MWNT)成長技術では、長さ2mmを超えるCNTで結合剤を使用せずに簡単に紡績できるという強みがある。そこ

[6]. 紡績性ＣＮＴを用いた革新的ＣＮＴ構造体による新奇ナノカーボン素材の開発 （ 2012年4月 ～ 2013年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] カーボンナノチューブ(CNT)は機械的、電気的、熱的特性に大変優れたナノ材料であり、申請者は特に機械特性に着目して研究を進めてきた。独自に開発した塩化鉄を用いる高速・高密度・垂直配向多層CNT(MWNT)成長技術では、長さ2mmを超えるCNTで結合剤を使用せずに簡単に紡績できるという強みがある。そこ

[7]. 紡績性ＣＮＴを用いた革新的ＣＮＴ構造体による新奇ナノカーボン素材の開発 （ 2011年4月 ～ 2012年3月 ） 基盤研究(B) 代表
[備考] カーボンナノチューブ(CNT)は機械的、電気的、熱的特性に大変優れたナノ材料であり、申請者は特に機械特性に着目して研究を進めてきた。独自に開発した塩化鉄を用いる高速・高密度・垂直配向多層CNT(MWNT)成長技術では、長さ2mmを超えるCNTで結合剤を使用せずに簡単に紡績できるという強みがある。そこ

[8]. 窒化物半導体ナノ蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの研究 （ 2007年4月 ～ 2008年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[備考] GaN、AlGaNなどのナノ構造を作製して、高効率に発光するナノ蛍光体の開発を行う。また、同ナノ構造を導電性基板上に形成して微小冷陰極とし、さらに陽極構造を付加した電子線放出源を開発する。さらに、これらを組み合わせることにより、近紫外線(波長:365nm程度)から深紫外線(波長:200nm)の範囲で

[9]. 窒化物半導体ナノ蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの研究 （ 2006年4月 ～ 2007年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[備考] GaN、AlGaNなどのナノ構造を作製して、高効率に発光するナノ蛍光体の開発を行う。また、同ナノ構造を導電性基板上に形成して微小冷陰極とし、さらに陽極構造を付加した電子線放出源を開発する。さらに、これらを組み合わせることにより、近紫外線(波長:365nm程度)から深紫外線(波長:200nm)の範囲で

[10]. 窒化物半導体蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの基礎研究 （ 2005年4月 ～ 2006年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[備考] 半導体蛍光体薄膜を開発する。窒化物半導体結晶作製で重要となる結晶成長初期段階の核形成を制御し、無転位微結晶薄膜の成膜技術を確立する。次に、微小冷陰極から放射する電子ビームを照射して深紫外光放出を得る。高効率発光微結晶窒化物半導体薄膜と微小冷陰極の組み合わせにより、小型・高輝度深紫外ランプを実現する。

[11]. 窒化物半導体蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの基礎研究 （ 2004年4月 ～ 2005年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[備考] 半導体蛍光体薄膜を開発する。窒化物半導体結晶作製で重要となる結晶成長初期段階の核形成を制御し、無転位微結晶薄膜の成膜技術を確立する。次に、微小冷陰極から放射する電子ビームを照射して深紫外光放出を得る。高効率発光微結晶窒化物半導体薄膜と微小冷陰極の組み合わせにより、小型・高輝度深紫外ランプを実現する。