[1]. IV-VI族鉛塩半導体中赤外レーザの作製
日本赤外線学会 （2022年11月8日） 招待講演以外
[発表者]石田明広，大畑郁弥，濱嶋秀太，北河宗一郎
[備考] 静岡大学浜松キャンパス（佐鳴会館）
[2]. PbS/CaS 中赤外 SCH レーザーの研究
2021年度日本赤外線学会研究発表会 （2021年10月21日） 招待講演以外
[発表者] 桑山倫博，石田明広
[備考] 日本赤外線学会（オンライン開催）
[3]. 熱電発電における性能指数と発電効率の関係
日本熱電学会学術講演会 （2020年9月29日） 招待講演以外
[発表者]石田明広
[備考] 日本熱電学会主催、WEB開催
[4]. Fe3O4 ナノ微粒子分散シリカキセロゲルへのフェムト秒レーザー照射による光導波路形成
第79回応用物理学会学術講演会 （2018年9月20日） 招待講演以外
[発表者]中嶋 聖介、岡部 凌平、水谷 梨乃、石田 明広
[備考] 応用物理学会、名古屋国際会議場
[5]. PbTe/PbSnTe系タイプII超格子のバンド間遷移
2018年秋季応用物理学会学術講演会 （2018年9月20日） 招待講演以外
[発表者]石田 明広、成瀬 和摩、光畑 昌輝、宮本 隆気、大石 凌也、中嶋 聖介
[備考] 応用物理学会、名古屋国際会議場
[6]. PbTe/GeS超格子のフォノン伝導機構
2018年度春季応用物理学会学術講演会 （2018年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,渡辺 健太郎
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス
[7]. Si基板上へのPbCaS/PbSダブルへテロ構造の作製と光励起レーザ発光特性
2018年春季応用物理学会学術講演会 （2018年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス
[8]. Si基板上への電流注入型IV-VI族半導体中赤外レーザ作製に向けた半導体ヘテロ界面バンドオフセットの検討
2018年春季応用物理学会学術研究会 （2018年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広
[備考] 早稲田大学西早稲田キャンパス
[9]. Si 基板上へのPbS 系ショートキャビティ中赤外レーザの作製と発光特性
応用物理学会秋季学術講演会 （2017年9月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広
[10]. 低温2ω法によるPbTe/GeS超格子の熱伝導率評価
2017年度応用物理学会秋季学術講演会 （2017年9月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,奥畑 亮
[備考] 福岡国際会議場
[11]. 深い不純物準位によりキャリヤ制御する波長25～50m帯IV-VI族半導体量子カスケードレーザの提案
2017年春応用物理学関係連合講演会 （2017年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,渡邉祥司,中嶋聖介,
[備考] パシフィコ横浜
[12]. Si基板上へのIV-VI族半導体エピタキシャル成長と中赤外線レーザへの応用
2017年春季応用物理学関係連合講演会 （2017年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,佐藤正宣,秋川弘樹,青藤 唯,中嶋聖介
[備考] パシフィコ横浜
[13]. キャリヤ散乱機構を考慮したPbTeとMg2Siの熱電特性比較
（2016年9月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,中嶋 聖介,山本 栄也,石切山 守
[備考] 日本熱電学会学術講演会 東京理科大学葛飾キャンパス
[14]. Thermoelectric properties of PbTe films and PbTe-based superlattices
ヨーロッパ熱電学会（ECT2016) （2016年9月） 招待講演以外
[発表者]Akihiro Ishida,HTX Thao,Seisuke Nakashima,Hidenari Yamamoto,Mamoru Ishikiriyama
[備考] リスボン（ポルトガル）
[15]. 2ω法による熱伝導率測定の汎用性向上
第53回熱伝シンポジウム （2016年5月） 招待講演以外
[発表者]奥畑亮,渡辺健太郎,池内賢朗,石田明広,中村芳明
[備考] 大阪
[16]. 汎用性を向上した2w法による 熱電薄膜の熱伝導率測定
第63回応用物理学会関係連合講演会 （2016年3月） 招待講演以外
[発表者]奥畑亮,渡辺健太郎,池内賢朗,石田明広,中村芳明
[備考] 東京工業大学
[17]. 中赤外レーザ用IV-VI族半導体及び量子井戸の光利得
第76回応用物理学会学術講演会 （2015年9月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,柴田 衛,渡邉 祥司,中嶋 聖介
[備考] 名古屋国際会議場
[18]. IV-VI族半導体中・遠赤外レーザの研究
日本赤外線学会 （2013年11月） 招待講演以外
[備考] 防衛大学校
[19]. 熱電効果におけるトムソンの関係式について
2012年春季応用物理学関係連合講演会 （2012年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広
[備考] 開催場所（早稲田大学）
[20]. チューナブル動作に向けたPbSrS/PbS 中赤外VECSELの作製
2012年春季応用物理学関係連合講演会 （2012年3月） 招待講演以外
[発表者]杉山裕太郎,伊左治祐也,樹神啓司,○石田 明広
[備考] 開催場所（早稲田大学）
[21]. IV-VI mid-infrared VECSEL on Si-substrate
International society for optics and photonics (SPIE) （2012年1月） 招待講演以外
[発表者]M. Fill,F. Felder,M. Rahim,A. Khiar,R. Rodriguez,H. Zogg,,A. Ishida
[備考] 開催場所（サンフランシスコ）
[22]. IV-VI族半導体中赤外線レーザ
会議名(第21回日本赤外線学会研究発表会) （2011年10月） 招待講演
[発表者]石田 明広
[備考] 主催団体名(日本赤外線学会) 開催地（浜松）
[23]. IV-VI族半導体光励起面発光レーザ用多層膜ミラーの研究
第21回日本赤外線学会研究発表会 （2011年10月） 招待講演以外
[発表者]伊左治祐也,樹神啓司,杉山裕太郎,小林真也,横山竜也,石田明広
[備考] 開催場所（浜松）
[24]. IV-VI族半導体中赤外線レーザ
第21回日本赤外線学会研究発表会 （2011年10月） 招待講演以外
[発表者]石田明広
[備考] 開催場所（浜松）
[25]. Design of Optically Pumped PbS-Based Mid-Infrared Surface Emitting Lasers
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials （2011年9月） 招待講演以外
[発表者]Yutaro Sugiyama,Keishi Kodama,Yuya Isaji,Tatsuya Yokoyama,Shinya Kobayashi,Yasushi Takano,,Akihiro Ishida
[備考] 開催場所（名古屋）
[26]. Mid-temperature thermoelectric performances in PbS and PbTe
9th European Conf. on Thermoelectrics （2011年9月） 招待講演以外
[発表者]A. Ishida,Y. Sugiyama,H. Tatsuoka,A. Ito,,K. Isobe
[備考] 開催場所（Thessaloniki Greece）
[27]. Light and strong CNT spun with CNT web
61st International Astronautical Congress （2010年9月） 招待講演以外
[発表者]“Light,strong CNT spun with CNT web",M. Okada,Y. Inoue,A. Ishida,,H. Mimura
[備考] 開催場所（チェコ プラハ）
[28]. Seebeck Effect in PbS and SnTe-based Semiconductors
8th European Conference on Thermoelectrics （2010年9月） 招待講演以外
[発表者]Akihiro Ishida,Tomohiro Yamada,Takuro Tsuchiya
[備考] 開催場所（イタリア コモ市）
[29]. Optical and thermoelectrical studies on band edge structure of SnTe
第30回半導体物理国際会議 （2010年7月） 招待講演以外
[発表者]A. Ishida,T. Tsuchiya,,S. Takaoka
[備考] 開催場所（韓国 ソウル）
[30]. Thermomagnetic effects in high mobility PbTe
第29回国際熱電学会 （2010年6月） 招待講演以外
[発表者]T. Ariga,M. Koyano,,A. Ishida
[備考] 開催場所（中国上海）
[31]. SnEuTe及びSnSrTe薄膜の光学特性
2010年度春季応用物理学関係連合講演会 （2010年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,土屋拓朗,廣瀬健太
[備考] 開催場所（SnEuTe及びSnSrTe薄膜の光学特性）
[32]. SnEuTe及びSnSrTe薄膜の熱電特性
2010年春季応用物理学関係連合講演会 （2010年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広,土屋拓朗,山田智広
[備考] 開催場所（東海大学湘南キャンパス）
[33]. 半導体・量子井戸構造のゼーベック効果
2010年春季応用物理学関係連合講演会 （2010年3月） 招待講演以外
[発表者]石田 明広
[備考] 開催場所（東海大学湘南キャンパス）
[34]. IV-VI族半導体中赤外線レーザ
電気学会テラヘルツ研究会 （2010年1月） 招待講演以外
[発表者]石田明広
[備考] 開催場所（大阪産業大学梅田サテライト）
[35]. SnEuTe及びSnSrTe薄膜の光学特性とバンドギャップ評価
日本赤外線学会研究発表会 （2009年11月） 招待講演以外
[発表者]土屋拓朗*,山田智広*,曹 道社,石田 明広
[備考] 開催場所（(独)宇宙航空研究開発機構）
[36]. SnEuTe薄膜及びEuTe/SnTe超格子の高正孔移動度特
年秋季応用物理学会学術講演会 （2009年9月） 招待講演以外
[発表者]土屋拓朗,山田智広,曹道社,井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（富山大学）
[37]. SnTe/PbSe及びSnTe/PbS タイプⅡ超格子の熱電特性
2009年秋季応用物理学会学術講演会 （2009年9月） 招待講演以外
[発表者]山田智広,土屋拓朗,曹道社,井上翼,石田明広,木太拓志
[備考] 開催場所（富山大学）
[38]. ・バルク半導体及び超格子のゼーベック係数計算法
2009年秋季応用物理学会学術講演会 （2009年9月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,井上 翼1,池田浩也,木太拓志
[備考] 開催場所（富山大学）
[39]. Semimetallic properties of SnTe/PbSe type-II superlattices
第14回ナローギャップ半導体国際会議 （2009年7月） 招待講演以外
[発表者]A.Ishida,T. Yamada,T. Tsuchiya,Y. Inoue,,T. Kita
[備考] 開催場所（東北大学）
[40]. PbS量子ドットを埋め込んだPbTe薄膜の熱電特性
2008年春季応用物理学関係連合講演会 （2008年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,曹道社,森岡伸介,井上翼,藤本正之,木太拓志
[備考] 開催場所（2008年春季応用物理学関係連合講演会）
[41]. PbSドットを埋め込んだPbTe薄膜の熱電特性
2008年春季応用物理学関係連合講演会 （2008年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,曹道社,森岡伸介,井上翼,藤本正之,木太拓志
[備考] 開催場所（日本大学理工学部）
[42]. Growth of AlN/GaN coaxitial nanowire
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]T.Murakami,Y.Inoue,A.Ishida,,H.Mimura
[43]. Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growth using carbonyl iron vapor
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]Kenji Ohara,Yoichiro Neo,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Akihiro Ishida
[44]. Ultra long growth of multi-walled carbon nanotube and carbon nanotube coating
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]Kazuyuki Kakihata,Yusaku Hirono,Toshinori Horie,Yoku Inoue,Akihiro Ishida,Hidenori Mimura
[45]. Growth control of GaN nanowires grown by catalyst-assisted metal organic vapor deposition
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]Akinori Tajim,Yoku Inoue,Akihiro Ishida,,Hidenori Mimura
[46]. Transmission Electron Microscopy studies of threading dislocation propagation in AlN/GaN multiple superllatices
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]M. Veis,K. Hagihara,S. Nakagawa,K. Okumura,M. Fujimoto,Y. Inoue,A. Ishida
[備考] 開催場所（京都）
[47]. Growth and density control of GaN nanopillars for phosphor applications
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2007年10月） 招待講演以外
[発表者]Satoshi Takeda,Yoku Inoue,Akihiro Ishida,,Hidenori Mimura
[備考] 開催場所（京都）
[48]. Normal Incident Intersubband Absorptions in EuTe/PbTe Superlattices
9th Int. Conf. Intersubband Transitions in Quantum Wells （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]A.Ishida,M.Veis,D.Cao,,Y.Inoue
[備考] 開催場所（イギリス）
[49]. AlN/GaN superlattice quality improvement by using multiple superlattice structure
7th International Conference of Nitride Semiconductors （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]M. Veis,K. Hagihara,S. Nakagawa,Y. Inoue,A. Ishida
[備考] 開催場所（米国ラスベガス）
[50]. 気相触媒CVD法による鉄触媒粒子サイズ制御とカーボンナノチューブ合成
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]大原賢治,根尾陽一郎,三村秀典,井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[51]. EuTe/PbTe超格子の垂直入射サブバンド間吸収II
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]曹道社,バイス,マーチン,森岡伸介,井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[52]. カーボンナノチューブのコーティング成長
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]井上翼,柿畑和行,廣野友作,堀江寿紀,石田明広,三村秀典
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[53]. ・気相触媒CVD法による鉄触媒粒子サイズ制御とカーボンナノチューブ合成
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]大原賢治,根尾陽一郎,三村秀典,井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（札幌）
[54]. MOCVD法によるVLS成長GaNナノワイヤの構造制御
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]田島昭典,井上翼,石田明広,三村秀典
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[55]. 熱CVD法を用いた長尺カーボンナノチューブの作製
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]柿畑和行,廣野友作,堀江寿紀,井上翼,石田明広,三村秀典
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[56]. MOCVD法によるVLS成長GaNナノワイヤの構造制御
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]田島昭典,井上翼,石田明広,三村秀典
[57]. VLS成長によるAlN/GaNへテロ構造ナノワイヤの作製
第68回応用物理学会学術講演会 （2007年9月） 招待講演以外
[発表者]村上卓也,内田尚希,井上翼,石田明広,三村秀典
[備考] 開催場所（北海道工業大学）
[58]. MOCVD法によるNi触媒を用いたGaNナノワイヤーの成長
第54回応用物理学関係連合講演会 （2007年3月） 招待講演以外
[発表者]西島充崇,田島昭典,井上翼,石田明広,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（青山学院大学）
[59]. MOCVD法によるNi触媒を用いたGaNナノワイヤーの成長
第54回応用物理学関係連合講演会 （2007年3月） 招待講演以外
[発表者]西島充崇,田島昭典,井上翼,石田明広,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（青学院大学相模原キャンパス）
[60]. 面発光量子カスケードレーザ用PbTe/PbS多層膜ミラー
第54回応用物理学関係連合講演会、 （2007年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,熊谷淳,曹道社,VEIS MARTIN,井上翼
[備考] 開催場所（青山学院大学相模原キャンパス）
[61]. 面発光量子カスケードレーザ用PbTe/PbS多層膜ミラー
第54回応用物理学関係連合講演会 （2007年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,熊谷淳,曹道社,VEIS MARTIN,井上翼
[備考] 開催場所（青山学院大学相模原キャンパス）
[62]. MOCVD法による金属触媒を用いたGaNナノワイヤの作製および電界放出特性
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]田島昭典,井上翼,竹田聡,石田明広,根尾陽一郎,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（立命館大学草津キャンパス）
[63]. X線回折によるPbTe/PbTeSe及びEuTe/PbTe超格子の構造と相互拡散評価.
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]曹道社,バイスマーチン,井上翼,木太拓志,石田明広
[備考] 開催場所（立命館大学草津キャンパス）
[64]. PbTe薄膜及びEuTe/PbTe超格子の熱電特性
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,曹道社,バイスマーチン,井上翼,木太拓志,第67回応用物理学会学術講演会(2006),草津.
[備考] 開催場所（立命館大学草津キャンパス）
[65]. EuTe/PbTe二重井戸超格子の垂直入射サブバンド間吸収
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]バイス,マーチン,井上 翼,石田明広
[備考] 開催場所（立命館大学草津キャンパス）
[66]. X線回折によるPbTe/PbTeSe及びEuTe/PbTe超格子の構造と相互拡散評価
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]曹道社,バイスマーチン,井上翼,木太拓志,石田明広
[備考] 開催場所（草津）
[67]. EuTe/PbTe二重井戸超格子の垂直入射サブバンド間吸収"、バイス・マーチン、井上 翼、石田明広
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]バイス,マーチン,井上 翼,石田明広
[68]. MOCVD法による金属触媒を用いたGaNナノワイヤの作製および電界放出特性
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]田島昭典,井上翼,竹田聡,石田明広,根尾陽一郎,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（立命館大学草津キャンパス）
[69]. PbTe薄膜及びEuTe/PbTe超格子の熱電特性
第67回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,曹道社,バイスマーチン,井上翼,木太拓志
[70]. HWE法により作製したGaNナノワイヤの電界放出特性
第66回応用物理学会学術講演会 （2006年9月） 招待講演以外
[発表者]井上翼,田島昭典,中崎隆介,竹田聡,石田明広,根尾陽一郎,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（徳島）
[71]. Strong Cathodoluminescence From GaN Nanopillars" (Invited)
13th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2006 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting (EL2006) （2006年8月） 招待講演以外
[発表者]H. Mimura,Y. Inoue,A. Ishida,H. Kominami Jeju,Korea.
[72]. Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growthusing carbonyl iron vapor
34th International Symposium on Compound Semiconductors （2006年8月） 招待講演以外
[発表者]Kenji Ohara,Yoichiro Neo,Hidenori Mimura,Yoku Inoue,Akihiro Ishida
[備考] 開催場所（京都）
[73]. PbTe系量子井戸のサブバンド間吸収
サブバンド間遷移研究会 （2006年7月） 招待講演以外
[発表者]石田明広
[備考] 開催場所（通信総合研究所、東京）
[74]. 有機Niにより形成したNiナノ粒子を形成核としたカーボンナノチューブの作製
第53回応用物理学関係連合講演会 （2006年3月） 招待講演以外
[発表者]平田寛,柿畑和行,井上翼,石田明広,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（東京）
[75]. 有機Niにより形成したNiナノ粒子を形成核としたカーボンナノチューブの作製
第53回応用物理学関係連合講演会 （2006年3月） 招待講演以外
[発表者]平田寛,柿畑和行,井上翼,石田明広,三村秀典,榊原慎吾
[76]. 窒化物微粒子およびフォトニクス(依頼講演)
第36回中部化学関係学協会支部連合秋季大会 （2005年12月） 招待講演以外
[発表者]井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（静岡）
[77]. HWE法により作製したGaNナノワイヤの電界放出特性 ,
第66回応用物理学会学術講演会(2005) （2005年9月） 招待講演以外
[発表者]井上翼,田島昭典,中崎隆介,竹田聡,石田明広,根尾陽一郎,三村秀典,榊原慎吾
[備考] 開催場所（徳島大学）
[78]. 分極電界を利用する窒化物半導体電子放出素子
2004年秋季応用物理学会学術講演会 （2004年9月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,松江一真,井上翼,藤安洋
[備考] 開催場所（東北学院大学）
[79]. HWE法によるGaNナノピラーの作製
第65回応用物理学会学術講演会 （2004年9月） 招待講演以外
[発表者]竹田聡,石野健英,井上翼,石田明弘,藤安洋,小南裕子,三村秀典,中西洋一郎,榊原慎吾
[備考] 開催場所（東北学院大学）
[80]. 中赤外光励起レ-ザ用PbSrTeSe系[111]量子井戸(その1)
応用物理学会学術講演会 （2003年8月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,西田大介,井上翼,藤安洋
[備考] 開催場所（福岡大学）
[81]. [(AlN)1/(GaN)n1]/(AlN)n2-based quantum wells for quantum cascade-laser application
11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures （2003年7月） 招待講演以外
[発表者]A.Ishida,Y.Inoue,H.Nagasawa,N.Sone,K.Ishino,J.J.Kim,H.Makino,T.Yao,H.Kan,H.Fujiyasu
[備考] 開催場所（奈良国際会議場）
[82]. 量子カスケ-ドレ-ザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価
電子情報通信学会 （2003年5月） 招待講演以外
[発表者]曽根直樹,長澤仁也,井上翼,石野健英,藤安洋,石田明広
[備考] 開催場所（豊橋技術科学大学）
[83]. HWE法により作製したAlN/GaN量子カスケ-ド構造の断面TEM評価
応用物理学関係連合講演会 （2003年3月） 招待講演以外
[発表者]曽根直樹,長澤仁也,石野健英,井上翼,藤安洋,石田明広
[備考] 開催場所（神奈川大学）
[84]. バンド間遷移及びサブバンド間遷移中赤外線レ-ザ用量子井戸構造の開発
高柳記念シンポジウム （2002年10月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,藤安洋
[備考] 開催場所（静岡大学浜松キャンパス）
[85]. Characterization of AlN/GaN Quantum-Cascade Structures Prepared by Hot-Wall Epitaxy
International Symposium on Nitride Semiconductors 2002 （2002年8月） 招待講演以外
[発表者]A.Ishida,T.Ose,H.Nagasawa,Y. Inoue,,H.Fujiyasu,H.Makino,T.Yao
[備考] 開催場所（Archen, Germany）
[86]. HWE法によるAlN/GaN量子カスケ-ド構造の作製と構造評価
電子情報通信学会 （2002年5月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,長澤仁也,井上翼,立岡浩一,藤安 洋,菅 博文,牧野久雄,八百隆文
[備考] 開催場所（同志社大学）
[87]. HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と評価
応用物理学関係連合講演会 （2002年3月） 招待講演以外
[発表者]長澤仁也,尾勢朋久,石野健英,井上 翼,藤安 洋,石田明広
[備考] 開催場所（東海大学湘南キャンパス）
[88]. 中赤外線レ-ザ用AlN/GaN量子カスケ-ド構造の設計と製作
応用物理学関係連合講演会 （2002年3月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,尾勢朋久,長澤仁也,石野健英,井上翼,藤安 洋,菅 博文,牧野久雄,八百隆文
[備考] 開催場所（東海大学湘南校舎）
[89]. 中赤外半導体レ-ザの研究開発の現状
日本表面科学会 （2001年12月） 招待講演以外
[発表者]石田明広,藤安洋
[備考] 開催場所（静岡大学浜松キャンパス）
[90]. HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
応用物理学会 （2001年9月） 招待講演以外
[発表者]尾瀬朋久,長澤仁也,石野健英,井上翼,藤安洋,石田明広
[備考] 開催場所（愛知工業大学）
[91]. AlN/GaN Short-Period Superlattices with Monolayer AlN for Optical-Device Applications
10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures （2001年7月） 招待講演以外
[発表者]A.Ishida,M.Kitano,T.Ose,H.Nagasawa,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu,H.Kan,H.Makino,,T.Yao
[備考] 開催場所（Linz, Austria）
[92]. 長波長赤外半導体レ-ザ用PbSnCaTe薄膜及び超格子の作製と評価
電子情報通信学会 （2001年5月） 招待講演以外
[発表者]王淑蘭,大橋達也,石野健英,井上翼,藤安洋,石田明広
[備考] 開催場所（静岡大学浜松キャンパス）
[93]. HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
電子情報通信学会 （2001年5月） 招待講演以外
[発表者]長澤仁也,尾瀬朋久,石野健英,藤安洋,井上翼,石田明広
[備考] 開催場所（静岡大学浜松キャンパス）
|