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静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 石田明広（ISHIDA Akihiro）

論文　等

【論文　等】
[1]. Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers Communications Physics 4/１ 153-1-153-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Takafumi Ishibe, Ryo Okuhata, Tatsuya Kaneko, Masato Yoshiya, Seisuke Nakashima, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura [備考] GeS/PbTeアモルファス/エピタキシャル超格子の作製 [2]. Landau level spectroscopy of PbSnSe topological crystal insulator　 Physical Review B 103/ 155304(文献番号）- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] K.K. Tikuisis, J. Wyzula, L. Ohnoutek, P. Cejpek, M. Hakl, C. Faugeras, K. Vyborny, A. Ishida, M. Veis, and M. Orlita [備考] PbSnSe資料の作製 [3]. Fine structural and photoluminescence properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates Japanese Journal of Applied Physics 60/ SBBK07 (6 pages).- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] T Koga, R Tamaki, X Meng, Y Numazawa, Y Shimura, N Ahsan, Y Okada, A. Ishida, and H. Tatsuoka [備考] 量子効果の理論的説明 [DOI] [4]. Formula for energy conversion efficiency of thermoelectric generator taking temperature dependent thermoelectric parameters into account Journal of Applied Physics 128/ 135105(9 pages)- （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Akihiro Ishida [DOI] [5]. Fabrication of magneto-optical waveguides inside transparent silica xerogels containing ferrimagnetic Fe3O4 nanoparticles Optics Express 26/24/ 31898-31907- （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Seisuke Nakashima, Ryohei Okabe, Koji Sugioka, Akihiro Ishida [6]. Interband absorption in PbTe/PbSnTe-based type-II superlattices Applied Physics Letters 113/ 072103-1-072103-4 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] Akihiro Ishida, Kazuma Naruse, Seisuke Nakashima, Yasushi Takano, [備考] 全般 [7]. Thermoelectric properties of PbTe films and PbTe-based superlattices Materials Today, Proceedings (vol) 5/(num) (xxx) 10187- (zzz) 10194 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]石田明広 [共著者]Hoang Thi Xuan Thao,Seisuke Nakashima,Hidenari Yamamoto,Mamoru Ishikiriyama [備考] 全般 [8]. Structural and photoluminescence properties of Si-based nanosheet bundles rooted on Si substrates Japanese Journal Applied Physics 57/4S/ 04FJ01-1-04FJ01-7 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Peiling Yuan, Ryo Tamaki, Shinya Kusazaki, Nanae Atsumi, Yuya Saito, Yuki Kumazawa, Nazmul Ahsan, Yoshitaka Okada, Akihiro Ishida and Hirokazu Tatsuoka [9]. PbSrS/PbS mid-infrared short-cavity edge-emitting laser on Si substrate Applied Physics Letters (vol)111/(num) (xxx) 161104- (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]石田明広 [共著者]Akihiro Ishida,Seisuke Nakashima [10]. Thermal conductivity measurement of thermoelectric thin films by versatility-enhanced 2ω method Journal of ELECTRONIC MATERIALS (vol) 46/(num)5 3089- 3096 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Yoshiaki Nakamura [共著者]Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Satoaki Ikeuchi,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura [備考] 試料の作製 [11]. Magneto-optical properties of Waveguide Structures Containing Magnetic Nanoparticles using Femtosecond Laser Nanotechnology (IEEE Nano), 515-518 (2016). / 515-518 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] Seisuke Nakashima, Ryohei Okabe, Koji Sugioka, and Akihiro Ishida [12]. Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application Japanese Journal of Applied Physics (vol) 55/(num) - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Seisuke Nakashima,Hirokazu Tatsuoka,Hidenari Yamamoto,Mamoru Ishikiriyama,Yoshiaki Nakamura [備考] 全般 [13]. Thermoelectric conversion efficiency in IV-VI semiconductors with reduced thermal conductivity AIP Advances (vol)5/(num) (xxx) 107135- (zzz) （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Hoang Thi Xuan Thao,Hidenari Yamamoto, Yohei Kinoshita, Yohei Kinoshita [備考] 論文全般 [DOI] [14]. Electronic Transports for Thermoelectric Applications on IV-VI Semiconductors MATERIALS TRANSACTIONS 53/7 1226-1233 （2012年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Yutaro Sugiyama,Hirokazu tatsuoka,Tomoki Ariga,Mikio Koyano,Sadao Takaoka [15]. 2W high efficiency PbS mid-infrared surface emitting laser APPLIED PHYSICS LETTERS 99/12 121109-3page （2011年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]Y. Sugiyama,Y. Isaji,K.Kodama,Y. Takano,H. Sakata,M. Rahim,A. Khiar,M. Fill,H. Zogg [16]. Modular PbSrS/PbS mid-infrared vertical external cavity surface emitting laser on Si JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 110/2 023101 （2011年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Khiar [共著者]M. Rahim,M. Fill,F. Felder,H. Zogg,D. Cao,S. Kobayashi,T. Yokoyama,A. Ishida [17]. Thermomagnetic Effects in High-Mobility PbTe Films JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 40/5 687-690 （2011年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Tomoki Ariga [共著者]Mikio Koyano,Akihiro Ishida [18]. Seebeck Effects and Electronic Thermal Conductivity of IV-VI Materials JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 2011 （2011年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]T. Yamada,T. nakano,Y. Takano,S. Takaoka [19]. Erratum:"Seebeck effect in PbTe films and EuTe/PbTe superlattices" [J. Appl. Phys. 106, 023718 (2009).] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108/ 039901(1-1) （2010年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T. Yamada,D. Cao,Y. Inoue,M. Veis,T. Kita [20]. Electrical and Optical Properties of SnEuTe and SnSrTe films JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107/ 123708(1-6) （2010年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Tsuchiya,T. Yamada,D. Cao,S. Takaoka,M. Rahim,F. Felder,,H. Zogg [21]. ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用応用物理学会誌 79/3 243-247 （2010年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 石田明広 [22]. Semimetallic properties of SnTe/PbSe type-II superlattices Phisics Procedia 3/2 1295-1298 （2010年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T. Yamada,T. Tsuchiya,Y. Inoue,T. Kita [23]. PbTe/PbS multilayer mirror for EuTe/PbTe surface emitting quantum cascade lasers 電気学会論文誌A 129/11 2009 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]D.Cao [共著者]T.Yamano,Y.Inoue,A.Ishida [24]. Electrical and thermoelectrical properties of SnTe-based films and superlattices APPLIED PHYSICS LETTERS 95/ 122106-1-3 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Yamada,T.Tsuchiya,Y.Inoue,S.Takaoka,T.Kita [25]. Seebeck Coefficient of Ultrathin Silicon-on-Insulator layers Applied Physics Express 2/7 071203 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Faiz Salleh [共著者]Kiyosumi Asai,Akihiro Ishida,,Hiroya Ikeda [26]. Seebeck effect in PbTe films and EuTe/PbTe superlattices JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106/2 023718 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]T. Yamada,D. Cao,Y. Inoue,M. Veis,,T. Kita [27]. Seebeck Effect in IV-VI Semiconductor Films and Quantum Wells JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 38/7 940-943 （2009年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Daoshe Cao,Sinsuke Morioka,Yoku Inoue,Takuji Kita [28]. Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growth using carbonyl iron vapour" K.Ohara, Y.Neo, H.Mimura, Y.Inoue, and A.Ishida, Phys. Stat. Sol. (c), 5, No.9, 3169-3171 (2008). June Phys. Stat. Sol. (c), 5/9 3169-3171 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K.Ohara [共著者]Y.Neo,H.Mimura,Y.Inoue,,A.Ishida [29]. Morphology control of GaN nanowires by Vapour-liquid-solid growth Phys. Stat. Sol. C 5/9 3001-3003 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]A.Tajima,A.Ishida,,H.Mimura [30]. AlN/GaN superlattice quality improvement by using multiple superlattice structure Physica status solidi (c), 5/ 1547-1549 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M. Veis [共著者]K. Hagihara,S. Nakagawa,Y. Inoue,A. Ishida [31]. Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices APPLIED PHYSICS LETTERS 92/ 182105 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]D. Cao,S. Morioka,M. Martin,Y. Inoue,,Y. Kita [32]. One-step growth aligned bulk carbon nanotubes by chloride mediated chemical vapor deposition APPLIED PHYSICS LETTERS 92/ 213113 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Inoue [共著者]K. Kakihata,Y. Hirono,T. Horie,A. Ishida,,H. Mimura [33]. Growth and density control of GaN nanodots and nanopillars Phys. Stat. Sol. (c), 5/9 3008-3010 （2008年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Takeda [共著者]Y.Inoue,A.Ishida,,H.Mimura [34]. Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattices at Normal Incidence JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 46/13 L281-283 （2007年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [35]. Growth and field emission of GaN nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 244/4 2366-2370 （2007年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [36]. Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattices at Normal Incidence JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 46/13 281-283 （2007年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Veis,Y.Inoue [37]. Growth and field emission of GaN nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition Phys. Stat. Sol. (c) 4/ 2366-2370 （2007年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y. Inoue [共著者]A. Tajima,S. Takeda,A. Ishida,H. Mimura,,S. Sakakibara [38]. エンベロップ関数近似による量子カスケ-ド構造の設計(2005). 日本赤外線学会誌 14/2 83-86 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [39]. Cathodoluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241/12 2717-2721 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]T.Hoshino,S.Takeda,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,Y.Nakanishi,,S.Sakakibara [40]. Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application Jpn. J. Appl. Phys 44/8 5918-5922 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsue,Y.Inoue,H.Fujiyasu,H.J.Ko,A.Setiawan,J.J.Kim,H.Makino,,T.Yao [41]. Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application (2005). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 44/8 5918-5922 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [42]. Growth of Pillarlike GaN Nanostructures JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 44/7B 5664-5666 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [43]. Growth of Pillarlike GaN Nanostructures Jpn. J. Appl. Phys. 44/7B 5664-5666 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Takeda [共著者]K.Ishino,Y.Inoue,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,Y.Nakanishi,S.Sakakibara [44]. エンベロップ関数近似による量子カスケ-ド構造の設計日本赤外線学会誌 14/2 83-86 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [著者] 石田明広 [45]. Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system APPLIED PHYSICS LETTERS 86/ 183102-4 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsue,Y.Inoue,,H.Fujiyasu [46]. Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system (A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, and H.Fujiyasu) Appl.Phys.Lett. 86, pp.183102 (2005). APPLIED PHYSICS LETTERS 86/- 183102 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [47]. Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe/ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy APPLIED SURFACE SCIENCE 244/- 343-346 （2005年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [48]. Cathodeluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241/12 2717-2721 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [49]. Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars APPLIED PHYSICS LETTERS 85/12 2340-2342 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [50]. [(AlN)1/(GaN)n1]/(AlN)n2-based quantum wells for quantum cascade-laser application PHYSICA E 21/- 765-769 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [51]. Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 265/- 65-70 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 責任著者 [52]. Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascadelaser structures　 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 265/ 65 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]H. Nagasawa,N. Sone,K. Ishino,A. Ishida,H. Fujiyasu,J. J.Kim,H. Makino,T. Yao,S. Sakakibara,M. Kuwabara [53]. Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars APPLIED PHYSICS LETTERS 85/ 2340-2342 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]T.Hoshino,S.Takeda,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,,Y.Nakanishi [54]. [(AlN)1/(GaN)n1]/(AlN)n2-based quantum wells for quantum cascade-laser application PHYSICA E 21/ 765-769 （2004年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Inoue,H.Nagasawa,N.Sone,K.Ishino,J.J.Kim,H.Makino,T.Yao,H.Kan,H.Fujiyasu [55]. ナノテク・材料と赤外線(総説) 日本赤外線学会誌 12/2 4-11 （2003年） [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]萩行正憲 [共著者]石田明広 [56]. Laser Application of IV-VI Semiconductors "Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices" series "Physics and Applications of IV-VI Semiconductors and Superlattices" 18/ 533-553 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu [57]. AlN/GaN Near-Infrared Quantum-Cascade Structures with Resonant-Tunneling Injectiors Utilizing polarization Fields Japanese Journal of Applied Physics Part2 41/11B 1303-1305 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Inoue,M.Kuwabara,H.Kan,H.Fujiyasu [58]. PbSnCaTe films and PbSnCaTe/PbSnTe superlattices prepared by molecular-beam epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 41/6A 3655-3657 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ohashi,S.Wang,T. Tsuchiya,K. Ishino,Y. Inoue,H. Kan,H. Fujiyasu [59]. Quantum-Cascade Structure in AlN/GaN System Assisted by Piezo-Electric Effect Japanese Journal of Applied Physics Part2 41/3A 236-238 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ose,H.Nagasawa,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu [60]. AlN/GaN Short-Period Superlattices with Monolayer AlN for Optical-Device Applications PHYSICA E 13/ 1098-1101 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Kitano,T.Ose,H.Nagasawa,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu,H.Kan,H.Makino,T.Yao [61]. Characterization of AlN/GaN Quantum-Cascade Structures Prepared by Hot-Wall Epitaxy Physica Status Solidi (c) 0/ 520-523 （2002年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ose,H.Nagasawa,Y. Inoue,H.Fujiyasu,H.Makino,T.Yao [62]. 赤外線半導体レ-ザの最近の動向(解説) 日本赤外線学会誌 11/1 15-25 （2001年） [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安　洋 [63]. Semiconductor Quantum Structures chapter 7" IV-VI Semiconductors" Landolt Bornstein New Series III/34/ 332-354 （2001年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]M.Tacke [共著者]A.Ishida [64]. Electronic Materials Series 8"Infrared Detectors and Emitters : Materials and Devices"chapter 3"IV-VI Infrared Sensors and Lasers" Electronic Materials Series 8 / 43-75 （2001年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Zogg [共著者]A.Ishida [65]. Conductivity atomic force microscopy study of InGaN films grown by hot-wall epitaxy with a mixed(Ga+In)source JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 88/ 1670-1673 （2000年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]F.Iwata [共著者]S.Chu,A.Sasaki,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu [66]. AlGaN films and AlGaN/GaN superlattices prepared by hot-wall epitaxy Proc. IWN-2000 / 255-258 （2000年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Kitano,A.Hata,H.Fujita,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu [67]. 波長2μm以上の半導体レーザとその応用電子情報通信学会誌 83/5 376-382 （2000年） [査読] 無 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安洋 [68]. High-Quality InGaN Fimls Grown by Hot-Wall Epitaxy with Mixed(Ga+In) Source Jpn.J.Appl.Phys. Part2 38/4B 427 （1999年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Chu [共著者]T.Saisho,K.Fujimura,S.Sakakibara,F.Tanoue,K.Ishino,A.Ishida,H.Harima,Y.Chen,T.Yao,H.Fujiyasu [69]. Secondary ion mass spectrometry analysis of Mg doped GaN films prepared by hot wall epitaxy Materials Science & Engineering B59/ 230 （1999年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsuda,S.Chu,F.Tanoue,S.Sakakibara,K.Ishino,S.Fuke,H.Fujiyasu [70]. GaN and InGaN prepared by hot wall beam epitaxy APPLIED SURFACE SCIENCE 142/ 362-366 （1999年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]F.Tanoue,M.Ohbora,M.Kaneko,T.Nakayama,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu [71]. Growth and characterization of hot-wall epitaxal InGaN films using mixed(Ga+In)source JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV /38 4973-4979 （1999年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Chen [共著者]T.Saisho,K.Fujimura,S.Sakakibara,F.Tanoue,K.Ishino,A.Ishida,H.Harima,Y.Oka,K.K.Takahiro,Y.Chen,T.Yao,H.Fujiyasu [72]. PbCaTe films and PbCaTe/PbTe superlattices prepared by hot wall epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 38/ 4652-4655 （1999年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Tsuchiya,N.Yoshioka,K.Ishino,H.Fujiyasu [73]. Growth of GaN and InGaN prepared by hot wall beam epitaxy system with NH<sub>3</sub> JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 189/190 47 （1998年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]F.Tanoue [共著者]S.Sakakibara,M.Ohbora,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu [74]. Preparation of GaN films of low carrier density by HME system with Ga and TMG sources JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 189/190 340 （1998年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Chu [共著者]K.Fujimura,D.Suzuki,S.Sakakibara,F.Tanoue,A.Ishida,K.Ishino,K.Aiki,H.Fujiyasu [75]. Properties of Cevium Doped Electroluminescent Devices of SrS/ZnS Multiple Layers Inorganic and Organic Electroluminescence / 295-298 （1996年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Haruhana [共著者]K.Miyashita,K.Ito,T.Kiichi,A.Sato,A.Ishida,K.Ishino,H.Fujiyasu,T.Hiyoshi,S.Sakakibara [76]. Study of Some dd transition of Mn in Strained layer ZnS-CdS(Se):Mn Superlattices Inorganic and Organic Electroluminescence / 61-64 （1996年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Haruhana [共著者]K.Miyashita,K.Ito,T.Kiichi,A.Sato,A.Ishida,K.Ishino,H.Fujiyasu,T.Hiyoshi,S.Sakakibara [77]. 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Lead-strontium telluride films and lasers prepared by hot wall epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 33(1)/1A 151-154 （1994年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]N.Sakurai [共著者]H.Fujiyasu,A.Ishida [86]. Characteristics of Chloride doped ZnSe films and ZnSe-ZnS superlattices grown by hot wall epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 33/4A 2008 （1994年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]K.Fujimoto,N.Amano,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu [87]. PbSrS lasers prepared by hot wall epitaxy JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 75/1 619-620 （1994年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Takashiba,T.Izutsu H.Fujiyasu,H.Böttner [88]. HgTe and HgCdTe vapor phase growth under controlled Hg presure JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 138/ 964-969 （1994年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Kuwabara [共著者]H.Tatsuoka,Y.Nakanishi,A.Ishida,H.Fujiyasu,M.Nakayama,T.Yamanashi [89]. Red Electroluminescent Devices Using Mn-doped CdS(Se)- and CdTe-ZnS Superlattices JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/ 506-508 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K.Hikida [共著者]K.Ishino,A.Ishida,T.Kiichi,H.Fujiyasu [90]. (30) Preparation of CdSSe-ZnS, and SrS and CdSSe-SrS superlattices by hot wall epitaxy and their applications to electroluminescence devices JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 22/5 545 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,,A.Ishida [91]. Red-yellow CdSSe-ZnS, and blue-green SrS and CdSSe-SrS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy APPLIED SURFACE SCIENCE 65/66/ 455-460 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida [92]. Double heterostructure Pb1-xSrxS/Pb1-ySryS lasers prepared by hotwall epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/4 1658-1660 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Mohammadnejad [共著者]K.Aikawa,A.Ishida,,H.Fujiyasu [93]. Preparation of II-VI compound films and superlattices by hot wall epitaxy and their applications to light emitting devices New Functionally Materials A/ 203-209 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]A.Ishida [94]. Characterization of Nitrogen-doped ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/10 4703-4708 （1993年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]N.Amano,K.Ishino,A.Ishida,,H.Fujiyasu [95]. ホットウォ-ルエピタキシ法による半導体薄膜作製と発光素子への応用(解説) 応用物理 61/12 1238-1245 （1992年） [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]藤安洋 [共著者]石田明広 [96]. ホットウォ-ル法によるSrS:Ce薄膜とCdSSe-ZnS超格子とそのEL素子への応用 Vacuum 35/ 787-793 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]竹内要二 [共著者]増尾浩樹,田中貴久,後藤佳彦,石野健英,石田明広,藤安洋 [97]. CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子 Vacuum 35/ 781-786 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]竹内要二 [共著者]疋田京子,中村高遠,石野健英,石田明広,藤安洋 [98]. ZnS:Mn Electroluminescent Films prepared by Hot Wall Technique JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 31/ 1391-1395 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.Takeuchi [共著者]Y.Okuno,T.Nakamura,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu [99]. Mn doped ZnS and/or ZnS-CdS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 117/ 1026-1029 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida [100]. Growth of Pb1-x-yCdxSryS films and SLs by hot wall epitaxy for 3 um lasers, and their electrical properties JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 31/ 3951-3956 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Mohammadnejad [共著者]K.Matsushita,T.Izutsu,A.Ishida,,H.Fujiyasu [101]. Photoconductive properties of PbSrS/PbSnS superlattices SURFACE SCIENCE 267/ 149-152 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsushita,T.Sugimoto,H.Akimoto,S.Mohammadnejad,H.Fujiyasu [102]. Mn doped ZnS and/or ZnS-CdS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 117/ 1026-1029 （1992年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida [103]. IV-VI族長波長半導体レ-ザ(解説) 電子情報通信学会論文誌C-I J73-C-I/ 310-316 （1990年） [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安洋 [104]. Structure analysis of ZnTe-ZnSe strained layer superlattices by transmission electron microscopy observation JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 68/4 1606-1609 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Yang [共著者]Y.Takenaka,A.Ishida,,H.Fujiyasu [105]. Transmission spectra of substrate-free ZnTe-ZnSe superlattices APPLIED PHYSICS LETTERS 56/21 2114-2116 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu [106]. Monolithic photovoltaic PbS on Si infrared array IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 11/ 12-13 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]J.Masek [共著者]A.Ishida,H.Zogg,C.Maissen,,S.Blunier [107]. X-ray [440] diffraction of the strained-layer superlattices grown on GaAs (001) substrates JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 68/1 112-115 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu [108]. Barrier layer thickness dependence of electronic subband structures in PbTe/Pb1-xSnxTe superlattices SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 7/ 5-11 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Shimomura [共著者]Y.Urakawa,T.Takaoka,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu [109]. Laser application of Pb1-xSrxS films prepared by hot wall epitaxy Journal of Semiconductor Science and Technology 5/ S334-337 （1990年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Muramatsu,K.Ishino,,H.Fujiyasu [110]. Lead-europium-chalcogenide films and superlattices for 3 micrometer laser SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 6/ 27-30 （1989年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Sase,N.Nakahara,T.Okamura,,H.Fujiyasu [111]. Pb1-xSrxS/PbS double heterostructure lasers prepared by hot wall epitaxy APPLIED PHYSICS LETTERS 55/ 430-431 （1989年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Muramatsu,H.Takashiba,,H.Fujiyasu [112]. Interband transitions of ZnTe-ZnSe superlattices prepared on GaAs(100) by hot wall epitaxy JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65/ 2838-2842 （1989年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,H.Fujiyasu,,H.Kuwabara [113]. High quality ZnTe-ZnSe strained-layer superlattice with buffer layer prepared by hot wall epitaxy APPLIED PHYSICS LETTERS 54/ 239-241 （1989年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]Y.H.Wu [共著者]H.Yang,A.Ishida,H.Fujiyasu,S.Nakashima,,K.Tahara [114]. Pb1-xEuxS films prepared by hot wall epitaxy APPLIED PHYSICS LETTERS 53/ 274-275 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]N.Nakahara,T.Okamura,Y.Sase,,H.Fujiyasu [115]. Optical properties of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices prepared by hot wall epitaxy APPLIED SURFACE SCIENCE 33/34/ 868-874 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Sase,,H.Fujiyasu [116]. Electron spin resonance studies on the superlattices PbTe-Pb1-xEuxTe prepared by hot wall epitaxy THIN SOLID FILMS 161/ 149-156 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]T.Nakamura [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu [117]. Properties of Pb1-xEuxTe films prepared by hot-wall epitaxy JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63/ 4572-4574 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,M.Mizuno,Y.Sase,,H.Fujiyasu [118]. Photoluminescence Properties of ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy JOURNAL OF LUMINESCENCE 40/41/ 717-718 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Yang [共著者]H.Fujiyasu,Y.Wu,A.Ishida,,H.Kuwabara [119]. Properties of CdS-ZnS superlattices prepared by hot wall epitaxy APPLIED SURFACE SCIENCE 33/34/ 854-861 （1988年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]T.Sasaya,M.Katayama,K.Ishino,A.Ishida [120]. Observation of quantum-size effects in optical transmission spectra of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices APPLIED PHYSICS LETTERS 51/7 478-480 （1987年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,M.Mizuno,,H.Fujiyasu [121]. (55) Observation of quantum-size effects in optical transmission spectra of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices APPLIED PHYSICS LETTERS 51/7 478-480 （1987年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [122]. An indication of quantum Hall effect in PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 55/8 2519-2522 （1986年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [123]. (59) Lasing Mechanism of type-I' PbSnTe-PbTeSe multiquantum well laser with doping structure JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59/9 3023-3027 （1986年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [124]. Superconducting behavior in PbTe-SnTe superlattices SURFACE SCIENCE 170/ 486-490 （1986年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [125]. (56) Properties of PbTe/EuTe short period superlattices and their application to laser diodes SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 2/6 575-580 （1986年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [126]. Semimetallic electrical transport in PbTe-SnTe superlattices on KCl substrate SOLID STATE COMMUNICATIONS 58/9 3023-3027 （1986年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [127]. Lasing Mechanism of type-I' PbSnTe-PbTeSe multiquantum well laser with doping structure JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59/9 3023-3027 （1986年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu,H.Ebe,,K.Shinohara [128]. Properties of PbTe/EuTe short period superlattices and their application to laser diodes SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 2/6 575-580 （1986年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,H.Fujiyasu,H.Ebe,,K.Shinohara [129]. An indication of quantum Hall effect in PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 55/8 2519-2522 （1986年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Takaoka [共著者]F.Nihei,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu [130]. Semimetallic electrical transport in PbTe-SnTe superlattices on KCl substrate SOLID STATE COMMUNICATIONS 58/9 3023-3027 （1986年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]S.Takaoka [共著者]T.Okumura,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu [131]. Superconducting behavior in PbTe-SnTe superlattices SURFACE SCIENCE 170/ 486-490 （1986年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K.Murase [共著者]S.Ishida,S.Takaoka,T.Okumura,H.Fujiyasu,A.Ishida,,M.Aoki [132]. Burstein-Moss effect of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattice JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 24/956 958 （1985年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [133]. PbSnTe multiple quantum well lasers for pulsed operation at 6 micro-meter up to 204K APPLIED PHYSICS LETTERS 47/11 1184-1186 （1985年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [134]. Semimetallic Hall properties of PbTe-SnTe superlattice JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/5 1901-1903 （1985年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [135]. Sn diffusion effects on x-ray diffraction patterns of Pb1-xSnxTe-PbSeyTe1-y superlattices JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/2 797-801 （1985年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [136]. On the type of superlattices in Lead-Tin-Telluride system SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 1/2 177-182 （1985年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [137]. Semimetallic Hall properties of PbTe-SnTe superlattice JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/5 1901-1903 （1985年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Aoki,,H.Fujiyasu [138]. Sn diffusion effects on x-ray diffraction patterns of Pb1-xSnxTe-PbSeyTe1-y superlattices JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/2 797-801 （1985年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Aoki,H.Fujiyasu [139]. On the type of superlattices in Lead-Tin-Telluride system SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 1/2 177-182 （1985年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K.Murase [共著者]S.Shimomura,S.Takaoka,A.Ishida,,H.Fujiyasu [140]. Burstein-Moss effect of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattice Japanese Journal of Applied Physics Part2 24/ L956-958 （1985年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu [141]. PbSnTe multiple quantum well lasers for pulsed operation at 6 micrometer up to 204K APPLIED PHYSICS LETTERS 47/11 1184-1186 （1985年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]K.Shinohara [共著者]Y.Nisijima,H.Ebe,A.Ishida,,H.Fujiyasu [142]. Optical and electrical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared on KCl by a HWE SURFACE SCIENCE 142/ 579-585 （1984年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]A.Ishida,H.Kuwabara,S.Shimomura,S.Takaoka,,K.Murase [143]. Optical and electrical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared on KCl by a HWE SURFACE SCIENCE 142/ 579-585 （1984年） [責任著者・共著者の別] 責任著者 [144]. Optical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared by a hot wall technique Physics of Narrow Gap Semiconductors 152/ 368-372 （1982年） [査読] 有 [責任著者・共著者の別] 共著者 [著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]H.Fujiyasu,A.Ishida,,H.Kuwabara

[1]. Heat transport through propagon-phonon interaction in epitaxial amorphous-crystalline multilayers
Communications Physics 4/１ 153-1-153-7 （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Takafumi Ishibe, Ryo Okuhata, Tatsuya Kaneko, Masato Yoshiya, Seisuke Nakashima, Akihiro Ishida, Yoshiaki Nakamura [備考] GeS/PbTeアモルファス/エピタキシャル超格子の作製
[2]. Landau level spectroscopy of PbSnSe topological crystal insulator　
Physical Review B 103/ 155304(文献番号）- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] K.K. Tikuisis, J. Wyzula, L. Ohnoutek, P. Cejpek, M. Hakl, C. Faugeras, K. Vyborny, A. Ishida, M. Veis, and M. Orlita [備考] PbSnSe資料の作製
[3]. Fine structural and photoluminescence properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates
Japanese Journal of Applied Physics 60/ SBBK07 (6 pages).- （2021年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] T Koga, R Tamaki, X Meng, Y Numazawa, Y Shimura, N Ahsan, Y Okada, A. Ishida, and H. Tatsuoka [備考] 量子効果の理論的説明
[DOI]
[4]. Formula for energy conversion efficiency of thermoelectric generator taking temperature dependent thermoelectric parameters into account
Journal of Applied Physics 128/ 135105(9 pages)- （2020年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Akihiro Ishida [DOI]
[5]. Fabrication of magneto-optical waveguides inside transparent silica xerogels containing ferrimagnetic Fe3O4 nanoparticles
Optics Express 26/24/ 31898-31907- （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Seisuke Nakashima, Ryohei Okabe, Koji Sugioka, Akihiro Ishida
[6]. Interband absorption in PbTe/PbSnTe-based type-II superlattices
Applied Physics Letters 113/ 072103-1-072103-4 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Akihiro Ishida, Kazuma Naruse, Seisuke Nakashima, Yasushi Takano, [備考] 全般
[7]. Thermoelectric properties of PbTe films and PbTe-based superlattices
Materials Today, Proceedings (vol) 5/(num) (xxx) 10187- (zzz) 10194 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]石田明広 [共著者]Hoang Thi Xuan Thao,Seisuke Nakashima,Hidenari Yamamoto,Mamoru Ishikiriyama [備考] 全般
[8]. Structural and photoluminescence properties of Si-based nanosheet bundles rooted on Si substrates
Japanese Journal Applied Physics 57/4S/ 04FJ01-1-04FJ01-7 （2018年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Peiling Yuan, Ryo Tamaki, Shinya Kusazaki, Nanae Atsumi, Yuya Saito, Yuki Kumazawa, Nazmul Ahsan, Yoshitaka Okada, Akihiro Ishida and Hirokazu Tatsuoka
[9]. PbSrS/PbS mid-infrared short-cavity edge-emitting laser on Si substrate
Applied Physics Letters (vol)111/(num) (xxx) 161104- (zzz) （2017年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]石田明広 [共著者]Akihiro Ishida,Seisuke Nakashima
[10]. Thermal conductivity measurement of thermoelectric thin films by versatility-enhanced 2ω method
Journal of ELECTRONIC MATERIALS (vol) 46/(num)5 3089- 3096 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Yoshiaki Nakamura [共著者]Ryo Okuhata,Kentaro Watanabe,Satoaki Ikeuchi,Akihiro Ishida,Yoshiaki Nakamura [備考] 試料の作製
[11]. Magneto-optical properties of Waveguide Structures Containing Magnetic Nanoparticles using Femtosecond Laser
Nanotechnology (IEEE Nano), 515-518 (2016). / 515-518 （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Seisuke Nakashima, Ryohei Okabe, Koji Sugioka, and Akihiro Ishida
[12]. Amorphous/epitaxial superlattice for thermoelectric application
Japanese Journal of Applied Physics (vol) 55/(num) - （2016年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Seisuke Nakashima,Hirokazu Tatsuoka,Hidenari Yamamoto,Mamoru Ishikiriyama,Yoshiaki Nakamura [備考] 全般
[13]. Thermoelectric conversion efficiency in IV-VI semiconductors with reduced thermal conductivity
AIP Advances (vol)5/(num) (xxx) 107135- (zzz) （2015年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Hoang Thi Xuan Thao,Hidenari Yamamoto, Yohei Kinoshita, Yohei Kinoshita [備考] 論文全般
[DOI]
[14]. Electronic Transports for Thermoelectric Applications on IV-VI Semiconductors
MATERIALS TRANSACTIONS 53/7 1226-1233 （2012年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Yutaro Sugiyama,Hirokazu tatsuoka,Tomoki Ariga,Mikio Koyano,Sadao Takaoka
[15]. 2W high efficiency PbS mid-infrared surface emitting laser
APPLIED PHYSICS LETTERS 99/12 121109-3page （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]Y. Sugiyama,Y. Isaji,K.Kodama,Y. Takano,H. Sakata,M. Rahim,A. Khiar,M. Fill,H. Zogg
[16]. Modular PbSrS/PbS mid-infrared vertical external cavity surface emitting laser on Si
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 110/2 023101 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Khiar [共著者]M. Rahim,M. Fill,F. Felder,H. Zogg,D. Cao,S. Kobayashi,T. Yokoyama,A. Ishida
[17]. Thermomagnetic Effects in High-Mobility PbTe Films
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 40/5 687-690 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Tomoki Ariga [共著者]Mikio Koyano,Akihiro Ishida
[18]. Seebeck Effects and Electronic Thermal Conductivity of IV-VI Materials
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50/ 2011 （2011年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]T. Yamada,T. nakano,Y. Takano,S. Takaoka
[19]. Erratum:"Seebeck effect in PbTe films and EuTe/PbTe superlattices" [J. Appl. Phys. 106, 023718 (2009).]
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108/ 039901(1-1) （2010年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T. Yamada,D. Cao,Y. Inoue,M. Veis,T. Kita
[20]. Electrical and Optical Properties of SnEuTe and SnSrTe films
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107/ 123708(1-6) （2010年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Tsuchiya,T. Yamada,D. Cao,S. Takaoka,M. Rahim,F. Felder,,H. Zogg
[21]. ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
応用物理学会誌 79/3 243-247 （2010年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 石田明広
[22]. Semimetallic properties of SnTe/PbSe type-II superlattices
Phisics Procedia 3/2 1295-1298 （2010年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T. Yamada,T. Tsuchiya,Y. Inoue,T. Kita
[23]. PbTe/PbS multilayer mirror for EuTe/PbTe surface emitting quantum cascade lasers
電気学会論文誌A 129/11 2009 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]D.Cao [共著者]T.Yamano,Y.Inoue,A.Ishida
[24]. Electrical and thermoelectrical properties of SnTe-based films and superlattices
APPLIED PHYSICS LETTERS 95/ 122106-1-3 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Yamada,T.Tsuchiya,Y.Inoue,S.Takaoka,T.Kita
[25]. Seebeck Coefficient of Ultrathin Silicon-on-Insulator layers
Applied Physics Express 2/7 071203 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Faiz Salleh [共著者]Kiyosumi Asai,Akihiro Ishida,,Hiroya Ikeda
[26]. Seebeck effect in PbTe films and EuTe/PbTe superlattices
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106/2 023718 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]T. Yamada,D. Cao,Y. Inoue,M. Veis,,T. Kita
[27]. Seebeck Effect in IV-VI Semiconductor Films and Quantum Wells
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 38/7 940-943 （2009年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Akihiro Ishida [共著者]Daoshe Cao,Sinsuke Morioka,Yoku Inoue,Takuji Kita
[28]. Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growth using carbonyl iron vapour" K.Ohara, Y.Neo, H.Mimura, Y.Inoue, and A.Ishida, Phys. Stat. Sol. (c), 5, No.9, 3169-3171 (2008). June
Phys. Stat. Sol. (c), 5/9 3169-3171 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Ohara [共著者]Y.Neo,H.Mimura,Y.Inoue,,A.Ishida
[29]. Morphology control of GaN nanowires by Vapour-liquid-solid growth
Phys. Stat. Sol. C 5/9 3001-3003 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]A.Tajima,A.Ishida,,H.Mimura
[30]. AlN/GaN superlattice quality improvement by using multiple superlattice structure
Physica status solidi (c), 5/ 1547-1549 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M. Veis [共著者]K. Hagihara,S. Nakagawa,Y. Inoue,A. Ishida
[31]. Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices
APPLIED PHYSICS LETTERS 92/ 182105 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A. Ishida [共著者]D. Cao,S. Morioka,M. Martin,Y. Inoue,,Y. Kita
[32]. One-step growth aligned bulk carbon nanotubes by chloride mediated chemical vapor deposition
APPLIED PHYSICS LETTERS 92/ 213113 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Inoue [共著者]K. Kakihata,Y. Hirono,T. Horie,A. Ishida,,H. Mimura
[33]. Growth and density control of GaN nanodots and nanopillars
Phys. Stat. Sol. (c), 5/9 3008-3010 （2008年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Takeda [共著者]Y.Inoue,A.Ishida,,H.Mimura
[34]. Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattices at Normal Incidence
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 46/13 L281-283 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[35]. Growth and field emission of GaN nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 244/4 2366-2370 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[36]. Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattices at Normal Incidence
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 46/13 281-283 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Veis,Y.Inoue
[37]. Growth and field emission of GaN nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition
Phys. Stat. Sol. (c) 4/ 2366-2370 （2007年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y. Inoue [共著者]A. Tajima,S. Takeda,A. Ishida,H. Mimura,,S. Sakakibara
[38]. エンベロップ関数近似による量子カスケ-ド構造の設計(2005).
日本赤外線学会誌 14/2 83-86 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[39]. Cathodoluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241/12 2717-2721 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]T.Hoshino,S.Takeda,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,Y.Nakanishi,,S.Sakakibara
[40]. Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application
Jpn. J. Appl. Phys 44/8 5918-5922 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsue,Y.Inoue,H.Fujiyasu,H.J.Ko,A.Setiawan,J.J.Kim,H.Makino,,T.Yao
[41]. Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application (2005).
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 44/8 5918-5922 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[42]. Growth of Pillarlike GaN Nanostructures
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 44/7B 5664-5666 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[43]. Growth of Pillarlike GaN Nanostructures
Jpn. J. Appl. Phys. 44/7B 5664-5666 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Takeda [共著者]K.Ishino,Y.Inoue,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,Y.Nakanishi,S.Sakakibara
[44]. エンベロップ関数近似による量子カスケ-ド構造の設計
日本赤外線学会誌 14/2 83-86 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] 石田明広
[45]. Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system
APPLIED PHYSICS LETTERS 86/ 183102-4 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsue,Y.Inoue,,H.Fujiyasu
[46]. Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system (A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, and H.Fujiyasu) Appl.Phys.Lett. 86, pp.183102 (2005).
APPLIED PHYSICS LETTERS 86/- 183102 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[47]. Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe/ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
APPLIED SURFACE SCIENCE 244/- 343-346 （2005年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[48]. Cathodeluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241/12 2717-2721 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[49]. Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars
APPLIED PHYSICS LETTERS 85/12 2340-2342 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[50]. [(AlN)1/(GaN)n1]/(AlN)n2-based quantum wells for quantum cascade-laser application
PHYSICA E 21/- 765-769 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[51]. Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 265/- 65-70 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[52]. Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascadelaser structures　
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 265/ 65 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]H. Nagasawa,N. Sone,K. Ishino,A. Ishida,H. Fujiyasu,J. J.Kim,H. Makino,T. Yao,S. Sakakibara,M. Kuwabara
[53]. Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars
APPLIED PHYSICS LETTERS 85/ 2340-2342 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Inoue [共著者]T.Hoshino,S.Takeda,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu,H.Kominami,H.Mimura,,Y.Nakanishi
[54]. [(AlN)1/(GaN)n1]/(AlN)n2-based quantum wells for quantum cascade-laser application
PHYSICA E 21/ 765-769 （2004年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Inoue,H.Nagasawa,N.Sone,K.Ishino,J.J.Kim,H.Makino,T.Yao,H.Kan,H.Fujiyasu
[55]. ナノテク・材料と赤外線(総説)
日本赤外線学会誌 12/2 4-11 （2003年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]萩行正憲 [共著者]石田明広
[56]. Laser Application of IV-VI Semiconductors
"Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices" series "Physics and Applications of IV-VI Semiconductors and Superlattices" 18/ 533-553 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu
[57]. AlN/GaN Near-Infrared Quantum-Cascade Structures with Resonant-Tunneling Injectiors Utilizing polarization Fields
Japanese Journal of Applied Physics Part2 41/11B 1303-1305 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Inoue,M.Kuwabara,H.Kan,H.Fujiyasu
[58]. PbSnCaTe films and PbSnCaTe/PbSnTe superlattices prepared by molecular-beam epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 41/6A 3655-3657 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ohashi,S.Wang,T. Tsuchiya,K. Ishino,Y. Inoue,H. Kan,H. Fujiyasu
[59]. Quantum-Cascade Structure in AlN/GaN System Assisted by Piezo-Electric Effect
Japanese Journal of Applied Physics Part2 41/3A 236-238 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ose,H.Nagasawa,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu
[60]. AlN/GaN Short-Period Superlattices with Monolayer AlN for Optical-Device Applications
PHYSICA E 13/ 1098-1101 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Kitano,T.Ose,H.Nagasawa,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu,H.Kan,H.Makino,T.Yao
[61]. Characterization of AlN/GaN Quantum-Cascade Structures Prepared by Hot-Wall Epitaxy
Physica Status Solidi (c) 0/ 520-523 （2002年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Ose,H.Nagasawa,Y. Inoue,H.Fujiyasu,H.Makino,T.Yao
[62]. 赤外線半導体レ-ザの最近の動向(解説)
日本赤外線学会誌 11/1 15-25 （2001年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安　洋
[63]. Semiconductor Quantum Structures chapter 7" IV-VI Semiconductors"
Landolt Bornstein New Series III/34/ 332-354 （2001年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]M.Tacke [共著者]A.Ishida
[64]. Electronic Materials Series 8"Infrared Detectors and Emitters : Materials and Devices"chapter 3"IV-VI Infrared Sensors and Lasers"
Electronic Materials Series 8 / 43-75 （2001年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Zogg [共著者]A.Ishida
[65]. Conductivity atomic force microscopy study of InGaN films grown by hot-wall epitaxy with a mixed(Ga+In)source
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 88/ 1670-1673 （2000年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]F.Iwata [共著者]S.Chu,A.Sasaki,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu
[66]. AlGaN films and AlGaN/GaN superlattices prepared by hot-wall epitaxy
Proc. IWN-2000 / 255-258 （2000年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Kitano,A.Hata,H.Fujita,K.Ishino,Y.Inoue,H.Fujiyasu
[67]. 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
電子情報通信学会誌 83/5 376-382 （2000年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安洋
[68]. High-Quality InGaN Fimls Grown by Hot-Wall Epitaxy with Mixed(Ga+In) Source
Jpn.J.Appl.Phys. Part2 38/4B 427 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Chu [共著者]T.Saisho,K.Fujimura,S.Sakakibara,F.Tanoue,K.Ishino,A.Ishida,H.Harima,Y.Chen,T.Yao,H.Fujiyasu
[69]. Secondary ion mass spectrometry analysis of Mg doped GaN films prepared by hot wall epitaxy
Materials Science & Engineering B59/ 230 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsuda,S.Chu,F.Tanoue,S.Sakakibara,K.Ishino,S.Fuke,H.Fujiyasu
[70]. GaN and InGaN prepared by hot wall beam epitaxy
APPLIED SURFACE SCIENCE 142/ 362-366 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]F.Tanoue,M.Ohbora,M.Kaneko,T.Nakayama,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu
[71]. Growth and characterization of hot-wall epitaxal InGaN films using mixed(Ga+In)source
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV /38 4973-4979 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Chen [共著者]T.Saisho,K.Fujimura,S.Sakakibara,F.Tanoue,K.Ishino,A.Ishida,H.Harima,Y.Oka,K.K.Takahiro,Y.Chen,T.Yao,H.Fujiyasu
[72]. PbCaTe films and PbCaTe/PbTe superlattices prepared by hot wall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 38/ 4652-4655 （1999年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]T.Tsuchiya,N.Yoshioka,K.Ishino,H.Fujiyasu
[73]. Growth of GaN and InGaN prepared by hot wall beam epitaxy system with NH<sub>3</sub>
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 189/190 47 （1998年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]F.Tanoue [共著者]S.Sakakibara,M.Ohbora,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu
[74]. Preparation of GaN films of low carrier density by HME system with Ga and TMG sources
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 189/190 340 （1998年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Chu [共著者]K.Fujimura,D.Suzuki,S.Sakakibara,F.Tanoue,A.Ishida,K.Ishino,K.Aiki,H.Fujiyasu
[75]. Properties of Cevium Doped Electroluminescent Devices of SrS/ZnS Multiple Layers
Inorganic and Organic Electroluminescence / 295-298 （1996年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Haruhana [共著者]K.Miyashita,K.Ito,T.Kiichi,A.Sato,A.Ishida,K.Ishino,H.Fujiyasu,T.Hiyoshi,S.Sakakibara
[76]. Study of Some dd transition of Mn in Strained layer ZnS-CdS(Se):Mn Superlattices
Inorganic and Organic Electroluminescence / 61-64 （1996年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Haruhana [共著者]K.Miyashita,K.Ito,T.Kiichi,A.Sato,A.Ishida,K.Ishino,H.Fujiyasu,T.Hiyoshi,S.Sakakibara
[77]. Properties of GaN films prepaved by hot wall epitaxy
Proc.Int.Conf.on Blue Laser and Light Emitting Diodes, March5-7, 1996, Chiba, Japan / 534 （1996年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]E.Yamamoto,H.Fujiyasu,Y.Xin.P.D.Brown,C.J.Humphreys
[78]. Characterization of GaN epitaxial films by Raman microprobe
Proc. Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials-1995 /142 955 （1996年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Harima [共著者]S.Nakashima,H.Sakashita,E.Yamamoto,A.Ishida,H.Fujiyasu
[79]. Growth Characteristics of GaN films and initial layers prepared by hot wall epitaxy
/142 907 （1996年）
[責任著者・共著者の別]
[80]. Properties of Manganese Doped Electroluminescent Devices of ZnCdSSeTe Superlattice Systems
Inorganic and Organic Electroluminescence / 169-172 （1996年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Haruhana [共著者]K.Miyashita,K.Ito,T.Kiichi,A.Sato,A.Ishida,K.Ishino,H.Fujiyasu,T.Hiyoshi,S.Sakakibara
[81]. Recent progress in lead-salt infrared lasers
SPIE Proceeding 2682/ 206-215 （1996年） [査読] 無
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu
[82]. Growth of GaN films by hot wall epitaxy
APPLIED PHYSICS LETTERS 67/5 665-666 （1995年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]E.Yamamoto,K.Ishino,K.Ito,H.Fujiyasu,Y.Nakanishi
[83]. PbMgSrTe and PbSrTeSe films prepared by hot wall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 33/ 6486-6490 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N.Sakurai [共著者]K.Matsushita,H.Fujiyasu,A.Ishida
[84]. PbSrS MQW lasers and the effect of quantum well on operation temperature
SOLID-STATE ELECTRONICS 37/4-6 1141 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]N.Sakurai,N.Aikawa,H.Fujiyasu
[85]. Lead-strontium telluride films and lasers prepared by hot wall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 33(1)/1A 151-154 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]N.Sakurai [共著者]H.Fujiyasu,A.Ishida
[86]. Characteristics of Chloride doped ZnSe films and ZnSe-ZnS superlattices grown by hot wall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 33/4A 2008 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]K.Fujimoto,N.Amano,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu
[87]. PbSrS lasers prepared by hot wall epitaxy
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 75/1 619-620 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Takashiba,T.Izutsu H.Fujiyasu,H.Böttner
[88]. HgTe and HgCdTe vapor phase growth under controlled Hg presure
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 138/ 964-969 （1994年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kuwabara [共著者]H.Tatsuoka,Y.Nakanishi,A.Ishida,H.Fujiyasu,M.Nakayama,T.Yamanashi
[89]. Red Electroluminescent Devices Using Mn-doped CdS(Se)- and CdTe-ZnS Superlattices
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/ 506-508 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Hikida [共著者]K.Ishino,A.Ishida,T.Kiichi,H.Fujiyasu
[90]. (30) Preparation of CdSSe-ZnS, and SrS and CdSSe-SrS superlattices by hot wall epitaxy and their applications to electroluminescence devices
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 22/5 545 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,,A.Ishida
[91]. Red-yellow CdSSe-ZnS, and blue-green SrS and CdSSe-SrS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy
APPLIED SURFACE SCIENCE 65/66/ 455-460 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida
[92]. Double heterostructure Pb1-xSrxS/Pb1-ySryS lasers prepared by hotwall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/4 1658-1660 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Mohammadnejad [共著者]K.Aikawa,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[93]. Preparation of II-VI compound films and superlattices by hot wall epitaxy and their applications to light emitting devices
New Functionally Materials A/ 203-209 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]A.Ishida
[94]. Characterization of Nitrogen-doped ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 32/10 4703-4708 （1993年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Sakakibara [共著者]N.Amano,K.Ishino,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[95]. ホットウォ-ルエピタキシ法による半導体薄膜作製と発光素子への応用(解説)
応用物理 61/12 1238-1245 （1992年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]藤安洋 [共著者]石田明広
[96]. ホットウォ-ル法によるSrS:Ce薄膜とCdSSe-ZnS超格子とそのEL素子への応用
Vacuum 35/ 787-793 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]竹内要二 [共著者]増尾浩樹,田中貴久,後藤佳彦,石野健英,石田明広,藤安洋
[97]. CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
Vacuum 35/ 781-786 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]竹内要二 [共著者]疋田京子,中村高遠,石野健英,石田明広,藤安洋
[98]. ZnS:Mn Electroluminescent Films prepared by Hot Wall Technique
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 31/ 1391-1395 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.Takeuchi [共著者]Y.Okuno,T.Nakamura,K.Ishino,A.Ishida,H.Fujiyasu
[99]. Mn doped ZnS and/or ZnS-CdS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 117/ 1026-1029 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida
[100]. Growth of Pb1-x-yCdxSryS films and SLs by hot wall epitaxy for 3 um lasers, and their electrical properties
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 31/ 3951-3956 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Mohammadnejad [共著者]K.Matsushita,T.Izutsu,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[101]. Photoconductive properties of PbSrS/PbSnS superlattices
SURFACE SCIENCE 267/ 149-152 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Matsushita,T.Sugimoto,H.Akimoto,S.Mohammadnejad,H.Fujiyasu
[102]. Mn doped ZnS and/or ZnS-CdS superlattice double insulating EL devices by hot wall epitaxy
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 117/ 1026-1029 （1992年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]Y.Takeuchi,K.Hikida,K.Ishino,A.Ishida
[103]. IV-VI族長波長半導体レ-ザ(解説)
電子情報通信学会論文誌C-I J73-C-I/ 310-316 （1990年）
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]石田明広 [共著者]藤安洋
[104]. Structure analysis of ZnTe-ZnSe strained layer superlattices by transmission electron microscopy observation
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 68/4 1606-1609 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Yang [共著者]Y.Takenaka,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[105]. Transmission spectra of substrate-free ZnTe-ZnSe superlattices
APPLIED PHYSICS LETTERS 56/21 2114-2116 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu
[106]. Monolithic photovoltaic PbS on Si infrared array
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 11/ 12-13 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]J.Masek [共著者]A.Ishida,H.Zogg,C.Maissen,,S.Blunier
[107]. X-ray [440] diffraction of the strained-layer superlattices grown on GaAs (001) substrates
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 68/1 112-115 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu
[108]. Barrier layer thickness dependence of electronic subband structures in PbTe/Pb1-xSnxTe superlattices
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 7/ 5-11 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Shimomura [共著者]Y.Urakawa,T.Takaoka,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[109]. Laser application of Pb1-xSrxS films prepared by hot wall epitaxy
Journal of Semiconductor Science and Technology 5/ S334-337 （1990年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Muramatsu,K.Ishino,,H.Fujiyasu
[110]. Lead-europium-chalcogenide films and superlattices for 3 micrometer laser
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 6/ 27-30 （1989年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Sase,N.Nakahara,T.Okamura,,H.Fujiyasu
[111]. Pb1-xSrxS/PbS double heterostructure lasers prepared by hot wall epitaxy
APPLIED PHYSICS LETTERS 55/ 430-431 （1989年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]K.Muramatsu,H.Takashiba,,H.Fujiyasu
[112]. Interband transitions of ZnTe-ZnSe superlattices prepared on GaAs(100) by hot wall epitaxy
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65/ 2838-2842 （1989年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Yang [共著者]A.Ishida,H.Fujiyasu,,H.Kuwabara
[113]. High quality ZnTe-ZnSe strained-layer superlattice with buffer layer prepared by hot wall epitaxy
APPLIED PHYSICS LETTERS 54/ 239-241 （1989年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]Y.H.Wu [共著者]H.Yang,A.Ishida,H.Fujiyasu,S.Nakashima,,K.Tahara
[114]. Pb1-xEuxS films prepared by hot wall epitaxy
APPLIED PHYSICS LETTERS 53/ 274-275 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]N.Nakahara,T.Okamura,Y.Sase,,H.Fujiyasu
[115]. Optical properties of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices prepared by hot wall epitaxy
APPLIED SURFACE SCIENCE 33/34/ 868-874 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]Y.Sase,,H.Fujiyasu
[116]. Electron spin resonance studies on the superlattices PbTe-Pb1-xEuxTe prepared by hot wall epitaxy
THIN SOLID FILMS 161/ 149-156 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]T.Nakamura [共著者]A.Ishida,,H.Fujiyasu
[117]. Properties of Pb1-xEuxTe films prepared by hot-wall epitaxy
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63/ 4572-4574 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,M.Mizuno,Y.Sase,,H.Fujiyasu
[118]. Photoluminescence Properties of ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
JOURNAL OF LUMINESCENCE 40/41/ 717-718 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Yang [共著者]H.Fujiyasu,Y.Wu,A.Ishida,,H.Kuwabara
[119]. Properties of CdS-ZnS superlattices prepared by hot wall epitaxy
APPLIED SURFACE SCIENCE 33/34/ 854-861 （1988年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]T.Sasaya,M.Katayama,K.Ishino,A.Ishida
[120]. Observation of quantum-size effects in optical transmission spectra of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices
APPLIED PHYSICS LETTERS 51/7 478-480 （1987年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,M.Mizuno,,H.Fujiyasu
[121]. (55) Observation of quantum-size effects in optical transmission spectra of PbTe/Pb1-xEuxTe superlattices
APPLIED PHYSICS LETTERS 51/7 478-480 （1987年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[122]. An indication of quantum Hall effect in PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 55/8 2519-2522 （1986年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[123]. (59) Lasing Mechanism of type-I' PbSnTe-PbTeSe multiquantum well laser with doping structure
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59/9 3023-3027 （1986年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[124]. Superconducting behavior in PbTe-SnTe superlattices
SURFACE SCIENCE 170/ 486-490 （1986年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[125]. (56) Properties of PbTe/EuTe short period superlattices and their application to laser diodes
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 2/6 575-580 （1986年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[126]. Semimetallic electrical transport in PbTe-SnTe superlattices on KCl substrate
SOLID STATE COMMUNICATIONS 58/9 3023-3027 （1986年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[127]. Lasing Mechanism of type-I' PbSnTe-PbTeSe multiquantum well laser with doping structure
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59/9 3023-3027 （1986年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu,H.Ebe,,K.Shinohara
[128]. Properties of PbTe/EuTe short period superlattices and their application to laser diodes
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 2/6 575-580 （1986年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]S.Matsuura,H.Fujiyasu,H.Ebe,,K.Shinohara
[129]. An indication of quantum Hall effect in PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 55/8 2519-2522 （1986年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Takaoka [共著者]F.Nihei,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[130]. Semimetallic electrical transport in PbTe-SnTe superlattices on KCl substrate
SOLID STATE COMMUNICATIONS 58/9 3023-3027 （1986年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]S.Takaoka [共著者]T.Okumura,K.Murase,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[131]. Superconducting behavior in PbTe-SnTe superlattices
SURFACE SCIENCE 170/ 486-490 （1986年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Murase [共著者]S.Ishida,S.Takaoka,T.Okumura,H.Fujiyasu,A.Ishida,,M.Aoki
[132]. Burstein-Moss effect of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattice
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 24/956 958 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[133]. PbSnTe multiple quantum well lasers for pulsed operation at 6 micro-meter up to 204K
APPLIED PHYSICS LETTERS 47/11 1184-1186 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[134]. Semimetallic Hall properties of PbTe-SnTe superlattice
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/5 1901-1903 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[135]. Sn diffusion effects on x-ray diffraction patterns of Pb1-xSnxTe-PbSeyTe1-y superlattices
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/2 797-801 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[136]. On the type of superlattices in Lead-Tin-Telluride system
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 1/2 177-182 （1985年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[137]. Semimetallic Hall properties of PbTe-SnTe superlattice
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/5 1901-1903 （1985年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Aoki,,H.Fujiyasu
[138]. Sn diffusion effects on x-ray diffraction patterns of Pb1-xSnxTe-PbSeyTe1-y superlattices
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58/2 797-801 （1985年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]M.Aoki,H.Fujiyasu
[139]. On the type of superlattices in Lead-Tin-Telluride system
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 1/2 177-182 （1985年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Murase [共著者]S.Shimomura,S.Takaoka,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[140]. Burstein-Moss effect of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattice
Japanese Journal of Applied Physics Part2 24/ L956-958 （1985年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]A.Ishida [共著者]H.Fujiyasu
[141]. PbSnTe multiple quantum well lasers for pulsed operation at 6 micrometer up to 204K
APPLIED PHYSICS LETTERS 47/11 1184-1186 （1985年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]K.Shinohara [共著者]Y.Nisijima,H.Ebe,A.Ishida,,H.Fujiyasu
[142]. Optical and electrical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared on KCl by a HWE
SURFACE SCIENCE 142/ 579-585 （1984年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Fujiyasu [共著者]A.Ishida,H.Kuwabara,S.Shimomura,S.Takaoka,,K.Murase
[143]. Optical and electrical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared on KCl by a HWE
SURFACE SCIENCE 142/ 579-585 （1984年）
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[144]. Optical properties of PbTe-Pb1-xSnxTe superlattices prepared by a hot wall technique
Physics of Narrow Gap Semiconductors 152/ 368-372 （1982年） [査読] 有
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] [責任著者]H.Kinoshita [共著者]H.Fujiyasu,A.Ishida,,H.Kuwabara

静岡大学

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 石田 明広 （ISHIDA Akihiro）

論文 等

静岡大学教員データベース - 教員個別情報 : 石田明広（ISHIDA Akihiro）

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