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Researcher DataBase - Personal Information : Nakano Takayuki

Patents, etc.

【Patents, etc.】
[1]. 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法 [Application Number] 特願2017-068686 (2017/3/30) [Patent Number] 第6856214号 (2021/3/22)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
[2]. 中性子半導体検出器 [Application Number] 特願2017-037321 (2017/2/28) [Patent Number] 第6948668号 (2021/9/24)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、株式会社ANSeeN
[3]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [Application Number] 特願2017-524908 (2016/6/21) [Patent Number] 第6600891号 (2019/10/18)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[4]. カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法 [Application Number] 特願2017-524907 (2016/6/21) [Patent Number] 第6667849号 (2020/2/28)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[5]. CNTフォレスト、CNTフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法 [Application Number] 特願2016-570492 (2015/10/26) [Patent Number] 第6667848号 (2020/2/28)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[6]. 開口基板 [Application Number] 特願2016-570493 (2015/10/26) [Patent Number] 第6675610号 (2020/3/13)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[7]. カーボンナノチューブの製造装置および当該製造装置の一部となる供給ユニットならびにカーボンナノチューブの製造方法 [Application Number] PCT/JP2014/072623 (2014/8/28) [Patent Number] 第5942069号 (2016/6/3)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[8]. カーボンナノチューブの製造装置および当該製造装置の一部となる供給ユニットならびにカーボンナノチューブの製造方法 [Application Number] 特願2013-177235 (2013/8/28) [Patent Number] 第5899523号 (2016/3/18)
[Notes] 国立大学法人静岡大学、JNC株式会社
[9]. エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 [Application Number] 特願2008-53562 (2008/3/4) [Patent Number] 第5490368号 (2014/3/7)
[Notes] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[10]. 半導体基板の製造方法 [Application Number] 特願2007-78187 (2007/3/26) [Patent Number] 第5058642号 (2012/8/10)
[Notes] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[11]. 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子 [Application Number] 特願2007-78188 (2007/3/26) [Patent Number] 第5296995号 (2013/6/2)
[Notes] 財団法人神奈川科学技術アカデミー
[12]. 半導体装置の製造方法 [Application Number] 特願2003-144479 (2003/5/22)
[Notes] 松下電器産業株式会社
[13]. 半導体装置の製造方法 [Application Number] 特願2003-50730 (2003/3/27)
[Notes] 松下電器産業株式会社
[14]. 半導体装置およびその製造方法 [Application Number] 特願2003-58174 (2003/3/5)
[Notes] 松下電器産業株式会社
[15]. 半導体装置 [Application Number] 特願2002-189325 (2002/6/28)
[Notes] 松下電器産業株式会社
[16]. MOVPE成長における化合物半導体の結晶成長方法 [Application Number] 特願2002-576002 (2002/3/25) [Patent Number] 第38060122号 (2006/9/2)
[Notes] 独立行政法人科学技術振興機構