[1]. Characterization of ZnO Crystals of Various Geometries Grown by Mist Chemical Vapor Deposition on a c-Plane Sapphire Substrate
Phys. Status Solidi B / - 2300550 （2024年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Kodai Kato, Junichi Iwata, Masaru Sakai, Kazuhiko Hara, Tetsuya Kouno [DOI]
[2]. Low-Pressure Chemical Vapor Deposition of Hexagonal Boron Nitride on a-Plane Sapphire Using BCl3 as a Boron Source
Phys. Status Solidi B / - 2400037 （2024年） [査読] 無 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] Kazuhiko Hara, Taiki Oishi, Soma Ota, Ruki Aoike, Yuma Takahashi, Akira Takemura, Hiroko Kominami [DOI]
[3]. Band structure modification and multi-scale phonon scattering synergistically boosts the thermoelectric performance of antimony incorporated MoS2
Journal of Alloys and Compounds 977/ - 172835 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Joseph Dona; V. Vijay; S. Harish; J. Archana; K. Hara; M. Navaneethan [DOI]
[4]. Selectively enhanced crystal growth of periodically arrayed ZnO nanowires by mist chemical vapor deposition and electron beam lithography
Journal of Crystal Growth 618/ - 127309 （2024年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当しない
[責任著者・共著者の別] 共著者
[著者] Yudai Inagaki; Yuki Kawai; Tomoya Arimoto; Togi Sasaki; Ayumu Ohashi; Kazuhiko Hara; Tetsuya Kouno [DOI]
[5]. High spectral responsivity and specific detectivity of p-MoS2/n-Si heterojunction photodetector for near-IR detection via facile solution process
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34/ - 1975 （2023年） [査読] 有 [国際共著論文] 該当する
[責任著者・共著者の別] 責任著者
[著者] K. Silambarasan, E. Vinoth, S. Harish, M. Navaneethan, and K. Hara [DOI]
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[1]. 化学便覧 応用化学編 第7版
丸善出版 （2014年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]原和彦,他 名
[備考] 共著担当箇所(22.3プラズマ表示)
[2]. バンドギャップエンジニアリング -次世代高効率デバイスへの挑戦-
シーエムシー出版 （2011年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]原和彦,他28名
[3]. ナノビジョンサイエンスー画像技術の新展開ー
コロナ社 （2009年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]三村 秀典,原 和彦,川人 祥二,青木 徹,廣本 宣久
[備考] 共著担当箇所(第2章8-64)
[4]. 発光と受光の物理と応用
培風館 （2008年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]原和彦,他37名
[備考] 共著担当箇所(第5章179-182)
[5]. 蛍光体の基礎及び用途別最新動向
情報機構 （2005年）
[著書の別]著書（研究）
[単著・共著・編著等の別] 共著
[著者]原 和彦,他26名
[備考] 共著担当箇所(45-52)
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[1]. BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 （2024年3月22日） 招待講演以外
[発表者]嶋 紘平、粕谷 拓生、髙屋 竣大、辻谷 陽仁、原 和彦、秩父 重英
[備考] [22p-21C-18]
[2]. Issues on substrates for the thin film growth of hexagonal boron nitride by low-pressure chemical vapor deposition
Advanced Functional Materials and Devices 2024 （2024年2月26日） 招待講演
[発表者]Kazuhiko Hara
[3]. In-situ growth of Cu-doped ZnO nanoflowers via mist CVD for photodetector application
Advanced Functional Materials and Devices 2024 （2024年2月26日） 招待講演以外
[発表者]Aysha Parveen R, Hara K, Archana J, Ponnusamy S, Navaneethan M
[4]. Fabrication of (Zn,Mg)O Thin Films Dispersed with ZnO Nanocrystals by Mist CVD for Phosphor Applications
30th International Display Workshops （2023年12月7日） 招待講演以外
[発表者]Kyosuke Tanaka, Takeshi Okutsu, Toshihiro Nara, Tsukasa Yagasaki, Tetsuya Kouno, Hiroko Kominami, Kazuhiko Hara
[備考] PHp1-3L, Niigata
[5]. 難溶性粒子を用いたミストCVD法によるZnMgOの結晶成長
第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 06a-P15 （2023年12月6日） 招待講演以外
[発表者]山﨑祐樹、原和彦、光野徹也
[備考] 06a-P15
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[1]. 国内共同研究 半導体ナノ粒子を用いた高効率アップコンバージョン複合体の構築成
分担 （ 2017年5月 ～ 2018年1月 )
[相手先] 山形大学他
[備考] 静岡大学電子工学研究所機能強化経費共同研究（P-46、代表：石崎学）
[2]. 国内共同研究 ヘテロドーピングしたアミノ酸単結晶の育成と極紫外域光学特性評価
分担 （ 2017年5月 ～ 2018年1月 )
[相手先] 山形大学他
[備考] 静岡大学電子工学研究所機能強化経費共同研究（P-41、代表：北浦守）
[3]. 国内共同研究 蛍光X線ホログラフィーによるCe:GAGG結晶の局所構造解析
分担 （ 2017年5月 ～ 2018年1月 )
[相手先] 山形大学他
[備考] 静岡大学電子工学研究所機能強化経費共同研究（P-32、代表：大西彰正）
[4]. 国内共同研究 ベンゾイミダゾール結晶の強誘電性とプロトン移動に関する理論的研究
分担 （ 2017年5月 ～ 2018年1月 )
[相手先] 山形大学他
[備考] 静岡大学電子工学研究所機能強化経費共同研究（P-30、代表：安東秀峰）
[5]. 国内共同研究 生体計測応用に向けた円偏光発光ダイオードのニーズ探索
分担 （ 2017年5月 ～ 2018年1月 )
[相手先] 山形大学他
[備考] 生体医歯工学共同研究（P-59、代表：宗片 比呂夫）
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[1]. ミストCVDによる量子ドット分散半導体薄膜の単一プロセス形成 （ 2021年4月 ～ 2024年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[2]. 六方晶窒化ボロン半導体の直接 遷移型化と深紫外励起子発光ダ イナミクスの研究 （ 2020年4月 ～ 2022年3月 ） 挑戦的研究（萌芽） 分担
[3]. 六方晶窒化ホウ素のウエハ状大型単結晶を作製するための基本プロセスの開発 （ 2018年4月 ～ 2021年3月 ） 基盤研究(C) 代表
[4]. 深紫外線波長で巨大な励起子効果を発揮する窒化ボロン半導体の発光ダイナミクス （ 2016年4月 ～ 2018年3月 ） 挑戦的萌芽研究 分担
[5]. 超平坦六方晶窒化ホウ素単結晶マクロテラスアレイおよびマクロウォールアレイの作製 （ 2013年4月 ） 挑戦的萌芽研究 代表
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[1]. ナノ構造埋め込み型蛍光体粒子と超高速出力紫外・可視光源 （2011年4月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 浜松地域知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)
[2]. ナノ構造埋め込み型蛍光体粒子と超高速出力紫外・可視光源 （2010年4月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 浜松地域知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)
[3]. ナノ構造埋め込み型蛍光体粒子と超高速出力紫外・可視光源 （2009年4月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 浜松地域知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)
[4]. ナノ構造埋め込み型蛍光体粒子と超高速出力紫外・可視光源 （2008年4月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 浜松地域知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)
[5]. ナノ構造埋め込み型蛍光体粒子と超高速出力紫外・可視光源 （2007年4月 ) [提供機関] 文部科学省 [制度名] 浜松地域知的クラスター創成事業(第Ⅱ期) |
[1]. Outstanding Poster Paper Award Fabrication of (Zn,Mg)O Thin Films Dispersed with ZnO Nanocrystals by Mist CVD for Phosphor Applications （2023年12月)
[受賞者] Kyosuke Tanaka, Takeshi Okutsu, Toshihiro Nara, Tsukasa Yagasaki, Tetsuya Kouno, Hiroko Kominami, Kazuhiko Hara [授与機関] The 30th International Display Workshops
[2]. 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会Poster Award （2015年11月)
[備考] 受賞者：Tetsuya Kono, Masaru Sakai, Katsumi Kishino, Kazuhiko Hara
授与・助成団体名：公益社団法人 応用物理学会
[3]. APEX/JJAP編集貢献賞 (課題名：*) （2009年4月)
[備考] 授与・助成団体名(社団法人 応用物理学会)
[4]. 業績賞 (課題名：窒化物系微粒子蛍光体の研究開発) （2006年12月)
[備考] 授与・助成団体名((独)日本学術振興会 光電相互変換第125委員会)
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[1]. 窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置、窒化アルミニウム結晶粒子の製造方法および窒化アルミニウム結晶粒子 [出願番号] 特願2010-152506 , PCT/JP2011/065221 (2010年7月2日)
[備考] 特願2010-152506、出願日：2010年7月2日、「窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置、窒化アルミニウム結晶粒子の製造方法および窒化アルミニウム結晶粒子」、発明者：原 和彦、出願人：国立大学法人静岡大学（PCT/JP2011/065221、2011年7月1日）
[2]. 窒化ガリウム粉体の製造方法、および窒化ガリウム粉体の製造装置 (2006年3月17日) [特許番号] 特許第3780337号
[備考] 登録日：2006年3月17日，原 和彦，「窒化ガリウム粉体の製造方法、および窒化ガリウム粉体の製造装置」，国立大学法人東京工業大学
[3]. Method for producing powders made of gallium nitride and apparatus for producing the same (2005年6月28日) [特許番号] 6911083
[備考] 登録国：アメリカ合衆国，登録日：2005年6月28日，原 和彦，”Method for producing powders made of gallium nitride and apparatus for producing the same”，国立大学法人東京工業大学
[4]. 窒化アルミニウム系蛍光体 (2005年1月21日) [特許番号] 特許第4979194号
[備考] 登録日2012年4月27日, 出願日：2005年1月21日「窒化アルミニウム系蛍光体」, 原 和彦, 頼 高潮, 東洋アルミニウム株式会社、国立大学法人東京工業大学.
[5]. 窒化アルミニウム系蛍光体及びその製造方法 (2004年7月23日) [特許番号] 特許第4979187号
[備考] 登録日2012年4月27日, 出願日：2004年7月23日,「窒化アルミニウム系蛍光体及びその製造方法」, 原 和彦, 桜井利隆, 頼 高潮, 越 智裕, 東洋アルミニウム株式会社、国立大学法人東京工業大学.
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[1]. 第29回ディスプレイ国際ワークショップ （2022年12月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 福岡国際会議場
[備考] 学会主催者（一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ）
実行委員、プログラム委員
[2]. 第28回ディスプレイ国際ワークショップ （2021年12月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] オンライン
[備考] 学会主催者（一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ）
編集委員長
[3]. 第27回ディスプレイ国際ワークショップ （2020年12月)
[役割] 責任者(議長、実行委員長等） [開催場所] オンライン
[備考] 学会主催者（一般社団法人ディスプレイ国際ワークショップ）
プログラム委員長
[4]. 2018年窒化物半導体国際ワークショップ（略称：IWN2018） （2018年11月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] ANAクラウンプラザ金沢、石川音楽堂
[備考] 学会主催者（日本結晶成長学会）
現地実行副委員長
[5]. 2018年EL国際ワークショップ （2018年9月)
[役割] 責任者以外 [開催場所] 明治大学
[備考] 主催者（日本学術振興会第125委員会）
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[1]. 学術雑誌等の編集(照明学会誌2018年9号) （2017年11月 - 2018年6月 )
[備考] 特集企画
[2]. 学術雑誌等の編集(照明学会誌2016年5号) （2015年11月 - 2016年3月 )
[備考] 特集企画
[3]. 学術雑誌等の編集(照明学会誌2014年10号) （2014年3月 - 2014年9月 )
[備考] 特集企画
[4]. 学術雑誌等の編集(応用物理学会 Japanese Journal of Applied Physics, JSAP-MRS特集号) （2013年10月 - 2014年2月 )
[備考] 編集委員
[5]. 学術雑誌等の編集(応用物理学会 Japanese Journal of Applied Physics, SSDM特集号) （2010年10月 - 2014年1月 )
[備考] 編集委員
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